發(fā)光模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及發(fā)光模塊。本發(fā)明實施方案提供了一種發(fā)光模塊,其包括配置為根據(jù)外部驅(qū)動電壓的電平依次接通或關斷并且彼此串聯(lián)連接的多個發(fā)光器件封裝件。多個發(fā)光器件封裝件中的每個發(fā)光器件封裝件包括具有至少一個發(fā)光器件的發(fā)光單元、以及配置為控制接通或關斷發(fā)光單元的接通/關斷控制器。
【專利說明】發(fā)光模塊
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明實施方案涉及發(fā)光模塊。
【背景技術】
[0002]發(fā)光二極管(LED)為通過利用化合物半導體的特性將電能轉換為可見光或紅外光來發(fā)射或接受信號的半導體器件或用作光源的半導體器件。
[0003]第II1-V族氮化物半導體由于其物理和化學特性正作為發(fā)光器件(例如發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(LD))的芯材而受到關注。
[0004]這些發(fā)光二極管呈現(xiàn)出極好的環(huán)境友好性,原因是其不包含例如用在包括熒光燈、白熾燈等的常規(guī)照明中的對環(huán)境有害的物質(zhì),并且具有低功耗和半永久性壽命等的優(yōu)點。因此,常規(guī)光源正在被發(fā)光二極管所取代。
[0005]通常,發(fā)光模塊包括發(fā)光器件封裝件,進而每個發(fā)光器件封裝件包括發(fā)光器件例如LED。發(fā)光器件通過驅(qū)動集成電路(IC)驅(qū)動。在該情況下,發(fā)光器件布置在發(fā)光器件封裝件的內(nèi)部,而在該發(fā)光器件封裝件的外部布置有驅(qū)動1C。因為驅(qū)動IC布置在發(fā)光器件封裝件的外部而非封裝件的內(nèi)部,所以需要用于安裝驅(qū)動IC的空間,這限制了發(fā)光模塊的設計上的多樣性。
[0006]另外,常規(guī)高電壓發(fā)光模塊包括:彼此串聯(lián)連接的多個發(fā)光器件;用于對各自的發(fā)光器件進行接通或關斷的開關器件;以及用于控制開關器件的切換的單個驅(qū)動1C。在該情況下,驅(qū)動IC基于從外部電源所施加的交流(AC)驅(qū)動電壓的電平來控制開關器件的切換以依次對多個發(fā)光器件進行接通或關斷。當單個驅(qū)動IC如上所述控制所有的發(fā)光器件的驅(qū)動時,驅(qū)動IC必須設計為耐受600伏的最大值。驅(qū)動IC的該高耐受電壓增加了制造成本。
[0007]另外,這樣的常規(guī)發(fā)光模塊包括除發(fā)光器件之外的齊納二極管,以防止LED由于從外部電源引入的靜電而靜電放電。然而,齊納二極管較貴,而且添加安裝齊納二極管的工藝增加了發(fā)光模塊的制造工藝的數(shù)目,因而增加了制造成本。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]實施方案提供了一種其中至少一個發(fā)光器件和接通/關斷控制器兩者一起設置在單位發(fā)光器件封裝件中的發(fā)光模塊。
[0009]在一個實施方案中,發(fā)光模塊包括根據(jù)外部驅(qū)動電壓的電平依次接通或關斷并且彼此串聯(lián)連接的多個發(fā)光器件封裝件,其中多個發(fā)光器件封裝件中的每個發(fā)光器件封裝件包括具有至少一個發(fā)光器件的發(fā)光單元,以及配置為控制所述發(fā)光單元接通或關斷的接通/關斷控制器。
[0010]在多個發(fā)光器件封裝件中的每個發(fā)光器件封裝件中,接通/關斷控制器可以包括配置為控制電流向發(fā)光單元的流動的電流控制集成電路(IC)。
[0011]在多個發(fā)光器件封裝件中的至少一個發(fā)光器件封裝件中,發(fā)光單元可以并聯(lián)地連接到接通/關斷控制器。在多個發(fā)光器件封裝件之中的任意一個發(fā)光器件封裝件中,發(fā)光單元和接通/關斷控制器可以彼此串聯(lián)連接。
[0012]任意一個發(fā)光器件封裝件還可以包括并聯(lián)地連接到接通/關斷控制器的限流電阻器。
[0013]發(fā)光模塊還可以包括配置為對交流型的外部驅(qū)動電壓進行整流并且將經(jīng)整流的外部驅(qū)動電壓供給到多個發(fā)光器件封裝件的整流器。
[0014]發(fā)光模塊還可以包括布置在交流型外部驅(qū)動電壓的電源與整流器之間的熔斷器。
[0015]多個發(fā)光器件封裝件中的每個發(fā)光器件封裝件可以為板上封裝(POB)型。多個發(fā)光器件封裝件中的每個發(fā)光器件封裝件可以包括:彼此電隔離的第一引線框和第二引線框;設置在第一引線框和第二引線框上以限定腔的殼;以及埋入腔中以覆蓋發(fā)光器件和接通/關斷控制器的模制構件,并且發(fā)光器件可以在腔內(nèi)設置于第一引線框上,并且接通/關斷控制器可以在腔內(nèi)設置于第二引線框上。
[0016]殼的限定腔的內(nèi)表面可以傾斜。
[0017]多個發(fā)光器件封裝件中的每個發(fā)光器件封裝件可以為板上芯片(COB)型。多個發(fā)光器件封裝件中的每個發(fā)光器件封裝件可以包括基板、以及布置為覆蓋布置在基板上的發(fā)光器件的模制構件。
[0018]基板可以包括:金屬層;設置在金屬層上的絕緣層;以及設置在絕緣層上并且電連接到發(fā)光器件的接線層。
[0019]分別包括在多個發(fā)光器件封裝件中的基板可以彼此集成,或者可以彼此隔開。
[0020]多個發(fā)光器件封裝件中的待接通的發(fā)光單元的數(shù)目可以隨外部驅(qū)動電壓的電平增加而增加。
[0021]在另一實施方案中,發(fā)光模塊包括:彼此串聯(lián)連接的第一發(fā)光單元至第M發(fā)光單元(在此,M為2或更大的正整數(shù));以及配置為控制第一發(fā)光單元至第M發(fā)光單元中的每個發(fā)光單元接通或關斷的并且彼此串聯(lián)連接的第一接通/關斷控制器至第M接通/關斷控制器,其中第一接通/關斷控制器至第M接通/關斷控制器根據(jù)外部驅(qū)動電壓的電平依次接通或關斷第一發(fā)光單元至第M發(fā)光單元,并且其中第一接通/關斷控制器至第M接通/關斷控制器中的每個接通/關斷控制器與第一發(fā)光單元至第M發(fā)光單元中的對應的一個發(fā)光單元布置在單位發(fā)光器件封裝件中。
