射頻ldmos器件及其制造方法
【專利摘要】本申請公開了一種射頻LDMOS器件，包括漏區(qū)，在漏區(qū)之上具有柵氧化層，位于漏區(qū)正上方的柵氧化層被部分去除掉而形成一個(gè)窗口；在漏區(qū)和柵氧化層之上還具有多晶硅塞，多晶硅塞的一部分完全填充所述窗口而與漏區(qū)相接觸，多晶硅塞的另一部分在柵氧化層之上；其特征是，所述漏區(qū)的摻雜濃度呈現(xiàn)為梯度變化；在垂直和水平方向上，越靠近多晶硅塞與漏區(qū)相接觸的部位，漏區(qū)的摻雜濃度越高；反之亦然。本申請還公開了所述射頻LDMOS器件的制造方法。本申請可以提高器件的擊穿電壓，改善軟泄漏現(xiàn)象，并降低器件的輸出電容。
【專利說明】射頻LDMOS器件及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請涉及一種半導(dǎo)體集成電路器件，特別是涉及一種射頻LDMOS(橫向擴(kuò)散MOS 晶體管）器件。

【背景技術(shù)】
[0002] 請參閱圖1，這是一種現(xiàn)有的射頻LDMOS器件。在重?fù)诫sp型襯底1之上具有輕摻 雜P型外延層2。在外延層2中具有p型體區(qū)3和η型漂移區(qū)6,兩者的側(cè)面可以接觸或不 接觸。在體區(qū)3中具有重?fù)诫sη型源區(qū)4和重?fù)诫sρ型體區(qū)引出區(qū)5,兩者的側(cè)面相接觸。 體區(qū)引出區(qū)5用于將體區(qū)3對外引出。在漂移區(qū)6中具有重?fù)诫sη型漏區(qū)7。在部分源區(qū) 4 一直延伸到漏區(qū)7之上具有柵氧化層8,其底面接觸有源區(qū)4、體區(qū)3、外延層2(如果體區(qū) 3和漂移區(qū)6的側(cè)面相接觸，則柵氧化層8底面不接觸外延層2)、漂移區(qū)6、漏區(qū)7。位于漏 區(qū)7正上方的柵氧化層8被部分去除掉而形成一個(gè)窗口，該窗口將漏區(qū)7的上表面部分暴 露出來。在部分柵氧化層8之上具有多晶硅柵極9,其僅在體區(qū)3和外延層2的上方。在漏 區(qū)7和柵氧化層8之上具有重?fù)诫sη型多晶娃塞（polyplug) 10,用于將漏區(qū)7對外引出 且降低源漏電容Cds。多晶硅塞10的一部分完全填充柵氧化層8位于漏區(qū)7正上方的窗口 而與漏區(qū)7的上表面相接觸，多晶硅塞10的另一部分在柵氧化層8之上。在體區(qū)引出區(qū)5 和源區(qū)4之上、柵極9之上、多晶硅塞10之上各具有金屬硅化物12。在上述各部分結(jié)構(gòu)之 上具有金屬前介質(zhì)（PMD，PremetalDielectric) 11。未圖示的金屬電極穿越該金屬前介質(zhì) 11而連接各個(gè)金屬硅化物12的上表面。
[0003] 在圖1所示的現(xiàn)有的射頻LDMOS器件中，漏區(qū)7的制造方法是：先對多晶硅塞10 進(jìn)行一次或多次離子注入，使多晶硅塞10呈現(xiàn)摻雜基本均勻的η型重?fù)诫s。再進(jìn)行退火工 藝，一方面使多晶硅塞10的摻雜變得更為均勻，另一方面多晶硅塞10中的η型雜質(zhì)通過與 漂移區(qū)6的接觸位置向硅材料中擴(kuò)散，從而在漂移區(qū)6中形成漏區(qū)7。漏區(qū)7的摻雜濃度在 垂直方向上均勻減小，如圖5a所示。
[0004] 因此，現(xiàn)有的射頻LDMOS器件中，重?fù)诫s的η型漏區(qū)7的最外圍與輕摻雜的η型漂 移區(qū)6之間形成了摻雜濃度的陡變。在射頻LDMOS器件耗盡過程中，當(dāng)耗盡區(qū)到達(dá)漏區(qū)7 邊界時(shí)，耗盡區(qū)幾乎不再展寬。在漂移區(qū)6完全耗盡后，整個(gè)漂移區(qū)6就相當(dāng)于一個(gè)電阻， 這被稱為電阻電流效應(yīng)。然后隨著電壓上升，漂移區(qū)6將承受更多的壓降，導(dǎo)致反向電流增 力口，即表現(xiàn)為反向擊穿曲線中的軟泄漏（softleakage)現(xiàn)象。
