薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及制備方法和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及制備方法和顯示裝置。該薄膜晶體管包括基板以及設(shè)置于所述基板上的柵極、同層設(shè)置的源極和漏極以及設(shè)置于所述柵極與所述源極和所述漏極之間的絕緣層，其中，與所述柵極同層設(shè)置有柵極預(yù)形成層，所述柵極形成在所述柵極預(yù)形成層中；和/或，與所述源極和所述漏極同層設(shè)置有源漏預(yù)形成層，所述源極和所述漏極形成在所述源漏預(yù)形成層中。本發(fā)明的有益效果是：該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)以及相應(yīng)的陣列基板中，能夠有效減緩柵極或源極和漏極因斜坡處的刻蝕缺陷所帶來的負(fù)面效果，杜絕后續(xù)膜層的凸出狀況或凹陷造成的不連續(xù)狀況的可能，提高顯示裝置的品質(zhì)。
【專利說明】薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及制備方法和顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及制備方法和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，平板顯示裝置已取代笨重的CRT(Cathode Ray Tube,陰極射線管）顯示裝置日益深入人們的日常生活中。目前，常用的平板顯示裝置包括LCD(Liquid Crystal Display :液晶顯不裝置）和 OLED (Organic Light-Emitting Diode:有機(jī)發(fā)光二極管）顯示裝置。
[0003]在成像過程中，IXD和有源矩陣驅(qū)動(dòng)式OLED (Active Matrix Organic LightEmission Display，簡稱AMOLED)顯示裝置中都包括形成在陣列基板中的薄膜晶體管（ThinFilm Transistor :簡稱TFT)。薄膜晶體管是實(shí)現(xiàn)IXD和有源矩陣驅(qū)動(dòng)式OLED顯示裝置顯示的關(guān)鍵，直接關(guān)系到高性能顯示裝置的發(fā)展方向。
[0004]如圖I所示，一種薄膜晶體管的典型結(jié)構(gòu)包括基板I以及在基板上形成的柵極2、柵絕緣層4、有源層5、刻蝕阻擋層6和形成在刻蝕阻擋層6上方的源極7和漏極8。目前，制備薄膜晶體管的工藝過程通常為采用構(gòu)圖工藝，從下而上依次制備形成包括各膜層的圖形，由于薄膜晶體管的膜層數(shù)較多，因此在采用構(gòu)圖工藝形成各膜層的過程中，例如沉積和刻蝕步驟中，很容易因?yàn)橄刃纬傻哪硞€(gè)膜層在圖形的突變處，例如：圖I中所示的斜坡處因刻蝕不規(guī)則而形成微小的凸出或凹陷的缺陷15 (當(dāng)然，也有可能為凹陷至整層的缺陷)。圖I中，柵絕緣層4因受到過刻而形成凹陷，若凹陷過深或過大，隨著鍍膜的進(jìn)行，由于后續(xù)膜層沉積時(shí)都很難進(jìn)入上方有阻擋的部位，缺陷不會(huì)得到填充，而刻蝕時(shí)產(chǎn)生的一部分過刻很輕易就將沉積的膜層刻蝕掉，形成越來越嚴(yán)重的缺陷，最終導(dǎo)致本不該連接的膜層間相互接觸，例如可能形成圖I中有源層5在對應(yīng)著該缺陷的區(qū)域不連續(xù)的情況，進(jìn)而造成源極7與柵極2的絕緣被破壞，引起源極7與柵極2的連接?？梢酝茢?，一旦出現(xiàn)了某個(gè)膜層在圖形的突變處的凸出或凹陷，隨著多個(gè)構(gòu)圖工藝的累積，后續(xù)膜層的凸出狀況或凹陷造成的不連續(xù)狀況會(huì)進(jìn)一步加劇，引起顯示面板的不良，尤其是因凹陷而引起的金屬電極之間的連接，最終將導(dǎo)致顯示面板漏電。而顯示面板一旦漏電，將導(dǎo)致整塊顯示面板的報(bào)廢，造成生產(chǎn)成本的極大浪費(fèi)。
[0005]因此，設(shè)計(jì)出薄膜晶體管中各膜層不會(huì)受制備工藝影響而出現(xiàn)絕緣問題，尤其是金屬電極之間能有效地防漏電的結(jié)構(gòu)，提高產(chǎn)品質(zhì)量成為目前業(yè)界亟待解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及制備方法和顯示裝置，該薄膜晶體管以及相應(yīng)的陣列基板中，能夠有效減緩柵極或源極和漏極因斜坡處的刻蝕缺陷所帶來的負(fù)面效果，杜絕后續(xù)膜層的不連續(xù)的可能，提高顯示裝置的品質(zhì)。[0007]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是該薄膜晶體管，包括基板以及設(shè)置于所述基板上的柵極、同層設(shè)置的源極和漏極以及設(shè)置于所述柵極與所述源極和所述漏極之間的絕緣層，與所述柵極同層設(shè)置有柵極預(yù)形成層，所述柵極形成在所述柵極預(yù)形成層中；和/或，與所述源極和所述漏極同層設(shè)置有源漏預(yù)形成層，所述源極和所述漏極形成在所述源漏預(yù)形成層中。
[0008]優(yōu)選的是，所述柵極設(shè)置在所述基板上，所述源極和所述漏極設(shè)置在所述柵極的上方，所述柵極預(yù)形成層在對應(yīng)著形成柵極的區(qū)域開設(shè)有柵極嵌入槽，所述柵極設(shè)置在所述柵極嵌入槽內(nèi)；和/或，所述源漏預(yù)形成層在對應(yīng)著形成所述源極的區(qū)域開設(shè)有源極嵌入槽、對應(yīng)著形成所述漏極的區(qū)域開設(shè)有漏極嵌入槽，所述源極設(shè)置在所述源極嵌入槽中，所述漏極設(shè)置在所述漏極嵌入槽中。
[0009]優(yōu)選的是，所述源極和所述漏極設(shè)置在所述基板上，所述柵極設(shè)置在所述源極和所述漏極的上方，所述源漏預(yù)形成層在對應(yīng)著形成所述源極的區(qū)域開設(shè)有源極嵌入槽、對應(yīng)著形成所述漏極的區(qū)域開設(shè)有漏極嵌入槽，所述源極設(shè)置在所述源極嵌入槽中，所述漏極設(shè)置在所述漏極嵌入槽中；和/或，所述柵極預(yù)形成層在對應(yīng)著形成所述柵極的區(qū)域開設(shè)有柵極嵌入槽，所述柵極設(shè)置在所述柵極嵌入槽內(nèi)。
[0010]優(yōu)選的是，所述柵極預(yù)形成層與所述源漏預(yù)形成層均采用無機(jī)材料形成，所述無機(jī)材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