[0022]第一接通/關斷控制器至第M接通/關斷控制器可以根據(jù)外部驅(qū)動電壓的電平控制電流向?qū)牡谝话l(fā)光單元至第M發(fā)光單元的流動。
[0023]第一發(fā)光單元至第M發(fā)光單元中的至少一個發(fā)光單元可以并聯(lián)地連接到第一接通/關斷控制器至第M接通/關斷控制器中的至少一個對應的接通/關斷控制器。
[0024]第一發(fā)光單元至第M發(fā)光單元中的一個發(fā)光單元可以串聯(lián)地連接到第一接通/關斷控制器至第M接通/關斷控制器中的對應的接通/關斷控制器。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0025]可以參照附圖詳細地描述布置和實施方案,其中相同的附圖標記指代相同的元件,并且在附圖中:
[0026]圖1為根據(jù)一個實施方案的發(fā)光模塊的電路圖;[0027]圖2A為根據(jù)一個實施方案的圖1中所示的第k接通/關斷控制器的電路圖,并且圖2B為示出施加到圖2A中所示的第k接通/關斷控制器的兩端的電壓和流向圖2A中所示的第k接通/關斷控制器的電流的特性的曲線圖;
[0028]圖3為示出第一接通/關斷控制器至第四接通/關斷控制器的電壓和電流的特性的曲線圖;
[0029]圖4(a)為示出經(jīng)整流器整流的電壓的曲線圖,并且圖4(b)為示出流向發(fā)光模塊的電流的曲線圖;
[0030]圖5A至圖示出第一發(fā)光單元至第四發(fā)光單元的依次接通;
[0031]圖6為根據(jù)一個實施方案的發(fā)光器件封裝件的俯視圖;
[0032]圖7為沿圖6的線7-7’所取的截面圖;
[0033]圖8為根據(jù)另一實施方案的發(fā)光器件封裝件的俯視圖;
[0034]圖9為沿圖8的線9-9’所取的截面圖;
[0035]圖10為圖7和圖9中所示的發(fā)光器件的截面圖;
[0036]圖11為示出包括發(fā)光模塊的照明設備的一個實施方案的分解立體圖;以及
[0037]圖12為示出包括發(fā)光模塊的顯示設備的一個實施方案的分解立體圖。
【具體實施方式】
[0038]在下文中,為了更好理解,將參照附圖詳細地描述實施方案。然而,明顯的是,實施方案可以以各種方式進行修改并且實施方案的范圍不應該解釋為受限于以下描述。因而,提供實施方案是為了確保本領域技術人員對實施方案更完整的理解。
[0039]在對實施方案的以下描述中,應理解的是,當每個元件稱作在其他元件“上”或“之下”形成時,一個元件可以直接地在其他元件“上”或“之下”,或者兩個元件可以間接地形成為在其間插入有一個或更多個其他元件。此外,也將理解的是,在一個元件“上”或“之下”可以包括基于該元件向上或向下的意思。
[0040]在附圖中,為了清楚和方便起見,每層的厚度或尺寸可能被放大、省略或示意性示出。另外,每個構成元件的尺寸未完全反映其實際尺寸。
[0041]圖1為根據(jù)一個實施方案的發(fā)光模塊的電路圖。
[0042]圖1中示例性示出的發(fā)光模塊包括交流(AC)電源10、熔斷器20、整流器30以及第一發(fā)光器件封裝件40-1至第M發(fā)光器件封裝件40-M。在此,M為2或更大的正整數(shù)。為了方便起見,盡管以下描述假定M=4,但是即使當M大于或小于4時也適用實施方案。
[0043]AC電源10供應外部AC驅(qū)動電壓\c。在該情況下,外部驅(qū)動電壓可以具有100V或200V的均方根值以及50Hz至60Hz的頻率。
[0044]熔斷器20用于保護圖1的發(fā)光模塊免受外部驅(qū)動電壓的浪涌影響。即,熔斷器20在接收到外部驅(qū)動電壓中的浪涌時斷開以保護發(fā)光模塊。為此,熔斷器20可以設置在AC電源10與整流器30之間。
[0045]整流器30可以通過對從AC電源10供應的外部AC驅(qū)動電壓Va。進行整流來將該外部AC驅(qū)動電壓\c轉換為紋波信號的全波二極管橋式電路來實現(xiàn)。全波二極管橋式電路可以包括四個橋接二極管BD1、BD2、BD3以及BD4。全波二極管橋式電路通常是公知的,因而本文中將省略對其的詳細描述。[0046]在該情況下,發(fā)光模塊還可以包括使經(jīng)整流器30整流的外部驅(qū)動電壓平滑以將其轉換為直流(DC)信號并且將經(jīng)轉換的DC信號)輸出的平滑器(未示出)。平滑器可以設置于整流器30與第一發(fā)光器件封裝件40-1至第M發(fā)光器件封裝件40-M之間。
[0047]為了方便起見,盡管發(fā)光模塊在下文中已經(jīng)描述為不包括平滑器并且描述為將經(jīng)整流器30整流的外部驅(qū)動電壓供給到多個發(fā)光器件封裝件40-1至40-M,但是實施方案不限于此。
[0048]多個發(fā)光器件封裝件40-1至40-M基于經(jīng)整流的外部驅(qū)動電壓的電平依次接通或依次關斷,并且彼此串聯(lián)連接。多個發(fā)光器件封裝件40-1至40-M分別包括接通/關斷控制器42-1至42-M以及發(fā)光單元44-1至44-M。即,第一發(fā)光器件封裝件40_1包括第一接通/關斷控制器42-1以及第一發(fā)光單元44-1,第二發(fā)光器件封裝件40-2包括第二接通/關斷控制器42-2以及第二發(fā)光單元44-2,第三發(fā)光器件封裝件40-3包括第三接通/關斷控制器42-3以及第三發(fā)光單元44-3,第四發(fā)光器件封裝件40-4包括第四接通/關斷控制器42-4以及第四發(fā)光單元44-4。
[0049]在發(fā)光器件封裝件40-1至40-M中的每個發(fā)光器件封裝件44_m中,第m發(fā)光單元44-m包括至少一個發(fā)光器件D。在此,IM。盡管圖1示出第m發(fā)光單元44_m包括多個發(fā)光器件D,但是實施方案不限于此。即,第m發(fā)光單元44-m可以包括僅一個發(fā)光器件D0發(fā)光器件D可以為例如發(fā)光二極管(LED)。LED可以包括配置為發(fā)射紅光、綠光、藍光或白光的彩色LED以及配置為發(fā)射紫外(UV)光的紫外(UV) LED。
[0050]在發(fā)光器件封裝件40-1至40-M中的每個發(fā)光器件封裝件40_m中,第m接通/關斷控制器42-m控制接通/關斷第m發(fā)光單元44-m。第m接通/關斷控制器42_m可以包括電流控制集成電路(IC)以控制電流向第m發(fā)光單元44-m的流動。
