一種有機發(fā)光顯示裝置及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明所述的一種有機發(fā)光顯示裝置，下焊盤電極、電容下極板均為由雜質(zhì)離子重摻雜的多晶硅層，且形成在同一層中；所述上焊盤電極由與所述柵極相同的材料形成在同一層中，上、下焊盤電極通過導(dǎo)通孔電性接觸，降低焊盤電極電阻，改善焊盤部分的電阻均勻性，使得亮度得以提高；而且，有機發(fā)光器件中的第一電極與上焊盤電極和下焊盤電極非同層形成，有機發(fā)光器件可設(shè)置在所述薄膜晶體管上方，可有效提高有機發(fā)光顯示裝置的開口率。本發(fā)明所述的一種有機發(fā)光顯示裝置的制備方法，下焊盤電極、有源層與電容下極板均為多晶硅層，且形成在同一層中，制備工藝簡單，不增加額外工藝步驟，提高了生產(chǎn)效率。
【專利說明】一種有機發(fā)光顯示裝置及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，具體涉及一種有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光顯示二極管(英文全稱Organic Light-Emitting D1de,簡稱0LED)是主動發(fā)光器件，具有高對比度、廣視角、低功耗、體積更薄等優(yōu)點，有望成為下一代主流平板顯示技術(shù)，是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一。
[0003]有源矩陣有機發(fā)光裝置(英文全稱Active Matrix Organic Lighting EmittingDisplay,簡稱AMOLED),利用薄膜晶體管(英文全稱Thin Film Transistor,簡稱TFT),搭配電容存儲信號，來控制OLED的亮度和灰階表現(xiàn)。在基底的顯示區(qū)域(英文全稱為DisplayArea,簡稱DA)中，每個單獨的AMOLED具有完整的陰極、有機功能層和陽極，陽極覆蓋一個薄膜晶體管陣列，形成一個矩陣。多個OLED以矩陣圖案連接在掃描線和數(shù)據(jù)線之間，以形成像素。在非顯示區(qū)域(英文全稱為non-Display Area，簡稱NDA)中，形成從顯示區(qū)域的掃描線和數(shù)據(jù)線延伸的掃描線和數(shù)據(jù)線、用于操作OLED的電源線、以及用于處理經(jīng)輸入焊盤從外部源接收的信號并且將處理后的信號提供給掃描線和數(shù)據(jù)線的掃描驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器。與OLED和TFT的電連接的布線延伸至非顯示區(qū)域中的焊盤區(qū)，與焊盤電極電連接。
[0004]中國專利CN102456849A公開了一種有機發(fā)光顯示裝置，包括:薄膜晶體管，設(shè)置在基底上，并包括有源層、柵電極、源電極和漏電極；有機發(fā)光器件，設(shè)置在基底上，包括電連接到薄膜晶體管的像素電極、設(shè)置在像素電極上的發(fā)射層和設(shè)置在發(fā)射層上的對電極；以及焊盤電極，設(shè)置在基底上并包括形成在焊盤電極中的開口，像素電極、柵電極和焊盤電極包括同種材料并形成在顯示裝置的同一層上。所述焊盤電極包括下焊盤電極和設(shè)置在下焊盤電極上的上焊盤電極；下焊盤電極和下柵電極同層制備，選自氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅和氧化銦中的一種；上焊盤電極和上柵電極同層制備。雖然所述焊盤電極可以與像素電極、柵電極在顯示裝置的同一層上同時制備，簡化了工藝步驟，但是諸如氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅和氧化銦之類的透明電極，電阻值過高且電阻均勻性較差，嚴重影響了焊盤電極的電連接穩(wěn)定性；而且這些透明電極的膜層柔韌性較差、結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定，形成焊盤電極可靠性較差，同時，在圖案化過程中對刻蝕工藝要求高。另外，更重要的是，所述顯示裝置中利用雙層柵極中的透明電極作為有機發(fā)光顯示中的像素電極，嚴重影響了顯示裝置的開口率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為此，本發(fā)明所要解決的是現(xiàn)有技術(shù)中有機發(fā)光顯示裝置中焊盤電極的電極電阻阻值大、均勻性較差以及顯示裝置開口率低的問題，提供一種焊盤電極電阻阻值低、電阻均勻性好、開口率高的有機發(fā)光顯示裝置及其制備方法。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