[0011]優(yōu)選的是，所述柵極的厚度與所述柵極預(yù)形成層的厚度相同，所述源極和所述漏極的厚度與所述源漏預(yù)形成層的厚度相同。
[0012]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述源極和所述漏極之間還設(shè)置有有源層，且所述有源層分別與所述源極和所述漏極在正 投影方向上至少部分重疊，所述有源層采用非晶硅材料形成；或者，所述有源層采用氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦錫或氧化銦鎵錫形成。
[0013]一種陣列基板，包括柵線、數(shù)據(jù)線以及設(shè)置在由所述柵線與所述數(shù)據(jù)線交叉形成的像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管采用上述的薄膜晶體管。
[0014]優(yōu)選的是，所述柵極預(yù)形成層還延伸至所述像素區(qū)對應(yīng)著所述薄膜晶體管以外的其他區(qū)域，所述柵線與所述柵極同層設(shè)置、且與所述柵極電連接；或者，所述源漏預(yù)形成層還延伸至所述像素區(qū)對應(yīng)著所述薄膜晶體管以外的其他區(qū)域，所述數(shù)據(jù)線與所述源極同層設(shè)置、且與所述源極電連接。
[0015]優(yōu)選的是，所述柵極預(yù)形成層在對應(yīng)著形成柵線的區(qū)域開設(shè)有柵線嵌入槽，所述柵線設(shè)置在所述柵線嵌入槽中；或者，所述源漏預(yù)形成層在對應(yīng)著形成數(shù)據(jù)線的區(qū)域開設(shè)有數(shù)據(jù)線嵌入槽，所述數(shù)據(jù)線設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線嵌入槽中。
[0016]優(yōu)選的是，所述柵極的厚度與所述柵極的厚度相等，所述數(shù)據(jù)線的厚度與所述源極的厚度相等。
[0017]一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0018]一種薄膜晶體管的制備方法，包括在基板上形成柵極、形成源極和漏極以及形成所述柵極與所述源極和所述漏極之間的柵絕緣層的步驟，還包括形成與所述柵極同層的柵極預(yù)形成層，將所述柵極形成在所述柵極預(yù)形成層中的步驟；和/或，還包括形成所述源極和所述漏極同層的源漏預(yù)形成層，將所述源極和所述漏極形成在所述源漏預(yù)形成層中的步驟。[0019]優(yōu)選的是，在形成所述柵極之前，先形成包括柵極預(yù)形成層以及開設(shè)在所述柵極預(yù)形成層中的柵極嵌入槽的圖形；然后，在所述柵極嵌入槽內(nèi)形成包括所述柵極的圖形；或者，在形成所述源極和所述漏極之前，先形成包括源漏預(yù)形成層以及開設(shè)在所述源漏預(yù)形成層中的源極嵌入槽和漏極嵌入槽的圖形；然后，在所述源極嵌入槽內(nèi)形成包括所述源極的圖形，以及在所述漏極嵌入槽內(nèi)形成包括所述漏極的圖形。
[0020]優(yōu)選的是，采用構(gòu)圖工藝形成包括所述柵極預(yù)形成層以及所述柵極的圖形，形成所述柵極預(yù)形成層以及形成所述柵極采用同一掩模板；或者，采用構(gòu)圖工藝形成包括所述柵極預(yù)形成層的圖形，以及采用熔融灌注方式將所述柵極形成在所述柵極預(yù)形成層的所述柵極嵌入槽中；
[0021]或者，采用構(gòu)圖工藝形成包括所述源漏預(yù)形成層以及所述源極和所述漏極的圖形，形成所述源漏預(yù)形成層以及形成所述源極和所述漏極采用同一掩模板；或者，采用構(gòu)圖工藝形成包括所述源漏預(yù)形成層的圖形，以及采用熔融灌注方式將所述源極和所述漏極形成在所述源漏預(yù)形成層的所述源極嵌入槽和所述漏極嵌入槽中。
[0022]優(yōu)選的是，所述柵極預(yù)形成層與所述源漏預(yù)形成層采用無機(jī)材料形成，所述無機(jī)材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
[0023]優(yōu)選的是，所述柵極的厚度與所述柵極預(yù)形成層的厚度相同，所述源極和所述漏極的厚度與所述源漏預(yù)形成層的厚度相同。
[0024]一種陣列基板的制備方法，包括形成柵線、數(shù)據(jù)線以及形成設(shè)置在由所述柵線與所述數(shù)據(jù)線交叉形成的像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的步驟，其中，形成所述薄膜晶體管采用上述的薄膜晶體管的制備方法。
[0025]優(yōu)選的是，將所述柵極預(yù)形成層延伸至所述像素區(qū)對應(yīng)著所述薄膜晶體管以外的其他區(qū)域，使得所述柵線與所述柵極同層形成、且與所述柵極電連接；或者，將所述源漏預(yù)形成層還延伸至所述像素區(qū)對應(yīng)著 所述薄膜晶體管以外的其他區(qū)域，使得所述數(shù)據(jù)線與所述源極同層形成、且與所述源極電連接。
[0026]優(yōu)選的是，在所述柵極預(yù)形成層對應(yīng)著形成所述柵線的區(qū)域形成柵線嵌入槽，將所述柵線形成在所述柵線嵌入槽中；或者，在所述源漏預(yù)形成層對應(yīng)著形成所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域形成數(shù)據(jù)線嵌入槽，將所述數(shù)據(jù)線形成在所述數(shù)據(jù)線嵌入槽中。
[0027]優(yōu)選的是，所述柵極的厚度與所述柵極的厚度相等，所述數(shù)據(jù)線的厚度與所述源極的厚度相等。
[0028]本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明中的薄膜晶體管通過將無機(jī)材料形成在基板上，通過曝光、顯影、刻蝕形成與柵極圖形相同的溝槽；然后形成柵極，并使得柵極的厚度與溝槽的深度完全一致，形成以柵極金屬材料填充至溝槽中的完整圖形；然后再形成薄膜晶體管的其他膜層；和/或，使源極和漏極具有類似的層結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)能夠有效減緩柵極或源極和漏極因斜坡處的刻蝕缺陷所帶來的負(fù)面效果，對于解決涉及柵極金屬層膜、源漏金屬層膜沉積和刻蝕時(shí)發(fā)生不期望的缺陷特別有效，能從根本上杜絕薄膜晶體管后續(xù)膜層的凸出狀況或凹陷造成的不連續(xù)狀況的可能，提高顯示裝置的品質(zhì)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖I為現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管的剖視圖；[0030]圖2為本發(fā)明實(shí)例I中一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0031]圖3為本發(fā)明實(shí)例I中一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0032]圖4為本發(fā)明實(shí)例I中一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0033]圖5A-5H為圖4中薄膜晶體管中包括柵極的圖形形成的過程剖視圖；
