批處理式基板處理裝置制造方法
【專利摘要】公開一種批處理式基板處理裝置。本發(fā)明的一實(shí)施方式的批處理式基板處理裝置（100），具備以上下層疊方式加載多個(gè)基板（10）的晶舟（200），其特征在于，包括：環(huán)狀支架（ring?holder；300），支撐基板（10）的底部，以載置基板（10）；支撐桿（260），從晶舟（200）的垂直支架（220、240）突出配置，支撐環(huán)狀支架（300）的底部，以載置環(huán)狀支架（300）；末端執(zhí)行器（end?effector；400），從環(huán)狀支架（300）的外周面的外側(cè)沿著與環(huán)狀支架（300）同一平面上的空間進(jìn)入晶舟（200），支撐基板（10）的底部并以托底（bottom-lift）方式將基板（10）加載至晶舟（200）或從晶舟（200）卸載。
【專利說明】批處理式基板處理裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及批處理式基板處理裝置。更詳細(xì)地講，涉及能夠使用托底(bottom-lift)式末端執(zhí)行器(end effector)對(duì)載置于環(huán)狀支架上的基板進(jìn)行加載/卸載的批處理式基板處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]基板處理裝置大致分為氣相沉積(Vapor Deposition)裝置和退火(Annealing)裝置。
[0003]氣相沉積裝置為形成構(gòu)成半導(dǎo)體的核心結(jié)構(gòu)的透明傳導(dǎo)層、絕緣層、金屬層或硅層的裝置，分為 LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition:低壓化學(xué)氣相沉積)或 PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition:等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)等的化學(xué)氣相沉積裝置和濺射(Sputtering)等的物理氣相沉積裝置。
[0004]退火裝置是對(duì)半導(dǎo)體制造用的硅片之類的基板上沉積的規(guī)定薄膜進(jìn)行結(jié)晶化、相變化等工序所需要的熱處理過程的裝置。
[0005]圖1是表示現(xiàn)有的批處理式基板處理裝置的立體圖。圖2是現(xiàn)有的批處理式基板處理裝置的俯視圖及剖視圖。這種現(xiàn)有的批處理式基板處理裝置在韓國授權(quán)專利第772462號(hào)公報(bào)中公開。
[0006]參照?qǐng)D1及圖2，現(xiàn)有的批處理式基板處理裝置，在而具有下部敞開的開口部以在內(nèi)部形成收容空間并用于處理半導(dǎo)體制造工藝的反應(yīng)腔(未圖示)內(nèi)，設(shè)有供多個(gè)基板10以上下層疊的方式加載(loading)的晶舟20。
[0007]而且，基板10的向晶舟20的加載以及卸載由機(jī)器臂的末端執(zhí)行器(endeffector) 40從設(shè)置于工作臺(tái)(未圖示)上的存儲(chǔ)盒(未圖示)中移送過來。
[0008]晶舟20包含形成柱狀的三個(gè)垂直支架22、24，形成分別從垂直支架22、24突出的與基板10相同數(shù)量的支撐桿26。
[0009]從三個(gè)垂直支架22、24向同一平面上突出的三個(gè)支撐桿26支撐環(huán)狀支架(ringholder) 30的底部。此時(shí)，支撐桿26支撐環(huán)狀支架30的圓周底部中的等分成各120度的三點(diǎn)。
[0010]在環(huán)狀支架30的上部能夠載置基板10。環(huán)形的環(huán)狀支架30能夠?qū)⒒?0的底部支撐在圓形的邊緣表面上。