[0005] 射頻LDMOS器件的擊穿電壓對于其應(yīng)用具有決定性作用，是一個(gè)非常重要的器件 參數(shù)。而由于漂移區(qū)的電流電阻效應(yīng)而產(chǎn)生的的軟泄漏則直接影響其放大失真程度，好的 射頻LDMOS器件擁有更好的線性放大區(qū)。射頻LDMOS器件的輸出電容對于其射頻性能更是 有著很大的限制。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本申請所要解決的技術(shù)問題是提供一種新型的射頻LDMOS器件，可以提高擊穿電 壓、改善軟泄漏表現(xiàn)、降低輸出電容。為此，本申請還要提供所述射頻LDMOS器件的制造方 法。
[0007] 為解決上述技術(shù)問題，本申請射頻LDMOS器件包括漏區(qū)，在漏區(qū)之上具有柵氧化 層，位于漏區(qū)正上方的柵氧化層被部分去除掉而形成一個(gè)窗口；在漏區(qū)和柵氧化層之上還 具有多晶娃塞，多晶娃塞的一部分完全填充所述窗口而與漏區(qū)相接觸，多晶娃塞的另一部 分在柵氧化層之上；所述漏區(qū)的摻雜濃度呈現(xiàn)為臺(tái)階狀的梯度變化；在垂直和水平方向 上，越靠近多晶硅塞與漏區(qū)相接觸的部位，漏區(qū)的摻雜濃度越高；反之亦然。
[0008] 所述射頻LDMOS器件的制造方法為：
[0009] 第1步，在襯底上外延生長出一層外延層；
[0010] 第2步，在外延層上熱氧化生長出一層?xùn)叛趸瘜樱缓笠怨饪毯碗x子注入工藝在 外延層中形成漂移區(qū)，然后以光刻和刻蝕工藝將漂移區(qū)上方的柵氧化層部分地去除掉而形 成一個(gè)柵氧化層窗口；
[0011] 第3步，在柵氧化層之上淀積一層多晶硅，或者淀積時(shí)原位摻雜，或者淀積后離子 注入；然后以光刻工藝將柵氧化層窗口正上方的多晶硅覆蓋住，而對其余位置的多晶硅進(jìn) 行離子注入，這使得該多晶硅層的雜質(zhì)分布在水平方向上不均勻；
[0012] 第4步，采用光刻和刻蝕工藝對該層多晶硅進(jìn)行刻蝕，形成多晶硅柵極和多晶硅 塞；多晶娃塞的底部將柵氧化層窗口完全填充并向外擴(kuò)展；
[0013] 第5步，采用離子注入工藝在外延層中形成體區(qū)；
[0014] 第6步，采用光刻和離子注入工藝同時(shí)對體區(qū)和多晶硅塞進(jìn)行離子注入，在體區(qū) 中形成源區(qū)；多晶硅塞四周均被光刻膠所覆蓋，多晶硅塞的上方未被光刻膠所覆蓋；
[0015] 第7步，采用光刻和離子注入工藝在體區(qū)中形成體區(qū)引出區(qū)；
[0016] 第8步，進(jìn)行退火工藝，使離子注入的柵極、多晶硅塞、源區(qū)、體區(qū)引出區(qū)的雜質(zhì)擴(kuò) 散均勻；多晶硅塞中的雜質(zhì)還向漂移區(qū)中擴(kuò)散而形成漏區(qū)；由于多晶硅塞中的雜質(zhì)在水平 方向分布不均勻，在垂直方向又有擴(kuò)散的距離差，而使得漏區(qū)的摻雜濃度呈現(xiàn)梯度分布，即 在垂直和水平方向，越靠近漏區(qū)與多晶硅塞相接觸的部位，漏區(qū)的摻雜濃度越高；反之亦 然；然后在體區(qū)引出區(qū)和源區(qū)的上方、柵極的上方、多晶硅塞的上方同時(shí)形成相互獨(dú)立的金 屬硅化物；
[0017] 第9步，在硅片上方淀積金屬前介質(zhì)。