[0034]圖6為本發(fā)明實(shí)例I中柵極有凸起缺陷的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖7為本發(fā)明實(shí)例I中柵極有凹陷缺陷的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖8為本發(fā)明實(shí)例2中一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0037]圖9為本發(fā)明實(shí)例3中一種陣列基板結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0038]附圖標(biāo)記：1 一基板；2 —柵極；20_柵極金屬層膜；21_第二光刻膠層；3 —柵極預(yù)形成層；30_柵極預(yù)形成層膜；31_第一光刻膠層；32_柵極嵌入槽；4_柵絕緣層；5 —有源層；6 —刻蝕阻擋層；7 —源極；8-漏極；9_源漏預(yù)形成層；10_鈍化層；11 一像素電極；15-缺陷。
【具體實(shí)施方式】
[0039] 為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明膜晶體管及制備方法、陣列基板及制備方法和顯示裝置作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0040]一種薄膜晶體管，包括基板以及設(shè)置于所述基板上的柵極、同層設(shè)置的源極和漏極以及設(shè)置于所述柵極與所述源極和所述漏極之間的絕緣層，其中，與所述柵極同層設(shè)置有柵極預(yù)形成層，所述柵極形成在所述柵極預(yù)形成層中；和/或，與所述源極和所述漏極同層設(shè)置有源漏預(yù)形成層，所述源極和所述漏極形成在所述源漏預(yù)形成層中。
[0041]一種陣列基板，包括柵線、數(shù)據(jù)線以及設(shè)置在由所述柵線與所述數(shù)據(jù)線交叉形成的像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管采用上述的薄膜晶體管。
[0042]一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0043]一種薄膜晶體管的制備方法，包括在基板上形成柵極、形成源極和漏極以及形成所述柵極與所述源極和所述漏極之間的柵絕緣層的步驟，還包括形成與所述柵極同層的柵極預(yù)形成層，將所述柵極形成在所述柵極預(yù)形成層中的步驟；和/或，還包括形成所述源極和所述漏極同層的源漏預(yù)形成層，將所述源極和所述漏極形成在所述源漏預(yù)形成層中的步驟。
[0044]一種陣列基板的制備方法，包括形成柵線、數(shù)據(jù)線以及形成設(shè)置在由所述柵線與所述數(shù)據(jù)線交叉形成的像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的步驟，其中，形成所述薄膜晶體管采用上述的薄膜晶體管的制備方法。
[0045]實(shí)施例I :
[0046]—種薄膜晶體管，包括基板以及設(shè)置于基板上的柵極、同層設(shè)置的源極和漏極以及設(shè)置于柵極與源極和漏極之間的絕緣層，其中，與柵極同層設(shè)置有柵極預(yù)形成層，柵極形成在柵極預(yù)形成層中；和/或，與源極和漏極同層設(shè)置有源漏預(yù)形成層，源極和漏極形成在源漏預(yù)形成層中。
[0047]本實(shí)施例中，薄膜晶體管為底柵型結(jié)構(gòu)，即柵極設(shè)置在基板上，源極和漏極設(shè)置在柵極的上方，具體的為，基板上依次設(shè)置有柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極。其中，有源層分別與源極和漏極在正投影方向上至少部分重疊。根據(jù)柵極與源極和漏極具體形成工藝的不同，本實(shí)施例中薄膜晶體管具體包括如下三種結(jié)構(gòu)。
[0048]如圖2所示，一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)為，柵極2設(shè)置在基板I上，柵極預(yù)形成層3在對應(yīng)著形成柵極2的區(qū)域開設(shè)有柵極嵌入槽，柵極2設(shè)置在柵極嵌入槽內(nèi)；柵極2上方依次設(shè)置有柵絕緣層4、有源層5、源極7和漏極8。
[0049]如圖3所示，一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)為，基板I上依次設(shè)置有柵極2、柵絕緣層4、有源層5，源漏預(yù)形成層9在對應(yīng)著形成源極7的區(qū)域開設(shè)有源極嵌入槽、對應(yīng)著形成漏極8的區(qū)域開設(shè)有漏極嵌入槽，源極7設(shè)置在源極嵌入槽中，漏極8設(shè)置在漏極嵌入槽中。
[0050]或者，如圖4所示，一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)為，柵極2設(shè)置在基板I上，柵極預(yù)形成層3在對應(yīng)著形成柵極2的區(qū)域開設(shè)有柵極嵌入槽，柵極2設(shè)置在柵極嵌入槽內(nèi)；柵極2上方為柵絕緣層4和有源層5，源漏預(yù)形成層9在對應(yīng)著形成源極7的區(qū)域開設(shè)有源極嵌入槽、對應(yīng)著形成漏極8的區(qū)域開設(shè)有漏極嵌入槽，源極7設(shè)置在源極嵌入槽中，漏極8設(shè)置在漏極嵌入槽中。
