圖形化方法
【專利摘要】一種圖形化方法，包括：提供待刻蝕層；在所述待刻蝕層上由下至上依次形成富碳層和有機(jī)介質(zhì)層；在所述有機(jī)介質(zhì)層上形成圖形化的光刻膠；以所述圖形化的光刻膠為掩膜，刻蝕所述有機(jī)介質(zhì)層和所述富碳層，形成圖形化的有機(jī)介質(zhì)層和圖形化的富碳層，所述圖形化的有機(jī)介質(zhì)層和圖形化的富碳層中形成了窗口，所述窗口側(cè)壁和圖形化的有機(jī)介質(zhì)層上表面附著有殘?jiān)?；去除所述殘?jiān)蝗コ鰵堅(jiān)?，通過所述窗口刻蝕所述待刻蝕層，形成圖形化的待刻蝕層。本發(fā)明提供的圖形化方法得到的圖形化的待刻蝕層形貌良好，且尺寸精確。
【專利說明】圖形化方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及到一種圖形化方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體集成電路制造工藝中，通過一系列的工序，如淀積、光刻、刻蝕、平坦化等，在半導(dǎo)體襯底上形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。其中，光刻工藝用于形成圖形化的光刻膠，定義出待刻蝕區(qū)域。而刻蝕工藝用于將圖形化的光刻膠中的圖形轉(zhuǎn)移至待刻蝕層中，在所述待刻蝕層中形成所需結(jié)構(gòu)。
[0003]以刻蝕層間介質(zhì)層以形成通孔為例，為了增強(qiáng)圖形的轉(zhuǎn)移精度，一般先將圖形化的光刻膠中的圖案轉(zhuǎn)移至硬掩膜層中，然后以圖形化的硬掩膜層為掩膜，將圖形轉(zhuǎn)移至層間介質(zhì)層中。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，圖形化層間介質(zhì)層的方法包括:
[0005]參考圖1，提供基底1，在所述基底I上由下至上依次形成層間介質(zhì)層2、硬掩膜層3、富碳層4、有機(jī)介質(zhì)層(ODL) 5、底部抗反射層6和圖形化的光刻膠7。
[0006]其中，富碳層4用作刻蝕硬掩膜層3的掩膜，以圖形化的富碳層為掩膜，刻蝕硬掩膜層3，可以在硬掩膜層3中形成側(cè)壁形貌良好，且側(cè)壁垂直的窗口。
[0007]有機(jī)介質(zhì)層5用作刻蝕富碳層4的掩膜。如果富碳層4中已形成有圖形，所述有機(jī)介質(zhì)層5由于具有很好的填充性能，還可以作為填充材料，為后續(xù)形成底部抗反射層6提供平坦的上表面。
[0008]所述底部抗反射層6用于減小光刻膠曝光時(shí)的反射效應(yīng)，以實(shí)現(xiàn)精細(xì)圖案的精確轉(zhuǎn)移。
[0009]參考圖2，以所述圖形化的光刻膠7為掩膜，刻蝕所述底部抗反射層6、有機(jī)介質(zhì)層5和富碳層4，形成圖形化的底部抗反射層61、圖形化的有機(jī)介質(zhì)層51和圖形化的富碳層41。所述圖形化的富碳層41中形成窗口。
[0010]參考圖3，去除所述圖形化的光刻膠7、圖形化的底部抗反射層61和圖形化的有機(jī)介質(zhì)層51。
[0011]參考圖4，以所述圖形化的富碳層41為掩膜，刻蝕所述硬掩膜層3，形成圖形化的硬掩膜層31。
[0012]參考圖5，以所述圖形化的富碳層41和所述圖形化的硬掩膜層31為掩膜，刻蝕所述層間介質(zhì)層2，形成圖形化的層間介質(zhì)層21。然后去除所述圖形化的富碳層41和所述圖形化的硬掩膜層31。
[0013]實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，由此方法得到的圖形化的層間介質(zhì)層21形貌不好，且尺寸不精確。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有技術(shù)中，圖形化得到的圖形化的層間介質(zhì)層形貌不好和尺寸不精確。
[0015]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種圖形化方法，包括:提供待刻蝕層；在所述待刻蝕層上由下至上依次形成富碳層和有機(jī)介質(zhì)層；在所述有機(jī)介質(zhì)層上形成圖形化的光刻膠；以所述圖形化的光刻膠為掩膜，刻蝕所述有機(jī)介質(zhì)層和所述富碳層，在所述有機(jī)介質(zhì)層和富碳層中形成了窗口，所述窗口側(cè)壁和底部附著有殘?jiān)?；去除所述殘?jiān)?；去除所述殘?jiān)?，通過所述窗口刻蝕所述待刻蝕層，形成圖形化的待刻蝕層。
[0016]可選的，使用N2和H2的等離子體刻蝕所述有機(jī)介質(zhì)層。
[0017]可選的，使用氟碳基等離子體刻蝕所述富碳層。
[0018]可選的，所述氟碳基等離子體為CF4等離子體或CHF3等離子體。