[0018] 本申請射頻LDMOS器件中的漏區(qū)不再是均勻的摻雜分布，而是在垂直和水平方向 上均呈梯度變化的摻雜分布。這樣當(dāng)耗盡區(qū)到達(dá)漏區(qū)7邊界時(shí)，漏區(qū)7最淡的部分、次淡的 部分都可能被依次耗盡，漏區(qū)7的耗盡部分承受了部分電壓，便提高了器件的擊穿電壓。另 一方面，耗盡區(qū)抵達(dá)漏區(qū)7之后仍在展寬，這便推遲了電阻電流效應(yīng)的發(fā)生時(shí)間，從而改善 了軟泄漏現(xiàn)象。而漏區(qū)7從最外圍到核心的摻雜濃度呈現(xiàn)從小到大的梯度遞變，使得耗盡 區(qū)在漏區(qū)7中的展寬進(jìn)行地非常平緩，這就降低了器件的輸出電容。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019] 圖1是一種現(xiàn)有的射頻LDMOS器件的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0020] 圖2是本申請的射頻LDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021] 圖3a?圖3i是本申請的射頻LDMOS器件的制造方法第一實(shí)施例各步驟示意圖；
[0022] 圖4a、圖4b是本申請的射頻LDMOS器件的制造方法第二實(shí)施例與第一實(shí)施例有區(qū) 別的兩個(gè)步驟示意圖；
[0023] 圖5a、圖5b分別是現(xiàn)有的、本申請的漏區(qū)的摻雜濃度在垂直方向的分布示意圖。
[0024] 圖中附圖標(biāo)記說明：
[0025] 1為襯底；2為外延層；2a為隔離結(jié)構(gòu)；3為體區(qū)；4為源區(qū)；5為體區(qū)引出區(qū)；6為 漂移區(qū)；7為漏區(qū)；8為柵氧化層；9為柵極；10為多晶硅塞；11為金屬前介質(zhì)；12為金屬硅 化物；13為光刻膠。

【具體實(shí)施方式】
[0026] 請參閱圖2,這是本申請的射頻LDMOS器件。與圖1所示的現(xiàn)有的射頻LDMOS器 件相比，區(qū)別僅在于：漏區(qū)7的摻雜濃度呈現(xiàn)為梯度變化而非均勻變化。在垂直和水平方向 上，越靠近多晶硅塞10與漏區(qū)7相接觸的部位，漏區(qū)7的摻雜濃度越高；越遠(yuǎn)離多晶硅塞10 與漏區(qū)7相接觸的部位，漏區(qū)7的摻雜濃度越低。本申請中，漏區(qū)7的摻雜濃度在垂直方向 上呈臺(tái)階狀下降（即梯度變化)，如圖5b所示。本申請的漏區(qū)7的最外圍的摻雜濃度U2顯 著地小于現(xiàn)有的漏區(qū)7的最外圍的摻雜濃度U1，從而便于耗盡層向漏區(qū)7展寬。
[0027] 本申請射頻LDMOS器件的制造方法的第一實(shí)施例包括如下步驟：
[0028] 第1步，請參閱圖3a，在重?fù)诫s的p型襯底1上進(jìn)行外延生長，形成一層輕摻雜的 P型外延層2。外延層2的厚度例如為3?15μm。
[0029] 隨后，請參閱圖3b，在外延層2上形成一圈隔離結(jié)構(gòu)2a。隔離結(jié)構(gòu)2a是氧化硅， 例如采用淺槽隔離（STI)工藝、局部氧化（LOCOS)工藝。進(jìn)行器件隔離是常規(guī)步驟，通?？?以省略而不進(jìn)行特別介紹，并且其后的附圖中僅表示位于隔離結(jié)構(gòu)2a之間的區(qū)域而省略 掉隔尚結(jié)構(gòu)2a。
[0030] 第2步，請參閱圖3c，在外延層2上進(jìn)行熱氧化生長，形成一層?xùn)叛趸瘜?。柵氧 化層8的厚度例如為150?300A。然后以光刻和離子注入工藝在外延層2中形成η型漂移 區(qū)6。離子注入劑量例如為IXlO12?5Χ1013原子每平方厘米，η型雜質(zhì)例如為磷。然后 以光刻和刻蝕工藝將漂移區(qū)6上方的柵氧化層8部分地去除掉，形成一個(gè)將漂移區(qū)6部分 暴露的窗口。該窗口用于多晶娃塞10與漏區(qū)7的相互接觸。
