帶焊球面陣列四邊無引腳ic芯片堆疊封裝件及生產(chǎn)方法
【專利摘要】一種帶焊球面陣列四邊無引腳IC芯片堆疊封裝件及生產(chǎn)方法，包括設(shè)有凹槽和多個安放槽的裸銅框架，倒裝帶凸點的芯片，芯片凸點與安放槽之間填下填料，凹槽兩側(cè)分別為通過鈍化體相連的第一引腳和第二引腳；引腳和安放槽底部有連接層，所有連接層底部設(shè)有錫焊球并固封第一塑封體；帶凸點芯片上依次堆疊兩層芯片，下方芯片通過鍵合線與兩個引腳相連；上方芯片通過鍵合線與下方芯片和第一引腳相連。晶圓減薄劃片，刻蝕引腳凹槽和安放槽、上芯、焊線、第一次塑封、處理裸銅框架背面、涂覆鈍化層、高頻濺射金屬層等工序，制得堆疊封裝件。該封裝件的體積更小，封裝密度更高、功能更多，可以替代部分BGA堆疊封裝及CSP堆疊封裝。
【專利說明】帶焊球面陣列四邊無引腳IC芯片堆疊封裝件及生產(chǎn)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電子信息自動化元器件【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及一種IC芯片堆疊封裝件，具體涉及一種帶焊球面陣列四面扁平無引腳(Area Array Quad Flat No Lead Package,簡稱AAQFN)IC芯片堆疊封裝(Package In Package ,簡稱PiP)件；本發(fā)明還涉及一種該封裝件的生產(chǎn)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]雖然近2年國內(nèi)已開始研發(fā)多圈QFN，由于框架制造工藝難度較大，只有個別國外供應(yīng)商能設(shè)計、生產(chǎn)，但還是受相關(guān)公司專利的限制，相對引腳較少，研發(fā)周期長，并且封裝多圈QFN限于引線框架制造商，不能滿足短、平、快，不同芯片的靈活應(yīng)用的要求。也不能滿足高密度、多I/ O封裝的需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供一種帶焊球面陣列四面扁平無引腳IC芯片堆疊封裝件，不受限于引線框架，滿足高密度、多I/ O封裝以及不同芯片封裝的要求。
[0004]本發(fā)明的另一個目的是提供一種上述IC芯片堆疊封裝件的生產(chǎn)方法。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:一種帶焊球面陣列四邊無引腳IC芯片堆疊封裝件，包括裸銅框架，裸銅框架上設(shè)有第一凹槽和多個安放槽，相鄰兩個安放槽之間設(shè)有隔墻，裸銅框架正面倒裝有帶凸點的IC芯片，該IC芯片上的芯片凸點伸入安放槽內(nèi)，芯片凸點與安放槽之間的空隙填充有下填料，裸銅框架正面塑封有第二塑封體，第一凹槽兩側(cè)分別為第一引腳和第二引腳；第一凹槽底部與鈍化體相連，第一引腳通過鈍化體與第二引腳相連接，第一引腳底部設(shè)有第二連接層；與第二引腳相鄰的安放槽底部通過第一連接層與第二引腳底部相連接，其余安放槽底部均設(shè)有第一連接層，所有的第一連接層和所有的第二連接層均不相連，每個第一連接層底部和每個第二連接層底部均設(shè)有錫焊球，所有鈍化體表面和所有連接層表面塑封有第一塑封體，所有的錫焊球均露出第一塑封體外；帶凸點的IC芯片依次堆疊有兩層IC芯片，位于下方的IC芯片通過第一鍵合線與第二引腳相連，同時通過第四鍵合線與第一引腳相連；位于上方的IC芯片通過第二鍵合線與位于下方的IC芯片相連,位于上方的IC芯片通過第三鍵合線與第一引腳相連。
[0006]本發(fā)明所采用的另一個技術(shù)方案是:一種上述帶焊球面陣列四邊無引腳IC芯片堆疊封裝件的生產(chǎn)方法，具體按以下步驟進(jìn)行:
步驟1:晶圓減薄劃片；
步驟2:在裸銅框架正面均勻涂覆光刻膠，形成光刻膠層；在601:?70°C的溫度下烘烤(25±5)分鐘；然后對準(zhǔn)曝光、顯影、定影，在光刻膠層上形成多個第二凹槽和多個第三凹槽，在120°C ±5°C的溫度下堅膜(30±5)分鐘；然后在第二凹槽對應(yīng)的裸銅框架正面蝕刻出第一凹槽，第三凹槽對應(yīng)的裸銅框架正面蝕刻出第四凹槽，相鄰兩個第四凹槽之間形成隔墻，去除光刻膠層； 步驟3:在裸銅框架蝕刻出第一凹槽和第四凹槽的表面均勻涂覆第一鈍化層，第一鈍化層同時覆蓋第一凹槽表面和第三凹槽表面；然后在第四凹槽底部的第一鈍化層上刻蝕出UBM1窗口，在第一凹槽兩側(cè)裸銅框架表面的第一鈍化層上刻蝕出框架焊盤窗口 ；
步驟4:高頻濺射多金屬層，在第四凹槽內(nèi)表面形成UBM1層；在框架焊盤窗口上形成框架焊盤，去除多余金屬層，使得相鄰第四凹槽內(nèi)的UBM1層不相連，框架焊盤窗口與UBM1層不相連，第四凹槽和該第四凹槽內(nèi)的UBM1層構(gòu)成安放槽ABM1層的結(jié)構(gòu)與框架焊盤的結(jié)構(gòu)相同，均由三層金屬層或者兩層金屬層構(gòu)成，當(dāng)采用三層金屬層時，該三層金屬層為依次設(shè)置的第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層；當(dāng)采用兩層金屬層時，該兩層金屬層為依次設(shè)置的第一金屬層和第三金屬層；第一金屬層為Cu層、Ni層或Cr層,第二金屬層為Ni層、Cr層，第三金屬層為Au層；第一金屬層與第一鈍化層和第四凹槽底面相連接；