[0011]通過環(huán)狀支架30以及干擾環(huán)狀支架30的外側(cè)空間的支撐桿26封閉基板10的底部空間，只露出除了支撐桿26的占有空間的基板10的上部空間，能夠用頂邊夾持(top-edge-grip)式末端執(zhí)行器40進(jìn)行基板10的加載/卸載。當(dāng)頂邊夾持式末端執(zhí)行器40在晶舟20內(nèi)進(jìn)入平面上作業(yè)路線時(shí)，為了避免與支撐桿26的干擾，頂邊夾持式末端執(zhí)行器40的寬度為可插入從兩側(cè)以放射狀 突出的兩個(gè)支撐桿26的間隔之間的大小，且在頂邊夾持式末端執(zhí)行器40的端部具有退避槽28，從而能夠避免與向與頂邊夾持式末端執(zhí)行器40的作業(yè)路線水平的方向突出的剩余一個(gè)支撐桿26的干擾。[0012]然而，現(xiàn)有的批處理式基板處理裝置，基板10的底部空間被封閉妨礙了末端執(zhí)行器40的進(jìn)入，通過只露出基板10的上部空間而使用頂邊夾持式末端執(zhí)行器40進(jìn)行加載/卸載，導(dǎo)致基板10之間的間距P變大。具體地說，頂邊夾持式末端執(zhí)行器40為了從基板10的上部下降而夾持基板10的兩端部必須確保最小限度的作業(yè)空間a，所以這樣的限制使間距P擴(kuò)大，導(dǎo)致可加載于晶舟20的基板10數(shù)量減少。
[0013]此外，頂邊夾持式末端執(zhí)行器40為了夾持基板10而具有復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，經(jīng)過末端執(zhí)行器40進(jìn)入晶舟20內(nèi)的步驟、末端執(zhí)行器40下降而夾持基板10的步驟、以及末端執(zhí)行器40上升而卸載基板10的步驟，所以工藝時(shí)間增加。
[0014]進(jìn)一步，頂邊夾持式末端執(zhí)彳丁器40夾持基板10,所以基板10的上部在加載/卸載中很可能暴露于污染物質(zhì)，通過末端執(zhí)行器40與基板10的上部相對(duì)地接觸，基板10的上部產(chǎn)生劃痕。
[0015]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0016]專利文獻(xiàn)
[0017]專利文獻(xiàn)1:韓國授權(quán)專利第772462號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0018]因此，本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的各問題點(diǎn)，目的在于提供能夠以托底(bottom-lift)方式處理載置于環(huán)狀支架上的基板的批處理式基板處理裝置。
[0019]此外，本發(fā)明目的在于提供通過減少基板間的間距而增加加載于晶舟的基板數(shù)量，能夠增加每個(gè)單位工藝的基板處理量的批處理式基板處理裝置。
[0020]進(jìn)一步，本發(fā)明的目的在于提供使用了結(jié)構(gòu)簡單的末端執(zhí)行器的批處理式基板處理裝置。
[0021]再有，本發(fā)明的目的在于提供減少基板的加載以及卸載時(shí)間，從而大幅減少工藝時(shí)間的批處理式基板處理裝置。
[0022]為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的一實(shí)施方式的批處理式基板處理裝置，具備以上下層疊的方式加載多個(gè)基板的晶舟，其特征在于，包括:環(huán)狀支架(ring holder)，支撐基板的底部，以載置基板；支撐桿，從晶舟的垂直支架突出配置，支撐環(huán)狀支架的底部，以載置環(huán)狀支架；末端執(zhí)行器(end effector)，從環(huán)狀支架的外周面的外側(cè)沿著與環(huán)狀支架同一平面上的空間進(jìn)入晶舟，支撐基板的底部并以托底(bottom-lift)方式將基板加載于晶舟或從晶舟卸載。
[0023]此外，為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的一實(shí)施方式的批處理式基板處理裝置，具備以上下層疊的方式加載多個(gè)基板的晶舟，其特征在于，包括:環(huán)狀支架，支撐基板的底部，以載置基板；支撐桿，從晶舟的垂直支架突出配置，被分成91度至150度間隔，以三點(diǎn)支撐方式載置環(huán)狀支架；末端執(zhí)行器，從環(huán)狀支架的外周面的外側(cè)沿著與環(huán)狀支架同一平面上的空間進(jìn)入晶舟，支撐基板的底部并以托底方式將基板加載于晶舟或從晶舟卸載。
[0024]根據(jù)這樣的構(gòu)成的本發(fā)明，具有能夠以托底方式處理載置于環(huán)狀支架上的基板的效果。