[0051]其中，在圖2-圖4的上述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中，柵極預(yù)形成層3與源漏預(yù)形成層9均采用無機(jī)材料形成，無機(jī)材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。優(yōu)選的是，柵極2的厚度與柵極預(yù)形成層3的厚度相同，源極7和漏極8的厚度與源漏預(yù)形成層9的厚度相同。
[0052]在本實(shí)施例中，柵極2采用鑰、鑰鈮合金、鋁、鋁釹合金、鈦或銅形成。柵絕緣層4為單層、雙層或多層，采用硅氧化物、硅氮化物、鉿氧化物、硅氮氧化物或鋁氧化物形成。為了保證有源層5與源極7和漏極8的良好接觸，有源層5與源極7和漏極8還進(jìn)一步設(shè)置歐姆接觸層，有源層5采用非晶硅材料形成，歐姆接觸層采用摻雜磷元素的非晶硅材料形成，源極7與漏極8之間的電子遷移率相對較??；或者，為了保證在形成柵極2時(shí)有源層5不受損壞，有源層5的上方還進(jìn)一步設(shè)置刻蝕阻擋層6，有源層5采用金屬氧化物半導(dǎo)體，例如氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦錫或氧化銦鎵錫形成，使得源極7與漏極8之間的電子遷移率增加，因此能獲得較好的源極7與漏極8之間的電子遷移率，刻蝕阻擋層6采用硅氧化物、硅氮化物、鉿氧化物或鋁氧化物形成。源極7和漏極8均采用鑰、鑰鈮合金、鋁、鋁釹合金、鈦或銅形成。
[0053]相應(yīng)的，上述薄膜晶體管的制備方法，包括在基板I上形成柵極2、形成源極7和漏極8以及形成柵極2與源極7和漏極8之間的柵絕緣層4的步驟，還包括形成與柵極2同層的柵極預(yù)形成層3，并將柵極2形成在柵極預(yù)形成層3中的步驟；和/或，包括形成源極7和漏極8同層的源漏預(yù)形成層9，并將源極7和漏極8形成在源漏預(yù)形成層9中的步驟。
[0054]簡言之，對應(yīng)圖2，在形成柵極2之前，先形成包括柵極預(yù)形成層3以及開設(shè)在柵極預(yù)形成層3中的柵極嵌入槽的圖形；然后，在柵極嵌入槽內(nèi)形成包括柵極2的圖形?；蛘?，對應(yīng)圖3，在形成源極7和漏極8之前，先形成包括源漏預(yù)形成層9以及開設(shè)在源漏預(yù)形成層中的源極嵌入槽和漏極嵌入槽的圖形；然后，在源極嵌入槽內(nèi)形成包括源極7的圖形，以及在漏極嵌入槽內(nèi)形成包括漏極8的圖形?；蛘撸瑢?yīng)圖4，在形成柵極2之前，先形成包括柵極預(yù)形成層3以及開設(shè)在柵極預(yù)形成層3中的柵極嵌入槽的圖形；然后，在柵極嵌入槽內(nèi)形成包括柵極2的圖形；同時(shí)，在形成源極7和漏極8之前，先形成包括源漏預(yù)形成層9以及開設(shè)在源漏預(yù)形成層9中的源極嵌入槽和漏極嵌入槽的圖形；然后，在源極嵌入槽內(nèi)形成包括源極7的圖形，以及在漏極嵌入槽內(nèi)形成包括漏極8的圖形
[0055]本發(fā)明的薄膜晶體管采用構(gòu)圖工藝形成。在本發(fā)明的構(gòu)圖工藝，可只包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時(shí)還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜(或鍍膜)、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等形成圖形的工藝?？筛鶕?jù)本發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。
[0056]在本實(shí)施例中，采用構(gòu)圖工藝形成包括柵極預(yù)形成層以及柵極的圖形，形成柵極預(yù)形成層以及形成柵極采用同一掩模板；或者，采用構(gòu)圖工藝形成包括柵極預(yù)形成層的圖形，以及采用熔融灌注方式將柵極形成在柵極預(yù)形成層中；同理，可以采用構(gòu)圖工藝形成包括源漏預(yù)形成層以及源極和漏極的圖形，形成源漏預(yù)形成層以及形成源極和漏極采用同一掩模板；或者，采用構(gòu)圖工藝形成包括源漏預(yù)形成層的圖形，以及采用熔融灌注方式將源極和漏極形成在源漏預(yù)形成層中。
[0057]圖4中薄膜晶體管的制備方法具體包括如下步驟：
[0058]步驟SI):在基板I上形成包括柵極2的圖形。
[0059]在該步驟中，具體包括如下子步驟：
[0060]步驟Sll):先形成柵極預(yù)形成層膜30，如圖5A所示。
[0061]步驟S12):在柵極預(yù)形成層膜30上方形成第一光刻膠層31，如圖5B所示。
[0062]步驟S13):通過第一次曝光、顯影工藝，在柵極預(yù)形成層膜30中形成包括柵極預(yù)形成層3以及開設(shè)在柵極預(yù)形成層中的柵極嵌入槽32的圖形，如圖5C所示。
[0063]步驟S14):去除 第一光刻膠層31，如圖所示。
[0064]步驟S15):在柵極預(yù)形成層3和柵極嵌入槽32上方形成柵極金屬層膜20，如圖5E所示。
[0065]步驟S16):在柵極金屬層膜20上方形成第二光刻膠層21，如圖5F所示。
[0066]步驟S17):通過第二次曝光、顯影工藝，保留柵極金屬層膜20中對應(yīng)著柵極嵌入槽32的部分，去除其他部分，從而形成包括柵極2的圖形，如圖5G所示。
[0067]步驟S18):去除第二光刻膠層21，如圖5H所示。
[0068]在該步驟中：采用沉積、濺射或熱蒸發(fā)的方法形成柵極預(yù)形成層膜30或柵極金屬層膜20。其中，柵極預(yù)形成層膜30采用無機(jī)材料形成，無機(jī)材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；柵極2的厚度與柵極預(yù)形成層3的厚度相同。
[0069]在該步驟中，柵極預(yù)形成層3與柵極2的構(gòu)圖工藝中采用同一掩模板進(jìn)行曝光；同時(shí)，為了保證曝光工藝圖形的正確性，優(yōu)選第一光刻膠層31中光刻膠的曝光性質(zhì)與第二光刻膠層21中光刻膠的曝光性質(zhì)相反。例如：第一光刻膠31中光刻膠為負(fù)性光刻膠,第二光刻膠21中光刻膠為正性光刻膠。
[0070]上述形成包括所述柵極預(yù)形成層以及所述柵極的圖形為采用構(gòu)圖工藝形成，一種更優(yōu)選的方式是，當(dāng)柵極預(yù)形成層3形成后，采用熔融灌注方式形成在柵極嵌入槽32中（SP將柵極金屬材料熔融后灌注進(jìn)相應(yīng)的溝槽中)，可相應(yīng)省略步驟S15)-步驟S18)，采用該方式形成的柵極2，厚度可以制的更薄、平坦度更好。
[0071]步驟S2):在柵極2上形成包括柵絕緣層4的圖形。
[0072]在該步驟中：在完成步驟SI)的基板I上形成柵絕緣層4。其中，柵絕緣層4可采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法形成。