[0007]本發(fā)明所述一種有機發(fā)光顯示裝置，包括:
[0008]基板；
[0009]薄膜晶體管，形成在所述基板上方，并且包括柵極、有源層以及形成在所述有源層相對邊緣處的源極和漏極；
[0010]電容，形成在所述基板上方，包括電容下極板和形成在所述電容下極板上方的電容上極板；
[0011]焊盤，形成在所述基板上方，包括下焊盤電極和形成在所述下焊盤電極上方的上焊盤電極，所述下焊盤電極與所述上焊盤電極電性接觸；
[0012]有機發(fā)光器件，形成在所述基板上方；
[0013]所述下焊盤電極與所述有源層均為多晶硅層，且形成在同一層中，其中，所述下焊盤電極為由雜質(zhì)離子重摻雜的多晶硅層；所述上焊盤電極與所述柵極由相同的材料形成在同一層中。
[0014]所述電容下極板與所述下焊盤電極由相同材料形成在同一層中，所述電容下極板為由雜質(zhì)離子重摻雜的多晶硅層；所述電容上極板與所述柵極由相同的材料形成在同一層中。
[0015]所述下焊盤電極與所述電容下極板中摻雜的雜質(zhì)離子相同。
[0016]所述雜質(zhì)離子為P型摻雜離子或者N型摻雜離子。
[0017]所述上焊盤電極包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、Mo、T1、W 和 Cu
中的一種或多種或合金材料形成的單層或多層材料。
[0018]所述有機發(fā)光器件，包括第一電極、發(fā)光層和第二電極，所述第一電極與所述源極、所述漏極之一電性接觸。
[0019]本發(fā)明所述一種有機發(fā)光顯示裝置的制備方法，包括如下步驟:
[0020]S1、在基板上形成多晶硅層，并圖案化形成薄膜晶體管中的多晶硅層、電容中的多晶硅層以及焊盤中的多晶硅層；
[0021]S2、對所述電容中的多晶硅層和所述焊盤中的多晶硅層進行雜質(zhì)離子重摻雜，形成電容下極板和下焊盤電極；
[0022]S3、在所述基板表面直接形成連續(xù)覆蓋所述薄膜晶體管中的多晶硅層、所述電容下極板和所述下焊盤電極的柵極絕緣層；
[0023]S4、在所述柵極絕緣層上直接形成金屬層，并圖案化形成設(shè)置在所述薄膜晶體管中的多晶硅層上的柵極、設(shè)置在所述電容下極板上的電容上極板和設(shè)置在所述下焊盤電極上的上焊盤電極，以所述柵極為掩膜，對所述薄膜晶體管中的多晶硅層進行雜質(zhì)離子摻雜，形成正對著所述柵極下方的有源層，以及形成在所述有源層相對邊緣處的源極和漏極；
[0024]S5、在所述柵極絕緣層上直接形成連續(xù)覆蓋所述柵極、所述電容上極板和所述上焊盤電極的層間絕緣層，并圖案化，形成暴露出所述源極和所述漏極的部分區(qū)域的開口 ；
[0025]S6、在所述層間絕緣層上形成由下至上依次包括第一電極、發(fā)光層和第二電極、發(fā)光層和第二電極的有機發(fā)光器件，所述第一電極、發(fā)光層和第二電極所述源極、所述漏極之一電性接觸。
[0026]步驟S2中對所述電容中的多晶硅層和所述焊盤中的多晶硅層進行摻雜是同時完成的且雜質(zhì)離子相同。
[0027]所述雜質(zhì)離子包括P型摻雜離子或者N型摻雜離子。
[0028]步驟S2中步驟S2中對所述電容中的多晶硅層和所述焊盤中的多晶硅層進行摻雜的雜質(zhì)尚子劑量相同。
[0029]步驟S4 中所述金屬層包括 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、Mo、T1、W和Cu中的一種或多種或合金材料形成的單層或多層材料。
[0030]步驟S5與步驟S6之間還包括在所述層間絕緣層上直接形成填充所述開口的源極電極和漏極電極；在層間絕緣層上直接形成連續(xù)覆蓋所述源極電極和所述漏極電極的平坦化層，并在所述平坦化層上形成暴露所述源極電極或所述漏極電極的開口。
[0031]步驟SI在形成所述多晶硅層之前，還包括在所述基板上直接形成緩沖層，所述多晶硅層直接形成在所述緩沖層上。
[0032]本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點:
[0033]1、本發(fā)明所述的一種有機發(fā)光顯示裝置，下焊盤電極與有源層均為多晶硅層，且形成在同一層中；下焊盤電極為由雜質(zhì)離子重摻雜的多晶硅層，可以在不增加工藝步驟的情況下利用多晶硅層摻雜形成存儲電容下極板的同時形成下層焊盤電極，；所述上焊盤電極由與所述柵極相同的材料形成在同一層中，上、下焊盤電極通過導(dǎo)通孔電性接觸，電性接觸后的上、下焊盤電極構(gòu)成一個整體，相當于平行并聯(lián)線路結(jié)構(gòu)，其電阻值大幅度降低，同時電阻均勻性提高，使得有機發(fā)光顯示裝置的顯示亮度得以提高；而且，有機發(fā)光器件中的第一電極與上焊盤電極和下焊盤電極非同層形成，有機發(fā)光器件可設(shè)置在所述薄膜晶體管上方，可有效提高有機發(fā)光顯示裝置的開口率。