步驟5:將帶凸點的IC芯片倒裝上芯于裸銅框架上，芯片凸點伸入安放槽內(nèi)；然后采用帶真空吸附的下填充模具對芯片凸點與安放槽之間的空隙進(jìn)行下填充，使芯片凸點與框架通過下填料絕緣；
步驟6:在帶凸點的IC芯片背面堆疊第二 IC芯片，烘烤，然后從第二 IC芯片向位于第一凹槽和安放槽之間的框架焊盤打第一鍵合線，從第二 IC芯片上的焊盤向位于第一凹槽外側(cè)的框架焊盤打第四鍵合線；
步驟7:在第二 IC芯片上堆疊第三IC芯片，烘烤，然后從第三IC芯片向第二 IC芯片打第二鍵合線，再從第三IC芯片向裸銅框架上位于第一凹槽外側(cè)的框架焊盤上打第三鍵合線；
步驟8:采用符合歐盟Weee、ROHS標(biāo)準(zhǔn)和Sony標(biāo)準(zhǔn)環(huán)保型塑封料對裸銅框架正面進(jìn)行第一次塑封，形成第二塑封體，第二塑封體覆蓋了所有IC芯片以及所有的鍵合線，第二塑封體嵌入第一凹槽內(nèi)，塑封后按通用防離層工藝進(jìn)行后固化；
步驟9:磨削裸銅框架背面，清洗、烘干；
步驟10:在磨削后的裸銅框架背面涂覆第二鈍化層，然后曝光、顯影、定影，在第二鈍化層上蝕刻出第五凹槽和第六凹槽，第五凹槽位于第一凹槽下方，每個隔墻下方均有一個第六凹槽；
步驟11:沿第五凹槽和第六凹槽刻蝕裸銅框架，在第五凹槽對應(yīng)的裸銅框架上刻蝕出第七凹槽，使第七凹槽與第一凹槽相通，在第六凹槽對應(yīng)的裸銅框架上刻蝕出第八凹槽，使隔墻下方的第八凹槽與對應(yīng)的隔墻相通，其余位置的第八凹槽的深度與隔墻下方第八凹槽的深度相同，相鄰兩個凹槽之間為引腳，去除第二鈍化層，露出引腳底面；
步驟12:在裸銅框架背面涂覆第三鈍化層，第三鈍化層同時填滿裸銅框架背面所有的第七凹槽和所有的第八凹槽，然后在引腳相對的第三鈍化層和需要的位置的第三鈍化層上刻蝕出第九凹槽；
步驟13:在裸銅框架背面高頻濺射銅金屬層，然后在銅金屬層上蝕刻出第十凹槽，第十凹槽與第三鈍化層相通；
步驟14:在銅金屬層表面涂覆第四鈍化層，第四鈍化層同時填充第十凹槽，然后在第四鈍化層上刻蝕出UBM2窗口，UBM2窗口與銅金屬層相通；
步驟15:在UBM2窗口上高頻濺射形成UBM2層，UBM2層的結(jié)構(gòu)與UBM1層的結(jié)構(gòu)相同； 步驟16:通過植球、回流焊在UBM2層上焊接錫焊球，清洗； 步驟17:在第四鈍化層表面進(jìn)行第二次塑封，形成第一塑封體，所有的錫焊球均露出第二塑封體外，然后打印、切割分離、測試，制得帶焊球面陣列四面扁平無引腳IC芯片堆疊封裝件。
[0007]本發(fā)明IC芯片堆疊封裝件消了傳統(tǒng)多圈QFN外圍引線結(jié)構(gòu)的引腳限制，滿足高密度，多I/ O封裝的需求。雖然比不上采用基板生產(chǎn)焊球作為輸出的BGA封裝的I/O多，但相比采用基板生產(chǎn)焊球作為輸出的BGA封裝，引線框架帶焊球的AAQFN封裝效率高，而且成本相對低，運用靈活。并且在此基礎(chǔ)開發(fā)面陣列QFN IC芯片堆疊封裝(PiP)，其產(chǎn)品體積更小，封裝密度更高、功能更多，可以替代部分BGA堆疊封裝及CSP堆疊封裝，實現(xiàn)IC芯片靈活應(yīng)用于引線框架的CSP封裝，縮短開發(fā)期周期，其生產(chǎn)成本和開發(fā)周期遠(yuǎn)低于基板封裝，具有較大的優(yōu)勢。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是本發(fā)明IC芯片堆疊封裝件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖2是本發(fā)明生產(chǎn)方法中在裸銅框架上涂覆光刻膠及曝光顯影堅膜后的剖面示意圖。
[0010]圖3是本發(fā)明生產(chǎn)方法中在裸銅框架上刻蝕出第一凹槽和第四凹槽后的剖面示意圖。
[0011]圖4是本發(fā)明生產(chǎn)方法中涂覆第一鈍化層、刻蝕UBM1窗口及框架焊盤窗口后的剖面示意圖。
[0012]圖5是本發(fā)明生產(chǎn)方法中高頻濺射多層金屬形成UBM1層及框架焊盤后的剖面示意圖。
[0013]圖6是圖5的P處放大圖。
[0014]圖7是本發(fā)明生產(chǎn)方法中倒裝上芯及下填充后的剖面示意圖。
[0015]圖8是本發(fā)明生產(chǎn)方法中堆疊第二 IC芯片及第一次鍵合后的剖面示意圖。
[0016]圖9是本發(fā)明生產(chǎn)方法中堆疊第三IC芯片及第二次鍵合后的剖面示意圖。
[0017]圖10是本發(fā)明生產(chǎn)方法中第一次塑封及后固化后的剖面示意圖。
[0018]圖11是本發(fā)明生產(chǎn)方法中涂覆第二鈍化層及刻蝕第五凹槽和第六凹槽后的剖面示意圖。
[0019]圖12是本發(fā)明生產(chǎn)方法中在裸銅框架背面刻蝕出第七凹槽及第八凹槽后的剖面示意圖。
[0020]圖13是本發(fā)明生產(chǎn)方法中涂覆第三鈍化層及刻蝕第九凹槽后的剖面示意圖。
[0021]圖14是本發(fā)明生產(chǎn)方法中高頻濺射銅金屬層及刻蝕第十凹槽后的剖面示意圖。
[0022]圖15是本發(fā)明生產(chǎn)方法中涂覆第四鈍化層及刻蝕UBM2窗口后的剖面示意圖。
[0023]圖16是本發(fā)明生產(chǎn)方法中引腳底部濺射多層金屬形成UBM2層后的剖面示意圖。
[0024]圖17是本發(fā)明生產(chǎn)方法中植球及回流焊后的剖面示意圖。
