低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置，屬于薄膜晶體管制造工藝領(lǐng)域。所述低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，包括有接觸孔，所述陣列基板的源電極、漏電極通過所述接觸孔分別與有源層連接，其中，所述接觸孔的底部設(shè)置有與所述有源層連接的導(dǎo)電圖形。通過本發(fā)明的技術(shù)方案，能夠在接觸孔刻蝕完成后使得陣列基板的源電極、漏電極與有源層形成良好的歐姆接觸，保證顯示裝置的顯示質(zhì)量。
【專利說明】低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及薄膜晶體管制造工藝領(lǐng)域，特別是指一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]LTPS (低溫多晶硅)由于其原子規(guī)則排列，載流子遷移率高(10?300cm2/Vs)，同時(shí)也有較高的驅(qū)動(dòng)電流，可以加快液晶的反應(yīng)時(shí)間，縮小TFT (薄膜晶體管)的體積，增加透過面積，得到更高的亮度和解析度，因此薄膜晶體管的制作工藝中廣泛采用LTPS制備有源層。
[0003]圖1和圖2所示為現(xiàn)有低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，10為襯底基板，11為緩沖層，13為有源層，14為柵絕緣層，15為柵電極，16為層間絕緣層，170為源電極，171為漏電極。在制作圖1所示的陣列基板時(shí)，由于柵絕緣層14與層間絕緣層16的厚度相對(duì)于有源層13的厚度較大(一般而言柵絕緣層+層間絕緣層的厚度大于有源層厚度10倍以上)，再加之沉積薄膜與刻蝕過程中的不均勻性，在進(jìn)行柵絕緣層和層間絕緣層的接觸孔刻蝕時(shí)，為了保證在整個(gè)基板上均可使接觸孔到達(dá)有源層，就必須要達(dá)到較高的過刻量，而在保證柵絕緣層和層間絕緣層過刻量的前提下，相對(duì)很薄的有源層就極容易形成過刻，影響源電極、漏電極與有源層的歐姆接觸，使開態(tài)電流降低影響TFT特性，從而影響顯示裝置的顯示。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠在接觸孔刻蝕完成后使得陣列基板的源電極、漏電極與有源層形成良好的歐姆接觸，保證顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下:
[0006]一方面，提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，包括有接觸孔，所述陣列基板的源電極、漏電極通過所述接觸孔分別與有源層連接，所述接觸孔的底部設(shè)置有與所述有源層連接的導(dǎo)電圖形。
[0007]進(jìn)一步地，所述導(dǎo)電圖形為連續(xù)薄膜或網(wǎng)狀薄膜。
[0008]進(jìn)一步地，所述導(dǎo)電圖形的厚度小于或等于所述有源層的厚度。
[0009]進(jìn)一步地，所述導(dǎo)電圖形的尺寸大于或等于所述接觸孔的尺寸，且所述導(dǎo)電圖形位于所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)所對(duì)應(yīng)的范圍內(nèi)。
[0010]進(jìn)一步地，所述導(dǎo)電圖形為采用Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，ITO, ZnO 和W中的至少一種制成。
[0011]進(jìn)一步地，所述陣列基板具體包括:
[0012]襯底基板；
[0013]所述襯底基板上的緩沖層；[0014]所述緩沖層上的所述導(dǎo)電圖形；
[0015]所述導(dǎo)電圖形上的所述有源層；
[0016]所述有源層上的柵絕緣層；
[0017]所述柵絕緣層上的柵電極；
[0018]所述柵電極上的層間絕緣層；
[0019]所述層間絕緣層上的源電極和漏電極，所述源電極和漏電極分別通過貫穿所述有源層、柵絕緣層和層間絕緣層的接觸孔與所述導(dǎo)電圖形連接。
[0020]進(jìn)一步地，所述陣列基板具體包括:
[0021]襯底基板；
[0022]所述襯底基板上的緩沖層；
[0023]所述緩沖層上的柵電極；
[0024]所述柵電極上的柵絕緣層；
[0025]所述柵絕緣層上的所述導(dǎo)電圖形；
[0026]所述導(dǎo)電圖形上的所述有源層；
[0027]所述有源層上的層間絕緣層；
[0028]所述層間絕緣層上的源電極和漏電極，所述源電極和漏電極分別通過貫穿所述有源層和層間絕緣層的接觸孔與所述導(dǎo)電圖形連接。
