一種發(fā)光二極管外延片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體發(fā)光【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說，涉及一種發(fā)光二極管外延片。一種發(fā)光二極管外延片包括藍(lán)寶石襯底，所述藍(lán)寶石襯底上從下至上依次設(shè)有下電流擴(kuò)展層、下包覆層、發(fā)光層、上包覆層、上電流擴(kuò)展層，所述下電流擴(kuò)展層連接有第一電極，所述上電流擴(kuò)展層連接有第二電極。本實(shí)用新型采用藍(lán)寶石作為外延片的生長(zhǎng)襯底，而藍(lán)寶石對(duì)黃色至紅色波段的光基本上是透明的，且藍(lán)寶石襯底的下方設(shè)有增透膜，因此可以避免襯底對(duì)光的吸收，降低發(fā)光效率的問題的發(fā)生。
【專利說明】一種發(fā)光二極管外延片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體發(fā)光【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說，涉及一種發(fā)光二極管外延片。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的發(fā)展，發(fā)光二極管(LED)已被廣泛作為照明元件使用在工業(yè)和民用上，LED的發(fā)光效率與LED外延片的結(jié)構(gòu)密切相關(guān)，目前很多的LED外延片存在著襯底吸光的情況，嚴(yán)重影響了 LED的發(fā)光效率，因此需要設(shè)計(jì)一種能夠避免襯底吸光的LED外延片。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種發(fā)光二級(jí)管外延片，該發(fā)光二極管外延片的襯底能夠避免光吸收，提高光的使用率，節(jié)省能源。
[0004]本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:
[0005]一種發(fā)光二極管外延片，包括藍(lán)寶石襯底，所述藍(lán)寶石襯底上從下至上依次設(shè)有下電流擴(kuò)展層、下包覆層、發(fā)光層、上包覆層、上電流擴(kuò)展層，所述下電流擴(kuò)展層連接有第一電極，所述上電流擴(kuò)展層連接有第二電極。
[0006]進(jìn)一步地，所述藍(lán)寶石襯底的下方設(shè)有增透膜層。
[0007]進(jìn)一步地，藍(lán)寶石襯底與下電流擴(kuò)展層之間還設(shè)置有緩沖層。
[0008]更進(jìn)一步地，所述緩沖層包括低溫GaP緩沖層和高溫GaP緩沖層。
[0009]由于下電流擴(kuò)展`層生長(zhǎng)時(shí)需要較高的溫度，為了方便下電流擴(kuò)展層的生長(zhǎng)，因此設(shè)置了緩沖層，且將緩沖層分為低溫GaP緩沖層和高溫GaP緩沖層。其中低溫GaP緩沖層的厚度為20nm或左右，高溫GaP緩沖層的厚度為0.3unTlum。
[0010]進(jìn)一步地，所述下電流擴(kuò)展層為3unT4Um厚的P型GaP電流擴(kuò)展層，所述下包覆層為0.3unT0.8um厚的P型AIGaInP包覆層，所述上包覆層為0.3unT0.8um厚的n型AIGaInP包覆層，所述上電流擴(kuò)展層為4unTl5um厚的n型GaP電流擴(kuò)展層。
[0011]進(jìn)一步地，所述發(fā)光層為AIGaInP活性層。
[0012]進(jìn)一步地，所述下電流擴(kuò)展層為3unT4um厚的n型GaP電流擴(kuò)展層，所述下包覆層為0.3unT0.8um厚的n型AIGaInP包覆層，所述上包覆層為0.3unT0.8um厚的P型AIGaInP包覆層，所述上電流擴(kuò)展層為4unTl5um厚的P型GaP電流擴(kuò)展層。
[0013]本實(shí)用新型的有益效果為:本實(shí)用新型采用藍(lán)寶石作為外延片的生長(zhǎng)襯底，而藍(lán)寶石對(duì)黃色至紅色波段的光基本上是透明的，且藍(lán)寶石襯底的下方設(shè)有增透膜層，因此可以避免襯底對(duì)光的吸收，降低發(fā)光效率的問題的發(fā)生。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]附圖標(biāo)記說明:
[0016]I——藍(lán)寶石襯底2——低溫GaP緩沖層[0017]3—高溫GaP緩沖層4——下電流擴(kuò)展層
[0018]5——下包覆層6——發(fā)光層
[0019]7—上包覆層8—上電流擴(kuò)展層
[0020]9——第二電極10——第一電極。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖1和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。