[0025]圖中:1.裸銅框架，2.鈍化體，3.第一連接層，4.第一塑封體，5.錫焊球，6.焊料，
7.芯片凸點，8.隔墻，9.第一 IC芯片，10.下填料，11.第一凹槽，12.第一鍵合線，13.第二鍵合線，14.第一 DAF片，15.第二 IC芯片，16.第二 DAF片，17.第三IC芯片，18.第三鍵合線，19.第四鍵合線，20.第二塑封體，21.框架焊盤，22.第二連接層，23.第一引腳，24.第二引腳，25.光刻膠層，26.第二凹槽，27.第三凹槽，28.第四凹槽，29.第一鈍化層，30.UBMi窗口，31.框架焊盤窗口，32.UBM1層，33.第二鈍化層，34.第五凹槽，35.第六凹槽，37.第七凹槽，38.第八凹槽，39.第三鈍化層，40.第九凹槽，41.銅金屬層，42.第十凹槽，43.第四鈍化層，44.UBM2窗口，45.UBM2層。
[0026]a.第一金屬層，b.第二金屬層，c.第三金屬層。
【具體實施方式】
[0027]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0028]如圖1所示，本發(fā)明IC芯片堆疊封裝件，包括裸銅框架1，裸銅框架I上設(shè)有第一凹槽11和多個安放槽，第一凹槽11和多個安放槽并排設(shè)置，第
一凹槽11兩側(cè)分別為第一引腳23和第二引腳24，第二引腳24位于第一凹槽11和與第一凹槽11相鄰的安放槽之間；第一凹槽11底部與鈍化體2相連，第一引腳23通過鈍化體2與第二引腳24相連接，第一引腳23底部設(shè)有第二連接層22 ;相鄰兩個安放槽之間設(shè)有隔墻8，與第二引腳24相鄰的安放槽底部通過第一連接層3與第二引腳24底部相連接，其余安放槽底部均設(shè)有第一連接層22，所有的第一連接層3和所有的第二連接層22均不相連，每個第一連接層3底部和每個第二連接層22底部均設(shè)有錫焊球5，錫焊球5通過焊料6與對應(yīng)的連接層相連接，所有鈍化體2表面和所有連接層表面塑封有第一塑封體4，所有的錫焊球5均露出第一塑封體4外；裸銅框架I正面倒裝有第一 IC芯片9，第一 IC芯片9為帶凸點的IC芯片，第一 IC芯片9上的芯片凸點7伸入安放槽內(nèi)，并通過焊料6與安放槽底部相連接，芯片凸點7與安放槽之間的空隙填充有下填料10 ;第一 IC芯片9上堆疊有第二IC芯片15，第二 IC芯片15通過第一 DAF片14與第一 IC芯片9粘接，第二 IC芯片15上堆疊有第三IC芯片17，第三IC芯片17通過DAF片16與第二 IC芯片15粘接；第一引腳23和第二引腳24上均設(shè)有框架焊盤21 ;第二 IC芯片15通過第一鍵合線12與第二引腳24上的框架焊盤21相連，第二 IC芯片15通過第四鍵合線19與第一引腳23上的框架焊盤相連；第三IC芯片17通過第二鍵合線13與第二 IC芯片15相連，第三IC芯片17通過第三鍵合線18與第一引腳23上的框架焊盤21相連；裸銅框架I正面塑封有第二塑封體20 ;裸銅框架I正面、所有的IC芯片、所有的鍵合線以及所有的框架焊盤21均封裝于第二塑封體20內(nèi)，第二塑封體20嵌入第一凹槽11內(nèi)。
[0029]本發(fā)明IC芯片堆疊封裝件的生產(chǎn)工藝流程:
減薄劃片一裸銅框架涂膠、曝光顯影堅膜、刻蝕第一凹槽和第四凹槽一涂覆第一鈍化層并刻蝕UBM1窗口及框架焊盤窗口一高頻濺射多層金屬形成UBM1層及框架焊盤一倒裝上芯及下填充一堆疊第二 IC芯片及第一次鍵合一堆疊第三IC芯片及第二次鍵合一第一次塑封及后固化一磨削框架背面一涂覆第二鈍化層刻蝕第五凹槽和第六凹槽一框架上蝕刻第七凹槽和第八凹槽并去除第二鈍化層一涂覆第三鈍化層并刻蝕第九凹槽一高頻濺射銅金屬層并蝕刻第十凹槽一涂覆第四鈍化層并蝕刻UBM2窗口一底部濺射多層金屬形成UBM2層—植球及回流焊一第二次塑封及后固化。
[0030]本發(fā)明提供的一種上述IC芯片堆疊封裝件的生產(chǎn)方法，具體按以下步驟進(jìn)行: 步驟1:使用8吋?12吋減薄機，采用粗磨、細(xì)精磨拋光防翹曲工藝，將帶凸點芯片的
晶圓減薄到180 μ m?200 μ m,粗磨速度6 μ m/s,精磨速度1.0 μ m/s ;采用粗磨、細(xì)精磨拋光防翅曲工藝，將不帶凸點芯片的晶圓減薄到50μm~75μm,粗磨速度2ym/s,精磨速度
6.0 μ m/min ;采用防止芯片翅曲工藝；
采用A-WD-300TXB劃片機對減薄后的晶圓進(jìn)行劃片，劃片進(jìn)刀速度≤lOmm/s ；
步驟2:在勻膠機或涂覆機上，在裸銅框架I正面均勻涂覆一層厚度≥ 10um的光刻膠(正負(fù)性均可)，形成光刻膠層25 ;在60°C~70°C的溫度下烘烤25±5分鐘；然后在曝光機上對已涂覆光刻膠層25的裸銅框架1進(jìn)行對準(zhǔn)曝光、顯影、定影，在光刻膠層25上形成多個第二凹槽26和多個第三凹槽27，如圖2所示，第二凹槽26和第三凹槽27對應(yīng)的裸銅框架1上顯示出圖案，在120°C ±5°C的溫度下堅膜30±5分鐘；然后在蝕刻、清洗一體機上，通過向下噴淋酸性腐蝕液或堿性腐蝕液，在第二凹槽26對應(yīng)的裸銅框架1正面蝕刻出需要的附圖形的第一凹槽11，第一凹槽11為引腳凹槽，第三凹槽27對應(yīng)的裸銅框架11正面蝕刻出需要的附圖形的第四凹槽28，相鄰兩個第四凹槽28之間形成隔墻8，如圖3所示，去除光刻膠層25 ；