[0025]此外，本發(fā)明具有通過減少基板間的間距從而增加加載于晶舟的基板數(shù)量，能夠增加每個(gè)單位工藝的基板處理量。[0026]進(jìn)一步，本發(fā)明具有能夠采用結(jié)構(gòu)簡單的末端執(zhí)行器的效果。
[0027]此外，本發(fā)明具有能夠使基板的加載以及卸載時(shí)間減少、大幅減少工藝時(shí)間的效
果O
[0028]再有，本發(fā)明具有通過以大小最佳化的環(huán)狀支架支撐大面積基板來防止基板的彎曲的效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1是表示現(xiàn)有的批處理式基板處理裝置的立體圖。
[0030]圖2是現(xiàn)有的批處理式基板處理裝置的俯視圖及剖視圖。
[0031]圖3是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的批處理式基板處理裝置的立體圖。
[0032]圖4是本發(fā)明的一實(shí)施方式的批處理式基板處理裝置的俯視圖及剖視圖。
[0033]圖5是表示本發(fā)明的其它實(shí)施方式的批處理式基板處理裝置的立體圖。
[0034]圖6是本發(fā)明的其它實(shí)施方式的批處理式基板處理裝置的俯視圖及剖視圖。
[0035]附圖標(biāo)記:
[0036]5:前面開放部
[0037]10:基板
[0038]20、200:晶舟
[0039]22,24,220,240:垂直支架
[0040]26、260:支撐桿
[0041]28:退避槽
[0042]30,300:環(huán)狀支架
[0043]40:頂邊夾持式末端執(zhí)行器
[0044]400:托底式末端執(zhí)行器
【具體實(shí)施方式】
[0045]后述關(guān)于本發(fā)明的詳細(xì)的說明，參照將本發(fā)明能夠?qū)嵤┑奶囟ǖ膶?shí)施方式作為例子表示的添加附圖。通過這些實(shí)施方式充分詳細(xì)地說明以使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。本發(fā)明的多種實(shí)施方式相互不同，但不應(yīng)理解為相互排斥。例如，記載于此的特定的形狀、結(jié)構(gòu)以及特性與一實(shí)施方式相關(guān)聯(lián)，在不偏離本發(fā)明的精神以及保護(hù)范圍的范圍內(nèi)，可以以其他實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)。此外，應(yīng)理解為，每個(gè)公開的實(shí)施方式的個(gè)別構(gòu)成要素的位置或配置可在不偏離本發(fā)明的精神以及保護(hù)范圍的范圍內(nèi)進(jìn)行變更。因此，后述的詳細(xì)的說明并非旨在限定，確切地講，本發(fā)明的范圍只限定于所有權(quán)利要求中及其等同范圍。附圖中類似的附圖標(biāo)記具有相同或類似的功能，并且為了便于說明，有可能對(duì)長度、面積以及厚度等及其形態(tài)進(jìn)行夸大表示。
[0046]在本說明書中，基板可理解為包括半導(dǎo)體基板、用于LED、IXD等的顯示裝置的基板、以及太陽電池基板等。
[0047]批處理式基板處理裝置的結(jié)構(gòu)
[0048]圖3是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的批處理式基板處理裝置的立體圖，圖4是本發(fā)明的一實(shí)施方式的批處理式基板處理裝置的俯視圖及剖視圖。[0049]參照?qǐng)D3，本發(fā)明的一實(shí)施方式的批處理式基板處理裝置100包括環(huán)狀支架(ringholder) 300和托底(bottom-lift)式末端執(zhí)行器400。
[0050]晶舟200是能夠以上下層疊方式加載多個(gè)基板10的批處理式基板處理裝置用晶舟。晶舟200的材料可包含石英(quartz)、碳化娃(SiC)、石墨(graphite)、碳復(fù)合材料(carbon composite)以及娃(Si)中的至少一種。
[0051]晶舟200可含有形成柱狀的多個(gè)垂直支架220、240，優(yōu)選含有三個(gè)垂直支架220、240。以下將晶舟200的垂直支架200、240設(shè)想成三個(gè)進(jìn)行說明。
[0052]垂直支架220、240在晶舟200的剖面圓周上以占據(jù)半圓的方式設(shè)置，未被垂直支架220、240占據(jù)的圓周上的部分形成允許末端執(zhí)行器400插入的前面開放部5，以允許基板10的加載/卸載。