[0019]可選的，在所述有機(jī)介質(zhì)層上形成圖形化的光刻膠前，在所述有機(jī)介質(zhì)層上形成底部抗反射層，所述圖形化的光刻膠形成在所述底部抗反射層上。
[0020]可選的，去除所述殘?jiān)?，刻蝕所述待刻蝕層前，還包括:去除所述有機(jī)介質(zhì)層；或者，形成所述窗口后，去除所述殘?jiān)?，還包括:去除所述有機(jī)介質(zhì)層。
[0021]可選的，所述底部抗反射層為含硅底部抗反射層。
[0022]可選的，使用O2和CF4等離子體刻蝕去除所述殘?jiān)?br> [0023]可選的，刻蝕去除所述殘?jiān)鼤r(shí)，待刻蝕層上施加的偏置電壓為O。
[0024]可選的，去除所述殘?jiān)螅涛g所述待刻蝕層前，還包括:去除所述有機(jī)介質(zhì)層。
[0025]可選的，使用O2和N2等離子體刻蝕去除所述有機(jī)介質(zhì)層。
[0026]可選的，所述待刻蝕層為硬掩膜層。
[0027]可選的，所述硬掩膜層為氮化鈦層、氮化硅層或氮氧硅層。
[0028]可選的，所述富碳層為S1C層或SiC層。
[0029]可選的，去除有機(jī)介質(zhì)層以及殘?jiān)?，刻蝕所述待刻蝕層前，還包括:重復(fù)所述形成有機(jī)介質(zhì)層、圖形化的光刻膠、刻蝕所述有機(jī)介質(zhì)層和所述富碳層的步驟，以在有機(jī)介質(zhì)層和富碳層中的另一位置形成窗口，重復(fù)去除殘?jiān)牟襟E。
[0030]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0031]在刻蝕所述待刻蝕層之前，去除所述窗口側(cè)壁和圖形化的有機(jī)介質(zhì)層上表面的殘?jiān)Ｈコ鰵堅(jiān)梢蕴岣叽翱趥?cè)壁的形貌，通過所述窗口刻蝕所述待刻蝕層后，得到的圖形化的待刻蝕層也具有良好的形貌，且尺寸精確。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1至圖5是現(xiàn)有技術(shù)中圖形化方法各步驟的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖6至圖12是本發(fā)明第一實(shí)施例中圖形化方法各步驟的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖13至圖22是本發(fā)明第二實(shí)施例中圖形化方法各步驟的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0035]刻蝕所述富碳層4時(shí)，不可避免的會(huì)對(duì)圖形化的有機(jī)介質(zhì)層51再進(jìn)行刻蝕，即刻蝕氣體與富碳層4、圖形化的有機(jī)介質(zhì)層51反應(yīng)，該反應(yīng)會(huì)生成一些分子量很大的高分子及一些其他非揮發(fā)的產(chǎn)物，這些非揮發(fā)的產(chǎn)物難以被刻蝕氣體帶走，作為殘?jiān)街诖翱诘膫?cè)壁和圖形化的有機(jī)介質(zhì)層51的上表面。殘?jiān)拇嬖跁?huì)影響后續(xù)的刻蝕工藝，造成圖形化的硬掩膜層的形貌變差，從而造成圖形化的層間介質(zhì)層21的形貌變差、尺寸不精確。
[0036]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。
[0037]第一實(shí)施例
[0038]本實(shí)施例提供一種圖形化方法，包括:
[0039]參考圖6，提供待刻蝕層110。
[0040]在具體實(shí)施例中，所述待刻蝕層110可以為硬掩膜層，如氮化鈦層、氮化硅層或氮氧硅層等本領(lǐng)域所熟知的硬掩膜層。
[0041]參考圖7，在所述待刻蝕層110上由下至上依次形成富碳層120、有機(jī)介質(zhì)層130、底部抗反射層140和圖形化的光刻膠150。
[0042]其中，富碳層120用作刻蝕待刻蝕層110的掩膜，以圖形化的富碳層為掩膜，刻蝕所述待刻蝕層110，可以在待刻蝕層110中形成側(cè)壁形貌良好，且側(cè)壁垂直的窗口。
[0043]在具體實(shí)施例中，所述富碳層120為S1C層、SiC層或本領(lǐng)域所熟知的其他富碳層。
[0044]有機(jī)介質(zhì)層130用作刻蝕富碳層120的掩膜。如果富碳層120中已形成有圖形，所述有機(jī)介質(zhì)層130由于具有很好的填充性能，還可以作為填充材料，為后續(xù)形成底部抗反射層140提供平坦的上表面。
[0045]所述底部抗反射層140用于減小光刻膠曝光時(shí)的反射效應(yīng)，以實(shí)現(xiàn)精細(xì)圖案的精確轉(zhuǎn)移。
[0046]在具體實(shí)施例中，為了增加曝光過程中曝光景深(D0F)，實(shí)現(xiàn)光刻膠的均勻曝光，所述底部抗反射層140可以為含Si底部抗反射層(S1-ARC)。由于含Si底部抗反射層硬度較大，還可以作為刻蝕所述有機(jī)介質(zhì)層130的掩膜。