步驟3:涂覆機內(nèi)，在裸銅框架1蝕刻出第一凹槽11和第四凹槽28的表面均勻涂覆第一鈍化層29，第一鈍化層29同時覆蓋第一凹槽11表面和第三凹槽28表面；然后在第四凹槽28底部的第一鈍化層29上刻蝕出UBM1窗口 30，在第一凹槽11兩側(cè)裸銅框架1表面的第一鈍化層29上刻蝕出框架焊盤窗口 31，如圖4所示；
步驟4:在第四凹槽28內(nèi)表面高頻濺射多金屬層，形成UBM1層32 ;在框架焊盤窗口 31上高頻濺射多金屬層，形成框架焊盤21，通過光刻、蝕刻步驟，去除多余的金屬層，使得相鄰第四凹槽28內(nèi)的UBM1層32不相連，框架焊盤窗口 31與UBM1層32不相連，如圖7所示，第四凹槽28和該第四凹槽28內(nèi)的UBM1層32構(gòu)成安放槽WBM1層32的結(jié)構(gòu)與框架焊盤21的結(jié)構(gòu)相同，均由三層金屬層或者兩層金屬層構(gòu)成，當(dāng)采用三層金屬層時，該三層金屬層為依次設(shè)置的第一金屬層a、第二金屬層b和第三金屬層c ;當(dāng)采用兩層金屬層時，該兩層金屬層為依次設(shè)置的第一金屬層a和第三金屬層c ;第一金屬層a為Cu層、Ni層或Cr層,第二金屬層b為Ni層、Cr層,第三金屬層c為Au層；第一金屬層a與第一鈍化層29和第四凹槽28底面相連接，如圖6所示；
步驟5:采用倒裝上芯機，在帶凸點的第一 IC芯片9的芯片凸點7上沾上焊料6，將第一 IC芯片9倒裝上芯于裸銅框架1上，使芯片凸點7伸入安放槽內(nèi)，芯片凸點7頂部通過焊料6與安放槽內(nèi)的UBM1層32相連；然后采用帶真空吸附的下填充模具對芯片凸點7與安放槽之間的空隙進(jìn)行下填充，使芯片凸點7與框架通過下填料10絕緣，如圖7所示；步驟6:在帶凸點的IC芯片，即第一 IC芯片9背面通過第一 DAF片14堆疊第二 IC芯片15，烘烤，然后從第二 IC芯片15上的焊盤向位于第一凹槽11和安放槽之間框架焊盤21打第一鍵合線12，從第二 IC芯片15上的焊盤向位于第一凹槽11外側(cè)的框架焊盤21打第四鍵合線19，如圖8所示；
步驟7:在第二 IC芯片15上堆疊第三IC芯片17，第三IC芯片17通過第二 DAF片16與第二 IC芯片15粘接，烘烤，然后從第三IC芯片17上的焊盤向第二 IC芯片15的焊盤打第二鍵合線13，再從第三IC芯片17上的焊盤向裸銅框架I上位于第一凹槽11外側(cè)的框架焊盤21上打第三鍵合線18，如圖9所示；
步驟8:使用全自動包封機，采用低應(yīng)力U1S I)、低吸濕(吸水率〈0.25%)的符合歐盟Weee、R0HS標(biāo)準(zhǔn)和Sony標(biāo)準(zhǔn)環(huán)保型塑封料對裸銅框架1正面進(jìn)行第一次塑封，形成第二塑封體20，第二塑封體20覆蓋了第一 IC芯片9、第二 IC芯片15、第三IC芯片17、第一 DAF片14、第二 DAF片16以及所有的鍵合線，第二塑封體20嵌入第一凹槽11內(nèi)，與裸銅框架I牢固結(jié)合，如圖10所示；塑封后按通用防離層工藝進(jìn)行后固化；
步驟9:磨削設(shè)備上，磨削裸銅框架I背面，磨削去的厚度為裸銅框架I厚度的1/3?1/4，清洗干凈、烘干；
步驟10:采用涂覆曝光一體機，在磨削后的裸銅框架I背面涂覆第二鈍化層33，然后在光刻機上曝光、顯影、定影，在第二鈍化層33上蝕刻出第五凹槽34和第六凹槽35，第五凹槽34位于第一凹槽11的下方，每個隔墻8的下方均有一個第六凹槽35，如圖11所示；
步驟11:沿第五凹槽34和第六凹槽35刻蝕裸銅框架1，在第五凹槽34對應(yīng)的裸銅框架I上刻蝕出第七凹槽36，使第七凹槽36與第一凹槽11相通，在第六凹槽35對應(yīng)的裸銅框架I上刻蝕出第八凹槽37，使隔墻8下方的第八凹槽37與對應(yīng)的隔墻8相通，其余位置的第八凹槽37的深度與隔墻8下方第八凹槽37的深度相同，相鄰兩個凹槽之間為引腳，如圖12所示，去除第二鈍化層33，露出引腳底面；
步驟12:涂覆機上，在裸銅框架I背面涂覆第三鈍化層39，第三鈍化層39既要填滿裸銅框架I背面所有的第七凹槽36和所有的第八凹槽38，還要在所有引腳背面覆蓋一層，然后在引腳相對的第三鈍化層39和需要的位置的第三鈍化層39上刻蝕出附圖形的第九凹槽40，如圖13所示；
步驟13:在裸銅框架I背面高頻濺射銅金屬層41，然后在銅金屬層41上蝕刻出第十凹槽42，第十凹槽42與第三鈍化層39相通，如圖14所示；
步驟14:在銅金屬層41表面涂覆第四鈍化層43，第四鈍化層43同時填充第十凹槽42，然后在第四鈍化層43上刻蝕出UBM2窗口 44，UBM2窗口 44與銅金屬層41相通，如圖15所示；
步驟15:在UBM2窗口 44上高頻濺射多層金屬，形成UBM2層45，UBM2層45的結(jié)構(gòu)與UBM1層32的結(jié)構(gòu)相同，見圖16 ；
步驟16:通過植球機，在UBM2層45上刷上焊料6，然后將錫焊球5放置在焊料6上，通過回流焊使錫焊球5、焊料6和UBM2層45牢固結(jié)合，如圖17所示，最后進(jìn)行清洗；
步驟17:通過全自動塑封機和第二次塑封模具，在第四鈍化層43表面進(jìn)行第二次塑封，形成第一塑封體4，所有的錫焊球5均露出第二塑封體4外，第二塑封體4牢固固定錫焊球5 ;然后打印、切割分離、測試，制得圖1所示的帶焊球面陣列四面扁平無引腳IC芯片堆疊封裝件。打印、切割分離時采用與QFN相同工序的設(shè)備及工藝，測試時采用與BGA封裝相同的設(shè)備及工藝。
