一種片式整流橋堆封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型的一種片式整流橋堆封裝結(jié)構(gòu)，包括上料片和下料片，所述上料片和下料片之間焊接有4個在同一平面上的芯片，上料片和下料片外包覆有塑封體，上料片和下料片的引腳從塑封體兩側(cè)中部橫向伸出，并且上料片和下料片的引腳中部和末端彎折成L形，塑封體底部高于引腳底部。本實用新型的有益效果是：有效降低線路板上的占位空間，同時由于塑封體厚度減薄，具體較高的散熱效率。采用4顆芯片共面，很好的將封裝應(yīng)力分散。
【專利說明】一種片式整流橋堆封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種片式整流橋堆封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】[0002]目前，傳統(tǒng)的片式整流橋堆MBF封裝結(jié)構(gòu)采用上下兩層，每層各2顆芯片結(jié)構(gòu)。封裝體厚度為2.5mm，在線路板上的占用空間較大。每一層的芯片所受的封裝應(yīng)力較大，且熱量不易分散。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決以上技術(shù)上的不足，本實用新型提供了一種占用空間小，易于散熱的片式整流橋堆封裝結(jié)構(gòu)。
[0004]本實用新型是通過以下措施實現(xiàn)的:
[0005]本實用新型的一種片式整流橋堆封裝結(jié)構(gòu)，包括上料片和下料片，所述上料片和下料片之間焊接有4個在同一平面上的芯片，上料片和下料片外包覆有塑封體，上料片和下料片的引腳從塑封體兩側(cè)中部橫向伸出，并且上料片和下料片的引腳中部和末端彎折成L形，塑封體底部高于引腳底部。
[0006]上述塑封體的厚度為1.2"l.6mm,寬度為4.5^4.9mm。
[0007]本實用新型的有益效果是:有效降低線路板上的占位空間，同時由于塑封體厚度減薄，具體較高的散熱效率。采用4顆芯片共面，很好的將封裝應(yīng)力分散。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為本實用新型的側(cè)面剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖2為本實用新型的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]其中:1上料片，2下料片，3塑封體，4引腳。
【具體實施方式】
[0011]如圖1所示，本實用新型的一種片式整流橋堆封裝結(jié)構(gòu)，包括上料片和下料片，上料片和下料片之間焊接有4個在同一平面上的芯片，4顆芯片共面，利于單顆芯片的散熱及應(yīng)力分散，同時焊接裝配簡單化。焊接芯片時，采用錫膏一次焊接工藝，取代傳統(tǒng)的焊片兩次焊接工藝，有效提升焊接產(chǎn)能，同時避免兩次填配時對芯片的損傷。如圖2所示，采用矩陣結(jié)構(gòu)替代傳統(tǒng)的單片式，可有效提升生產(chǎn)效率，同時為后續(xù)自動化提供了條件。
[0012]上料片和下料片外包覆有塑封體，上料片和下料片的引腳從塑封體兩側(cè)中部橫向伸出，并且上料片和下料片的引腳中部和末端彎折成L形，塑封體底部高于引腳底部。有利于芯片的散熱。
[0013]塑封體的厚度為1.2^1.6mm,寬度為4.5^4.9mm。比傳統(tǒng)的MIN1-DIP薄，可有效降低線路板的占位空間及具有較高的散熱性。[0014]本實用新型廣泛應(yīng)用于調(diào)制解調(diào)器、筆記本電腦數(shù)據(jù)線保護(hù)、開關(guān)式電源、LED燈具、節(jié)能燈具等以及任何需求小型高能橋式整流器的電路。
[0015]以上所述僅是本專利的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本專利技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本專利的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種片式整流橋堆封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括上料片和下料片，所述上料片和下料片之間焊接有4個在同一平面上的芯片，上料片和下料片外包覆有塑封體，上料片和下料片的引腳從塑封體兩側(cè)中部橫向伸出，并且上料片和下料片的引腳中部和末端彎折成L形，塑封體底部高于引腳底部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述片式整流橋堆封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述塑封體的厚度為.1.2?1.6mm，寬度為 4.5?4.9mm。
【文檔編號】H01L23/49GK203491251SQ201320549944
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年9月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月5日
【發(fā)明者】陳鋼全 申請人:山東迪一電子科技有限公司