被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型揭露一種被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)，具有一個(gè)模塊化的基座，在制作工藝時(shí)，能直接于基座上直接加工，因此能在工藝上提供更快速制作流程，節(jié)省工藝的成本，對(duì)后續(xù)產(chǎn)品的進(jìn)度產(chǎn)生正向效益。
【專利說明】被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型是有關(guān)于一種被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)，特別是一種通過模塊化，并大量迅速組裝的封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]近幾年來，隨著電子科技、網(wǎng)絡(luò)等相關(guān)技術(shù)的進(jìn)步，以及全球電子市場(chǎng)消費(fèi)水平的提升，個(gè)人計(jì)算機(jī)、多媒體、工作站、網(wǎng)路、通信相關(guān)設(shè)備等電子產(chǎn)品的需求量激增，帶動(dòng)整個(gè)世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。
[0003]由于電子產(chǎn)品朝向輕薄短小、低耗能發(fā)展的趨勢(shì)，使得相關(guān)的電路元件也面臨體積縮減的壓力，電路設(shè)計(jì)將朝向小型化、模塊化的方向發(fā)展；打開每個(gè)電子產(chǎn)品的外殼，印入眼簾的是布滿各式各樣電子元件的電路板，一般電路板上最常見的就是被動(dòng)元件，例如:電阻、電容、電感或二極管等，因此，被動(dòng)元件的體積縮小對(duì)電路板整體體積縮小是有幫助的；也因此，如何提高電路板上的主、被動(dòng)元件的整合性已慢慢成為電路設(shè)計(jì)的主流，通過高度集積化設(shè)計(jì)，以利系統(tǒng)產(chǎn)品體積縮小并達(dá)到功能多樣化目標(biāo)。
[0004]除此中外，在工藝上，各樣電子元件的制作時(shí)間及步驟如過冗長及繁雜，將影響到整體成本的增加，因此減少工藝時(shí)間及，符合電子元件輕薄短小為目前的發(fā)展趨勢(shì)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]為了解決上述所提到問題，本實(shí)用新型的一主要目的在于提供一種被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)，特別是一種提供模塊化的封裝結(jié)構(gòu)，能在工藝上提供更快速制作流程。
[0006]依據(jù)上述目的，本實(shí)用新型提供一種被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含:
[0007]—基座,具有一上表面與相對(duì)該上表面的一下表面,于該上表面上形成一凹槽,于該凹槽的一側(cè)形成一高于該凹槽底部且低于該上表面的一平臺(tái)，并使在該凹槽內(nèi)低于該平臺(tái)的區(qū)域形成一置晶槽；
[0008]一第一貫穿孔，貫穿于該置晶槽；
[0009]一第二貫穿孔，貫穿于該平臺(tái)；
[0010]—芯片，配置于該置晶槽內(nèi)，且于該芯片的上表面形成一第一電性連接點(diǎn)，于該芯片的下表面形成一第二電性連接點(diǎn)；
[0011]一第三電性連接點(diǎn)，形成于該平臺(tái)上，并置于該第二貫穿孔上方；
[0012]一第一焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第一貫穿孔；
[0013]一第一金屬導(dǎo)線，配置于該第一貫穿孔內(nèi)，并電性連接該第一焊墊及該第二電性連接點(diǎn)；
[0014]一第二焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第二貫穿孔；
[0015]一第二金屬導(dǎo)線，配置于該第二貫穿孔內(nèi)，并電性連接該第二焊墊及該第三電性連接點(diǎn)；
[0016]一第三金屬導(dǎo)線，電性連接該第三電性連接點(diǎn)及該第一電性連接點(diǎn)；[0017]一基板，局部覆蓋于該芯片的上表面，并曝露出該第三金屬導(dǎo)線接點(diǎn)的區(qū)域；及
[0018]一膠體，覆蓋于該第三金屬導(dǎo)線接點(diǎn)的區(qū)域。
[0019]其中該基板及該膠體于該凹槽內(nèi)覆蓋后的高度與該基座的上表面齊高。
[0020]本實(shí)用新型還提供一種被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含:
[0021]—基座,具有一上表面與相對(duì)該上表面的一下表面,于該上表面上形成一凹槽,于該凹槽的一側(cè)形成一高于該凹槽底部且低于該上表面的一平臺(tái)，并使在該凹槽內(nèi)低于該平臺(tái)的區(qū)域形成一置晶槽；
[0022]一第一貫穿孔，貫穿于該置晶槽；
[0023]一第二貫穿孔，貫穿于該平臺(tái)；
[0024]—芯片，配置于該置晶槽內(nèi)，且于該芯片的上表面形成一第一電性連接點(diǎn)，于該芯片的下表面形成一第二電性連接點(diǎn)；
[0025]一第三電性連接點(diǎn)，形成于該平臺(tái)上，并置于該第二貫穿孔上方；
[0026]—第一焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第一貫穿孔；
[0027]—第一金屬導(dǎo)線，配置于該第一貫穿孔內(nèi)，并電性連接該第一焊墊及該第二電性連接點(diǎn)；
[0028]一第二焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第二貫穿孔；
[0029]一第二金屬導(dǎo)線，配置于該第二貫穿孔內(nèi)，并電性連接該第二焊墊及該第三電性連接點(diǎn)；
[0030]一第三金屬導(dǎo)線，電性連接該第三電性連接點(diǎn)及該第一電性連接點(diǎn)；及
[0031]一膠體，覆蓋于該芯片的上表面及該第三金屬導(dǎo)線接點(diǎn)的區(qū)域。
[0032]其中該膠體的材質(zhì)為低溫膠。
[0033]本實(shí)用新型再提供一種被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含:
[0034]—基座,具有一上表面與相對(duì)該上表面的一下表面,于該上表面上形成一凹槽,于該凹槽的一側(cè)形成一高于該凹槽底部且低于該上表面的一平臺(tái)，并使在該凹槽內(nèi)低于該平臺(tái)的區(qū)域形成一置晶槽；
[0035]一第一貫穿孔，貫穿于該置晶槽；
[0036]一第二貫穿孔，貫穿于該平臺(tái)；
[0037]—芯片，配置于該置晶槽內(nèi)，且于該芯片的上表面形成一第一電性連接點(diǎn)，于該芯片的下表面形成一第二電性連接點(diǎn)；
[0038]一第三電性連接點(diǎn)，形成于該平臺(tái)上，并置于該第二貫穿孔上方；
[0039]—第一焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第一貫穿孔；
[0040]一第一金屬導(dǎo)線，配置于該第一貫穿孔內(nèi)，并電性連接該第一焊墊及該第二電性連接點(diǎn)；
[0041]一第二焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第二貫穿孔；
[0042]一第二金屬導(dǎo)線，配置于該第二貫穿孔內(nèi)，并電性連接該第二焊墊及該第三電性連接點(diǎn)；
[0043]一第三金屬導(dǎo)線，電性連接該第三電性連接點(diǎn)及該第一電性連接點(diǎn)；及
[0044]—膠體，覆蓋于該芯片的上表面及該第三金屬導(dǎo)線接點(diǎn)的區(qū)域。
[0045]其中該膠體于該凹槽內(nèi)覆蓋后的高度與該基座的上表面齊高。[0046]本實(shí)用新型又提供一種被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含:
[0047]—基座,具有一上表面與相對(duì)該上表面的一下表面,于該上表面上形成一凹槽,于該凹槽的一側(cè)形成一高于該凹槽底部且低于該上表面的一平臺(tái)，并使在該凹槽內(nèi)低于該平臺(tái)的區(qū)域形成一置晶槽；
[0048]一第一貫穿孔，貫穿于該置晶槽；
[0049]一第二貫穿孔，貫穿于該平臺(tái)；
[0050]—芯片，配置于該置晶槽內(nèi)，且于該芯片的上表面形成一第一電性連接點(diǎn)，于該芯片的下表面形成一第二電性連接點(diǎn)；
[0051]一第三電性連接點(diǎn)，形成于該平臺(tái)上，并置于該第二貫穿孔上方；
[0052]一第一焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第一貫穿孔；
[0053]一第一金屬導(dǎo)線，配置于該第一貫穿孔內(nèi)，并電性連接該第一焊墊及該第二電性連接點(diǎn)；
[0054]一第二焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第二貫穿孔；
[0055]一第二金屬導(dǎo)線，配置于該第二貫穿孔內(nèi)，并電性連接該第二焊墊及該第三電性連接點(diǎn)；及