[0031]本發(fā)明IC芯片堆疊封裝件生產(chǎn)方法中采用了芯片制造中的光刻(制版、涂膠、顯影、堅膜)、在裸銅框架I上蝕刻圖形；采用涂覆鈍化層、蝕刻UBM1窗口 30，使用高頻濺射多層金屬形成UBM1層32和框架焊盤21，使用帶凸點的第一 IC芯片9，采用封裝工藝中的倒裝上芯及下填充；采用DAF片堆疊粘接第二 IC芯片15及第一次壓焊、采用DAF片堆疊粘接第三IC芯片17及第二次壓焊、第一次塑封及后固化工藝，完成封裝件正面生產(chǎn)?？蚣鼙趁娌捎媚ハ鞴に?，減薄了框架厚度。繼續(xù)采用芯片生產(chǎn)工藝的鈍化和蝕刻工藝，通過涂覆第二鈍化層33、蝕刻第五凹槽34和第六凹槽35、繼續(xù)蝕刻第五凹槽34和第六凹槽35在裸銅框架I上形成第一凹槽11、第七凹槽36與第八凹槽37，并去除第二鈍化層33露出引腳底面。涂覆第三鈍化層39并刻蝕出第九凹槽40，高頻濺射銅金屬層41并刻蝕出第十凹槽42，涂覆第四鈍化層43刻蝕出UBM2窗口 44，高頻濺射多金屬層形成UBM2層45。采用封裝的印刷、植球回流焊工藝，使焊球、引腳底面、UBM2層45牢固相連，最后進(jìn)行第二次塑封牢固固定焊球。該方法可以替代基板生產(chǎn)的部分BGA和CPS，實現(xiàn)IC芯片靈活應(yīng)用于引線框架的CSP封裝，降低生產(chǎn)成本，縮短研發(fā)周期。
[0032]實施例1
使用8吋?12吋減薄機，采用粗磨、細(xì)精磨拋光防翹曲工藝，將帶凸點芯片的晶圓減薄到180 μ m，粗磨速度6 μ m/s，精磨速度1.0 μ m/s ;采用粗磨、細(xì)精磨拋光防翹曲工藝，將不帶凸點芯片的晶圓減薄到50 μ m,粗磨速度2 μ m/s,精磨速度6.0 μ m/min ;采用防止芯片翹曲工藝；采用A-WD-300TXB劃片機對減薄后的晶圓進(jìn)行劃片，劃片進(jìn)刀速度< lOmm/s ;在裸銅框架正面均勻涂覆一層正性光刻膠，形成光刻膠層；在60°C的溫度下烘烤30分鐘；然后進(jìn)行對準(zhǔn)曝光、顯影、定影，在光刻膠層上形成多個第二凹槽和多個第三凹槽，第二凹槽和第三凹槽對應(yīng)的裸銅框架上顯示出圖案，在120°C的溫度下堅膜30分鐘；通過向下噴淋酸性腐蝕液，在第二凹槽對應(yīng)的裸銅框架正面蝕刻出需要的附圖形的第一凹槽，第一凹槽為引腳凹槽，第三凹槽對應(yīng)的裸銅框架正面蝕刻出需要的附圖形的第四凹槽，相鄰兩個第四凹槽之間形成隔墻，去除光刻膠層；在裸銅框架正面均勻涂覆第一鈍化層，第一鈍化層同時覆蓋第一凹槽表面和第三凹槽表面；然后在第四凹槽底部的第一鈍化層上刻蝕出UBM1窗口，在第一凹槽兩側(cè)裸銅框架表面的第一鈍化層上刻蝕出框架焊盤窗口 ；在第四凹槽內(nèi)表面高頻濺射多金屬層，形成UBM1層；在框架焊盤窗口上高頻濺射多金屬層，形成框架焊盤，通過光刻、蝕刻步驟，去除多余的金屬層，使得相鄰第四凹槽內(nèi)的UBM1層不相連，框架焊盤窗口與UBM1層不相連，第四凹槽和該第四凹槽內(nèi)的UBM1層構(gòu)成安放槽WBM1層的結(jié)構(gòu)與框架焊盤的結(jié)構(gòu)相同，均由三層金屬層，該三層金屬層為依次設(shè)置的第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層；第一金屬層Cu層,第二金屬層為Ni層,第三金屬層為Au層；第一金屬層與第一鈍化層和第四凹槽底面相連接；在帶凸點的IC芯片的芯片凸點上沾上焊料，將該帶凸點的IC芯片倒裝上芯于裸銅框架上，使芯片凸點伸入安放槽內(nèi)，芯片凸點頂部通過焊料與安放槽內(nèi)的UBM1層相連；采用帶真空吸附的下填充模具對芯片凸點與安放槽之間的空隙進(jìn)行下填充，使芯片凸點與框架通過下填料絕緣；在帶凸點的IC芯片背面通過第一 DAF片堆疊第二 IC芯片，烘烤，然后從第二 IC芯片向位于第一凹槽和安放槽之間的框架焊盤打第一鍵合線，從第二 IC芯片向位于第一凹槽外側(cè)的框架焊盤打第四鍵合線；在第二 IC芯片上堆疊第三IC芯片，第三IC芯片通過第二 DAF片與第二 IC芯片粘接，烘烤，然后從第三IC芯片向第二 IC芯片打第二鍵合線，再從第三IC芯片向裸銅框架上位于第一凹槽外側(cè)的框架焊盤打第三鍵合線；使用全自動包封機，采用低應(yīng)力U1 ( I)、低吸濕(吸水率〈0.25%)的符合歐盟Weee、R0HS標(biāo)準(zhǔn)和Sony標(biāo)準(zhǔn)環(huán)保型塑封料對裸銅框架正面進(jìn)行第一次塑封，形成第二塑封體，第二塑封體覆蓋了所有的IC芯片、所有的DAF片以及所有的鍵合線，第二塑封體嵌入第一凹槽內(nèi)，與引線框架牢固結(jié)合；塑封后按通用防離層工藝進(jìn)行后固化；磨削設(shè)備上，磨削裸銅框架背面，磨削去的厚度為裸銅框架厚度的1/3，清洗干凈、烘干；在磨削后的裸銅框架背面涂覆第二鈍化層，然后在光刻機上曝光、顯影、定影，在第二鈍化層上蝕刻出第五凹槽和第六凹槽，第五凹槽位于第一凹槽的下方，每個隔墻的下方均有一個第六凹槽；沿第五凹槽和第六凹槽刻蝕裸銅框架，在第五凹槽對應(yīng)的裸銅框架上刻蝕出第七凹槽，使第七凹槽與第一凹槽相通，在第六凹槽對應(yīng)的裸銅框架上刻蝕出第八凹槽，使隔墻下方的第八凹槽與對應(yīng)的隔墻相通，其余位置的第八凹槽的深度與隔墻下方第八凹槽的深度相同，相鄰兩個凹槽之間為引腳，去除第二鈍化層，露出引腳底面；在裸銅框架背面涂覆第三鈍化層，第三鈍化層既要填滿裸銅框架背面所有的第七凹槽和所有的第八凹槽，還要在所有引腳背面覆蓋一層