[0051]在多個發(fā)光器件封裝件40-1至40-M之中的至少一個發(fā)光器件封裝件中,發(fā)光單元和接通/關斷控制器可以并聯(lián)地彼此連接。即,在圖1中示例性示出的發(fā)光模塊中的第二發(fā)光器件封裝件40-2至第四發(fā)光器件封裝件40-4中,第二發(fā)光單元44-2至第四發(fā)光單元44-4分別并聯(lián)地連接到第二接通/關斷控制器42-2至第四接通/關斷控制器42-4。
[0052]在多個發(fā)光器件封裝件40-1至40-M中的其他發(fā)光器件封裝件中,發(fā)光單元和接通/關斷控制器可以彼此串聯(lián)連接。即,在圖1中示例性示出的發(fā)光模塊的第一發(fā)光器件封裝件40-1中,第一發(fā)光單元44-1串聯(lián)地連接到第一接通/關斷控制器42-1。
[0053]另外,多個發(fā)光器件封裝件40-1至40-M中的任意一個發(fā)光器件封裝件還可以包括并聯(lián)地連接到接通/關斷控制器的限流電阻器。即,在圖1中示例性示出的第一發(fā)光器件封裝件40-1還可以包括并聯(lián)地連接到第一接通/關斷控制器42-1的限流電阻器R1。
[0054]圖1簡單地例示出根據(jù)一個實施方案的發(fā)光模塊,并且實施方案不限于所示的構造。即,根據(jù)實施方案的發(fā)光模塊可以實現(xiàn)為任意形狀,只要其包括多個發(fā)光器件封裝件并且發(fā)光器件封裝件包括單個發(fā)光單元以及用于接通/關斷發(fā)光單元的接通/關斷控制器即可。
[0055]在下文中,將參照附圖描述具有如上所述的圖1中示例性示出的構造的發(fā)光模塊的操作。然而,將理解的是,將在下文中描述的發(fā)光模塊的操作即接通/關斷控制器的操作簡單地為一個示例并且發(fā)光單元的一個或多個發(fā)光器件可以以各種其他方式操作。
[0056]圖2A為根據(jù)一個實施方案的圖1中所示的第k接通/關斷控制器42-k的電路圖,并且圖2B為示出施加到圖2A中所示的第k接通/關斷控制器的兩端的電壓和流向圖2A中所示的第k接通/關斷控制器的電流的特性的曲線圖。在此,2 < k < M。
[0057]圖2A中示例性示出的第k接通/關斷控制器42-k包括電阻器R2、開關器件50、比較器52、參考電壓發(fā)生器54以及驅(qū)動信號發(fā)生器60。
[0058]開關器件50響應于比較器52的輸出來實現(xiàn)接通或關斷的切換操作。例如,盡管開關器件50可以采取如圖2A所示例性示出的場效應晶體管(FET)的形式,但是開關器件50不限于此,并且可以采取雙極結型晶體管的形式。
[0059]比較器52將FET50的源極和電阻器R2之間的電壓與參考電壓進行相互比較,并且將比較結果施加到FET50的柵極。電阻器R2連接在FET50的源極與第二端子42B之間。
[0060]參考電壓發(fā)生器54利用第一端子42A與第二端子42B之間的電壓來生成參考電壓。在此,假設包括在第k發(fā)光單元44-k中的發(fā)光器件為彼此串聯(lián)連接的第一發(fā)光器件至第N發(fā)光器件,第一端子42A連接到第一發(fā)光二極管的正極并且第二端子42B連接到第N發(fā)光二極管的負極。在此,N為I或更大的正整數(shù)。
[0061]驅(qū)動信號發(fā)生器60包括:邏輯單元62 ;電平檢測器64 ;以及比較器66、68。電平檢測器64檢測第一端子42A處的電壓Vk的低電平和高電平,并且將檢測的結果輸出到邏輯單元62。比較器66將第一臨界電壓Vth與電壓Vk進行比較,并且將比較的結果輸出到邏輯單元62。比較器68將第二臨界電壓Vi與電壓Vk進行比較,并且將比較的結果輸出到邏輯單元62。第一臨界電壓Vth和第二臨界電壓Vi與發(fā)光器件D的正向電壓最接近。
[0062]邏輯單元62使電平檢測器64的輸出與比較器66或68的輸出在邏輯上合并,并且將邏輯上合并的結果輸出為用于驅(qū)動比較器52的信號。
[0063]具有以上所述的構造的第k接通/關斷控制器42-k如下操作。
[0064]參照圖2B,第k接通/關斷控制器42-k基于第k發(fā)光單元44_k的兩端處的電壓Vk來控制電流通過第k發(fā)光單元44-k的流動。第k-Ι發(fā)光單元44- (k_l)與第k發(fā)光單元44-k彼此串聯(lián)連接,并且第k接通/關斷控制器42-k并聯(lián)地連接到第k發(fā)光單元44-k。
[0065]首先,在經(jīng)整流器30整流的外部驅(qū)動電壓的電平升高時,如果當在第k接通/關斷控制器42-k的兩端處的電壓Vk超過啟動電壓時,電流Ik開始流向第k接通/關斷控制器42-k,沒有電流Iklj流向第k發(fā)光單元44-k(即,Ikl=O)。隨著流向第k接通/關斷控制器42-k的電流Ili增加,第k接通/關斷控制器42-k操作為電壓受控的電流源。在該情況下,來自AC電源10的電流流過第k接通/關斷控制器42-k和第k-Ι發(fā)光單元44-(k-l)。
[0066]當在第k接通/關斷控制器42-k的兩端處的電壓Vk變得大于輸入輸出電壓差Vd并且小于第二臨界電壓\時,將流向第k接通/關斷控制器42-k的電流Ik調(diào)節(jié)到指定幅值的電流IMX。此時,流向第k發(fā)光單元44-k的電流Ik,仍然為“零”。
[0067]當?shù)趉接通/關斷控制器42-k的兩端處的電壓Vk超過第二臨界電壓V時,第k接通/關斷控制器42-k關斷。此時,來自AC電源10的電流流過第k發(fā)光單元44-k和第k-Ι發(fā)光單元44-(k_l)。
[0068]接下來,在經(jīng)整流器30整流的外部驅(qū)動電壓的電平下降時,當?shù)趉接通/關斷控制器42-k的兩端的電壓Vk超過第一臨界電壓Vth時,第k接通/關斷控制器42-k仍然關斷。此時,來自AC電源10的電流流過第k發(fā)光單元44-k和第k_l發(fā)光單元44_(k_l)。
[0069]當?shù)趉接通/關斷控制器42-k的兩端處的電壓Vk變得小于第一臨界電壓Vth并且大于輸入輸出電壓差Vd時,第k接通/關斷控制器42-k接通使得在調(diào)節(jié)到指定幅值的電流Imax的電流開始流向第k發(fā)光單元44-k之后沒有電流Ili流向第k發(fā)光單元44-k。SP,流向第k發(fā)光單元44-k的電流被旁通到第k接通/關斷控制器42-k,并且因而來自AC電源10的電流流過第k接通/關斷控制器42-k和第k-Ι發(fā)光單元44-(k-l)。