[0034]2、本發(fā)明所述的一種有機發(fā)光顯示裝置的制備方法，下焊盤電極、有源層與電容下極板均為多晶硅層，且形成在同一層中，制備工藝簡單，不增加額外工藝步驟，提高了生產(chǎn)效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0035]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進一步詳細的說明，其中
[0036]圖1本發(fā)明所述有機發(fā)光顯示裝置的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖2-9是制備本發(fā)明所述有機發(fā)光顯示裝置的工藝的截面圖，其中圖9是圖1中沿線I1-1I截取的截面圖；
[0038]圖中附圖標記表示為:10_基板、11-緩沖層、13-柵極絕緣層、16-層間絕緣層、18-平坦化層、19-第一電極、2-薄膜晶體管、20-柵極、212-有源層、212a_源極、212b_漏極、217-源極電極、218-漏極電極、3-電容、30-電容上極板、312-電容下極板、5-焊盤、50-上焊盤電極、512-下焊盤電極、80-像素限定層、90-發(fā)光層、100-第二電極。

【具體實施方式】
[0039]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。
[0040]本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實施例。相反，提供這些實施例，使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明將僅由權(quán)利要求來限定。在附圖中，為了清晰起見，會夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。在整個說明書中，相同的標記表示相同的元件。當諸如層、膜、區(qū)、基板的元件被稱為“在”另一元件“上”或者“上方”或者“連接”另一元件時，該元件可直接在該另一元件上或者直接連接該另一元件，或者也可存在中間元件；相反，當元件被稱為“直接在”另一元件“上”或“上方”或“直接連接”另一元件時，不存在中間元件。
[0041]本實施例提供一種有機發(fā)光顯示裝置，如圖1和圖9所示，包括:基板10、薄膜晶體管2、電容3、焊盤5、有機發(fā)光器件。
[0042]其中，薄膜晶體管2形成在所述基板10上，由下至上包括有源層212以及形成在所述有源層212相對邊緣處的源極212a和漏極212b、形成在所述基板10上并覆蓋所述有源層212、所述源極212a和所述漏極212b的柵極絕緣層13，之間形成在所述柵極絕緣層13上，并正對所述有源層212的柵極。
[0043]所述柵極絕緣層13選自但不限于S1x、SiNx、S1Nx中的一種或多種材料形成的單層或多層材料結(jié)構(gòu)，本實施例優(yōu)選SiN層。
[0044]電容3，形成在所述基板10上，由下至上依次包括電容下極板312和形成在所述電容下極板312上的電容上極板30，所述柵極絕緣層13延伸覆蓋在所述電容下極板312上，在所述電容下極板312與所述電容上極板30之間形成電容介質(zhì)層。
[0045]作為本發(fā)明的其他實施例，可以根據(jù)有機發(fā)光顯示裝置對電容值的需要選擇不同介電常數(shù)的材料作為柵極絕緣層13，或者根據(jù)需要對電容介質(zhì)層的厚度做相應(yīng)調(diào)整。
[0046]焊盤5，形成在所述基板10上，由下至上依次包括下焊盤電極512和形成在所述下焊盤電極512上的上焊盤電極50，所述柵極絕緣層13延伸覆蓋在所述下焊盤電極512上，在夾在焊盤5中的柵極絕緣層13上形成接觸孔，使得所述下焊盤電極512與所述上焊盤電極50電性接觸，電性接觸后的上焊盤電極50和下焊盤電極512構(gòu)成一個整體，相當于平行并聯(lián)線路結(jié)構(gòu)，其電阻值大幅度降低，同時電阻均勻性提高。
[0047]在所述柵極絕緣層13上還直接形成有連續(xù)覆蓋所述柵極20、所述電容上極板30和所述上焊盤電極50的層間絕緣層16，且在所述層間絕緣層16中形成有暴露所述源極212a和所述漏極212b的部分區(qū)域的開口。
[0048]并在所述層間絕緣層16上設(shè)置分別填充所述開口的源極電極層217和漏極電極層218，所述源極電極層217和所述漏極電極層218相同或不同，獨立選自Al、T1、Mo、Ag、Cr或其合金中的一種或多種的組合。本實施例中優(yōu)選依次濺射的T1-Al-Ti三層結(jié)構(gòu)的高導(dǎo)電金屬層為電極層。