，然后在引腳相對的第三鈍化層和需要的位置的第三鈍化層上刻蝕出附圖形的第九凹槽；在裸銅框架背面高頻濺射銅金屬層，在銅金屬層上蝕刻出第十凹槽，第十凹槽與第三鈍化層相通；在銅金屬層表面涂覆第四鈍化層，第四鈍化層同時填充第十凹槽，然后在第四鈍化層上刻蝕出UBM2窗口，UBM2窗口與銅金屬層相通；在服112窗口上高頻濺射多層金屬，形成UBM2層，UBM2層的結(jié)構(gòu)與UBM1層的結(jié)構(gòu)相同；在UBM2層上刷上焊料，然后將錫焊球放置在焊料上，通過回流焊使錫焊球、焊料和UBM2層牢固結(jié)合，清洗；在第四鈍化層表面進(jìn)行第二次塑封，形成第一塑封體，所有的錫焊球均露出第一塑封體外，第一塑封體牢固固定錫焊球；然后打印、切割分離、測試，制得帶焊球面陣列四面扁平無引腳IC芯片堆疊封裝件。打印、切割分離時采用與QFN相同工序的設(shè)備及工藝，測試時采用與BGA封裝相同的設(shè)備及工藝。
[0033]實施例2
按實施例1的方法減薄晶圓并劃片，帶凸點芯片的晶圓減薄到200 μ m，不帶凸點芯片的晶圓減薄到75 μ m ;在裸銅框架正面均勻涂覆一層正性光刻膠，形成光刻膠層；在70°C的溫度下烘烤20分鐘；然后對準(zhǔn)曝光、顯影、定影，在光刻膠層上形成多個第二凹槽和多個第三凹槽，第二凹槽和第三凹槽對應(yīng)的裸銅框架上顯示出圖案，在125°C的溫度下堅膜25分鐘；通過向下噴淋堿性腐蝕液，在第二凹槽對應(yīng)的裸銅框架正面蝕刻出需要的附圖形的第一凹槽，第三凹槽對應(yīng)的裸銅框架正面蝕刻出需要的附圖形的第四凹槽，第三凹槽對應(yīng)的裸銅框架正面蝕刻出需要的附圖形的第四凹槽，相鄰兩個第四凹槽之間形成隔墻，去除光刻膠層；在裸銅框架正面均勻涂覆第一鈍化層，在第四凹槽底部的第一鈍化層上刻蝕出UBM1窗口，在第一凹槽兩側(cè)裸銅框架表面的第一鈍化層上刻蝕出框架焊盤窗口 ；在第四凹槽內(nèi)表面高頻濺射多金屬層，形成服111層；在框架焊盤窗口上高頻濺射多金屬層，形成框架焊盤，通過光刻、蝕刻步驟，去除多余的金屬層，使得相鄰第四凹槽內(nèi)的UBM1層不相連，框架焊盤窗口與UBM1層不相連，第四凹槽和該第四凹槽內(nèi)的UBM1層構(gòu)成安放槽WBM1層的結(jié)構(gòu)與框架焊盤的結(jié)構(gòu)相同，均由三層金屬層，該三層金屬層為依次設(shè)置的第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層；第一金屬層為Ni層,第二金屬層為Cr層,第三金屬層為Au層；第一金屬層與第一鈍化層和第四凹槽底面相連接；再按實施例1的方法制得帶焊球面陣列四面扁平無引腳IC芯片堆疊封裝件，只是在磨削裸銅框架背面時，磨削去的厚度為裸銅框架厚度的 1/4。
[0034]實施例3
按實施例1的方法減薄晶圓并劃片，帶凸點芯片的晶圓減薄到190 μ m，不帶凸點芯片的晶圓減薄到60 μ m ;在裸銅框架正面均勻涂覆一層正性光刻膠，形成光刻膠層；在65°C的溫度下烘烤25分鐘；然后對準(zhǔn)曝光、顯影、定影，在光刻膠層上形成多個第二凹槽和多個第三凹槽，第二凹槽和第三凹槽對應(yīng)的裸銅框架上顯示出圖案，在115°C的溫度下堅膜35分鐘；通過向下噴淋堿性腐蝕液，在第二凹槽對應(yīng)的裸銅框架正面蝕刻出需要的附圖形的第一凹槽，第三凹槽對應(yīng)的裸銅框架正面蝕刻出需要的附圖形的第四凹槽，第三凹槽對應(yīng)的裸銅框架正面蝕刻出需要的附圖形的第四凹槽，相鄰兩個第四凹槽之間形成隔墻，去除光刻膠層；在裸銅框架正面均勻涂覆第一鈍化層，在第四凹槽底部的第一鈍化層上刻蝕出UBM1窗口，在第一凹槽兩側(cè)裸銅框架表面的第一鈍化層上刻蝕出框架焊盤窗口 ；在第四凹槽內(nèi)表面高頻濺射多金屬層，形成服111層；在框架焊盤窗口上高頻濺射多金屬層，形成框架焊盤，通過光刻、蝕刻步驟，去除多余的金屬層，使得相鄰第四凹槽內(nèi)的UBM1層不相連，框架焊盤窗口與UBM1層不相連，第四凹槽和該第四凹槽內(nèi)的UBM1層構(gòu)成安放槽WBM1層的結(jié)構(gòu)與框架焊盤的結(jié)構(gòu)相同，均由二層金屬層，該二層金屬層為依次設(shè)置的第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層；第一金屬層為Cu層,第二金屬層為Cr層，第三金屬層為Au層；第一金屬層與第一鈍化層和第四凹槽底面相連接；再按實施例1的方法制得帶焊球面陣列四面扁平無引腳IC芯片堆疊封裝件，只是在磨削裸銅框架背面時，磨削去的厚度為裸銅框架厚度的 7/24。
[0035]實施例4
按實施例1的方法減薄晶圓并劃片，帶凸點芯片的晶圓減薄到185 μ m，不帶凸點芯片的晶圓減薄到55 μ m ;在裸銅框架正面均勻涂覆一層正性光刻膠，形成光刻膠層；在65°C的溫度下烘烤24分鐘；然后對準(zhǔn)曝光、顯影、定影，在光刻膠層上形成多個第二凹槽和多個第三凹槽，第二凹槽和第三凹槽對應(yīng)的裸銅框架上顯示出圖案，在118°C的溫度下堅膜32分鐘；通過向下噴淋酸性腐蝕液，在第二凹槽對應(yīng)的裸銅框架正面蝕刻出需要的附圖形的第一凹槽，第三凹槽對應(yīng)的裸銅框架正面蝕刻出需要的附圖形的第四凹槽，第三凹槽對應(yīng)的裸銅框架正面蝕刻出需要的附圖形的第四凹槽，相鄰兩個第四凹槽之間形成隔墻，去除光刻膠層；在裸銅框架正面均勻涂覆第一鈍化層，在第四凹槽底部的第一鈍化層上刻蝕出UBM1窗口，在第一凹槽兩側(cè)裸銅框架表面的第一鈍化層上刻蝕出框架焊盤窗口 ；在第四凹槽內(nèi)表面高頻濺射多金屬層，形成服111層；在框架焊盤窗口上高頻濺射多金屬層，形成框架焊盤，通過光刻、蝕刻步驟，去除多余的金屬層，使得相鄰第四凹槽內(nèi)的UBM1層不相連，框架焊盤窗口與UBM1層不相連，第四凹槽和該第四凹槽內(nèi)的UBM1層構(gòu)成安放槽WBM1層的結(jié)構(gòu)與框架焊盤的結(jié)構(gòu)相同，均由兩層金屬層，該兩層金屬層為依次設(shè)置的第一金屬層和第三金屬層；第一金屬層為Ni層,第三金屬層為Au層；第一金屬層與第一鈍化層和第四凹槽底面相連接；再按實施例1的方法制得帶焊球面陣列四面扁平無引腳IC芯片堆疊封裝件。