[0070]當?shù)趉接通/關斷控制器42-k的兩端處的電壓Vk變得小于輸入輸出電壓差Vd時,基于電壓Vk對電流Ik進行調(diào)節(jié)并且沒有電流垃流向第k發(fā)光單元44-k。
[0071]在下文中將基于以上所述的第k接通/關斷控制器42-k的操作來描述圖1中所示例性示出的發(fā)光模塊的整個操作。
[0072]圖3為示出第一接通/關斷控制器42-1至第四接通/關斷控制器42-4的電壓Vmc和電流imC的特性的曲線圖。圖4(a)為示出經(jīng)整流器30整流的外部驅(qū)動電壓的曲線圖,并且圖4(b)為示出流向發(fā)光模塊的電流的曲線圖。
[0073]如圖3和圖4(b)中所示例性示出的,各自的發(fā)光單元44-1至44-4具有不同的指定幅值的電流IMX1、I?AX2> Imax3> Imax4 ;不同的第一臨界電壓V
THl、VtH2、VtH3、VtH4 ? 以及不同的第
二臨界電壓 VTu、Vm、VTL3、Vm。 [0074]另外,在整流的外部驅(qū)動電壓的電平升高時,指定幅值的電流Imaxi'Imax2> Imax3> Imax4之中的最小幅值的電流Imaxi流向的第一接通/關斷控制器42-1開始接通,并且最先關斷。另外,在整流的外部驅(qū)動電壓的電平下降時,具有第一臨界電壓Vth1、Vth2、Vth3、Vth4之中的最大的第一臨界電壓Vth4的第四接通/關斷控制器42-4最先接通。
[0075]圖5A至圖示出第一發(fā)光單元44-1至第四發(fā)光單元44-4的依次接通。在此,流向發(fā)光模塊的電流用箭頭表示,并且如果發(fā)光器件D被包括在位于電流的流動路徑上的發(fā)光單元中,則接通發(fā)光器件D,否則關斷發(fā)光器件D。
[0076]即,在I < t < &的條件下,如圖5A所示例性示出的,接通第一發(fā)光單元44-1并且關斷第二發(fā)光單元44-2至第四發(fā)光單元44-4。在該情況下,來自AC電源10的電流未流過第二發(fā)光單元44-2至第四發(fā)光單元44-4,而是流過第一接通/關斷控制器42-1至第四接通/關斷控制器42-4和第一發(fā)光單元44-1。
[0077]此后,在& ^ t ^ t2的條件下,如圖5B所示例性示出的,接通第一發(fā)光單元44-1和第二發(fā)光單元44-2并且關斷第三發(fā)光單元44-3和第四發(fā)光單元44-4。在該情況下,來自AC電源10的電流未流過第三發(fā)光單元44-3和第四發(fā)光單元44-4以及第二接通/關斷控制器42-2,而是流過第一接通/關斷控制器42-1、第三接通/關斷控制器42-3和第四接通/關斷控制器42-4以及第一發(fā)光單元44-1和第二發(fā)光單元44-2。
[0078]此后,在t2 < t < t3的條件下,如圖5C所示例性示出的,接通第一發(fā)光單元44-1至第三發(fā)光單元44-3并且關斷第四發(fā)光單元44-4。在該情況下,來自AC電源10的電流未流過第四發(fā)光單元44-4以及第二接通/關斷控制器42-2和第三接通/關斷控制器42-3,而是流過第一接通/關斷控制器42-1和第四接通/關斷控制器42-4以及第一發(fā)光單元至第三發(fā)光單元44-1、44-2、44-3。
[0079]此后,在t3 ^t^t4的條件下,如圖所示例性示出的,接通所有的第一發(fā)光單元44-1至第四發(fā)光單元44-4。在該情況下,來自AC電源10的電流未流過第二接通/關斷控制器42-2至第四接通/關斷控制器42-4,而是流過第一接通/關斷控制器42-1以及第一發(fā)光單元44-1至第四發(fā)光單元44-4。[0080]同時,為了保護發(fā)光模塊免受經(jīng)整流的外部驅(qū)動電壓的電平上的大的變化的影響,如圖1中所示例性示出的,附加地設置限流電阻器RI。參照圖4(b),將理解的是,在限流電阻器RI存在下的電流的水平80大于不存在限流電阻器RI下的電流的水平82。
[0081]在常規(guī)發(fā)光模塊的情況下,用于驅(qū)動包括在發(fā)光器件封裝件中的相應發(fā)光器件的驅(qū)動IC設置在發(fā)光器件封裝件的外部,而非設置在封裝件的內(nèi)部。另一方面,在根據(jù)實施方案的發(fā)光模塊的情況下,如上所述,發(fā)光單元44-1至發(fā)光單元44-4以及接通/關斷控制器42-1至接通/關斷控制器42-4設置在相應發(fā)光器件封裝件40-1至發(fā)光器件封裝件40-4的內(nèi)部。因此,可以消除用于將接通/關斷控制器42-1至接通/關斷控制器42-4安裝在發(fā)光模塊中的空間并且不存在對用于驅(qū)動IC的空間的限制,由此有助于發(fā)光模塊的設計上的多樣化。
[0082]另外,在上述的常規(guī)發(fā)光模塊的情況下,單個的驅(qū)動IC對接通或關斷全部的發(fā)光器件進行控制。然而,如上所述,在根據(jù)實施方案的發(fā)光模塊中,單個接通/關斷控制器42-m設置在每個發(fā)光單元44-m處以控制接通或關斷單個發(fā)光單元44_m。因此,在根據(jù)實施方案的發(fā)光模塊中,沒有必要將包括在每個發(fā)光器件封裝件40-m中的每個接通/關斷控制器42-m設計為高耐受電壓。例如,如果包括在每個發(fā)光單元44-m中的發(fā)光器件D的數(shù)目為4,則80V足以作為接通/關斷控制器42-m的耐受電壓。與高耐受電壓相比,這樣的低耐受電壓可以確保降低的制造成本、更容易的設計以及增強的電路功效。例如,如果常規(guī)驅(qū)動IC的耐受電壓為600V并且根據(jù)實施方案的接通/關斷控制器42-m的耐受電壓為80V,則制造成本可以降低10 %至20 %并且實施方案的電流功效可以在比在80 %至85 %的范圍內(nèi)的常規(guī)電流功效高88%至90%的范圍內(nèi)。
[0083]在圖1中所示例性示出的發(fā)光模塊中,可以將各自的發(fā)光器件封裝件40-1至40-M根據(jù)發(fā)光類型、制造方法以及所使用的基板的形狀來劃分為多個種類。