[0056]一基板，部分覆蓋于該芯片及該平臺(tái)上，且于該基板的下表面具有一電性連通的一第四電性連接點(diǎn)及一第五電性連接點(diǎn)，而該第四電性連接點(diǎn)電性連接于該第三電性連接點(diǎn)，該第五電性連接點(diǎn)電性連接于該第一電性連接點(diǎn)。
[0057]其中該基板內(nèi)部進(jìn)一步配置一金屬線段來使該第四電性連接點(diǎn)及該第五電性連接點(diǎn)彼此電性連通。
[0058]其中該第四電性連接點(diǎn)及該第五電性連接點(diǎn)彼此之間保持一間隔。
[0059]其中該基板于該凹槽內(nèi)覆蓋后的高度與該基座的上表面齊高。
[0060]本實(shí)用新型的有益效果是，其是通過直接提供模塊化的基座，能在工藝上提供更快速制作流程，節(jié)省工藝的成本，對(duì)后續(xù)產(chǎn)品的進(jìn)度產(chǎn)生正向效益。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0061]為進(jìn)一步說明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容，以下結(jié)合實(shí)施例及附圖詳細(xì)說明如后，其中:
[0062]圖1A是本實(shí)用新型的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)的基座示意圖。
[0063]圖1B是本實(shí)用新型的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)的基座下表面示意圖。
[0064]圖2A-圖2C是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面圖。
[0065]圖3圖為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面圖。
[0066]圖4為本實(shí)用新型第三實(shí)施例的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面圖。
[0067]圖5為本實(shí)用新型第四實(shí)施例被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)的基板結(jié)合示意圖。
[0068]圖6A-圖6C是為本實(shí)用新型第四實(shí)施例的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0069]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)，能更為相關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】人員所了解并得以實(shí)施本實(shí)用新型，在此配合所附附圖，于后續(xù)的說明書闡明本實(shí)用新型的技術(shù)特征與實(shí)施方式，并列舉較佳實(shí)施例進(jìn)一步說明，然以下實(shí)施例說明并非用以限定本實(shí)用新型，且以下文中所對(duì)照的附圖，是表達(dá)與本實(shí)用新型特征有關(guān)的示意。
[0070]首先，請(qǐng)參閱圖1A，是為本實(shí)用新型的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)的基座示意圖。如圖1A所不，被動(dòng)兀件封裝結(jié)構(gòu)的基座10具有一上表面101及與相對(duì)上表面101的一下表面103,并于上表面101上形成一凹槽105;而在凹槽105的一側(cè)形成一高于凹槽105底部且低于上表面103的一平臺(tái)107，而在凹槽105內(nèi)低于平臺(tái)107的區(qū)域形成一置晶槽109。一個(gè)第一貫穿孔20，是由置晶槽109底部貫穿至基座10的下表面103; —個(gè)第二貫穿孔22，是由平臺(tái)107貫穿至基座10的下表面103。此外，本實(shí)用新型的基座10的材質(zhì)可以由下列材料中選擇:塑料、玻璃纖維、樹脂、陶瓷材料或其他高分子材料。
[0071]接著，請(qǐng)參閱圖1B,是為本實(shí)用新型的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)的基座下表面示意圖。如圖1B所示，在基座10的下表面103上配置一第一焊墊30及一第二焊墊32;其中第一焊墊30其配置為遮蓋于第一貫穿孔20，而第二焊墊32其配置為遮蓋于第二貫穿孔22;很明顯地，第一焊墊30及第二焊墊32為被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)與外界組裝接觸連接用。