[0047]參考圖8，以所述圖形化的光刻膠150為掩膜，刻蝕所述底部抗反射層140、有機(jī)介質(zhì)層130和富碳層120，形成圖形化的底部抗反射層、圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131和圖形化的富碳層121。然后去除所述圖形化的光刻膠150和圖形化的底部抗反射層。
[0048]所述圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131和圖形化的富碳層121中形成了窗口 101。
[0049]在具體實(shí)施例中，使用CF4等離子體刻蝕所述底部抗反射層140 ;然后，使用N2和H2的等離子體刻蝕所述有機(jī)介質(zhì)層130 ;再使用氟碳基等離子體刻蝕所述富碳層120，如CF4等離子體或CHF3等離子體。
[0050]刻蝕所述富碳層120時(shí)，不可避免的會(huì)對(duì)圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131和圖形化的底部抗反射層再進(jìn)行刻蝕，即刻蝕氣體與富碳層120、圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131、圖形化的底部抗反射層反應(yīng)，該反應(yīng)會(huì)生成一些非揮發(fā)的、分子量很大的高分子及一些其他非揮發(fā)的產(chǎn)物，這些非揮發(fā)的產(chǎn)物難以被刻蝕氣體帶走。去除所述圖形化的光刻膠150和圖形化的底部抗反射層后，這些非揮發(fā)的產(chǎn)物會(huì)作為殘?jiān)?02附著在窗口 101的側(cè)壁和圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131上表面。
[0051]窗口 101的側(cè)壁附著的殘?jiān)?02會(huì)影響后續(xù)的刻蝕工藝，造成圖形化的待刻蝕層的形貌變差、尺寸不精確。圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131上表面附著的殘?jiān)?02很可能在后續(xù)刻蝕中，被刻蝕氣體帶入窗口 101內(nèi)；或去除圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131后，這些殘?jiān)D(zhuǎn)移到圖形化的富碳層121的上表面；也會(huì)影響后續(xù)的刻蝕工藝，造成圖形化的待刻蝕層的形貌變差、尺寸不精確。
[0052]由于刻蝕氣體會(huì)轟擊窗口 101的底部，所以窗口 101底部附著的殘?jiān)?02較少，不會(huì)阻礙刻蝕的進(jìn)行，也不會(huì)響應(yīng)圖形化的待刻蝕層的形貌。
[0053]參考圖9，去除所述殘?jiān)?02。
[0054]由于殘?jiān)?02的成分絕大部分是高分子材料，由于底部抗反射層140為含硅底部抗反射層，所以殘?jiān)?02中還有含硅的非揮發(fā)物質(zhì)。
[0055]在具體實(shí)施例中，使用O2和CF4等離子體刻蝕去除所述殘?jiān)?02。所述O2等離子體用于刻蝕去除殘?jiān)?02中的高分子材料，所述CF4等離子體用于刻蝕去除所述殘?jiān)?02中的含硅的非揮發(fā)物質(zhì)。
[0056]去除所述殘?jiān)?02時(shí)，為了不損傷所述待刻蝕層110，等離子體刻蝕時(shí)，所述待刻蝕層110上不施加偏置電壓，即待刻蝕層110上施加的偏置電壓為O。所述待刻蝕層110上不施加偏置電壓可以減弱等離子體刻蝕對(duì)所述待刻蝕層110的刻蝕。
[0057]如果不去除所述殘?jiān)?02，以所述圖形化的富碳層121為掩膜，刻蝕所述待刻蝕層110時(shí)，會(huì)使形成的圖形化的待刻蝕層形貌很差，且尺寸不精確。在本實(shí)施例中，去除所述殘?jiān)?02，可以優(yōu)化所述圖形化的富碳層121的形貌，最終得到形貌良好、尺寸精確的圖形化的待刻蝕層。
[0058]參考圖10，去除所述圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131。
[0059]在具體實(shí)施例中，使用O2和N2等離子體刻蝕去除所述圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131。
[0060]如果不去除所述圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131，刻蝕所述待刻蝕層110時(shí)，刻蝕所述待刻蝕層110的等離子體難以進(jìn)入窗口 101，并與待刻蝕層110反應(yīng)，進(jìn)而影響待刻蝕層110的刻蝕。