[0084]在下文中,盡管將以上所述的發(fā)光器件封裝件40-1至40-M分別實現(xiàn)為板上芯片(COB)型以及板上封裝(POB)型的情況已經(jīng)在下面描述,但是實施方案不限于此,并且發(fā)光器件封裝件可以實現(xiàn)為任意其他形狀。
[0085]首先,將描述其中發(fā)光單元44-1至44-M中的每一個包括四個發(fā)光器件D并且基板為COB型的發(fā)光器件封裝件40-m。
[0086]圖6為根據(jù)一個實施方案的發(fā)光器件封裝件40-m的俯視圖,并且圖7為沿圖6的線7-7’所取的截面圖。
[0087]參照圖6和圖7,發(fā)光器件封裝件40-m包括:焊墊102、104、106、108 ;基板140 ;模制構件150 ;接線160 ;發(fā)光器件D ;以及接通/關斷控制器42-m。
[0088]將來自整流器30的經(jīng)整流的外部驅(qū)動電壓輸出施加到焊墊102至焊墊108。BP,焊墊104至焊墊108可以連接到如圖2A所示例性示出的第一端子42A并且焊墊102可以連接到第二端子42B。
[0089]基板140可以包括印刷在絕緣體上的電路圖案。基板140的實例可以包括印刷電路板(PCB)、金屬芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB等。
[0090]例如,基板140可以包括金屬層110、絕緣層120以及接線層130。金屬層110和接線層130中的每一個可以由例如銀(Ag)或鋁(Al)等金屬中的至少一種或組合形成。絕緣層120布置在金屬層110上,并且接線層130布置在絕緣層120上。絕緣層120可以由樹脂形成。
[0091]盡管圖7示出金屬層110和絕緣層120中的每一個為單一層,但是實施方案不限于此。即,金屬層Iio可以包括多個層,并且絕緣層120可以包括多個層。
[0092]接線層130包括在絕緣層120上彼此電隔離的第一接線層132和第二接線層134。每個發(fā)光器件D可以設置在第一接線層132和第二接線層134中的任意一個上,并且可以經(jīng)由接線160電連接到第一接線層132和第二接線層134。盡管圖7示出發(fā)光器件D通過粘結構件(未示出)設置在第一接線層132上,但是實施方案不限于此,并且發(fā)光器件D可以設置在第二接線層134上。
[0093]每個模制構件150設置在基板140上以覆蓋對應的發(fā)光器件D,以便于包封并保護發(fā)光器件D。在該情況下,接通/關斷控制器42-m未被模制構件150覆蓋。另外,模制構件150可以包含用于改變從發(fā)光器件D發(fā)射的光的波長的熒光物質(zhì)。
[0094]在上述的常規(guī)發(fā)光模塊的情況下,多個發(fā)光器件設置在單個基板140上。另一方面,在根據(jù)實施方案的發(fā)光模塊中,各個發(fā)光器件封裝件的基板140可以彼此隔開,或者可以彼此集成。
[0095]接下來,將描述其中每個發(fā)光單元44-m包括三個發(fā)光器件D并且基板為POB型的發(fā)光器件封裝件40-m。
[0096]圖8為根據(jù)另一實施方案的發(fā)光器件封裝件40-m的俯視圖,并且圖9為沿圖8的線9-9’所取的截面圖。
[0097]參照圖8和圖9,發(fā)光器件封裝件40-m包括:第一引線框210和第二引線框212 ;絕緣層220 ;殼230 ;接線242、244、246 ;模制構件250 ;發(fā)光器件D ;以及接通/關斷控制器42_m0
[0098]首先,殼230設置在第一引線框210和第二引線框212上以限定腔。殼230包括第一區(qū)域232和第二區(qū)域234。從第一區(qū)域232延伸的第二區(qū)域234可以傾斜。S卩,殼230可以具有傾斜的內(nèi)表面230A。傾斜的內(nèi)表面230A可以有利于使從發(fā)光器件發(fā)射的光朝上反射,由此增強光提取效率。殼230可以通過塑性樹脂例如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)的注塑模制來形成。殼230可以通過在其中第一引線框210和第二引線框212位于模具中的狀態(tài)下引入注塑模制的塑性樹脂來形成。
[0099]第一引線框210和第二引線框212通過絕緣層220彼此電隔離。第一引線框210和第二引線框212可以既用于通過反射從發(fā)光器件D發(fā)射的光來增強發(fā)光效率,也用于使在發(fā)光器件D中生成的熱向外散發(fā)。絕緣層220可以由Si02、Si0x、Si0xNy、Si3N4以及Al2O3形成,但不限于此。
[0100]發(fā)光器件D在腔236中設置于第一引線框210上,并且接通/關斷控制器42_m在腔236中設置于第二引線框212上。每個發(fā)光器件D經(jīng)由接線242電連接到第一引線框210,并且經(jīng)由接線244電連接到第二引線框212。接通/關斷控制器42_m可以經(jīng)由接線246電連接到第一引線框210。
[0101]第一引線框210和第二引線框212中的每一個可以由具有極好電導率和熱導率的材料形成。例如,第一引線框210和第二引線框212可以由金屬例如銀(Ag)或鋁(Al)中的至少一個或組合形成。[0102]模制構件250埋入第一引線框210和第二引線框212之上的腔236中以覆蓋發(fā)光器件D和接通/關斷控制器42-m,以包封并保護發(fā)光器件D和接通/關斷控制器42-m。另外,模制構件250可以包含突光物質(zhì)以改變從發(fā)光器件D發(fā)射的光的波長。
[0103]圖7和圖9中所示例性示出的模制構件150、250可以通過利用模具的模制(例如傳遞模制法)形成為指定透鏡形狀??商娲兀瑓⒄請D9,模制構件250可以通過將透光樹脂注入到腔236中來形成。
[0104]同時,如圖6至圖9所示例性示出的接通/關斷控制器42-m用于防止發(fā)光器件D由于從外部電源引入的靜電而靜電放電。即,接通/關斷控制器42-m可以用作齊納二極管。因此,根據(jù)實施方案的發(fā)光模塊不需要單獨的齊納二極管。因此,省略昂貴的齊納二極管可以簡化制造工藝并且降低制造成本。
[0105]另外,接通/關斷控制器42-m可以設置在通常安裝常規(guī)齊納二極管的位置處。在該情況下,沒有必要在發(fā)光器件封裝件40-m內(nèi)提供用于安裝接通/關斷控制器42-m的附加的區(qū)域。 [0106]同時,盡管圖7和圖9示出水平型的發(fā)光器件D,但是實施方案不限于此。即,發(fā)光器件D可以為垂直型或倒裝芯片接合型。