[0072]請(qǐng)參閱圖2A-圖2C，是為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面圖。首先，請(qǐng)先參閱圖2A，在基座10的第一貫穿孔20內(nèi)形成一第一金屬導(dǎo)線60，并電性連接至第一焊墊30;而在第二貫穿孔22內(nèi)形成一第二金屬導(dǎo)線62，并電性連接第二焊墊32，以及于凹槽105內(nèi)的平臺(tái)107上形成一第三電性連接點(diǎn)50，并使第三電性連接點(diǎn)50與第二金屬導(dǎo)線62電性連接；其中，形成第一金屬導(dǎo)線60、第二金屬導(dǎo)線62及第三電性連接點(diǎn)50的方式,可以選擇電鍍方式來形成。
[0073]接著，請(qǐng)參閱圖2B。提供一芯片40，此芯片40具有上表面401及相對(duì)上表面401的下表面403，且在上表面401上已配置一第一電性連接點(diǎn)4011，而于芯片40的下表面403上已配置一第二電性連接點(diǎn)4031。再接著，將芯片40放置入基座10的置晶槽109中，并使芯片40的下表面403上的第二電性連接點(diǎn)4031與第一金屬導(dǎo)線60電性連接；其中，第一電性連接點(diǎn)4011可以是一種金屬凸塊(metal bump)，而第二電性連接點(diǎn)4031可以是一種電極(electrode)。接著，使用一第三金屬導(dǎo)線64，用以將平臺(tái)107上的第三電性連接點(diǎn)50與芯片40的上表面401的第一電性連接點(diǎn)4011形成電性連接；其中，第三金屬導(dǎo)線64可以選擇使用金屬打線工藝(wire bonding process)來形成。經(jīng)由上述連接后,使得本實(shí)用新型的芯片40可以通過芯片40上表面401的第一電性連接點(diǎn)4011及下表面403上的第二電性連接點(diǎn)4031與基座10上的第一金屬導(dǎo)線60、第二金屬導(dǎo)線62及第三電性連接點(diǎn)50形成電性連接。此外，在本實(shí)施例中，第一金屬導(dǎo)線60的線弧度的最高點(diǎn)控制其不超過基座10上表面101的高度；此外，本實(shí)施例中的芯片40為一種被動(dòng)元件，例如:電阻、電容、電感或二極管等。
[0074]接著，請(qǐng)參閱圖2C，是完成圖2B的結(jié)構(gòu)后，提供一基板70，并將此基板70配置于芯片40的上表面401上,使基板70局部覆蓋于芯片40的上表面401,并曝露出第三金屬導(dǎo)線64接點(diǎn)的區(qū)域；接著，使用一膠體72來覆蓋第三金屬導(dǎo)線64接點(diǎn)的區(qū)域。在基板70與膠體72覆蓋后，其高度需與基座10的上表面101齊高，使芯片40 (即被動(dòng)元件)封裝結(jié)構(gòu)整體的高度一致。此外，要說明的是，本實(shí)用新型基板70的材質(zhì)可以由下列材料中選擇:塑料、玻璃纖維、樹脂、陶瓷材料或其他高分子材料；而本實(shí)用新型使用的膠體72可以為一種低溫膠。[0075]再接著，請(qǐng)參考圖3，是為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面圖。很明顯地，第二實(shí)施例與上述第一實(shí)施例間的差異在于，完成圖2B的結(jié)構(gòu)后，接著，提供膠體72來覆蓋芯片40上表面401及第一金屬導(dǎo)線60的區(qū)域，于膠體72覆蓋后，其高度需與基座10的上表面101齊高，使芯片40 (即被動(dòng)元件)封裝結(jié)構(gòu)整體的高度一致，其中，本實(shí)施例所使用的膠體72可以為一種低溫膠。
[0076]請(qǐng)參閱圖4，是為本實(shí)用新型第三實(shí)施例的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面圖。如圖4所示,在第本實(shí)施例中，基座10的結(jié)構(gòu)與圖1A、圖1B及圖2A所揭露者相同，故不再贅述。接著，提供一芯片40，此芯片40具有上表面401及相對(duì)上表面401的下表面403，且在上表面401上已配置一第一電性連接點(diǎn)4011，而于芯片40的下表面403上已配置一第二電性連接點(diǎn)4031，其中，第一電性連接點(diǎn)4011及第二電性連接點(diǎn)4031為形成在芯片40上的焊墊(pad)結(jié)構(gòu)。再接著，將芯片40放置入基座10的置晶槽109中，并使芯片40的下表面403上的第二電性連接點(diǎn)4031與第一金屬導(dǎo)線60電性連接；其中，芯片40上的第一電性連接點(diǎn)4011與平臺(tái)107上的第三電性連接點(diǎn)50高度相同。