[0049]在所述層間絕緣層16上還設(shè)置有覆蓋所述源極電極層217和所述漏極電極層218的平坦化層18，所述平坦化層18上設(shè)置有暴露所述源極電極層217或所述漏極電極層218之一部分的開口。
[0050]所述層間絕緣層16選自但不限于S1x、SiNx、S1Nx中的一種或多種材料形成的單層或多層材料結(jié)構(gòu)，本實施例優(yōu)選SiN層。。
[0051]有機發(fā)光器件形成在所述層間絕緣層16上，由下至上依次包括第一電極19、發(fā)光層90和第二電極100，所述第一電極19通過所述層間絕緣層16上的開口，由所述源極電極層217或所述漏極電極層218的導(dǎo)通作用，與所述源極212a、所述漏極212b之一電性接觸。
[0052]所述第一電極19選自但不限于氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅和氧化銦等透明電極，本實施例優(yōu)選氧化銦錫。
[0053]所述第二電極100選自但不限于Ag、Al、L1、Mg、Ca、In中的一種或多種或合金材料形成的單層或多層材料，本實施例優(yōu)選MgAg合金層。
[0054]本實施例中的有機發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:Tmpc2 (1nm) /DCJTB (30nm) /AIq3 (15nm)，制備方法同現(xiàn)有技術(shù)。
[0055]其中，Tmpc2為雙酞菁銩，作為空穴注入層；DCJTB是4_ (二氰基乙烯)_2_叔丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛尼啶)-4H_呋喃，作為發(fā)光層90 ；Alq3是三(8_羥基喹啉)鋁，作為電子傳輸層；上述材料均為現(xiàn)有技術(shù)中OLED常用材料，均為實驗室合成。
[0056]作為本發(fā)明的其他實施例所述有機發(fā)光器件還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層等功能層中的一種或多種的組合。
[0057]本實施例所提供的有機發(fā)光顯示器件中所述下焊盤電極512、所述電容下極板312與所述有源層212均為多晶硅層，且形成在同一層中，其中，所述下焊盤電極512和所述電容下極板312為由雜質(zhì)離子重摻雜的多晶硅層；所述上焊盤電極50和所述電容上極板30由與所述柵極20相同的材料形成在同一層中。
[0058]所述下焊盤電極512與所述電容下極板312中摻雜的雜質(zhì)離子相同，摻雜劑量也相同。
[0059]所述雜質(zhì)離子選自但不限于P型或者N型摻雜離子，例如B3+，P3+等，本實施例優(yōu)選 B3+。
[0060]所述上焊盤電極50 包括 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、Mo、T1、W 和
Cu中的一種或多種或合金材料形成的單層或多層材料。本實施例優(yōu)選Mo/Al/Mo的疊層結(jié)構(gòu)。
[0061]作為本發(fā)明的其他實施例，所述基板10上還直接形成有緩沖層11，所述薄膜晶體管2、電容3、焊盤5直接設(shè)置在所述緩沖層11上，所述緩沖層11選自但不限于S1x、SiNx層，本實施例優(yōu)選SiN/Si02的疊層結(jié)構(gòu)。
[0062]所述有機發(fā)光顯示裝置的制備方法，如圖2-9所示，包括如下步驟:
[0063]S1、在基板10上通過化學氣相沉積的方式形成非晶硅層，然后通過準分子激光退火(ELA)將非晶硅層結(jié)晶結(jié)晶為多晶硅層，并涂布光刻膠并經(jīng)過曝光顯影后圖案化，最后經(jīng)過干式刻蝕及剝離光刻膠形成彼此分開的薄膜晶體管2中的多晶硅層、電容3中的多晶硅層以及焊盤5中的多晶硅層。
[0064]作為本發(fā)明的其他實施例，非晶硅結(jié)晶工藝還可以為快速熱退火(RTA)、固相結(jié)晶(SPC)、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)、金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶(MILC)、連續(xù)橫向固化(SLS)，均可以達到本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0065]S2、在基板10上涂布光刻膠，并經(jīng)過曝光顯影后僅保留晶體管區(qū)2上方的光刻膠，電容3中的多晶硅層和焊盤5中的多晶硅層上方均無光刻膠覆蓋，然后在基板10上方施加P型離子B3+對所述電容3中的多晶硅層和所述焊盤5中的多晶硅層進行雜質(zhì)離子重摻雜，本實施例中，摻雜量為5X 11Vcm2，加速電壓為15KeV;形成電容下極板312和下焊盤電極512。