[0053]另一方面，在圖3以及圖4中，表示了將位于與末端執(zhí)行器400的作業(yè)路線水平的方向的垂直支架240作為基準(zhǔn)時(shí)，其與剩余兩個(gè)垂直支架220的角度A為91度，但并不限定于此，也可以配置成在允許末端執(zhí)行器400插入晶舟200內(nèi)的范圍內(nèi)，垂直支架240與垂直支架220的角度構(gòu)成91度至120度。詳細(xì)內(nèi)容在圖5及圖6中后述。
[0054]在每個(gè)垂直支架220、240上以規(guī)定高度間隔配置有向晶舟200的內(nèi)側(cè)突出于同一平面的支撐桿(support rod) 260。
[0055]支撐桿260支撐環(huán)狀支架300的底部且可載置環(huán)狀支架300。支撐桿260以91度至150度的間隔被分隔，以三點(diǎn)支撐方式支撐環(huán)狀支架300，從而使環(huán)狀支架300能夠載置于支撐桿260上。
[0056]在支撐桿260的端部能夠形成可更牢固地載置環(huán)狀支架300的臺(tái)階262。
[0057]當(dāng)對(duì)基板10以超高溫(約1200°C至1350°C)進(jìn)行熱處理時(shí)，在基板10以及環(huán)狀支架300中可能發(fā)生規(guī)定的下垂現(xiàn)象。因此，優(yōu)選支撐桿260以等分成各120度的方式三點(diǎn)支撐環(huán)狀支架300，從而能夠均勻支撐環(huán)狀支架300以及環(huán)狀支架300的上部的基板10的重量。
[0058]然而，當(dāng)對(duì)基板10以中溫至高溫(約500°C至800°C)進(jìn)行熱處理時(shí)，在基板10以及環(huán)狀支架300中能夠稍微減少下垂現(xiàn)象，所以減少了以等分隔成120度的方式三點(diǎn)支撐環(huán)狀支架300的必要性。因此，當(dāng)以中溫至高溫進(jìn)行熱處理時(shí)，能夠?qū)⒅螚U260與環(huán)狀支架300接觸的三點(diǎn)之間的間隔分隔成91度至150度。具體地說，從位于與末端執(zhí)行器400的作業(yè)路線水平的方向上的垂直支架240向中心點(diǎn)C的方向突出的支撐桿260’與環(huán)狀支架300接觸的點(diǎn)和從相鄰的兩個(gè)垂直支架220突出的支撐桿260”與環(huán)狀支架300接觸的點(diǎn)之間的角度B可為91度至150度。
[0059]環(huán)狀支架3 O O被用于防止在高溫?zé)崽幚磉^程中作為基板硅晶格的結(jié)晶缺陷的滑移的發(fā)生，并被用于支撐被大口徑化(300mm、450mm)的基板10的底部以結(jié)構(gòu)上防止垂下。為了對(duì)應(yīng)于高溫環(huán)境和反應(yīng)工藝中的化學(xué)環(huán)境，環(huán)狀支架300由陶瓷類、例如由碳化娃(SiC)形成，另外，可包含石英(quartz)、石墨(graphite)、碳復(fù)合材料(carboncomposite)以及娃(Si)中的至少一種。
[0060]環(huán)狀支架300為了穩(wěn)定地支撐基板10，優(yōu)選以中心軸(或中心點(diǎn)C) 一致的方式配置。在此，中心軸(或中心點(diǎn)C)可以理解為環(huán)狀支架300的重心的法線(或重心點(diǎn)(原點(diǎn)))或基板10的重心的法線(或重心點(diǎn)(原點(diǎn)))。另一方面，環(huán)狀支架300為了有效均勻地支撐基板10的整個(gè)面積，其直徑可以為基板10的直徑的0.6至0.8倍。特別是，為了使環(huán)狀支架300的內(nèi)側(cè)以及外側(cè)分別支撐基板10的1/2的面積，環(huán)狀支架300的直徑優(yōu)選為基板10直徑的0.7倍，但并不限定于此，可考慮工藝溫度、基板的大小以及強(qiáng)度等適當(dāng)?shù)刈兏h(huán)狀支架300的直徑。