[0077]接著，提供一基板74，此基板74于下表面741配置一個(gè)第四電性連接點(diǎn)7411及一個(gè)第五電性連接點(diǎn)7413，此第四電性連接點(diǎn)7411及第五電性連接點(diǎn)7413是以一間隔隔離，而第四電性連接點(diǎn)7411及第五電性連接點(diǎn)7413的電性連通方式，是由配置在基板74內(nèi)部配置一金屬線段7415來將第四電性連接點(diǎn)7411及第五電性連接點(diǎn)7413電性連通。
[0078]再接著，將基板74以其下表面741覆蓋住芯片40與基座10上的平臺(tái)107，并使位于基板74下表面741上的第四電性連接點(diǎn)7411與于平臺(tái)107上的第三電性連接點(diǎn)50電性連接，而位于基板74下表面741上的第五電性連接點(diǎn)7413會(huì)與芯片40的上表面401的第一電性連接點(diǎn)4011電性連接，以完成被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)；其中，本實(shí)用新型基板74的材質(zhì)可以由下列材料中選擇:塑料、玻璃纖維、樹脂、陶瓷材料或其他高分子材料。
[0079]請(qǐng)參閱圖5，是為本實(shí)用新型第四實(shí)施例的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)的基板結(jié)合示意圖。如圖5所示，第四實(shí)施例的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)其主要包含:一第一基板80，具有一上表面801與相對(duì)上表面801的一下表面803，且于第一基板80的一相對(duì)兩端附近形成一第一貫穿孔24及一第二貫穿孔26; —第二基板82,具有一上表面821與相對(duì)上表面821的一下表面823，其中，在第二基板82上，具有一開口(opening) 825及一相鄰開口 825的一第三貫穿孔28，開口 825及第三貫穿孔28均是由上表面821貫穿至下表面823，其中，第二基板82上的第三貫穿孔28是與第一基板80上的第二貫穿孔26相對(duì)應(yīng)；一第三基板84，具有一上表面841與相對(duì)上表面841的一下表面843。很明顯地,本實(shí)施例中的第一基板80、第二基板82及第三基板84可以分別形成，且每一基板的材質(zhì)可以由下列材料中選擇:塑料、玻璃纖維、樹脂、陶瓷材料或其他高分子材料。
[0080]請(qǐng)參閱圖6A-圖6C，是為本實(shí)用新型第四實(shí)施例的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面圖。首先，請(qǐng)先參閱圖6A，將具有開口 825及第三貫穿孔28的第二基板82堆棧置于第一基板80的上，并使開口 825與第一基板80的上表面801形成一置晶槽8251，而第二基板82上的第三貫穿孔28與第一基板80上的第二貫穿孔26相對(duì)應(yīng)，故可以形成一個(gè)貫穿第一基板80上表面801與下表面803，并同時(shí)貫穿第二基板82上表面821與下表面823的貫穿孔；其中，第一基板80與第二基板82是以一黏著材料固接成一體。接著，在第一貫穿孔24內(nèi)形成一第一金屬導(dǎo)線66，同時(shí)于第一基板80的下表面803上形成第一焊墊34，遮蓋于第一貫穿孔24并使第一金屬導(dǎo)線66與第一焊墊34電性連接，而第一金屬導(dǎo)線66的另一端則曝露在第一基板80的上表面801上；此外,一第二金屬導(dǎo)線68形成于第二貫穿孔26及第三貫穿孔28中，同時(shí)于第一基板80的下表面803上形成第二焊墊36，遮蓋于第二貫穿孔26，以及在第二基板82的上表面821上形成一第三電性連接點(diǎn)52，且第二金屬導(dǎo)線68分別與第二焊墊36及第三電性連接點(diǎn)52電性連接；其中，形成第一金屬導(dǎo)線66及第二金屬導(dǎo)線68的方式，可以選擇電鍍方式來形成，而第三電性連接點(diǎn)52可為一焊墊(pad)結(jié)構(gòu)。[0081 ] 接著，請(qǐng)參閱圖6B，完成圖6A的結(jié)構(gòu)后，提供一芯片42，此芯片42具有上表面421及相對(duì)上表面421的下表面423，且在上表面421上己配置一第一電性連接點(diǎn)4211，而于芯片42的下表面423上己配置一第二電性連接點(diǎn)4231，其中，第一電性連接點(diǎn)4211及第二電性連接點(diǎn)4231為形成在芯片42上的焊墊(pad)結(jié)構(gòu)。再接著，將芯片42放置入第一基板80與第二基板82所形成的置晶槽8251中，并使芯片42的下表面423上的第二電性連接點(diǎn)4231與第一金屬導(dǎo)線66電性連接；其中，芯片42置于置晶槽8251內(nèi)的高度等于第二基板82的上表面821的高度，而芯片42上的第一電性連接點(diǎn)4211與第二基板82的上表面821上的第三電性連接點(diǎn)52高度相同。