[0029]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括有接觸孔，所述陣列基板的源電極、漏電極通過所述接觸孔分別與有源層連接，在形成所述有源層之前，在對(duì)應(yīng)所述接觸孔的位置形成用以與所述有源層連接的導(dǎo)電圖形。
[0031]進(jìn)一步地,所述制作方法具體包括:
[0032]提供一襯底基板；
[0033]在所述襯底基板上形成緩沖層；
[0034]通過一次構(gòu)圖工藝在所述緩沖層上、對(duì)應(yīng)所述接觸孔的位置形成能夠與所述有源層連接的導(dǎo)電圖形；
[0035]在所述導(dǎo)電圖形上形成所述有源層；
[0036]在所述有源層上形成柵絕緣層；
[0037]在所述柵絕緣層上形成柵電極和柵線的圖形；
[0038]在形成有所述柵電極和柵線的襯底基板上形成層間絕緣層；
[0039]在對(duì)應(yīng)源電極和漏電極的位置進(jìn)行接觸孔刻蝕，刻蝕停止于所述導(dǎo)電圖形；
[0040]通過一次構(gòu)圖工藝在所述層間絕緣層上形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形，所述源電極和漏電極分別通過貫穿所述有源層、柵絕緣層和層間絕緣層的接觸孔與所述導(dǎo)電圖形連接。
[0041]進(jìn)一步地,所述制作方法具體包括:
[0042]提供一襯底基板；
[0043]在所述襯底基板上形成緩沖層；[0044]通過一次構(gòu)圖工藝在所述緩沖層上形成柵電極和柵線的圖形；
[0045]在形成有所述柵電極和柵線的襯底基板上形成柵絕緣層；
[0046]通過一次構(gòu)圖工藝在所述柵絕緣層上、對(duì)應(yīng)所述接觸孔的位置形成能夠與所述有源層連接的導(dǎo)電圖形；
[0047]在所述導(dǎo)電圖形上形成所述有源層；
[0048]在所述有源層上形成層間絕緣層；
[0049]在對(duì)應(yīng)源電極和漏電極的位置進(jìn)行接觸孔刻蝕，刻蝕停止于所述導(dǎo)電圖形；
[0050]通過一次構(gòu)圖工藝在所述層間絕緣層上形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形，所述源電極和漏電極分別通過貫穿所述有源層和層間絕緣層的接觸孔與所述導(dǎo)電圖形連接。
[0051]本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果:
[0052]上述方案中，連接源電極、漏電極與有源層的接觸孔底部設(shè)置有與有源層連接的導(dǎo)電圖形，這樣源電極可以通過導(dǎo)電圖形與有源層電性連接，漏電極可以通過導(dǎo)電圖形與有源層電性連接，使得接觸孔刻蝕完成后源電極、漏電極能與有源層形成良好的歐姆接觸，且不影響源電極、漏電極摻雜工藝，提高工藝穩(wěn)定性與可靠性，保證顯示裝置的顯示質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0053]圖1為現(xiàn)有低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0054]圖2為現(xiàn)有低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板中源電極、漏電極通過接觸孔與有源層連接的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0055]圖3為本發(fā)明實(shí)施例低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0056]圖4為本發(fā)明實(shí)施例低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板中源電極、漏電極通過接觸孔與有源層連接的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0057]附圖標(biāo)記
[0058]10襯底基板 11緩沖層 120、121刻蝕阻擋層
[0059]13有源層 14柵絕緣層15柵電極
[0060]16層間絕緣層170源電極 171漏電極
【具體實(shí)施方式】
[0061]為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0062]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠在接觸孔刻蝕完成后使得陣列基板的源電極、漏電極與有源層形成良好的歐姆接觸，保證顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0063]本發(fā)明提供了一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，包括有接觸孔，所述陣列基板的源電極、漏電極通過所述接觸孔分別與有源層連接，其中，所述接觸孔的底部設(shè)置有與所述有源層連接的導(dǎo)電圖形。