[0073]步驟S3):在柵絕緣層4上形成包括有源層5的圖形。
[0074]在該步驟中：在完成步驟S2)的基板I上形成復(fù)合層膜，形成復(fù)合膜層可以采用沉積、濺射或熱蒸發(fā)等方法，復(fù)合層膜包括有源層膜以及設(shè)置于有源層膜上方的刻蝕阻擋層膜(沉積過程中分別依次沉積)，可利用普通掩模板通過一次構(gòu)圖工藝在柵絕緣層4上形成包括復(fù)合層的圖形。
[0075]或者，在完成步驟S2)的基板上形成包括復(fù)合層的圖形，復(fù)合層包括有源層以及設(shè)置于有源層上方的歐姆接觸層(形成過程中分別依次沉積)，利用普通掩模板通過一次構(gòu)圖工藝在柵極絕緣層4上形成包括復(fù)合層的圖形。
[0076]步驟S4):在有源層5上形成包括源極7和漏極8的圖形。
[0077]在該步驟中，具體包括如下子步驟：
[0078]步驟S41):先形成源漏預(yù)形成層膜。
[0079]步驟S42):在源漏預(yù)形成層膜上方形成第一光刻膠層。
[0080]步驟S43):通過第一次曝光、顯影工藝，在源漏預(yù)形成層膜中形成包括源漏預(yù)形成層以及開設(shè)在源漏預(yù)形成層中的源極嵌入槽和漏極嵌入槽的圖形。
[0081]步驟S44):去除第一光刻膠層。
[0082]步驟S45):在源漏預(yù)形成層和源極嵌入槽和漏極嵌入槽上方形成源漏金屬層膜。
[0083]步驟S46):在源漏金屬層膜上方形成第二光刻膠層。
[0084]步驟S47):通過第二次曝光、顯影工藝，保留源漏金屬層膜中對應(yīng)著源極嵌入槽和漏極嵌入槽的部分，去除其他部分，從而形成包括源極和漏極的圖形。
[0085]步驟S48):去除第二光刻膠層。
[0086]該步驟中各具體子步驟的圖示可參考圖5A-5H中包括柵極的圖形形成的過程剖視圖，這里略去相應(yīng)附圖。
[0087]在該步驟中：采用沉積、濺射或熱蒸發(fā)的方法形成源漏預(yù)形成層膜或源漏金屬層膜。其中，源漏預(yù)形成層膜采用無機(jī)材料形成，無機(jī)材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；源極7和漏極8的厚度與源漏預(yù)形成層9的厚度相同；同樣，優(yōu)選第一光刻膠層中光刻膠的曝光性質(zhì)與第二光刻膠層中光刻膠的曝光性質(zhì)相反。
[0088]同理，源極7和漏極8可以在源漏預(yù)形成層9形成后，采用熔融灌注方式形成在源極嵌入槽和漏極嵌入槽中，可相應(yīng)省略步驟S45)-步驟S48)，采用該方式形成的源極7和漏極8，厚度可以制的更薄、平坦度更好。
[0089]至此，薄膜晶體管即制備完成。
[0090]圖2和圖3中薄膜晶體管的制備方法可參考上述圖4中薄膜晶體管的制備方法的具體步驟（圖5A-圖5H)，這里不再贅述。
[0091]以本實(shí)施例中柵極與現(xiàn)有技術(shù)中柵極出現(xiàn)凹陷缺陷相比，本實(shí)施例中，在基板上形成柵極之前，先形成柵極預(yù)形成層，并通過曝光、顯影和刻蝕形成容納和固定柵極所需要的柵極嵌入槽；再形成與柵極預(yù)形成層同樣厚度的柵極，得到完全填充到柵極嵌入槽內(nèi)的柵極。這樣，在柵極圖形的形成工藝中，即使在刻蝕步驟結(jié)束后，仍然可能存在柵極表面不平整或圖形突變處存在缺陷的情況，后續(xù)膜層的形成也不會(huì)進(jìn)一步加劇缺陷。例如：如圖6所示，當(dāng)過刻量較小或曝光時(shí)掩模板（mask)圖案覆蓋面積較大時(shí)，會(huì)在刻蝕邊緣處生成一些凸起(缺陷15)，該凸起的高度遠(yuǎn)小于柵極的厚度，隨著薄膜晶體管中后續(xù)膜層的形成，該凸起逐漸變緩，并且，由于該凸起不處在其他層的邊緣處，因此不會(huì)因此而產(chǎn)生漏電的可能；又如圖7所示，當(dāng)過刻量較大或曝光時(shí)掩模板圖案覆蓋面積較小時(shí)，會(huì)在刻蝕邊緣處生成一些凹陷(缺陷15)，該凹陷的深度遠(yuǎn)小于柵極的厚度，隨著薄膜晶體管中后續(xù)膜層的形成，該凹陷逐漸變緩，并且，由于該凹陷不處在其他層的邊緣處，也不會(huì)因此而產(chǎn)生漏電的可能，能有效解決現(xiàn)有技術(shù)中因圖形突變處出現(xiàn)缺陷而引起漏電的問題。同樣，本實(shí)施例中源極和漏極與現(xiàn)有技術(shù)中源極和漏極相比，能有效解決現(xiàn)有技術(shù)中因圖形突變處出現(xiàn)缺陷而引起漏電的問題
[0092]同時(shí)，上述方案由于柵極預(yù)形成層與柵極采用同一掩模板形成、源漏預(yù)形成層與源極/漏極采用同一掩模板形成，能在不增加掩模數(shù)量的基礎(chǔ)上，僅分別各增加一次曝光、顯影工藝來形成相應(yīng)的柵極預(yù)形成層或源漏預(yù)形成層，就能達(dá)到有效地防止薄膜晶體管中金屬電極連接的效果。
[0093]實(shí)施例2 ：
[0094]本實(shí)施例與實(shí)施例I的區(qū)別在于，本實(shí)施例薄膜晶體管為頂柵型結(jié)構(gòu)。
[0095]在本實(shí)施例中，薄膜晶體管為底柵型結(jié)構(gòu)，即源極和漏極設(shè)置在基板上，柵極設(shè)置在源極和漏極的上方，具體的為，基板上依次設(shè)置有源極和漏極、有源層、柵絕緣層、柵極。根據(jù)柵極與源極和漏極具體形成工藝的不同，參考實(shí)施例1，本實(shí)施例中薄膜晶體管具體包括如下三種結(jié)構(gòu)。
[0096]如圖8所示，一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)為，源漏預(yù)形成層9與源極7和漏極8形成在基板I上，源漏預(yù)形成層9在對應(yīng)著形成源極的區(qū)域開設(shè)有源極嵌入槽、對應(yīng)著形成漏極的區(qū)域開設(shè)有漏極嵌入槽，源極7設(shè)置在源極嵌入槽中，漏極8設(shè)置在漏極嵌入槽中。源極7和漏極8的上方分別依次設(shè)置有有源層5、柵絕緣層4和柵極2。
[0097]—種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)為，源極7和漏極8形成在基板I上，源極7和漏極8的上方分別依次設(shè)置有有源層5、柵絕緣層4，柵極預(yù)形成層3在對應(yīng)著形成柵極的區(qū)域開設(shè)有柵極嵌入槽，柵極2設(shè)置在柵極嵌入槽內(nèi)。