[0022]實(shí)施例1:一種發(fā)光二極管外延片，包括藍(lán)寶石襯底I，所述藍(lán)寶石襯底I上從下至上依次設(shè)有下電流擴(kuò)展層4、下包覆層、發(fā)光層6、上包覆層7、上電流擴(kuò)展層8，所述下電流擴(kuò)展層4連接有第一電極10，所述上電流擴(kuò)展層8連接有第二電極9。藍(lán)寶石襯底I的下方設(shè)有增透膜層。
[0023]進(jìn)一步地，藍(lán)寶石襯底I與下電流擴(kuò)展層4之間還設(shè)置有緩沖層。
[0024]更進(jìn)一步地，所述緩沖層包括低溫GaP緩沖層2和高溫GaP緩沖層3。
[0025]由于下電流擴(kuò)展層4生長(zhǎng)時(shí)需要較高的溫度，為了方便下電流擴(kuò)展層4的生長(zhǎng)，因此設(shè)置了緩沖層，且將緩沖層分為低溫GaP緩沖層2和高溫GaP緩沖層3。其中低溫GaP緩沖層2的厚度為20nm或左右，高溫GaP緩沖層3的厚度為0.3unTlum。
[0026]采用藍(lán)寶石作為外延片的生長(zhǎng)襯底，且使GaP作為緩沖層，而藍(lán)寶石和磷化鎵材料對(duì)黃色至紅色波段的光基本上是透明的，因此可以避免襯底對(duì)光的吸收，降低發(fā)光效率的問題的發(fā)生。
`[0027]其中，所述下電流擴(kuò)展層4為3unT4um厚的P型GaP電流擴(kuò)展層，所述下包覆層5為0.3unT0.8um厚的P型AIGaInP包覆層，所述上包覆層7為0.3unT0.8um厚的n型AIGaInP包覆層，所述上電流擴(kuò)展層8為4unTl5um厚的n型GaP電流擴(kuò)展層。
[0028]其中，所述發(fā)光層6為AIGaInP活性層。
[0029]此時(shí)第一電極10為P電極，第二電極9為n電極。
[0030]實(shí)施例2: —種發(fā)光二極管外延片，其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1不同之處在于:所述下電流擴(kuò)展層4為3unT4um厚的n型GaP電流擴(kuò)展層,所述下包覆層5為0.3unT0.8um厚的n型AIGaInP包覆層，所述上包覆層7為0.3unT0.8um厚的P型AIGaInP包覆層，所述上電流擴(kuò)展層8為4unTl5um厚的P型GaP電流擴(kuò)展層。此時(shí)第一電極10為n電極,第二電極9為P電極。
[0031]本實(shí)用新型作了詳細(xì)地說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管外延片，其特征在于:包括藍(lán)寶石襯底，所述藍(lán)寶石襯底上從下至上依次設(shè)有下電流擴(kuò)展層、下包覆層、發(fā)光層、上包覆層、上電流擴(kuò)展層，所述下電流擴(kuò)展層連接有第一電極，所述上電流擴(kuò)展層連接有第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管外延片，其特征在于:藍(lán)寶石襯底與下電流擴(kuò)展層之間還設(shè)置有緩沖層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種發(fā)光二極管外延片，其特征在于:所述緩沖層包括低溫GaP緩沖層和高溫GaP緩沖層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管外延片，其特征在于:所述下電流擴(kuò)展層為3unT4um厚的P型GaP電流擴(kuò)展層，所述下包覆層為0.3unT0.8um厚的P型AIGaInP包覆層，所述上包覆層為0.3unT0.8um厚的n型AIGaInP包覆層,所述上電流擴(kuò)展層為4unTl5um厚的n型GaP電流擴(kuò)展層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管外延片，其特征在于:所述發(fā)光層為AIGaInP活性層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管外延片，其特征在于:所述下電流擴(kuò)展層為3unT4um厚的n型GaP電流擴(kuò)展層，所述下包覆層為0.3unT0.8um厚的n型AIGaInP包覆層，所述上包覆層為0.3unT0.8um厚的P型AIGaInP包覆層,所述上電流擴(kuò)展層為4unTl5um厚的P型GaP電流擴(kuò)展層。
【文檔編號(hào)】H01L33/00GK203406313SQ201320358708
【公開日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2013年6月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月21日
【發(fā)明者】牛志宇 申請(qǐng)人:東莞市德穎光電有限公司