[0064]所述源電極可以通過所述導(dǎo)電圖形與所述有源層電性連接，所述漏電極可以通過所述導(dǎo)電圖形與所述有源層電性連接。
[0065]本發(fā)明的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，連接源電極、漏電極與有源層的接觸孔底部設(shè)置有與有源層連接的導(dǎo)電圖形，這樣源電極可以通過導(dǎo)電圖形與有源層電性連接，漏電極可以通過導(dǎo)電圖形與有源層電性連接，使得接觸孔刻蝕完成后源電極、漏電極能與有源層形成良好的歐姆接觸，且不影響源電極、漏電極摻雜工藝，提高工藝穩(wěn)定性與可靠性，保證顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0066]其中，所述導(dǎo)電圖形可以為連續(xù)薄膜或?qū)щ娦阅茌^好的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)薄膜，所述導(dǎo)電圖形的厚度小于或等于所述有源層的厚度。
[0067]進(jìn)一步地，所述導(dǎo)電圖形的尺寸大于或等于所述接觸孔的尺寸，且所述導(dǎo)電圖形位于所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)所對(duì)應(yīng)的范圍內(nèi)。所述導(dǎo)電圖形可以采用Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta和W中的至少一種制成，還可以采用導(dǎo)電性能較好的金屬氧化物制成，如ITO或ΙΖ0，還可以采用ZnO = Al薄膜或網(wǎng)狀ZnO = Al薄膜等制成。
[0068]本發(fā)明的一具體實(shí)施例中，所述陣列基板可以包括:
[0069]襯底基板；
[0070]所述襯底基板上的緩沖層；
[0071]所述緩沖層上的所述導(dǎo)電圖形；
[0072]所述導(dǎo)電圖形上的所述有源層；
[0073]所述有源層上的柵絕緣層；
[0074]所述柵絕緣層上的柵電極；
[0075]所述柵電極上的層間絕緣層；
[0076]所述層間絕緣層上的源電極和漏電極，所述源電極和漏電極分別通過貫穿所述有源層、柵絕緣層和層間絕緣層的接觸孔與所述導(dǎo)電圖形連接。
[0077]本發(fā)明的一具體實(shí)施例中，所述陣列基板可以包括:
[0078]襯底基板；
[0079]所述襯底基板上的緩沖層；
[0080]所述緩沖層上的柵電極；
[0081]所述柵電極上的柵絕緣層；
[0082]所述柵絕緣層上的所述導(dǎo)電圖形；
[0083]所述導(dǎo)電圖形上的所述有源層；
[0084]所述有源層上的層間絕緣層；
[0085]所述層間絕緣層上的源電極和漏電極，所述源電極和漏電極分別通過貫穿所述有源層和層間絕緣層的接觸孔與所述導(dǎo)電圖形連接。
[0086]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板。其中，低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)同上述實(shí)施例，在此不再贅述。另外，顯示裝置其他部分的結(jié)構(gòu)可以參考現(xiàn)有技術(shù)，對(duì)此本文不再詳細(xì)描述。該顯示裝置可以為:顯示面板、電子紙、電視、顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0087]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括有接觸孔，所述陣列基板的源電極、漏電極通過所述接觸孔分別與有源層連接，其中，在形成所述有源層之前，在對(duì)應(yīng)所述接觸孔的位置形成用以與所述有源層連接的導(dǎo)電圖形。
[0088]本發(fā)明的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，在連接源電極、漏電極與有源層的接觸孔底部設(shè)置有與有源層連接的導(dǎo)電圖形，這樣源電極可以通過導(dǎo)電圖形與有源層電性連接，漏電極可以通過導(dǎo)電圖形與有源層電性連接，使得接觸孔刻蝕完成后源電極、漏電極能與有源層形成良好的歐姆接觸，且不影響源電極、漏電極摻雜工藝，提高工藝穩(wěn)定性與可靠性，保證顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0089]本發(fā)明的一具體實(shí)施例中，所述制作方法可以包括:
[0090]提供一襯底基板；
[0091 ] 在所述襯底基板上形成緩沖層；
[0092]通過一次構(gòu)圖工藝在所述緩沖層上、對(duì)應(yīng)所述接觸孔的位置形成能夠與所述有源層連接的導(dǎo)電圖形；
[0093]在所述導(dǎo)電圖形上形成所述有源層；
[0094]在所述有源層上形成柵絕緣層；
[0095]在所述柵絕緣層上形成柵電極和柵線的圖形；
[0096]在形成有所述柵電極和柵線的襯底基板上形成層間絕緣層；
[0097]在對(duì)應(yīng)源電極和漏電極的位置進(jìn)行接觸孔刻蝕，刻蝕停止于所述導(dǎo)電圖形；
[0098]通過一次構(gòu)圖工藝在所述層間絕緣層上形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形，所述源電極和漏電極分別通過貫穿所述有源層、柵絕緣層和層間絕緣層的接觸孔與所述導(dǎo)電圖形連接。
[0099]本發(fā)明的一具體實(shí)施例中，所述制作方法可以包括:
[0100]提供一襯底基板；
[0101]在所述襯底基板上形成緩沖層；
[0102]通過一次構(gòu)圖工藝在所述緩沖層上形成柵電極和柵線的圖形；
[0103]在形成有所述柵電極和柵線的襯底基板上形成柵絕緣層；
[0104]通過一次構(gòu)圖工藝在所述柵絕緣層上、對(duì)應(yīng)所述接觸孔的位置形成能夠與所述有源層連接的導(dǎo)電圖形；
[0105]在所述導(dǎo)電圖形上形成所述有源層；
[0106]在所述有源層上形成層間絕緣層；
[0107]在對(duì)應(yīng)源電極和漏電極的位置進(jìn)行接觸孔刻蝕，刻蝕停止于所述導(dǎo)電圖形；
[0108]通過一次構(gòu)圖工藝在所述層間絕緣層上形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形，所述源電極和漏電極分別通過貫穿所述有源層和層間絕緣層的接觸孔與所述導(dǎo)電圖形連接。
[0109]下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制作方法進(jìn)行詳細(xì)介紹:
[0110]如圖1和圖2所示，在制作現(xiàn)有的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板時(shí)，由于柵絕緣層與層間絕緣層的厚度相對(duì)于有源層的厚度較大(一般而言柵絕緣層+層間絕緣層的厚度大于有源層厚度10倍以上)，再加之沉積薄膜與刻蝕過程中的不均勻性，在進(jìn)行柵絕緣層和層間絕緣層的接觸孔刻蝕時(shí)，為了保證在整個(gè)基板上均可使接觸孔到達(dá)有源層，就必須要達(dá)到較高的過刻量，而在保證柵絕緣層和層間絕緣層過刻量的前提下，相對(duì)很薄的有源層就極容易形成過刻，使得接觸孔處的有源層減薄，影響源電極170、漏電極171與有源層13的歐姆接觸，使開態(tài)電流降低影響TFT特性，從而影響顯示裝置的顯示。
[0111]現(xiàn)有技術(shù)中為了解決上述問題，可以選用具有高選擇比的氣體進(jìn)行接觸孔刻蝕，在接觸孔刻蝕過程中刻蝕完柵絕緣層或?qū)娱g絕緣層后立即停止于有源層或是只刻蝕掉部分有源層，但這樣會(huì)增加刻蝕工藝難度，刻蝕均一性及選擇比難控制，刻蝕時(shí)間增長，工藝
窗口小。
[0112]為了解決上述問題，如圖3和圖4所示，本發(fā)明的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，在連接源電極170、漏電極171與有源層13的接觸孔底部設(shè)置與有源層13連接的導(dǎo)電圖形(120、121)，該導(dǎo)電圖形可以充當(dāng)刻蝕阻擋層，使得接觸孔刻蝕中，接觸孔停止于位于有源層13與緩沖層11之間的刻蝕阻擋層，這樣源電極170可以通過導(dǎo)電圖形120與有源層13電性連接，漏電極171可以通過導(dǎo)電圖形121與有源層13電性連接，使得接觸孔刻蝕完成后源電極、漏電極能與有源層形成良好的歐姆接觸，且不影響源電極、漏電極摻雜工藝，提高工藝穩(wěn)定性與可靠性，保證顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0113]實(shí)施例一
[0114]通過本實(shí)施例可以制作頂柵結(jié)構(gòu)的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，本實(shí)施例的陣列基板的制作方法包括以下步驟:
[0115]步驟al:提供一襯底基板10，在襯底基板10上形成緩沖層11 ；