[0061]此外，當(dāng)基板10的直徑為300mm時(shí)，環(huán)狀支架300的環(huán)寬可以為2mm至25mm,更優(yōu)先環(huán)寬為2mm至5mm。當(dāng)環(huán)狀支架300采用直徑(外徑)為基板10直徑的0.7倍的210mm時(shí)，通過將環(huán)狀支架300的環(huán)寬設(shè)定為2mm至25mm，基板10與環(huán)狀支架300接觸的面積比例大約為1.85%至20.56%，將環(huán)狀支架300的環(huán)寬設(shè)定為2mm至5mm時(shí)，基板10與環(huán)狀支架300接觸的面積比例大約為1.85%至4.56%。作為其它實(shí)施方式，當(dāng)環(huán)狀支架300的直徑(外徑)采用為199mm時(shí),通過將環(huán)狀支架300的環(huán)寬設(shè)定為2mm至25mm,基板10與環(huán)狀支架300接觸的面積比例大約為1.85%至15.56%，通過將環(huán)狀支架300的環(huán)寬設(shè)定為2mm至5mm，基板10與環(huán)狀支架300接觸的面積比例大約為1.75%至4.31%。因此，當(dāng)將環(huán)狀支架300的環(huán)寬設(shè)定為2mm至5mm時(shí)，基板10面積中只有約低于5%的面積與環(huán)狀支架300接觸，所以具有能夠防止基板10的下垂的同時(shí)進(jìn)一步減少基板10下部的劃痕的優(yōu)點(diǎn)。
[0062]另一方面，當(dāng)基板10的直徑為450mm時(shí)，能夠調(diào)整環(huán)狀支架300的環(huán)寬，從而在防止基板10的垂下的同時(shí)減少在基板10下部的劃痕的范圍內(nèi)，調(diào)整基板10與環(huán)狀支架300接觸的面積比例。
[0063]末端執(zhí)行器400能夠以托底方式將基板10加載于晶舟200或從晶舟200卸載。
[0064]進(jìn)一步參照?qǐng)D3及圖4，本發(fā)明的一實(shí)施方式的托底式末端執(zhí)行器400能夠從環(huán)狀支架300的外周面的外側(cè)沿著與環(huán)狀支架300同一平面上的空間進(jìn)入晶舟200，支撐基板10的底部以進(jìn)行基板10的加載/卸載。當(dāng)托底式末端執(zhí)行器400進(jìn)入晶舟200的內(nèi)部時(shí)，為了避免與環(huán)狀支架300的干擾，末端執(zhí)行器400可以具有U型叉的形狀。此外，如圖4(b)的俯視圖所示，末端執(zhí)行器400通過具有U型叉的形狀，與從垂直支架240突出的支撐桿260’之間的干擾問題也能夠解決。此外，如圖4 (b)的剖視圖所示，末端執(zhí)行器400位于比支撐桿260”高的位置，以不與支撐桿260”重疊且與環(huán)狀支架300重疊的狀態(tài)的高度進(jìn)入晶舟200的內(nèi)部，所以也能夠解決其與兩個(gè)垂直支架220突出的支撐桿260”的干擾問題。也就是說，末端執(zhí)行器400位于比從兩個(gè)垂直支架220突出的支撐桿260”高的位置，所以能夠解決干擾問題。
[0065]此外，為了能夠避免與環(huán)狀支架300的干擾，同時(shí)穩(wěn)定有效地支撐基板10，優(yōu)選末端執(zhí)行器400的兩內(nèi)側(cè)面間的距離dl大于環(huán)狀支架300的直徑，末端執(zhí)行器400的兩外側(cè)面間的距離d2小于基板10的直徑。
[0066]作為一實(shí)施方式，當(dāng)基板10的直徑為300mm時(shí),使末端執(zhí)行器400的兩內(nèi)側(cè)面間的距離dl為200mm至220mm、兩外側(cè)面間的距離d2則采用244mm至260mm的范圍，以此能夠避免與環(huán)狀支架300以及兩個(gè)垂直支架220之間的干擾，從而能夠容易地加載/卸載基板10。
[0067]作為其它的實(shí)施方式，當(dāng)基板10的直徑為450mm時(shí)，使末端執(zhí)行器400的兩內(nèi)側(cè)面間的距離dl為300mm至330mm、兩外側(cè)面間的距離d2為366mm至390mm的范圍，能夠避免與環(huán)狀支架300以及兩個(gè)垂直支架220的干擾，從而能夠容易地加載/卸載基板10。
[0068]圖5是表示本發(fā)明的其它實(shí)施方式的批處理式基板處理裝置的立體圖，圖6是本發(fā)明的其它實(shí)施方式的批處理式基板處理裝置的俯視圖及剖視圖。在以下的圖5及圖6的說明中，只描述與上述圖3及圖4的說明的不同點(diǎn)，省略重復(fù)說明。