[0036]實施例5
按實施例1的方法減薄晶圓并劃片，帶凸點芯片的晶圓減薄到195 μ m，不帶凸點芯片的晶圓減薄到70 μ m ;在裸銅框架正面均勻涂覆一層正性光刻膠，形成光刻膠層；在68°C的溫度下烘烤22分鐘；然后對準(zhǔn)曝光、顯影、定影，在光刻膠層上形成多個第二凹槽和多個第三凹槽，第二凹槽和第三凹槽對應(yīng)的裸銅框架上顯示出圖案，在122°C的溫度下堅膜分鐘；通過向下噴淋酸性腐蝕液，在第二凹槽對應(yīng)的裸銅框架正面蝕刻出需要的附圖形的第一凹槽，第三凹槽對應(yīng)的裸銅框架正面蝕刻出需要的附圖形的第四凹槽，第三凹槽對應(yīng)的裸銅框架正面蝕刻出需要的附圖形的第四凹槽，相鄰兩個第四凹槽之間形成隔墻，去除光刻膠層；在裸銅框架正面均勻涂覆第一鈍化層，在第四凹槽底部的第一鈍化層上刻蝕出UBM1窗口，在第一凹槽兩側(cè)裸銅框架表面的第一鈍化層上刻蝕出框架焊盤窗口 ；在第四凹槽內(nèi)表面高頻濺射多金屬層，形成UBM1層；在框架焊盤窗口上高頻濺射多金屬層，形成框架焊盤，通過光刻、蝕刻步驟，去除多余的金屬層，使得相鄰第四凹槽內(nèi)的UBM1層不相連，框架焊盤窗口與UBM1層不相連，第四凹槽和該第四凹槽內(nèi)的UBM1層構(gòu)成安放槽WBM1層的結(jié)構(gòu)與框架焊盤的結(jié)構(gòu)相同，均由兩層金屬層，該兩層金屬層為依次設(shè)置的第一金屬層和第三金屬層；第一金屬層為Cr層,第三金屬層為Au層；第一金屬層與第一鈍化層和第四凹槽底面相連接；再按實施例1的方法制得帶焊球面陣列四面扁平無引腳IC芯片堆疊封裝件。
[0037]雖然結(jié)合優(yōu)選實例已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在不違背所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可以進(jìn)行修改和變換。
【權(quán)利要求】
1.一種帶焊球面陣列四邊無引腳IC芯片堆疊封裝件，包括裸銅框架(1)，裸銅框架(1)上設(shè)有第一凹槽(11)和多個安放槽，相鄰兩個安放槽之間設(shè)有隔墻(8)，裸銅框架(1)正面倒裝有帶凸點的第一 IC芯片(9)，該IC芯片上的芯片凸點(7)伸入安放槽內(nèi)，芯片凸點(7)與安放槽之間的空隙填充有下填料(10)，裸銅框架(1)正面塑封有第一塑封體(20)，其特征在于，第一凹槽(11)兩側(cè)分別為第一引腳(23)和第二引腳(24);第一凹槽(11)底部與鈍化體(2)相連，第一引腳(23)通過鈍化體(2)與第二引腳(24)相連接，第一引腳(23)底部設(shè)有第二連接層(22);與第二引腳(24)相鄰的安放槽底部通過第一連接層(3)與第二引腳(24)底部相連接，其余安放槽底部均設(shè)有第一連接層(22)，所有的第一連接層(3)和所有的第二連接層(22)均不相連，每個第一連接層(3)底部和每個第二連接層(22)底部均設(shè)有錫焊球(5)，所有鈍化體(2)表面和所有連接層表面塑封有第一塑封體(4)，所有的錫焊球(5)均露出第一塑封體(4)外；帶凸點的IC芯片依次堆疊有兩層IC芯片，位于下方的IC芯片通過第一鍵合線(12)與第二引腳(24)相連，同時通過第四鍵合線(19)與第一引腳(23)相連；位于上方的 IC芯片通過第二鍵合線(13)與位于下方的IC芯片相連,位于上方的IC芯片通過第三鍵合線(18)與第一引腳(23)相連。
2.—種權(quán)利要求1所述帶焊球面陣列四邊無引腳IC芯片堆疊封裝件的生產(chǎn)方法，其特征在于，該生產(chǎn)方法具體按以下步驟進(jìn)行: 步驟1:晶圓減薄劃片； 步驟2:在裸銅框架正面均勻涂覆光刻膠，形成光刻膠層(25);在60°C~70°C的溫度下烘烤25±5分鐘；然后對準(zhǔn)曝光、顯影、定影，在光刻膠層(25)上形成多個第二凹槽(26)和多個第三凹槽(27)，在120°C ±5°C的溫度下堅膜(30±5)分鐘；然后在第二凹槽(26)對應(yīng)的裸銅框架(1)正面蝕刻出第一凹槽(11 )，第三凹槽(27)對應(yīng)的裸銅框架(1)正面蝕刻出第四凹槽(28)，相鄰兩個第四凹槽(28)之間形成隔墻(8)，去除光刻膠層(25); 步驟3:在裸銅框架蝕刻出第一凹槽(11)和第四凹槽(28 )的表面均勻涂覆第一鈍化層(29)，第一鈍化層(29)同時覆蓋第一凹槽(11)表面和第三凹槽(27)表面；然后在第四凹槽(28)底部的第一鈍化層(29)上刻蝕出UBM1窗口(30)，在第一凹槽(11)兩側(cè)裸銅框架(1)表面的第一鈍化層(29)上刻蝕出框架焊盤窗口(31)； 