[0116]其中，襯底基板10可為玻璃基板或石英基板。具體地，可以采用等離子體增強(qiáng)化
學(xué)氣相沉積(PECVD)方法，在襯底基板?ο上沉積厚度約為2000-6000A的緩沖層11，其
中，緩沖層材料可以選用氧化物、氮化物或者氮氧化物，緩沖層可以為單層、雙層或多層結(jié)構(gòu)。具體地，緩沖層可以是SiNx，SiOx或Si (ON) X。
[0117]步驟a2:在緩沖層11上、對(duì)應(yīng)接觸孔的位置形成能夠與有源層連接的導(dǎo)電圖形120,121 ；`
[0118]具體地，可以采用濺射或熱蒸發(fā)的方法在襯底基板10上沉積一層導(dǎo)電金屬層，導(dǎo)電金屬層可以是Cu, Al, Ag, Mo, Cr, Nd, Ni, Mn, Ti, Ta, W等金屬以及這些金屬的合金,該導(dǎo)電圖形也可為導(dǎo)電性能較好的金屬氧化物制成，如采用ITO薄膜或IZO薄膜制成，還可以采用Ζη0:Α1薄膜或網(wǎng)狀Ζη0:Α1薄膜等制成。導(dǎo)電金屬層可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Μο\Α1\Μο等。在導(dǎo)電金屬層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于接觸孔所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的導(dǎo)電金屬薄膜，剝離剩余的光刻膠，形成導(dǎo)電圖形120、121。其中，導(dǎo)電圖形120、121的尺寸大于或等于接觸孔的尺寸，且不超出有源層的源區(qū)和漏區(qū)所對(duì)應(yīng)的范圍。最終形成的導(dǎo)電圖形可以使連續(xù)的薄膜，也可以是網(wǎng)狀薄膜。
[0119]步驟a3:在經(jīng)過步驟a2的襯底基板10上形成有源層13的圖形；
[0120]具體地，可以在經(jīng)過步驟a2的襯底基板10上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積一層低溫多晶硅薄膜，形成包括源區(qū)、漏區(qū)的有源層13。
[0121]步驟a4:在經(jīng)過步驟a3的襯底基板10上形成柵絕緣層14 ；
[0122]具體地，可以采用PECVD方法，在經(jīng)過步驟a3的襯底基板10上沉積厚度約為
2000-6000A的柵絕緣層14，其中，柵絕緣層材料可以選用氧化物、氮化物或者氮氧化物，柵絕緣層可以為單層、雙層或多層結(jié)構(gòu)。具體地，柵絕緣層可以是SiNx，SiOx或Si(0N)x，柵絕緣層還可以采用氮化硅和氧化硅構(gòu)成的兩層結(jié)構(gòu)。
[0123]步驟a5:通過一次構(gòu)圖工藝在經(jīng)過步驟a4的襯底基板10上形成柵電極15和柵線的圖形；
[0124]具體地，可以采用濺射或熱蒸發(fā)的方法在柵絕緣層14上沉積一層厚度為2500-16000A 的柵金屬層，柵金屬層可以是 Cu，Al，Ag，Mo, Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W 等金屬以及這些金屬的合金，柵金屬層可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在柵金屬層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于柵線和柵電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的柵金屬薄膜，剝離剩余的光刻膠，形成柵線和柵電極15的圖形。
[0125]步驟a6:在經(jīng)過步驟a5的襯底基板10上形成層間絕緣層16 ；
[0126]具體地，在經(jīng)過步驟a5的襯底基板10上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)、PECVD或其它成
膜方法沉積厚度為400-5000A的層間絕緣層，其中，層間絕緣層材料可以選用氧化物、氮
化物或氮氧化物，具體地，絕緣層材料可以是SiNx, SiOx或Si (ON) X。層間絕緣層可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是采用氮化硅和氧化硅構(gòu)成的兩層結(jié)構(gòu)。
[0127]步驟a7:在對(duì)應(yīng)源電極和漏電極的位置進(jìn)行接觸孔刻蝕，刻蝕停止于所述導(dǎo)電圖形；
[0128]具體地，可以采用干法刻蝕或濕法刻蝕對(duì)有源層、柵絕緣層和層間絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成貫穿有源層、柵絕緣層和層間絕緣層的接觸孔，在接觸孔刻蝕后，導(dǎo)電圖形的厚度不大于所述有源層。