[0061]所以，去除所述圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131，有利于以所述圖形化的富碳層121為掩膜，刻蝕所述待刻蝕層110，
[0062]參考圖11，以所述圖形化的富碳層121為掩膜，刻蝕所述待刻蝕層110，形成圖形化的待刻蝕層111。
[0063]參考圖12，去除所述圖形化的富碳層121。所述圖形化的待刻蝕層111具有良好的形貌和精確的尺寸。
[0064]若待刻蝕層110為硬掩膜層，由于圖形化的待刻蝕層111具有良好的形貌和精確的尺寸，以所述圖形化的待刻蝕層111為掩膜，可以其他材料層時(shí)，也可以在其他材料層中得到良好的形貌和精確的尺寸。
[0065]以上描述以在去除所述殘?jiān)?02之后，再去除所述圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131為例，對(duì)圖形化方法進(jìn)行描述。在其他實(shí)施例中，也可以先去除圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131，再去除所述殘?jiān)?02。
[0066]以上描述以去除所述圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131為例，對(duì)圖形化方法進(jìn)行描述。在其他實(shí)施例中，也可以不去除所述圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131。
[0067]以上描述以形成底部抗反射層140為例，對(duì)圖形化方法進(jìn)行描述。在其他實(shí)施例中，也可以不形成底部抗反射層140。
[0068]第二實(shí)施例
[0069]本實(shí)施例與第一實(shí)施例的區(qū)別在于:形成所述圖形化的待刻蝕層的方法為二次刻蝕雙重圖形(DEDP)法刻蝕工藝。所述二次刻蝕雙重圖形法采用曝光-刻蝕-曝光-刻蝕(LELE)的雙重圖形法。
[0070]本實(shí)施例的圖形化方法包括:
[0071]參考圖13，提供待刻蝕層110，在所述待刻蝕層110上由下至上依次形成富碳層
120、有機(jī)介質(zhì)層130、底部抗反射層140和圖形化的光刻膠150。
[0072]該步驟可以參考第一實(shí)施例中的相關(guān)步驟。
[0073]參考圖14，以圖形化的光刻膠150為掩膜，刻蝕底部抗反射層140、有機(jī)介質(zhì)層130和富碳層120，形成圖形化的底部抗反射層、圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131和圖形化的富碳層
121。然后，去除所述圖形化的光刻膠150和圖形化的底部抗反射層。
[0074]所述圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131和圖形化的富碳層121中形成了窗口 101，所述窗口101的側(cè)壁和所述圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131的上表面附著有殘?jiān)?02。
[0075]該步驟可以參考第一實(shí)施例中的相關(guān)步驟。
[0076]參考圖15，去除所述殘?jiān)?02。
[0077]該步驟可以參考第一實(shí)施例中的相關(guān)步驟。
[0078]參考圖16，去除所述圖形化的有機(jī)介質(zhì)層131。
[0079]參考圖17，在所述圖形化的富碳層121上由下至上依次形成有機(jī)介質(zhì)層132、底部抗反射層141和圖形化的光刻膠151。
[0080]有機(jī)介質(zhì)層132填充了所述圖形化的富碳層121中形成的窗口，為后續(xù)形成底部抗反射層141提供了平坦的上表面。
[0081]該步驟可以參考第一實(shí)施例中的相關(guān)步驟。
[0082]參考圖18，以圖形化的光刻膠151為掩膜，刻蝕所述底部抗反射層141、有機(jī)介質(zhì)層132和圖形化的富碳層121，形成圖形化的底部抗反射層、圖形化的有機(jī)介質(zhì)層133和圖形化的富碳層122。然后，去除所述圖形化的光刻膠151和圖形化的底部抗反射層。
[0083]所述圖形化的有機(jī)介質(zhì)層133和圖形化的富碳層122中形成了窗口 103，所述窗口103的側(cè)壁和所述圖形化的有機(jī)介質(zhì)層133的上表面附著有殘?jiān)?04。
[0084]該步驟可以參考第一實(shí)施例中的相關(guān)步驟。
[0085]參考圖19，去除所述殘?jiān)?04。
[0086]該步驟可以參考第一實(shí)施例中的相關(guān)步驟。
[0087]參考圖20，去除所述圖形化的有機(jī)介質(zhì)層133。