[0107]圖10為圖7和圖9中所示發(fā)光器件D的截面圖。
[0108]在圖10中示例性示出的發(fā)光器件D包括:襯底310 ;發(fā)光結構320 ;第一歐姆接觸層332和第二歐姆接觸層334 ;以及第一電極342和第二電極344。
[0109]襯底310可以由導電材料或非導電材料形成。例如,襯底310可以由A1203、GaN、SiC、ZnO、GaP、InP、Ga203、GaAs 或 Si 中的至少一種形成。
[0110]還可以在襯底310與發(fā)光結構320之間插入緩沖層(未示出)來減輕晶格失配。緩沖層可以例如由選自Al、In、N以及Ga的至少一種材料形成,但是不限于此。另外,緩沖層可以具有單層或多層的形式。
[0111]發(fā)光結構320包括在襯底310之上依次逐層堆疊的第一導電半導體層322、有源層324以及第二導電半導體層326。
[0112]第一導電半導體層322可以由摻雜有第一導電摻雜劑的第II1-V族或第I1-VI族化合物半導體來形成。如果第一導電半導體層322為η型半導體層,則第一導電摻雜劑可以包括作為η型摻雜劑的S1、Ge、Sn、Se以及Te,但是不限于此。
[0113]例如,第一導電半導體層322可以由具有InxAlyGa(1_x_y)N(0≤x≤1,0≤y≤1,O≤x+y≤I)的組成的半導體材料形成。第一導電半導體層322可以由GaN、InN、AIN、InGaN, AIGaN, InAIGaN, AIInN、AIGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP 或者InP中的至少一種形成。
[0114]有源層324為這樣的層:經(jīng)由第一導電半導體層322注入的電子(或空穴)與經(jīng)由第二導電半導體層326注入的空穴(電子)在該層中彼此相遇以發(fā)射光,所發(fā)射的光具有由有源層324的構成材料的固有能帶確定的能量。
[0115]有源層324可以為單阱結構、多阱結構、單量子阱結構、多量子阱結構、量子線結構或量子點結構中的至少一種。
[0116]有源層324 的阱層和勢壘層具有 InGaN / GaN、InGaN / InGaN, GaN / AlGaN,InAlGaN / GaN、GaAs (InGaAs) / AlGaAs 以及 GaP (InGaP) / AlGaP 中的任意一種或更多種的對結構,但是不限于此。阱層可以由具有比勢壘層的帶隙能量低的帶隙能量的材料形成。
[0117]可以在有源層324之上和/或之下形成導電覆層(未示出)。導電覆層可以由具有比有源層324的勢壘層的帶隙能量高的帶隙能量的半導體形成。例如,導電覆層可以包括GaN、AlGaN, InAlGaN或者其超晶格結構。另外,導電覆層可以被摻雜有η型摻雜劑或ρ型摻雜劑。
[0118]第二導電半導體層326可以由半導體化合物(例如第II1-V族或第I1-VI族半導體化合物)形成。例如,第二導電半導體層326可以由具有InxAlyGa(1_x_y)N(0 ^ x ^ I,
l,0^x+y^ I)的組成的半導體材料形成。第二導電半導體層326可以被摻雜有第二導電摻雜劑。如果第二導電半導體層326為ρ型半導體層,則第二導電摻雜劑可以包含Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba等作為ρ型摻雜劑。
[0119]第一導電半導體層322可以為η型半導體層并且第二導電半導體層326可以為ρ型半導體層??商娲兀谝粚щ姲雽w層322可以為ρ型半導體層并且第二導電半導體層326可以為η型半導體層。另外,在第二導電半導體層326之下還可以設置包括η型或P型半導體層的半導體層。由此,發(fā)光結構320可以具有N-P結結構、P-N結結構、N-P-N結結構以及P-N-P結結構之中的任意一種結構。
[0120]同時,第一歐姆接觸層332用于改善第一導電半導體層322的歐姆特性。例如,第一歐姆接觸層332可以包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化銦鋁鋅(IAZO)、氧化銦 鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵錫(IGTO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鎵鋅(GZO)、IZO 氮化物(IZON)、Al-Ga ZnO (AGZO)、In-Ga ZnO(IGZO)、Zn。、IrOx、RuOx、NiO, RuOx / IT0,Ni/Ir0x / Au 或者 Ni/IrOx / Au / ITO 以及 Ag、N1、Cr、T1、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au或Hf中的至少一種,但是不限于上述材料。
[0121]第二歐姆接觸層334用于改善第二導電半導體層326的歐姆特性。如果第二導電半導體層326為ρ型半導體層,則第二導電半導體層326可以由于其低雜質(zhì)摻雜濃度而具有高接觸電阻,從而具有差的歐姆特性。第二歐姆接觸層334可以用于改善以上所述的歐姆特性。第二歐姆接觸層 334 可以包括 In、Zn、Sn、Al、Ga、Sb、N、Ir、Ag、N1、Cr、T1、Rh、Pd、Ru、Mg、Pt、Au或Hf中的至少一種和氧??商娲?,第二歐姆接觸層334可以包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化銦鋁鋅(IAZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵錫(IGTO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鎵鋅(GZO)、IZO氮化物(IZON)、Al-Ga ZnO (AGZO)、In-Ga ZnO (IGZO)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx / ΙΤ0、Ni / IrOx / Au或者 Ni / IrOx / Au / ITO 以及 Ag、N1、Cr、T1、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au或Hf中至少一種,但不限于上述材料。