[0066]S3、通過化學氣相沉積法在所述基板10表面直接形成連續(xù)覆蓋所述薄膜晶體管2中的多晶硅層、所述電容下極板312和所述下焊盤電極512的柵極絕緣層13，所述柵絕緣層13選自但不限于S1x、SiNx層，本實施例優(yōu)選SiN。
[0067]S4、通過金屬濺鍍工藝在所述柵極絕緣層13上直接形成金屬層，并圖案化形成設(shè)置在所述薄膜晶體管2中的多晶硅層上的柵極20、設(shè)置在所述電容下極板312上的電容上極板30和設(shè)置在所述下焊盤電極512上的上焊盤電極50 ;在基板10上方進行雜質(zhì)離子重摻雜，以所述柵極20為掩膜，對所述薄膜晶體管2中的多晶硅層進行雜質(zhì)離子摻雜，形成正對著所述柵極20下方的有源層212，以及形成在所述有源層212相對邊緣處的源極212a和漏極212b，摻雜離子種類包括N型或者P型離子，例如BCl3, PH3,本實施例優(yōu)選BCl3,摻雜量為lX1015/cm2，加速電壓為15KeV。
[0068]所述金屬層選自但不限于Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、Mo、T1、W
和Cu中的一種或多種或合金材料形成的單層或多層材料，本實施例優(yōu)選Mo/AL/Mo的疊層結(jié)構(gòu)。
[0069]S5、通過化學氣相沉積的方式在所述柵極絕緣層13上直接形成連續(xù)覆蓋所述柵極20、所述電容上極板30和所述上焊盤電極50的層間絕緣層16，并圖案化，形成暴露出所述源極212a和所述漏極212b的部分區(qū)域的開口。
[0070]在所述層間絕緣層16上直接形成填充所述開口的源極電極217和漏極電極218 ；在層間絕緣層16上直接形成連續(xù)覆蓋所述源極電極217和所述漏極電極218的平坦化層18，并在所述平坦化層18上形成暴露所述源極電極217或所述漏極電極218的開口。
[0071]S6、在所述層間絕緣層16上形成由下至上依次包括第一電極19、發(fā)光層90和第二電極100、發(fā)光層90和第二電極100的有機發(fā)光器件，所述第一電極19通過所述層間絕緣層16上的開口，由所述源極電極層217或所述漏極電極層218的導(dǎo)通作用，與所述源極212a、所述漏極212b之一電性接觸。
[0072]為了方便解釋本發(fā)明所述有機發(fā)光顯示裝置的，本實施例的附圖僅示出了一個薄膜晶體管、一個電容、一個焊盤，本發(fā)明在不增加工序的情況下，可以包括若干薄膜晶體管、若干電容和若干焊盤。
[0073]顯然，上述實施例僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明的保護范圍之中。
【權(quán)利要求】
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括: 基板(10); 薄膜晶體管(2)，形成在所述基板(10)上方，并且包括柵極(20)、有源層(212)以及形成在所述有源層(212)相對邊緣處的源極(212a)和漏極(212b); 電容(3 )，形成在所述基板(10 )上方，包括電容下極板(312 )和形成在所述電容下極板(312)上方的電容上極板(30)； 焊盤(5 )，形成在所述基板(10 )上方，包括下焊盤電極(512 )和形成在所述下焊盤電極(512)上方的上焊盤電極(50)，所述下焊盤電極(512)與所述上焊盤電極(50)電性接觸； 有機發(fā)光器件，形成在所述基板(10)上方； 其特征在于，所述下焊盤電極(512)與所述有源層(212)均為多晶硅層，且形成在同一層中，其中，所述下焊盤電極(512)為由雜質(zhì)離子重摻雜的多晶硅層；所述上焊盤電極(50)與所述柵極(20)由相同的材料形成在同一層中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述電容下極板(312)與所述下焊盤電極(512)由相同材料形成在同一層中，所述電容下極板(312)為由雜質(zhì)離子重摻雜的多晶硅層；所述電容上極板(30)與所述柵極(20)由相同的材料形成在同一層中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述下焊盤電極(512)與所述電容下極板(312)中摻雜的雜質(zhì)離子相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述雜質(zhì)離子為P型摻雜離子或者N型摻雜離子。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述上焊盤電極(50)包括 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、Mo、T1、W 和 Cu 中的一種或多種或合金材料形成的單層或多層材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述有機發(fā)光器件，包括第一電極(19)、發(fā)光層(90)和第二電極(100)，所述第一電極(19)與所述源極(212a)、所述漏極(212b)之一電性接觸。