[0098]一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu) 為，源漏預(yù)形成層9與源極7和漏極8形成在基板I上，源漏預(yù)形成層9在對應(yīng)著形成源極的區(qū)域開設(shè)有源極嵌入槽、對應(yīng)著形成漏極的區(qū)域開設(shè)有漏極嵌入槽，源極7設(shè)置在源極嵌入槽中，漏極8設(shè)置在漏極嵌入槽中；源極7和漏極8的上方分別依次設(shè)置有有源層5、柵絕緣層4，柵極預(yù)形成層3在對應(yīng)著形成柵極的區(qū)域開設(shè)有柵極嵌入槽，柵極2設(shè)置在柵極嵌入槽內(nèi)。
[0099]在上述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中，柵極預(yù)形成層3與源漏預(yù)形成層9均采用無機(jī)材料形成，無機(jī)材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。優(yōu)選的是，柵極2的厚度與柵極預(yù)形成層3的厚度相同，源極7和漏極8的厚度與源漏預(yù)形成層9的厚度相同。
[0100]本實(shí)施例的薄膜晶體管中各膜層的材料與實(shí)施例I相同，具體的制備方法也可參考實(shí)施例1，這里不再贅述。
[0101]實(shí)施例3:
[0102]本實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板包括實(shí)施例I中的薄膜晶體管。
[0103]本實(shí)施例的陣列基板中，包括柵線、數(shù)據(jù)線以及設(shè)置在由柵線與數(shù)據(jù)線交叉形成的像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管，薄膜晶體管采用實(shí)施例I中底柵型的薄膜晶體管。
[0104]在本實(shí)施例中，柵極預(yù)形成層還延伸至像素區(qū)對應(yīng)著薄膜晶體管以外的其他區(qū)域，柵線與柵極同層設(shè)置、且與柵極電連接；或者，源漏預(yù)形成層還延伸至像素區(qū)對應(yīng)著薄膜晶體管以外的其他區(qū)域，數(shù)據(jù)線與源極同層設(shè)置、且與源極電連接。[0105]具體的，對應(yīng)著實(shí)施例I中的薄膜晶體管，柵極預(yù)形成層在對應(yīng)著形成柵線的區(qū)域開設(shè)有柵線嵌入槽，柵線設(shè)置在柵線嵌入槽中；或者，源漏預(yù)形成層在對應(yīng)著形成數(shù)據(jù)線的區(qū)域開設(shè)有數(shù)據(jù)線嵌入槽，數(shù)據(jù)線設(shè)置在數(shù)據(jù)線嵌入槽中。其中，柵極的厚度與柵極的厚度相等，數(shù)據(jù)線的厚度與源極的厚度相等。
[0106]如圖9所示，本實(shí)施例中的陣列基板包括上述的薄膜晶體管，還包括鈍化層10以及像素電極11，鈍化層10設(shè)置在源極7與漏極8的上方，鈍化層10對應(yīng)著漏極8的區(qū)域開設(shè)有過孔，鈍化層10采用硅氧化物、硅氮化物、鉿氧化物或鋁氧化物形成。
[0107]像素電極11設(shè)置在鈍化層10上方，漏極8與像素電極11通過過孔連接，像素電極11采用氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦錫或氧化銦鎵錫形成。
[0108]當(dāng)然，上述設(shè)置有像素電極的陣列基板，可以形成TN (TwistedNematic,扭曲向列）模式的液晶顯示裝置、VA (Vertical Alignment，垂直取向）模式的液晶顯示裝置；或者，繼續(xù)在上述陣列基板的基礎(chǔ)上設(shè)置公共電極，以形成ADS (ADvanced Super DimensionSwitch，高級(jí)超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)）模式的液晶顯示裝置；或者，將上述陣列基板用于形成像素電極的區(qū)域形成OLED (Organic Light-Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管)的金屬陽極，以形成 AMOLED (Active Matrix Organic Light Emission Display,有源矩陣驅(qū)動(dòng)式有機(jī)發(fā)光顯示裝置)。
[0109]相應(yīng)的，上述陣列基板的制備方法，包括實(shí)施例I中薄膜晶體管的制備方法，還包括：將柵極預(yù)形成層延伸至像素區(qū)對應(yīng)著薄膜晶體管以外的其他區(qū)域，使得柵線與柵極同層形成、且與柵極電連接；或者，將源漏預(yù)形成層還延伸至像素區(qū)對應(yīng)著薄膜晶體管以外的其他區(qū)域，使得數(shù)據(jù)線與源極同層形成、且與源極電連接。
[0110]簡言之，在柵極預(yù)形成層對應(yīng)著形成柵線的區(qū)域形成柵線嵌入槽，將柵線形成在柵線嵌入槽中；或者，在源漏預(yù)形成層對應(yīng)著形成數(shù)據(jù)線的區(qū)域形成數(shù)據(jù)線嵌入槽，將數(shù)據(jù)線形成在數(shù)據(jù)線嵌入槽中。其中，柵極的厚度與柵極的厚度相等，數(shù)據(jù)線的厚度與源極的厚度相等。
[0111]具體的，在實(shí)施例I中已經(jīng)制備完成薄膜晶體管，并預(yù)先形成了柵極掃描線和數(shù)據(jù)線的基礎(chǔ)上，還進(jìn)一步包括：
[0112]步驟S5):在源極7、漏極8上形成包括鈍化層10以及過孔的圖形。
[0113]在該步驟中：在完成步驟S4)的基板I上形成鈍化層膜（PVX Deposition),可利用普通掩模板通過一次構(gòu)圖工藝在源極7、漏極8上形成包括鈍化層10的圖形，并采用刻蝕方式在鈍化層10中形成包括過孔的圖形。其中，采用沉積、濺射或熱蒸發(fā)的方法形成鈍化層膜。
[0114]步驟S6):在鈍化層10上方形成包括像素電極11的圖形，漏極8與像素電極11通過過孔連接。
[0115]在該步驟中，在完成步驟S5)的基板I上形成透明導(dǎo)電膜，可利用普通掩模板通過一次構(gòu)圖工藝在鈍化層10上方形成包括像素電極11的圖形，漏極8與像素電極11通過過孔連接；其中，采用沉積、濺射或熱蒸發(fā)的方法形成透明導(dǎo)電膜。
[0116]本實(shí)施例的陣列基板，柵線與柵極同時(shí)形成、數(shù)據(jù)線與源極/漏極同時(shí)形成，而柵線嵌入槽與柵極嵌入槽同時(shí)形成，和/或，數(shù)據(jù)線嵌入槽與源極嵌入槽和漏極嵌入槽同時(shí)形成，在不增加掩模數(shù)量的基礎(chǔ)上，就能達(dá)到有效地防止漏電的效果。[0117]實(shí)施例4 ：