[0069]參照?qǐng)D5及圖6，能夠確認(rèn)從垂直支架220突出的支撐桿260”的方向朝向中心點(diǎn)C。圖3及圖4的批處理式基板處理裝置100中，固定了垂直支架240與兩個(gè)垂直支架220之間的角度A (作為一例、91度)后，調(diào)整從垂直支架220突出的支撐桿260”的突出角度，在從垂直支架240向中心點(diǎn)C的方向突出的支撐桿260’與環(huán)狀支架300接觸的點(diǎn)和從相鄰的兩個(gè)垂直支架220突出的支撐桿260”與環(huán)狀支架300接觸的點(diǎn)之間的角度B為91度至150度范圍內(nèi)，從而使環(huán)狀支架300形成三點(diǎn)支撐的方式。即，從垂直支架220突出的支撐桿260”的方向也可以不朝向中心點(diǎn)C。
[0070]相反，圖5及圖6的批處理式基板處理裝置100’，從垂直支架220突出的支撐桿260”的方向朝向中心點(diǎn)C，所以只通過調(diào)整垂直支架240與兩個(gè)垂直支架220的角度A，就能夠調(diào)整支撐桿260與環(huán)狀支架300接觸的點(diǎn)的角度B。但是，此時(shí)，當(dāng)角度(A或B)超過120度時(shí)，在末端執(zhí)行器400進(jìn)入晶舟200時(shí)可能發(fā)生垂直支架220或支撐桿260”與末端執(zhí)行器400之間的干擾，所以可將角度(A或B)維持在91度至120度，優(yōu)選維持在105度。
[0071]批處理式基板處理裝置的動(dòng)作過程
[0072]以下，參照?qǐng)D4及圖6，說明采用了托底式末端執(zhí)行器400的批處理式基板處理裝置100的動(dòng)作過程。圖4及圖6表示了基板10的卸載過程，但其加載過程可以理解為將卸載過程反過來進(jìn)行。
[0073]參照?qǐng)D4 Ca)及圖6 (a)，在從垂直支架220、240突出配置的三個(gè)支撐桿260的端部上載置有環(huán)狀支架300，在環(huán)狀支架300的上部以環(huán)狀支架300與中心軸(或中心點(diǎn)C)
一致的方式載置有基板10。
[0074]其次，參照?qǐng)D4 (b)及圖6 (b)，托底式末端執(zhí)行器400經(jīng)過晶舟200的前面開放部5進(jìn)入。此時(shí)，末端執(zhí)行器400具有U型叉以能夠圍住環(huán)狀支架300的外周面，從環(huán)狀支架300的外周面的外側(cè)占據(jù)同一平面上的空間，并位于比從兩個(gè)垂直支架220突出的支撐桿260”高的位置，所以在進(jìn)入時(shí)能夠避免與環(huán)狀支架300或支撐桿260的干擾，并位于基板10的底部。而且，末端執(zhí)行器400能夠抬起基板10使基板10與環(huán)狀支架300離開規(guī)定的高度R。
[0075]其次，參照?qǐng)D4 (C)及圖6 (C)，末端執(zhí)行器400能夠在只支撐基板10的狀態(tài)下從晶舟200進(jìn)行卸載。
[0076]通過采用本發(fā)明的托底式末端執(zhí)行器400，僅使用基板10與環(huán)狀支架300離開的高度R就能夠進(jìn)行基板10的加載/卸載。也就是說，與形成間距P間隔時(shí)需要考慮從基板上部下降而夾持基板兩端部所需的最小作業(yè)空間a、末端執(zhí)行器的厚度、基板的厚度以及環(huán)狀支架的高度的頂邊夾持方式的批處理式基板處理裝置相比，本發(fā)明的托底方式的批處理式基板處理裝置，在形成間距P間隔時(shí)只需考慮基板與環(huán)狀支架的可離開高度R、基板的厚度以及環(huán)狀支架的高度，所以能夠確保大幅減少的間距P。因此，通過增加加載于晶舟的基板數(shù)量，從而能夠增加每單位工藝的基板處理量。
[0077]此外，具有能夠?qū)⒕哂袏A持基板所需的復(fù)雜結(jié)構(gòu)的頂邊夾持式末端執(zhí)行器替換成托底式末端執(zhí)行器，所以其結(jié)構(gòu)簡單，通過使用托底式末端執(zhí)行器能夠減少基板的加載以及卸載時(shí)間，能夠大幅減少工藝時(shí)間。[0078] 本發(fā)明列舉所述優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行了圖示以及說明，但并不限定于所述實(shí)施方式，在不偏離本發(fā)明的精神的范圍內(nèi)可通過具有本發(fā)明所屬的【技術(shù)領(lǐng)域】的一般知識(shí)的技術(shù)人員進(jìn)行多種變形以及變更。那樣的變形例以及變更例屬于本發(fā)明和添加的專利請(qǐng)求的保護(hù)范圍的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種批處理式基板處理裝置，具備以上下層疊方式加載多個(gè)基板的晶舟，其特征在于，包括: 環(huán)狀支架，用于支撐基板的底部，以載置基板； 支撐桿，從晶舟的垂直支架突出配置，用于支撐環(huán)狀支架的底部，以載置環(huán)狀支架；末端執(zhí)行器，從環(huán)狀支架的外周面的外側(cè)沿著與環(huán)狀支架同一平面上的空間進(jìn)入晶舟，支撐基板的底部并以托底方式將基板加載至晶舟或從晶舟卸載。