[0031] 第3步，請參閱圖3d，在柵氧化層8之上淀積一層多晶硅，或者淀積時(shí)原位摻雜η 型雜質(zhì)，或者淀積后離子注入η型雜質(zhì)。如果是淀積后離子注入，那么離子注入劑量例如為 IXIO12?IXIO15原子每平方厘米，η型雜質(zhì)例如為磷。然后以光刻和離子注入工藝對該 層多晶硅進(jìn)行η型雜質(zhì)的重?fù)诫s注入，離子注入劑量例如為4XIO15?IXIO16原子每平方 厘米，η型雜質(zhì)例如為磷。
[0032] 特別需要注意的是該步驟中對多晶硅進(jìn)行第二次離子注入時(shí)光刻膠13的位置。 現(xiàn)有方法中，對該層多晶硅整體進(jìn)行第二次離子注入。本申請中，則采用光刻膠13將柵氧 化層8的窗口正上方的位置遮擋住(在水平方向上允許少量偏移)，而對除該位置以外的該 層多晶硅不用光刻膠覆蓋。該層多晶硅在光刻膠13下方的位置(兩條虛線以內(nèi)區(qū)域）的η 型雜質(zhì)將顯著地比其他位置(兩條虛線以外的區(qū)域）更少，從而呈現(xiàn)出η型雜質(zhì)的水平分布 不均勻。
[0033] 第4步，請參閱圖3e，采用光刻和刻蝕工藝對該層多晶硅進(jìn)行刻蝕，形成相互獨(dú)立 的兩部分多晶娃結(jié)構(gòu)。第一部分僅在外延層2的上方，為重?fù)诫s的η型多晶娃柵極9。第二 部分僅在漂移區(qū)6的上方，為重?fù)诫s的η型多晶硅塞10。多晶硅塞10在水平方向不僅完整 覆蓋了柵氧化層8的窗口，還包括該窗口的周邊區(qū)域。多晶硅塞10的底部的中間部位將柵 氧化層8的窗口完全填充滿，多晶硅塞10的底部的邊緣部位則在柵氧化層8之上。以柵氧 化層8的窗口為圓形說明，優(yōu)選地，多晶硅塞10的邊緣部位的寬度為中間部位的1/4直徑 (同樣原理也適用于矩形或其他形狀)。由于多晶硅塞10的尺寸大于柵氧化層8的窗口，使 得多晶硅塞10的η型雜質(zhì)呈現(xiàn)為水平分布不均勻。
[0034] 第5步，請參閱圖3f，對柵極9遠(yuǎn)離漂移區(qū)6那一側(cè)下方的外延層2進(jìn)行ρ型雜 質(zhì)的離子注入，從而在外延層2中形成p型體區(qū)3。離子注入劑量例如為IXIO13?IXIO14 原子每平方厘米，P型雜質(zhì)例如為硼。部分體區(qū)3在柵極9的正下方，體區(qū)3的側(cè)面與漂移 區(qū)6的側(cè)面可以接觸或不接觸。
[0035] 第6步，請參閱圖3g，采用光刻和離子注入工藝，同時(shí)對體區(qū)3和多晶硅塞10進(jìn)行 η型重?fù)诫s離子注入。在體區(qū)3中形成重?fù)诫s的η型源區(qū)4,源區(qū)4在柵極9遠(yuǎn)離漂移區(qū)6 那一側(cè)下方。η型離子注入的劑量為IXlO15?5Χ1015原子每平方厘米，η型雜質(zhì)例如為 磷、砷等。
[0036]在用于形成源區(qū)4的區(qū)域，光刻膠13采用自對準(zhǔn)工藝，即光刻膠13部分地落在柵 極9的上表面上，利用柵極9的側(cè)壁作為源區(qū)4的自對準(zhǔn)標(biāo)記。此時(shí)，柵極9中的η型雜質(zhì) 也呈現(xiàn)為水平分布不均勻。
[0037] 在用于對多晶硅塞10進(jìn)行注入的區(qū)域，光刻膠13僅包圍在多晶硅塞10的四周， 多晶硅塞10上方未被光刻膠13所覆蓋。
[0038] 第7步，請參閱圖3h，采用光刻和離子注入工藝，在體區(qū)3中形成重?fù)诫s的ρ型體 區(qū)引出區(qū)5。離子注入劑量例如為IXlO15?6X1015原子每平方厘米。體區(qū)引出區(qū)5在源 區(qū)4遠(yuǎn)離柵極9的那一側(cè)，體區(qū)引出區(qū)5與源區(qū)4的側(cè)面相接觸。