[0118]本實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板包括實(shí)施例2中的薄膜晶體管。
[0119]本實(shí)施例的陣列基板中，包括柵線、數(shù)據(jù)線以及設(shè)置在由柵線與數(shù)據(jù)線交叉形成的像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管，薄膜晶體管采用實(shí)施例2中頂柵型的薄膜晶體管。
[0120]在本實(shí)施例中，柵極預(yù)形成層還延伸至像素區(qū)對應(yīng)著薄膜晶體管以外的其他區(qū)域，柵線與柵極同層設(shè)置、且與柵極電連接；或者，源漏預(yù)形成層還延伸至像素區(qū)對應(yīng)著薄膜晶體管以外的其他區(qū)域，數(shù)據(jù)線與源極同層設(shè)置、且與源極電連接。
[0121]具體的，對應(yīng)著實(shí)施例2中的薄膜晶體管，柵極預(yù)形成層在對應(yīng)著形成柵線的區(qū)域開設(shè)有柵線嵌入槽，柵線設(shè)置在柵線嵌入槽中；或者，源漏預(yù)形成層在對應(yīng)著形成數(shù)據(jù)線的區(qū)域開設(shè)有數(shù)據(jù)線嵌入槽，數(shù)據(jù)線設(shè)置在數(shù)據(jù)線嵌入槽中。其中，柵極的厚度與柵極的厚度相等，數(shù)據(jù)線的厚度與源極的厚度相等。
[0122]本實(shí)施例的陣列基板的其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施例3相同，具體的制備方法也可參考實(shí)施例3，這里不再贅述。
[0123]實(shí)施例5:
[0124]本實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括實(shí)施例3、4中的陣列基板。該顯示裝置可以為：液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0125]本實(shí)施例中，由于其中采用的陣列基板具有有效地防止漏電的效果，使得該顯示裝置具有良好的穩(wěn)定性和較好的顯示品質(zhì)。
[0126]本發(fā)明在薄膜晶體管 的制備過程中，先將無機(jī)材料形成在基板上，通過曝光、顯影、刻蝕形成與柵極圖形相同的溝槽；然后形成柵極，并使得柵極的厚度與溝槽的深度完全一致，形成以柵極金屬材料填充至溝槽中的完整圖形；然后再形成薄膜晶體管的其他膜層；和/或，使源極和漏極具有類似的層結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)能夠有效減緩柵極或源極和漏極因斜坡處的刻蝕缺陷所帶來的負(fù)面效果，對于解決涉及柵極金屬層膜、源漏金屬層膜沉積和刻蝕時(shí)發(fā)生不期望的缺陷特別有效，能從根本上杜絕后續(xù)膜層的不連續(xù)的可能，提高顯示裝置的品質(zhì)。
[0127]相應(yīng)的，本發(fā)明在采用上述薄膜晶體管的陣列基板中，將與柵極連接的柵線、與源極連接的數(shù)據(jù)線也形成在無機(jī)材料層中，在后續(xù)膜層的增加過程中使各導(dǎo)電膜層實(shí)現(xiàn)邊緣斜坡面積的減小，能有效減緩柵線、數(shù)據(jù)線因斜坡處的缺陷所帶來的負(fù)面效果，在像素逐步精細(xì)化的大背景下，使得顯示裝置獲得完美的顯示屏成為可能。
[0128]本發(fā)明所提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的制備方法，可以推廣至各種較多膜層的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)和制備方法中，其核心在于以其他材料先形成待成型的半導(dǎo)體器件圖形的溝槽，再在溝槽中填充形成半導(dǎo)體器件圖形相應(yīng)的材料，這種制備方法無須增加掩模數(shù)量，但能減少后續(xù)膜層受前續(xù)存在膜層存在的斜坡不完整的影響，能有效避免半導(dǎo)體器件出現(xiàn)漏電的可能。
[0129]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管，包括基板以及設(shè)置于所述基板上的柵極、同層設(shè)置的源極和漏極以及設(shè)置于所述柵極與所述源極和所述漏極之間的絕緣層，其特征在于，與所述柵極同層設(shè)置有柵極預(yù)形成層，所述柵極形成在所述柵極預(yù)形成層中；和/或，與所述源極和所述漏極同層設(shè)置有源漏預(yù)形成層，所述源極和所述漏極形成在所述源漏預(yù)形成層中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極設(shè)置在所述基板上，所述源極和所述漏極設(shè)置在所述柵極的上方，所述柵極預(yù)形成層在對應(yīng)著形成柵極的區(qū)域開設(shè)有柵極嵌入槽，所述柵極設(shè)置在所述柵極嵌入槽內(nèi)；和/或，所述源漏預(yù)形成層在對應(yīng)著形成所述源極的區(qū)域開設(shè)有源極嵌入槽、對應(yīng)著形成所述漏極的區(qū)域開設(shè)有漏極嵌入槽，所述源極設(shè)置在所述源極嵌入槽中，所述漏極設(shè)置在所述漏極嵌入槽中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極和所述漏極設(shè)置在所述基板上，所述柵極設(shè)置在所述源極和所述漏極的上方，所述源漏預(yù)形成層在對應(yīng)著形成所述源極的區(qū)域開設(shè)有源極嵌入槽、對應(yīng)著形成所述漏極的區(qū)域開設(shè)有漏極嵌入槽，所述源極設(shè)置在所述源極嵌入槽中，所述漏極設(shè)置在所述漏極嵌入槽中；和/或，所述柵極預(yù)形成層在對應(yīng)著形成所述柵極的區(qū)域開設(shè)有柵極嵌入槽，所述柵極設(shè)置在所述柵極嵌入槽內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極預(yù)形成層與所述源漏預(yù)形成層均采用無機(jī)材料形成，所述無機(jī)材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極的厚度與所述柵極預(yù)形成層的厚度相同，所述源極和所述漏極的厚度與所述源漏預(yù)形成層的厚度相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極和所述漏極之間還設(shè)置有有源層，且所述有源層分別與所述源極和所述漏極在正投影方向上至少部分重疊，所述有源層采用非晶硅材料形成；或者，所述有源層采用氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦錫或氧化銦鎵錫形成。