[0122]第一電極342設置在第一歐姆接觸層332上,并且第二電極344設置在第二歐姆接觸層334上。例如,第一電極342和第二電極344可以由鋁(Al)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、銅(Cu)或金(Au)中的至少一種形成,并且可以具有單層或多層結構。
[0123]第一電極342可以經(jīng)由接線352連接到圖7中示例性示出的第一接線層132,并且第二電極344可以經(jīng)由接線354連接到第二接線層134。在該情況下,接線352和接線354對應于圖7中示例性示出的接線160。
[0124]可替代地,第一電極342可以經(jīng)由接線352連接到圖9中所示例性示出的第一引線框210,并且可以經(jīng)由接線354連接到第二引線框212。在該情況下,接線352和接線354分別對應于圖9中示例性示出的接線242和接線244。
[0125]圖11為示出包括發(fā)光模塊的照明設備的一個實施方案的分解立體圖。
[0126]根據(jù)一個實施方案的照明設備包括:用于發(fā)射光的發(fā)光模塊600 ;其中設置有發(fā)光模塊600的殼400 ;用于散發(fā)發(fā)光模塊600的熱的散熱器500 ;以及用于將發(fā)光模塊600和散熱器500耦接到殼400的保持器700。
[0127]殼400包括耦接到電插座(未示出)的插座耦接部410以及連接到插座耦接部410的體部420。體部420可以具有貫穿于其中的空氣流通孔430。
[0128]在該實施方案中,殼400的體部420可以具有擁有放射狀布置的多個空氣流通孔430。即,根據(jù)需要可以提供具有除所示的放射狀布置之外的各種其他布置的單個空氣流通孔或多個空氣流通孔。
[0129]發(fā)光模塊600可以包括發(fā)光器件封裝件和控制器,并且可以對應于圖1中所示例性不出的發(fā)光模塊。發(fā)光模塊600可以成型為使其插入殼400的開口,并且發(fā)光模塊600可以由具有高熱導率的材料形成以將熱傳遞到下文將描述的散熱器500。
[0130]保持器700可以位于發(fā)光模塊600下并且可以包括框和空氣流通孔。另外,盡管未不出,但是可以在發(fā)光模塊600下設置光學構件以對從發(fā)光模塊600發(fā)射的光進行漫射、散射或匯聚。
[0131]圖12為示出包括發(fā)光模塊的顯示設備800的一個實施方案的分解立體圖。
[0132]參照圖12,根據(jù)一個實施方案的顯不設備800包括:發(fā)光模塊830、850 ;在底蓋810上的反射器820 ;設置在反射器820前方以將從發(fā)光模塊830、850發(fā)射的光朝向顯不設備800的前方引導的導光板840 ;設置在導光板840前方的第一棱鏡片850和第二棱鏡片860 ;設置在第二棱鏡片860前方的面板870 ;以及設置在面板870前方的濾色器880。
[0133]發(fā)光模塊可以包括設置在電路板830上的發(fā)光器件835并且發(fā)光模塊可以對應于圖1的發(fā)光模塊。
[0134]底蓋810可以配置為容納顯示設備800的構成元件。反射器820可以為如附圖中所示例性示出的單獨的元件,或者可以為涂覆在導光板840的背表面或底蓋810的前表面上的高反射率材料。
[0135]在此,反射器820可以由具有高反射率的材料形成并且可以形成為超薄形狀。例如,反射器820可以由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。
[0136]導光板840用于散射從發(fā)光模塊發(fā)射的光以使得光能夠遍及顯示設備800的屏幕均勻分布。因此,導光板840由具有良好折射率和透過率的材料形成,并且可以由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)或聚乙烯(PE)形成??商娲兀梢院雎詫Ч獍?40以將光以空氣導引方式在反射器820之上的空間中透射。
[0137]第一棱鏡片850包括支承膜以及形成在支承膜的一個表面上的透光塑性聚合物材料。該聚合物材料可以形成其中重復有多個3維圖案的棱鏡層。在此,多個圖案可以為包括如所示重復形成的脊和谷的條形圖案。
[0138]形成在第二棱鏡片860的支承膜的一個表面上的脊和谷的方向可以垂直于形成在第一棱鏡片850的支承膜的一個表面上的脊和谷的方向。這使得從發(fā)光模塊和反射器傳送的光能夠遍及面板870均勻分布。[0139]在本實施方案中,第一棱鏡片850和第二棱鏡片860用作光學片。作為光學片的其他組合的實施例,可以提供顯微透鏡陣列、擴散片和顯微透鏡陣列的組合、或者單個棱鏡片和顯微透鏡陣列的組合。
[0140]面板870可以為液晶顯示板,或者可以為需要光源的其他種類的顯示器件。
[0141]面板870包括插在玻璃體之間的液晶,并且為了利用光的偏振性將偏振器設置在任一玻璃體上。在此,液晶具有介于液體和固體之間的中間特性,液晶為具有類似液體的流動性的有機分子,并且具有其中液晶規(guī)則布置為晶體的狀態(tài)。因而,面板870利用液晶的規(guī)則分子布置通過外部電場改變的特性顯示圖像。
[0142]用在顯示設備中的液晶顯示板為有源矩陣型并且采用晶體管作為開關以調(diào)節(jié)待施加到每個像素的電壓。
[0143]濾色器880可以設置在面板870的前表面上以基于每個像素僅透過從面板870發(fā)射的光中的紅光、綠光以及藍光,由此能夠顯示圖像。
[0144]如從以上的描述顯現(xiàn)的,與驅(qū)動IC(對應于用于驅(qū)動發(fā)光器件封裝件中的每個發(fā)光器件的接通/關斷控制器)設置在發(fā)光器件封裝件的外部而非封裝件的內(nèi)部的常規(guī)發(fā)光模塊不同,根據(jù)一個實施方案的發(fā)光模塊配置為使得發(fā)光單元和接通/關斷控制器兩者均設置在單個發(fā)光器件封裝件的內(nèi)部。因此,可以從發(fā)光模塊消除用于安裝接通/關斷控制器的空間,這有助于發(fā)光模塊的設計上的多樣化。此外,與單個驅(qū)動IC對接通或關斷全部的發(fā)光器件進行控制的常規(guī)發(fā)光模塊不同,在根據(jù)一個實施方案的發(fā)光模塊中,接通/關斷控制器設置為基于每個發(fā)光單元使得單個接通/關斷控制器對接通/關斷單個發(fā)光單元進行控制。因此,沒有必要將每個接通/關斷控制器設計為高耐受電壓,這可以使得制造成本降低、設計更容易以及電路功效增強。此外,與需要單獨的齊納二極管的常規(guī)發(fā)光模塊不同,在根據(jù)一個實施方案的發(fā)光模塊中,接通/關斷控制器用作齊納二極管。因而,不再需要昂貴的齊納二極管,這使得制造工藝簡化和制造成本降低。此外,因為接通/關斷控制器設置在現(xiàn)有齊納二極管的位置處,所以沒有必要在發(fā)光器件封裝件內(nèi)提供用于接通/關斷控制器的單獨的空間。