步驟4:高頻濺射多金屬層，在第四凹槽內(nèi)表面形成UBM1層(32);在框架焊盤窗口(31)上形成框架焊盤(21)，去除多余金屬層，使得相鄰第四凹槽(28)內(nèi)的UBM1層(32)不相連，框架焊盤窗口(31)與UBM1層(32)不相連，第四凹槽(28)和該第四凹槽(28)內(nèi)的UBM1層(32)構(gòu)成安放槽；服111層(32)的結(jié)構(gòu)與框架焊盤(21)的結(jié)構(gòu)相同，均由三層金屬層或者兩層金屬層構(gòu)成，當(dāng)采用三層金屬層時，該三層金屬層為依次設(shè)置的第一金屬層(a)、第二金屬層(b)和第三金屬層(C);當(dāng)采用兩層金屬層時，該兩層金屬層為依次設(shè)置的第一金屬(a)層和第三金屬層(c);第一金屬層(a)為Cu層、Ni層或Cr層，第二金屬層(b)為Ni層、Cu層或Cr層,第三金屬層(c)為Au層；第一金屬層(a)與第一鈍化層(29)和第四凹槽(28)底面相連接； 步驟5:將帶凸點的第一 IC芯片(9)倒裝上芯于裸銅框架(1)上，芯片凸點(7)伸入安放槽內(nèi)；然后采用帶真空吸附的下填充模具對芯片凸點(7)與安放槽之間的空隙進(jìn)行下填充，使芯片凸點(7)與框架通過下填料(10)絕緣； 步驟6:在帶凸點的第一 IC芯片(9)背面堆疊第二 IC芯片(15)，烘烤，然后從第二 IC芯片(15)向位于第一凹槽(11)和安放槽之間的框架焊盤(21)打第一鍵合線(12)，從第二IC芯片(15)上的焊盤向位于第一凹槽(11)外側(cè)的框架焊盤(21)打第四鍵合線(19)；步驟7:在第二 IC芯片(15)上堆疊第三IC芯片(17)，烘烤，然后從第三IC芯片(17)向第二 IC芯片(15)打第二鍵合線(13)，再從第三IC芯片(17)向裸銅框架(1)上位于第一凹槽(11)外側(cè)的框架焊盤(21)上打第三鍵合線(18 ); 步驟8:采用符合歐盟Weee、ROHS標(biāo)準(zhǔn)和Sony標(biāo)準(zhǔn)環(huán)保型塑封料對裸銅框架正面進(jìn)行塑封，形成第二塑封體(20)，第二塑封體(20)覆蓋了所有IC芯片以及所有的鍵合線，第二塑封體(20)嵌入第一凹槽(11)內(nèi)，塑封后按通用防離層工藝進(jìn)行后固化； 步驟9:磨削裸銅框架背面，清洗、烘干； 步驟10:在磨削后的裸銅框架背面涂覆第二鈍化層(33)，然后曝光、顯影、定影，在第二鈍化層(33)上蝕刻出第五凹槽(34)和第六凹槽(35)，第五凹槽(34)位于第一凹槽(11)下方，每個隔墻(8)下方均有一個第六凹槽(35)； 步驟11:沿第五凹槽(34)和第六凹槽(35)刻蝕裸銅框架(1)，在第五凹槽(34)對應(yīng)的裸銅框架(1)上刻蝕出第七凹槽(37)，使第七凹槽(37)與第一凹槽(11)相通，在第六凹槽(35)對應(yīng)的裸銅框架(1)上刻蝕出第八凹槽(38)，使隔墻(8)下方的第八凹槽(38)與對應(yīng)的隔墻(8)相通，其余位置的第八凹槽(38)的深度與隔墻(8)下方第八凹槽(38)的深度相同，相鄰兩個凹槽之間為引腳，去除第二鈍化層(33)，露出引腳底面； 步驟12:在裸銅框架(1)背面涂覆第三鈍化層(39)，第三鈍化層(39)同時填滿裸銅框架(1)背面所有的第七凹槽(37)和所有的第八凹槽(38)，然后在引腳相對的第三鈍化層(39)和需要的位置的第三鈍`化層(39)上刻蝕出第九凹槽(40)； 步驟13:在裸銅框架(1)背面高頻濺射銅金屬層，然后在銅金屬層(41)上蝕刻出第十凹槽(42)，第十凹槽(42)與第三鈍化層(39)相通； 步驟14:在銅金屬層(41)表面涂覆第四鈍化層(43)，第四鈍化層(43)同時填充第十凹槽(42)，然后在第四鈍化層上刻蝕出UBM2窗口(44)，UBM2窗口(44)與銅金屬層(41)相通；步驟15:在第十一凹槽(UBM2窗口)(44)上高頻濺射形成UBM2層(45),UBM2層(45)的結(jié)構(gòu)與UBM1層(32)的結(jié)構(gòu)相同； 步驟16:通過植球、回流焊在UBM2層(45)上焊接錫焊球(5)，清洗； 步驟17:在第四鈍化層(43)表面進(jìn)行第二次塑封，形成第一塑封體(4)，所有的錫焊球(5)均露出第一塑封體(4)外，然后打印、切割分離、測試，制得帶焊球面陣列四面扁平無引腳IC芯片堆疊封裝件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述步驟I中:使用8吋~12吋減薄機，采用粗磨、細(xì)精磨拋光防翅曲工藝，將帶凸點芯片的晶圓減薄到180 μ m~200 μ m,粗磨速度6 μ m/s,精磨速度1.0 μ m/s ;采用粗磨、細(xì)精磨拋光防翅曲工藝,將不帶凸點芯片的晶圓減薄到50 μ m~75 μ m,粗磨速度2 μ m/s,精磨速度6.0 μ m/min ;采用防止芯片翅曲工藝; 采用A-WD-300TXB劃片機對減薄后的晶圓進(jìn)行劃片，劃片進(jìn)刀速度≤lOmm/s。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述步驟9中，裸銅框架(1)磨削去的厚度為裸銅框架(1)厚度的1/3~1/4。
【文檔編號】H01L25/16GK103730443SQ201310749972
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】慕蔚, 李習(xí)周, 邵榮昌, 王永忠 申請人:天水華天科技股份有限公司