2.一種批處理式基板處理裝置，具備以上下層疊方式加載多個(gè)基板的晶舟，其特征在于，包括: 環(huán)狀支架，支撐基板的底部，以載置基板； 支撐桿，從晶舟的垂直支架突出配置，并被分隔成91度至150度的間隔，以三點(diǎn)支撐的方式載置環(huán)狀支架； 末端執(zhí)行器，從環(huán)狀支架的外周面的外側(cè)沿著與環(huán)狀支架同一平面上的空間進(jìn)入晶舟，支撐基板的底部并以托底方式將基板加載至晶舟或從晶舟卸載。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的批處理式基板處理裝置，其特征在于， 在支撐桿的端部形成有臺(tái)階，以能夠固定并載置環(huán)狀支架。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的批處理式基板處理裝置，其特征在于， 環(huán)狀支架的直徑為基板的直徑的0.6倍至0.8倍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的批處理式基板處理裝置，其特征在于， 基板的直徑為300mm,環(huán)狀支架的環(huán)寬為2mm至25mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的批處理式基板處理裝置，其特征在于， 環(huán)狀支架的環(huán)寬為2mm至5mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的批處理式基板處理裝置，其特征在于， 末端執(zhí)行器具有U型叉的形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的批處理式基板處理裝置，其特征在于， 末端執(zhí)行器的兩內(nèi)側(cè)面間的距離大于環(huán)狀支架的直徑，末端執(zhí)行器的兩外側(cè)面間的距離小于基板的直徑。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的批處理式基板處理裝置，其特征在于， 調(diào)整從垂直支架突出的支撐桿的突出角度，將環(huán)狀支架的三點(diǎn)支撐角度分隔成91度至150度的間隔。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的批處理式基板處理裝置，其特征在于， 將從垂直支架突出的支撐桿配置成朝向環(huán)狀支架或基板的中心點(diǎn)的狀態(tài)下，調(diào)整垂直支架與相鄰的垂直支架間的配置角度，以將環(huán)狀支架的三點(diǎn)支撐角度分隔成91度至120度的間隔。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的批處理式基板處理裝置，其特征在于， 晶舟包括石英、碳化硅、石墨、碳復(fù)合材料以及硅中的至少一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的批處理式基板處理裝置，其特征在于， 環(huán)狀支架包括石英、碳化硅、石墨、碳復(fù)合材料以及硅中的至少一種。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK103811380SQ201310541006
【公開日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2013年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月6日
【發(fā)明者】李炳一, 李永浩, 金熙錫 申請(qǐng)人:泰拉半導(dǎo)體株式會(huì)社