[0129]步驟a8:通過一次構(gòu)圖工藝在經(jīng)過步驟a7的襯底基板10上形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形。
[0130]具體地，在經(jīng)過步驟a7的襯底基板10上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉
積一層厚度約為2000-6000A的源漏金屬層，源漏金屬層可以是Cu,Al,Ag,Mo,Cr,Nd,Ni,
Mn，Ti，Ta，W等金屬以及這些金屬的合金。源漏金屬層可以是單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Μο\Α1\Μο等。在源漏金屬層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的源漏金屬薄膜，剝離剩余的光刻膠，形成數(shù)據(jù)線、源電極170和漏電極171，如圖4所示，源電極170通過接觸孔與導(dǎo)電圖形120連接，漏電極171通過接觸孔與導(dǎo)電圖形121連接。
[0131]通過上述步驟al-a8即可制作出如圖3和圖4所示的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，本實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板中，連接源電極、漏電極與有源層的接觸孔底部設(shè)置有與有源層連接的導(dǎo)電圖形，這樣源電極可以通過導(dǎo)電圖形與有源層電性連接，漏電極可以通過導(dǎo)電圖形與有源層電性連接，使得接觸孔刻蝕完成后源電極、漏電極能與有源層形成良好的歐姆接觸，且不影響源電極、漏電極摻雜工藝，提高工藝穩(wěn)定性與可靠性，保證顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0132]實(shí)施例二
[0133]通過本實(shí)施例可以制作底柵結(jié)構(gòu)的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，本實(shí)施例的陣列基板的制作方法包括以下步驟:
[0134]步驟bl:提供一襯底基板，在襯底基板上形成緩沖層；
[0135]其中，襯底基板可為玻璃基板或石英基板。具體地，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣
相沉積(PECVD)方法，在襯底基板上沉積厚度約為2000-6000A的緩沖層，其中，緩沖層材
料可以選用氧化物、氮化物或者氮氧化物，緩沖層可以為單層、雙層或多層結(jié)構(gòu)。具體地，緩沖層可以是SiNx，SiOx或Si (ON) X。
[0136]步驟b2:通過一次構(gòu)圖工藝在經(jīng)過步驟bl的襯底基板上形成柵電極和柵線的圖形；
[0137]具體地，可以采用濺射或熱蒸發(fā)的方法在緩沖層上沉積一層厚度為2500-000A的柵金屬層，柵金屬層可以是Cu, BI, Bg, Mo, Cr, Nd, Ni, Mn, Ti, Tb, W等金屬以及這些金屬的合金，柵金屬層可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\M0，Ti\Cu\Ti，Mo\Bl\Mo等。在柵金屬層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于柵線和柵電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的柵金屬薄膜，剝離剩余的光刻膠，形成柵線和柵電極的圖形。
[0138]步驟b3:在經(jīng)過步驟b2的襯底基板上形成柵絕緣層；
[0139]具體地，可以采用PECVD方法，在經(jīng)過步驟b2的襯底基板上沉積厚度約為2000-6000A的柵絕緣層，其中，柵絕緣層材料可以選用氧化物、氮化物或者氮氧化物，柵絕緣層可以為單層、雙層或多層結(jié)構(gòu)。具體地，柵絕緣層可以是SiNx，SiOx或Si(0N)x，柵絕緣層還可以采用氮化硅和氧化硅構(gòu)成的兩層結(jié)構(gòu)。
[0140]步驟b4:在柵絕緣層上、對(duì)應(yīng)接觸孔的位置形成能夠與有源層連接的導(dǎo)電圖形；