[0039] 第8步，請參閱圖3i，進(jìn)行退火工藝，例如高溫?zé)嵬嘶?、快速熱退火等，使前面離子 注入的柵極9、多晶硅塞10、源區(qū)4、體區(qū)引出區(qū)5的雜質(zhì)擴(kuò)散得基本均勻。由于多晶硅塞 10的部分底部與漂移區(qū)6相接觸，η型雜質(zhì)還從多晶硅塞10向下擴(kuò)散到漂移區(qū)6中從而形 成了重?fù)诫sη型漏區(qū)7。由于多晶硅塞10中的η型雜質(zhì)在水平方向分布不均，在垂直方向 又具有擴(kuò)散上的距離差，從而使得漏區(qū)7的摻雜濃度呈現(xiàn)梯度分布。無論是垂直方向還是 水平方向，越靠近漏區(qū)7與多晶硅塞10相接觸的部位，漏區(qū)7的摻雜濃度越高；反之亦然。
[0040] 然后，在體區(qū)引出區(qū)5和源區(qū)4的上方、柵極9的上方、多晶硅塞10的上方同時(shí)形 成相互獨(dú)立的金屬硅化物12。
[0041] 第9步，請參閱圖2,在硅片上方淀積金屬前介質(zhì)11，至此射頻LDMOS器件基本完 成。后續(xù)即為制作接觸孔，并在接觸孔中填充金屬電極等常規(guī)步驟，不再贅述。
[0042] 本申請射頻LDMOS器件的制造方法的第二實(shí)施例與第一實(shí)施例僅有如下區(qū)別：
[0043] 第3步改為，請參閱圖4a，在柵氧化層8之上淀積一層多晶硅，或者淀積時(shí)原位摻 雜η型雜質(zhì)，或者淀積后離子注入η型雜質(zhì)。然后對該層多晶硅整體進(jìn)行η型雜質(zhì)的重?fù)?雜注入，因此該層多晶硅的摻雜是均勻的。
[0044] 第6步改為，請參閱圖4b，采用光刻和離子注入工藝同時(shí)對體區(qū)3和多晶硅塞10 進(jìn)行η型重?fù)诫s離子注入。在體區(qū)3中形成重?fù)诫s的η型源區(qū)4,源區(qū)4在柵極9遠(yuǎn)離漂移 區(qū)6那一側(cè)下方。
[0045]在用于形成源區(qū)4的區(qū)域，光刻膠13采用自對準(zhǔn)工藝，即光刻膠13部分地落在柵 極9的上表面上，利用柵極9的側(cè)壁作為源區(qū)4的自對準(zhǔn)標(biāo)記。此時(shí)，柵極9中的η型雜質(zhì) 呈現(xiàn)為水平分布不均勻。
[0046] 在用于對多晶硅塞10進(jìn)行注入的區(qū)域，多晶硅塞10四周均被光刻膠13所覆蓋， 多晶娃塞10的上方部分地被光刻膠13所覆蓋。光刻膠13將柵氧化層8的窗口正上方的 位置遮擋住(在水平方向上允許少量偏移)，而對除該位置以外的多晶硅塞10不用光刻膠覆 蓋。此時(shí)，多晶硅塞10在光刻膠13下方的位置(兩條虛線以內(nèi)區(qū)域）的η型雜質(zhì)將顯著地 比其他位置(兩條虛線以外的區(qū)域）更少，從而呈現(xiàn)出η型雜質(zhì)的水平分布不均勻。
[0047] 由以上兩個(gè)實(shí)施例可知，本申請射頻LDMOS器件中的漏區(qū)都是由重?fù)诫sη型多晶 硅塞10中的η型雜質(zhì)擴(kuò)散到漂移區(qū)中而形成的，而多晶硅塞10經(jīng)過三次離子注入而形成 了水平方向上雜質(zhì)分布不均勻的特點(diǎn)。
[0048]第一實(shí)施例中，第一次離子注入是指淀積多晶硅時(shí)原位摻雜、或淀積多晶硅后離 子注入，使整層多晶硅為輕摻雜η型。第二次離子注入是指遮蔽柵氧化層窗口位置，對其余 位置的多晶硅層進(jìn)行重?fù)诫sη型離子注入。此時(shí)多晶硅塞10位置已經(jīng)出現(xiàn)了水平方向上 雜質(zhì)分布不均勻的特點(diǎn)。第三次離子注入是指對多晶硅塞10整體進(jìn)行重?fù)诫sη型離子注 入，與源區(qū)注入同時(shí)進(jìn)行。