[0082]再接著，請(qǐng)參閱圖6C，將第三基板84以其下表面841覆蓋住芯片42與第二基板82的上表面821;在此第三基板84的下表面841上配置一個(gè)第四電性連接點(diǎn)8431及一個(gè)第五電性連接點(diǎn)8433，此第四電性連接點(diǎn)8431及第五電性連接點(diǎn)8433是以一間隔隔離，而第四電性連接點(diǎn)8431及第五電性連接點(diǎn)8433的電性連通方式，是由配置在第三基板84內(nèi)部配置一金屬線段8435來將第四電性連接點(diǎn)8431及第五電性連接點(diǎn)8433電性連通。
[0083]在第三基板84以其下表面841覆蓋住芯片42與第二基板82的上表面821時(shí)，第三基板84下表面843上的第四電性連接點(diǎn)8431會(huì)與第二基板82的上表面821上的第三電性連接點(diǎn)52電性連接，而位于第三基板84下表面843上的第五電性連接點(diǎn)8433會(huì)與芯片42的上表面421的第一電性連接點(diǎn)4211電性連接，以完成被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)。
[0084]本實(shí)用新型的第一實(shí)施例、第二實(shí)施例、第三實(shí)施例及第四實(shí)施例的被動(dòng)元件封
裝結(jié)構(gòu)，通過直接提供模塊化的基座10，或是以第一基板80、第二基板82及第三基板84疊
置方式，能在工藝上提供更快速制作流程，節(jié)省工藝的成本，對(duì)后續(xù)產(chǎn)品的進(jìn)度產(chǎn)生正向效.、
Mo
[0085]雖然本實(shí)用新型以前述的較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟習(xí)本領(lǐng)域技術(shù)者，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍須視本說明書所附的權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含: 一基座，具有一上表面與相對(duì)該上表面的一下表面，于該上表面上形成一凹槽，于該凹槽的一側(cè)形成一高于該凹槽底部且低于該上表面的一平臺(tái)，并使在該凹槽內(nèi)低于該平臺(tái)的區(qū)域形成一置晶槽； 一第一貫穿孔，貫穿于該置晶槽； 一第二貫穿孔，貫穿于該平臺(tái)； 一芯片，配置于該置晶槽內(nèi)，且于該芯片的上表面形成一第一電性連接點(diǎn)，于該芯片的下表面形成一第二電性連接點(diǎn)； 一第三電性連接點(diǎn)，形成于該平臺(tái)上，并置于該第二貫穿孔上方； 一第一焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第一貫穿孔； 一第一金屬導(dǎo)線，配置于該第一貫穿孔內(nèi)，并電性連接該第一焊墊及該第二電性連接占.一第二焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第二貫穿孔； 一第二金屬導(dǎo)線，配置于該第二貫穿孔內(nèi)，并電性連接該第二焊墊及該第三電性連接占.一第三金屬導(dǎo)線，電性連接該第三電性連接點(diǎn)及該第一電性連接點(diǎn)； 一基板，局部覆蓋于該芯片的上表面，并曝露出該第三金屬導(dǎo)線接點(diǎn)的區(qū)域；及 一膠體，覆蓋于該第三金屬導(dǎo)線接點(diǎn)的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該基板及該膠體于該凹槽內(nèi)覆蓋后的高度與該基座的上表面齊高。
3.一種被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含: 一基座，具有一上表面與相對(duì)該上表面的一下表面，于該上表面上形成一凹槽，于該凹槽的一側(cè)形成一高于該凹槽底部且低于該上表面的一平臺(tái)，并使在該凹槽內(nèi)低于該平臺(tái)的區(qū)域形成一置晶槽； 一第一貫穿孔，貫穿于該置晶槽； 一第二貫穿孔，貫穿于該平臺(tái)； 一芯片，配置于該置晶槽內(nèi)，且于該芯片的上表面形成一第一電性連接點(diǎn)，于該芯片的下表面形成一第二電性連接點(diǎn)； 一第三電性連接點(diǎn)，形成于該平臺(tái)上，并置于該第二貫穿孔上方； 一第一焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第一貫穿孔； 一第一金屬導(dǎo)線，配置于該第一貫穿孔內(nèi)，并電性連接該第一焊墊及該第二電性連接占.一第二焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第二貫穿孔； 一第二金屬導(dǎo)線，配置于該第二貫穿孔內(nèi)，并電性連接該第二焊墊及該第三電性連接占.一第三金屬導(dǎo)線，電性連接該第三電性連接點(diǎn)及該第一電性連接點(diǎn) '及 一膠體，覆蓋于該芯片的上表面及該第三金屬導(dǎo)線接點(diǎn)的區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該膠體的材質(zhì)為低溫膠。