7.—種權(quán)利要求1-6任一所述的一種有機發(fā)光顯不裝置的制備方法,其特征在于,包括如下步驟: 51、在基板(10)上形成多晶硅層，并圖案化形成薄膜晶體管(2)中的多晶硅層、電容(3)中的多晶硅層以及焊盤(5)中的多晶硅層； 52、對所述電容(3)中的多晶硅層和所述焊盤(5)中的多晶硅層進行雜質(zhì)離子重摻雜，形成電容下極板(312)和下焊盤電極(512)； 53、在所述基板(10)表面直接形成連續(xù)覆蓋所述薄膜晶體管(2)中的多晶硅層、所述電容下極板(312)和所述下焊盤電極(512)的柵極絕緣層(13)； 54、在所述柵極絕緣層(13)上直接形成金屬層，并圖案化形成設(shè)置在所述薄膜晶體管(2)中的多晶硅層上的柵極(20)、設(shè)置在所述電容下極板(312)上的電容上極板(30)和設(shè)置在所述下焊盤電極(512)上的上焊盤電極(50)，以所述柵極(20)為掩膜，對所述薄膜晶體管(2)中的多晶硅層進行雜質(zhì)離子摻雜，形成正對著所述柵極(20)下方的有源層(212)，以及形成在所述有源層(212)相對邊緣處的源極(212a)和漏極(212b)； 55、在所述柵極絕緣層(13)上直接形成連續(xù)覆蓋所述柵極(20)、所述電容上極板(30)和所述上焊盤電極(50)的層間絕緣層(16)，并圖案化，形成暴露出所述源極(212a)和所述漏極(212b)的部分區(qū)域的開口 ； 56、在所述層間絕緣層(16)上形成由下至上依次包括第一電極(19)、發(fā)光層(90)和第二電極(100)、發(fā)光層(90)和第二電極(100)的有機發(fā)光器件，所述第一電極(19)、發(fā)光層(90)和第二電極(100)所述源極(212a)、所述漏極(212b)之一電性接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種有機發(fā)光顯示裝置的制備方法，其特征在于，步驟S2中對所述電容(3)中的多晶硅層和所述焊盤(5)中的多晶硅層進行摻雜是同時完成的且雜質(zhì)尚子相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種有機發(fā)光顯示裝置的制備方法，其特征在于，所述雜質(zhì)離子包括P型摻雜離子或者N型摻雜離子。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種有機發(fā)光顯示裝置的制備方法，其特征在于，步驟S2中步驟S2中對所述電容(3)中的多晶硅層和所述焊盤(5)中的多晶硅層進行摻雜的雜質(zhì)離子劑量相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種有機發(fā)光顯示裝置的制備方法，其特征在于，步驟S4中所述金屬層包括 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、Mo、T1、W 和 Cu 中的一種或多種或合金材料形成的單層或多層材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種有機發(fā)光顯示裝置的制備方法，其特征在于，步驟S5與步驟S6之間還包括在所述層間絕緣層(16)上直接形成填充所述開口的源極電極(217)和漏極電極(218);在層間絕緣層(16)上直接形成連續(xù)覆蓋所述源極電極(217)和所述漏極電極(218)的平坦化層(18)，并在所述平坦化層(18)上形成暴露所述源極電極(217)或所述漏極電極(218)的開口。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的一種有機發(fā)光顯示裝置的制備方法，其特征在于，步驟SI在形成所述多晶硅層之前，還包括在所述基板(10)上直接形成緩沖層(11 )，所述多晶硅層直接形成在所述緩沖層(11)上。
【文檔編號】H01L27/32GK104517989SQ201310465239
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2013年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】向長江 申請人:昆山國顯光電有限公司