[0088]參考圖21，以所述圖形化的富碳層122為掩膜刻蝕所述待刻蝕層110，形成圖形化的待刻蝕層111。
[0089]該步驟可以參考第一實(shí)施例中的相關(guān)步驟。
[0090]參考圖22，去除所述圖形化的富碳層122。
[0091]該步驟可以參考第一實(shí)施例中的相關(guān)步驟。
[0092]也就是說，第二實(shí)施例相對(duì)于第一實(shí)施例，在去除有機(jī)介質(zhì)層以及殘?jiān)螅涛g所述待刻蝕層前，還包括:重復(fù)所述形成有機(jī)介質(zhì)層、圖形化的光刻膠、刻蝕所述有機(jī)介質(zhì)層和所述富碳層的步驟，以在有機(jī)介質(zhì)層和富碳層中的另一位置形成窗口，重復(fù)去除殘?jiān)牟襟E。雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種圖形化方法，其特征在于，包括: 提供待刻蝕層； 在所述待刻蝕層上由下至上依次形成富碳層和有機(jī)介質(zhì)層； 在所述有機(jī)介質(zhì)層上形成圖形化的光刻膠； 以所述圖形化的光刻膠為掩膜，刻蝕所述有機(jī)介質(zhì)層和所述富碳層，形成圖形化的有機(jī)介質(zhì)層和圖形化的富碳層，所述圖形化的有機(jī)介質(zhì)層和圖形化的富碳層中形成了窗口，所述窗口側(cè)壁和圖形化的有機(jī)介質(zhì)層上表面附著有殘?jiān)? 去除所述殘?jiān)? 去除所述殘?jiān)?，通過所述窗口刻蝕所述待刻蝕層，形成圖形化的待刻蝕層。
2.如權(quán)利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，使用N2和H2的等離子體刻蝕所述有機(jī)介質(zhì)層。
3.如權(quán)利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，使用氟碳基等離子體刻蝕所述富碳層。
4.如權(quán)利要求3所述的圖形化方法，其特征在于，所述氟碳基等離子體為CF4等離子體或CHF3等離子體。
5.如權(quán)利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，在所述有機(jī)介質(zhì)層上形成圖形化的光刻膠前，在所述有機(jī)介質(zhì)層上形成底部抗反射層，所述圖形化的光刻膠形成在所述底部抗反射層上。
6.如權(quán)利要求5所述的圖形化方法，其特征在于，形成所述窗口后，去除所述殘?jiān)埃€包括: 去除所述圖形化的光刻膠和底部抗反射層。
7.如權(quán)利要求5所述的圖形化方法，其特征在于，所述底部抗反射層為含硅底部抗反射層。
8.如權(quán)利要求1或7所述的圖形化方法，其特征在于，使用O2和CF4等離子體刻蝕去除所述殘?jiān)?br> 9.如權(quán)利要求8所述的圖形化方法，其特征在于，刻蝕去除所述殘?jiān)鼤r(shí)，待刻蝕層上施加的偏置電壓為O。
10.如權(quán)利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，去除所述殘?jiān)?，刻蝕所述待刻蝕層前，還包括:去除所述有機(jī)介質(zhì)層；或者， 形成所述窗口后，去除所述殘?jiān)埃€包括:去除所述有機(jī)介質(zhì)層。
11.如權(quán)利要求10所述的圖形化方法，其特征在于，使用O2和N2等離子體刻蝕去除所述有機(jī)介質(zhì)層。
12.如權(quán)利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，所述待刻蝕層為硬掩膜層。
13.如權(quán)利要求12所述的圖形化方法，其特征在于，所述硬掩膜層為氮化鈦層、氮化硅層或氮氧硅層。
14.如權(quán)利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，所述富碳層為S1C層或SiC層。
15.如權(quán)利要求10所述的圖形化方法，其特征在于，去除有機(jī)介質(zhì)層以及殘?jiān)?，刻蝕所述待刻蝕層前，還包括:重復(fù)所述形成有機(jī)介質(zhì)層、圖形化的光刻膠、刻蝕所述有機(jī)介質(zhì)層和所述富碳層的步驟，以在有機(jī)介質(zhì)層和富碳層中的另一位置形成窗口，重復(fù)去除殘?jiān)牟襟E。
【文檔編號(hào)】H01L21/033GK104425221SQ201310382866
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年8月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月28日
【發(fā)明者】周俊卿, 張海洋 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司