5.一種被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含: 一基座，具有一上表面與相對(duì)該上表面的一下表面，于該上表面上形成一凹槽，于該凹槽的一側(cè)形成一高于該凹槽底部且低于該上表面的一平臺(tái)，并使在該凹槽內(nèi)低于該平臺(tái)的區(qū)域形成一置晶槽； 一第一貫穿孔，貫穿于該置晶槽； 一第二貫穿孔，貫穿于該平臺(tái)； 一芯片，配置于該置晶槽內(nèi)，且于該芯片的上表面形成一第一電性連接點(diǎn)，于該芯片的下表面形成一第二電性連接點(diǎn)； 一第三電性連接點(diǎn)，形成于該平臺(tái)上，并置于該第二貫穿孔上方； 一第一焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第一貫穿孔； 一第一金屬導(dǎo)線，配置于該第一貫穿孔內(nèi)，并電性連接該第一焊墊及該第二電性連接占.一第二焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第二貫穿孔； 一第二金屬導(dǎo)線，配置于該第二貫穿孔內(nèi)，并電性連接該第二焊墊及該第三電性連接占.一第三金屬導(dǎo)線，電性連接該第三電性連接點(diǎn)及該第一電性連接點(diǎn) '及 一膠體，覆蓋于該芯片的上表面及該第三金屬導(dǎo)線接點(diǎn)的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該膠體于該凹槽內(nèi)覆蓋后的高度與該基座的上表面齊高。
7.一種被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含: 一基座，具有一上表面與相對(duì)該上表面的一下表面，于該上表面上形成一凹槽，于該凹槽的一側(cè)形成一高于該凹槽底部且低于該上表面的一平臺(tái)，并使在該凹槽內(nèi)低于該平臺(tái)的區(qū)域形成一置晶槽； 一第一貫穿孔，貫穿于該置晶槽； 一第二貫穿孔，貫穿于該平臺(tái)； 一芯片，配置于該置晶槽內(nèi)，且于該芯片的上表面形成一第一電性連接點(diǎn)，于該芯片的下表面形成一第二電性連接點(diǎn)； 一第三電性連接點(diǎn)，形成于該平臺(tái)上，并置于該第二貫穿孔上方； 一第一焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第一貫穿孔； 一第一金屬導(dǎo)線，配置于該第一貫穿孔內(nèi)，并電性連接該第一焊墊及該第二電性連接占.一第二焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第二貫穿孔； 一第二金屬導(dǎo)線，配置于該第二貫穿孔內(nèi)，并電性連接該第二焊墊及該第三電性連接點(diǎn)；及 一基板，部分覆蓋于該芯片及該平臺(tái)上，且于該基板的下表面具有一電性連通的一第四電性連接點(diǎn)及一第五電性連接點(diǎn)，而該第四電性連接點(diǎn)電性連接于該第三電性連接點(diǎn)，該第五電性連接點(diǎn)電性連接于該第一電性連接點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該基板內(nèi)部進(jìn)一步配置一金屬線段來使該第四電性連接點(diǎn)及該第五電性連接點(diǎn)彼此電性連通。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第四電性連接點(diǎn)及該第五電性連接點(diǎn)彼此之間保持一間隔。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的被動(dòng)元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該基板于該凹槽內(nèi)覆蓋后的高度與該基座的上表面`齊高。
【文檔編號(hào)】H01L23/055GK203423160SQ201320492008
【公開日】2014年2月5日 申請(qǐng)日期:2013年8月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月13日
【發(fā)明者】陳石磯 申請(qǐng)人:標(biāo)準(zhǔn)科技股份有限公司