7.—種陣列基板，包括柵線、數(shù)據(jù)線以及設(shè)置在由所述柵線與所述數(shù)據(jù)線交叉形成的像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管采用權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極預(yù)形成層還延伸至所述像素區(qū)對應(yīng)著所述薄膜晶體管以外的其他區(qū)域，所述柵線與所述柵極同層設(shè)置、且與所述柵極電連接；或者，所述源漏預(yù)形成層還延伸至所述像素區(qū)對應(yīng)著所述薄膜晶體管以外的其他區(qū)域，所述數(shù)據(jù)線與所述源極同層設(shè)置、且與所述源極電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極預(yù)形成層在對應(yīng)著形成柵線的區(qū)域開設(shè)有柵線嵌入槽，所述柵線設(shè)置在所述柵線嵌入槽中；或者，所述源漏預(yù)形成層在對應(yīng)著形成數(shù)據(jù)線的區(qū)域開設(shè)有數(shù)據(jù)線嵌入槽，所述數(shù)據(jù)線設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線嵌入槽中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極的厚度與所述柵極的厚度相等，所述數(shù)據(jù)線的厚度與所述源極的厚度相等。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求7-10任一項(xiàng)所述的陣列基板。
12.一種薄膜晶體管的制備方法，包括在基板上形成柵極、形成源極和漏極以及形成所述柵極與所述源極和所述漏極之間的柵絕緣層的步驟，其特征在于，還包括形成與所述柵極同層的柵極預(yù)形成層，將所述柵極形成在所述柵極預(yù)形成層中的步驟；和/或，還包括形成所述源極和所述漏極同層的源漏預(yù)形成層，將所述源極和所述漏極形成在所述源漏預(yù)形成層中的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，在形成所述柵極之前，先形成包括柵極預(yù)形成層以及開設(shè)在所述柵極預(yù)形成層中的柵極嵌入槽的圖形；然后，在所述柵極嵌入槽內(nèi)形成包括所述柵極的圖形； 或者，在形成所述源極和所述漏極之前，先形成包括源漏預(yù)形成層以及開設(shè)在所述源漏預(yù)形成層中的源極嵌入槽和漏極嵌入槽的圖形；然后，在所述源極嵌入槽內(nèi)形成包括所述源極的圖形，以及在所述漏極嵌入槽內(nèi)形成包括所述漏極的圖形。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制備方法，其特征在于，采用構(gòu)圖工藝形成包括所述柵極預(yù)形成層以及所述柵極的圖形，形成所述柵極預(yù)形成層以及形成所述柵極采用同一掩模板；或者，采用構(gòu)圖工藝形成包括所述柵極預(yù)形成層的圖形，以及采用熔融灌注方式將所述柵極形成在所述柵極預(yù)形成層的所述柵極嵌入槽中； 或者，采用構(gòu)圖工藝形成包括所述源漏預(yù)形成層以及所述源極和所述漏極的圖形，形成所述源漏預(yù)形成層以及形成所述源極和所述漏極采用同一掩模板；或者，采用構(gòu)圖工藝形成包括所述源漏預(yù)形成層的圖形，以及采用熔融灌注方式將所述源極和所述漏極形成在所述源漏預(yù)形成層的所述源極嵌入槽和所述漏極嵌入槽中。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制備方法，其特征在于，所述柵極預(yù)形成層與所述源漏預(yù)形成層采用無機(jī)材料形成，所述無機(jī)材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制備方法，其特征在于，所述柵極的厚度與所述柵極預(yù)形成層的厚度相同，所述源極和所述漏極的厚度與所述源漏預(yù)形成層的厚度相同。
17.一種陣列基板的制備方法，包括形成柵線、數(shù)據(jù)線以及形成設(shè)置在由所述柵線與所述數(shù)據(jù)線交叉形成的像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的步驟，其特征在于，形成所述薄膜晶體管采用權(quán)利要求12-16任一所述的薄膜晶體管的制備方法。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制備方法，其特征在于，將所述柵極預(yù)形成層延伸至所述像素區(qū)對應(yīng)著所述薄膜晶體管以外的其他區(qū)域，使得所述柵線與所述柵極同層形成、且與所述柵極電連接；或者，將所述源漏預(yù)形成層還延伸至所述像素區(qū)對應(yīng)著所述薄膜晶體管以外的其他區(qū)域，使得所述數(shù)據(jù)線與所述源極同層形成、且與所述源極電連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制備方法，其特征在于，在所述柵極預(yù)形成層對應(yīng)著形成所述柵線的區(qū)域形成柵線嵌入槽，將所述柵線形成在所述柵線嵌入槽中；或者，在所述源漏預(yù)形成層對應(yīng)著形成所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域形成數(shù)據(jù)線嵌入槽，將所述數(shù)據(jù)線形成在所述數(shù)據(jù)線嵌入槽中。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制備方法，其特征在于，所述柵極的厚度與所述柵極的厚度相等，所述數(shù)據(jù)線的厚度與所述源極的厚度相等。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK103489922SQ201310461867
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】孫宏達(dá), 成軍, 王美麗, 孔祥永 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司