[0141]具體地，可以采用濺射或熱蒸發(fā)的方法在襯底基板上沉積一層導(dǎo)電金屬層，導(dǎo)電金屬層可以是Cu，BI，Bg, Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Tb，W等金屬以及這些金屬的合金，導(dǎo)電金屬層可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Μο\Β1\Μο等。在導(dǎo)電金屬層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于接觸孔所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的導(dǎo)電金屬薄膜，剝離剩余的光刻膠，形成導(dǎo)電圖形。其中，導(dǎo)電圖形的尺寸大于或等于接觸孔的尺寸，且不超出有源層的源區(qū)和漏區(qū)所對(duì)應(yīng)的范圍。
[0142]步驟b5:在經(jīng)過步驟b4的襯底基板上形成有源層的圖形；
[0143]具體地，可以在經(jīng)過步驟b4的襯底基板上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積一層低溫多晶硅薄膜，形成包括源區(qū)、漏區(qū)的有源層。[0144]步驟b6:在經(jīng)過步驟b5的襯底基板上形成層間絕緣層；
[0145]具體地，在經(jīng)過步驟b5的襯底基板上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)、PECVD或其它成膜方法沉積厚度為400-5000A的層間絕緣層，其中，層間絕緣層材料可以選用氧化物、氮化物或氮氧化物，具體地，絕緣層材料可以是SiNx，Si0x或Si (ON) X。層間絕緣層可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是采用氮化硅和氧化硅構(gòu)成的兩層結(jié)構(gòu)。
[0146]步驟b7:在對(duì)應(yīng)源電極和漏電極的位置進(jìn)行接觸孔刻蝕，刻蝕停止于所述導(dǎo)電圖形；
[0147]具體地，可以采用干法刻蝕或濕法刻蝕對(duì)有源層和層間絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成貫穿有源層和層間絕緣層的接觸孔，在接觸孔刻蝕后，導(dǎo)電圖形的厚度不大于所述有源層。
[0148]步驟b8:通過一次構(gòu)圖工藝在經(jīng)過步驟b7的襯底基板上形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形。
[0149]具體地，在經(jīng)過步驟b7的襯底基板上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積一層厚度約為2000-6000A的源漏金屬層，源漏金屬層可以是Cu，BI，Bg, Mo, Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Tb，W等金屬以及這些金屬的合金。源漏金屬層可以是單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Μο\Β1\Μο等。在源漏金屬層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的源漏金屬薄膜，剝離剩余的光刻膠，形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極，源電極通過接觸孔與導(dǎo)電圖形連接，漏電極通過接觸孔與導(dǎo)電圖形連接。
[0150]通過上述步驟bl-b8即可制作出本實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，本實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板中，連接源電極、漏電極與有源層的接觸孔底部設(shè)置有與有源層連接的導(dǎo)電圖形，這樣源電極可以通過導(dǎo)電圖形與有源層電性連接，漏電極可以通過導(dǎo)電圖形與有源層電性連接，使得接觸孔刻蝕完成后源電極、漏電極能與有源層形成良好的歐姆接觸，且不影響源電極、漏電極摻雜工藝，提高工藝穩(wěn)定性與可靠性，保證顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0151]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，包括有接觸孔，所述陣列基板的源電極、漏電極通過所述接觸孔分別與有源層連接，其特征在于，所述接觸孔的底部設(shè)置有與所述有源層連接的導(dǎo)電圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電圖形為連續(xù)薄膜或網(wǎng)狀薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電圖形的厚度小于或等于所述有源層的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電圖形的尺寸大于或等于所述接觸孔的尺寸，且所述導(dǎo)電圖形位于所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)所對(duì)應(yīng)的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電圖形為采用 Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，ITO, ZnO 和 W 中的至少一種制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述陣列基板具體包括: 襯底基板； 所述襯底基板上的緩沖層； 所述緩沖層上的所述 導(dǎo)電圖形； 所述導(dǎo)電圖形上的所述有源層； 所述有源層上的柵絕緣層； 所述柵絕緣層上的柵電極； 所述柵電極上的層間絕緣層； 所述層間絕緣層上的源電極和漏電極，所述源電極和漏電極分別通過貫穿所述有源層、柵絕緣層和層間絕緣層的接觸孔與所述導(dǎo)電圖形連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述陣列基板具體包括: 襯底基板； 所述襯底基板上的緩沖層； 所述緩沖層上的柵電極； 所述柵電極上的柵絕緣層； 所述柵絕緣層上的所述導(dǎo)電圖形； 所述導(dǎo)電圖形上的所述有源層； 所述有源層上的層間絕緣層； 所述層間絕緣層上的源電極和漏電極，所述源電極和漏電極分別通過貫穿所述有源層和層間絕緣層的接觸孔與所述導(dǎo)電圖形連接。
8.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板。
9.一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括有接觸孔，所述陣列基板的源電極、漏電極通過所述接觸孔分別與有源層連接，其特征在于，在形成所述有源層之前，在對(duì)應(yīng)所述接觸孔的位置形成用以與所述有源層連接的導(dǎo)電圖形。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具體包括: 提供一襯底基板； 在所述襯底基板上形成緩沖層； 通過一次構(gòu)圖工藝在所述緩沖層上、對(duì)應(yīng)所述接觸孔的位置形成能夠與所述有源層連接的導(dǎo)電圖形； 在所述導(dǎo)電圖形上形成所述有源層； 在所述有源層上形成柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上形成柵電極和柵線的圖形； 在形成有所述柵電極和柵線的襯底基板上形成層間絕緣層； 在對(duì)應(yīng)源電極和漏電極的位置進(jìn)行接觸孔刻蝕，刻蝕停止于所述導(dǎo)電圖形； 通過一次構(gòu)圖工藝在所述層間絕緣層上形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形，所述源電極和漏電極分別通過貫穿所述有源層、柵絕緣層和層間絕緣層的接觸孔與所述導(dǎo)電圖形連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具體包括: 提供一襯底基板； 在所述襯底基板上形成緩沖層； 通過一次構(gòu)圖工藝在所述緩沖層上形成柵電極和柵線的圖形； 在形成有所述柵電極和柵線的襯底基板上形成柵絕緣層； 通過一次構(gòu)圖工藝在所述柵絕緣層上、對(duì)應(yīng)所述接觸孔的位置形成能夠與所述有源層連接的導(dǎo)電圖形； 在所述導(dǎo)電圖形上形成所述有源層； 在所述有源層上形成層間絕緣層； 在對(duì)應(yīng)源電極和漏電極的位置進(jìn)行接觸孔刻蝕，刻蝕停止于所述導(dǎo)電圖形； 通過一次構(gòu)圖工藝在所述層間絕緣層上形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形，所述源電極和漏電極分別通過貫穿所述有源層和層間絕緣層的接觸孔與所述導(dǎo)電圖形連接。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103545319SQ201310553574
【公開日】2014年1月29日 申請(qǐng)日期:2013年11月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月8日
【發(fā)明者】左岳平, 劉政 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司