[0145]盡管已經(jīng)參照實施方案的大量示例性實例對實施方案進行了描述,但是應該理解,本領域技術人員可以做出落在本公開內(nèi)容的原則的精神和范圍內(nèi)的大量其他修改和實施方案。更具體地,可以進行在公開內(nèi)容、附圖以及所附權利要求的范圍內(nèi)的目標組合布置的組成部分和/或布置上的各種變化和修改。除組成部分和/或布置上的變化和修改之夕卜,替選用途對于本領域技術人員也將是明顯的。
【權利要求】
1.一種發(fā)光模塊,其包括多個發(fā)光器件封裝件,所述多個發(fā)光器件封裝件配置為根據(jù)外部驅(qū)動電壓的電平依次接通或關斷并且彼此串聯(lián)連接, 其中所述多個發(fā)光器件封裝件中的每個發(fā)光器件封裝件包括: 具有至少一個發(fā)光器件的發(fā)光單元;以及 配置為控制接通或關斷所述發(fā)光單元的接通/關斷控制器。
2.根據(jù)權利要求1所述的模塊,其中在所述多個發(fā)光器件封裝件中的每個發(fā)光器件封裝件中,所述接通/關斷控制器包括配置為控制電流向所述發(fā)光單元的流動的電流控制集成電路(1C)。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的模塊,其中在所述多個發(fā)光器件封裝件中的至少一個發(fā)光器件封裝件中,所述發(fā)光單元并聯(lián)地連接到所述接通/關斷控制器。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的模塊,其中在所述多個發(fā)光器件封裝件中的任一個發(fā)光器件封裝件中,所述發(fā)光單元和所述接通/關斷控制器彼此串聯(lián)連接。
5.根據(jù)權利要求4所述的模塊,其中所述任一個發(fā)光器件封裝件還包括并聯(lián)地連接到所述接通/關斷控制器的限流電阻器。
6.根據(jù)權利要求1或2所述的模塊,還包括配置為對交流型的外部驅(qū)動電壓進行整流并且將經(jīng)整流的外部驅(qū)動電壓供給到所述多個發(fā)光器件封裝件的整流器。
7.根據(jù)權利要求6所述的模塊,還包括設置在所述交流型的外部驅(qū)動電壓的電源與所述整流器之間的熔斷器。
8.根據(jù)權利要求1或2所述的模塊,其中所述多個發(fā)光器件封裝件中的每個發(fā)光器件封裝件為板上封裝(POB)型。
9.根據(jù)權利要求8所述的模塊,其中所述多個發(fā)光器件封裝件中的每個發(fā)光器件封裝件包括: 配置為彼此電隔離的第一引線框和第二引線框; 設置在所述第一引線框和所述第二引線框上以限定腔的殼;以及 埋入所述腔中以覆蓋所述發(fā)光器件和所述接通/關斷控制器的模制構件,并且 其中所述發(fā)光器件在所述腔內(nèi)設置于所述第一引線框上,并且所述接通/關斷控制器在所述腔內(nèi)設置于所述第二弓丨線框上。
10.根據(jù)權利要求9所述的模塊,其中所述殼的限定所述腔的內(nèi)表面是傾斜的。
11.根據(jù)權利要求1或2所述的模塊,其中所述多個發(fā)光器件封裝件中的每個發(fā)光器件封裝件為板上芯片(COB)型。
12.根據(jù)權利要求11所述的模塊,其中所述多個發(fā)光器件封裝件中的每個發(fā)光器件封裝件包括: 基板,以及 設置為覆蓋設置于所述基板上的所述發(fā)光器件的模制構件。
13.根據(jù)權利要求12所述的模塊,其中所述基板包括: 金屬層; 設置在所述金屬層上的絕緣層;以及 設置在所述絕緣層上并且配置為電連接到所述發(fā)光器件的接線層。
14.根據(jù)權利要求12所述的模塊,其中分別包括在所述多個發(fā)光器件封裝件中的所述基板是彼此集成的。
15.根據(jù)權利要求12所述的模塊,其中分別包括在所述多個發(fā)光器件封裝件中所述基板是彼此隔開的。
16.根據(jù)權利要求1或2所述的模塊,其中所述多個發(fā)光器件封裝件中的待被接通的所述發(fā)光單元的數(shù)目隨所述外部驅(qū)動電壓的電平增加而增加。
17.—種發(fā)光模塊,包括: 彼此串聯(lián)連接的第一發(fā)光單元至第M發(fā)光單元(在此,M為2或更大的正整數(shù));以及 配置為控制接通或關斷所述第一發(fā)光單元至所述第M發(fā)光單元中的每個發(fā)光單元并且彼此串聯(lián)連接的第一接通/關斷控制器至第M接通/關斷控制器, 其中所述第一接通/關斷控制器至所述第M接通/關斷控制器根據(jù)外部驅(qū)動電壓的電平依次接通或關斷所述第一發(fā)光單元至所述第M發(fā)光單元,并且 其中所述第一接通/關斷控制器至所述第M接通/關斷控制器中的每個接通/關斷控制器、以及所述第一發(fā)光單元至所述第M發(fā)光單元中的對應的一個發(fā)光單元設置在單位發(fā)光器件封裝件中。
18.根據(jù)權利要求17所述的模塊,其中所述第一接通/關斷控制器至所述第M接通/關斷控制器根據(jù)所述外部驅(qū)動電壓的電平控制電流向相應所述第一發(fā)光單元至所述第M發(fā)光單元的流動。
19.根據(jù)權利要求17或18所述的模塊,其中所述第一發(fā)光單元至所述第M發(fā)光單元中的至少一個發(fā)光單元并聯(lián)地連接到所述第一接通/關斷控制器至所述第M接通/關斷控制器中的至少一個對應的接通/關斷控制器。
20.根據(jù)權利要求17或18所述的模塊,其中所述第一發(fā)光單元至所述第M發(fā)光單元中的一個發(fā)光單元串聯(lián)地連接到所述第一接通/關斷控制器至所述第M接通/關斷控制器中的對應的接通/關斷控制器。
【文檔編號】H01L33/62GK103974485SQ201410043484
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年1月29日 優(yōu)先權日:2013年2月5日
【發(fā)明者】姜日映, 權奇首, 李相勛, 朱根鐸, 崔太榮 申請人:Lg伊諾特有限公司