[0049]第二實(shí)施例中，第一次離子注入是指淀積多晶硅時(shí)原位摻雜、或淀積多晶硅后離 子注入，使整層多晶硅為輕摻雜η型。第二次離子注入是指對整層多晶硅進(jìn)行重?fù)诫sη型離 子注入。此時(shí)整層多晶硅在水平方向上雜質(zhì)分布均勻。第三次離子注入是指遮蔽柵氧化層 窗口位置，對其余位置的多晶硅塞10進(jìn)行重?fù)诫sη型離子注入，與源區(qū)注入同時(shí)進(jìn)行。此 時(shí)多晶硅塞10才出現(xiàn)水平方向上雜質(zhì)分布不均勻的特點(diǎn)。
[0050]以上僅為本申請的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限定本申請。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來 說，本申請可以有各種更改和變化。凡在本申請的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同 替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種射頻LDMOS器件，包括漏區(qū)，在漏區(qū)之上具有柵氧化層，位于漏區(qū)正上方的柵氧 化層被部分去除掉而形成一個(gè)窗口；在漏區(qū)和柵氧化層之上還具有多晶硅塞，多晶硅塞的 一部分完全填充所述窗口而與漏區(qū)相接觸，多晶硅塞的另一部分在柵氧化層之上；其特征 是，所述漏區(qū)的摻雜濃度呈現(xiàn)為臺(tái)階狀的梯度變化；在垂直和水平方向上，越靠近多晶硅塞 與漏區(qū)相接觸的部位，漏區(qū)的摻雜濃度越高；反之亦然。
2. -種射頻LDM0S器件的制造方法，其特征是，包括如下步驟： 第1步，在襯底上外延生長出一層外延層； 第2步，在外延層上熱氧化生長出一層?xùn)叛趸瘜?，然后以光刻和離子注入工藝在外延 層中形成漂移區(qū)，然后以光刻和刻蝕工藝將漂移區(qū)上方的柵氧化層部分地去除掉而形成一 個(gè)柵氧化層窗口； 第3步，在柵氧化層之上淀積一層多晶硅，或者淀積時(shí)原位摻雜，或者淀積后離子注 入；然后以光刻和離子注入工藝將柵氧化層窗口正上方的多晶硅覆蓋住，而對其余位置的 多晶硅進(jìn)行離子注入，這使得該多晶硅層的雜質(zhì)分布在水平方向上不均勻； 第4步，采用光刻和刻蝕工藝對該層多晶硅進(jìn)行刻蝕，形成多晶硅柵極和多晶硅塞；多 晶娃塞的底部將柵氧化層窗口完全填充并向外擴(kuò)展； 第5步，采用離子注入工藝在外延層中形成體區(qū)； 第6步，采用光刻和離子注入工藝同時(shí)對體區(qū)和多晶硅塞進(jìn)行離子注入，在體區(qū)中形 成源區(qū)；多晶硅塞四周均被光刻膠所覆蓋，多晶硅塞的上方未被光刻膠所覆蓋； 第7步，采用光刻和離子注入工藝在體區(qū)中形成體區(qū)引出區(qū)； 第8步，進(jìn)行退火工藝，使離子注入的柵極、多晶硅塞、源區(qū)、體區(qū)引出區(qū)的雜質(zhì)擴(kuò)散均 勻；多晶硅塞中的雜質(zhì)還向漂移區(qū)中擴(kuò)散而形成漏區(qū)；由于多晶硅塞中的雜質(zhì)在水平方向 分布不均勻，在垂直方向又有擴(kuò)散的距離差，而使得漏區(qū)的摻雜濃度呈現(xiàn)臺(tái)階狀的梯度分 布，即在垂直和水平方向，越靠近漏區(qū)與多晶硅塞相接觸的部位，漏區(qū)的摻雜濃度越高；反 之亦然；然后在體區(qū)引出區(qū)和源區(qū)的上方、柵極的上方、多晶硅塞的上方同時(shí)形成相互獨(dú)立 的金屬硅化物； 第9步，在硅片上方淀積金屬前介質(zhì)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻LDM0S器件的制造方法，其特征是，所述方法第3步改 為，在柵氧化層之上淀積一層多晶硅，或者淀積時(shí)原位摻雜，或者淀積后離子注入；然后對 該層多晶硅整體進(jìn)行離子注入； 第6步改為，采用光刻和離子注入工藝同時(shí)對體區(qū)和多晶硅塞進(jìn)行離子注入；在體區(qū) 中形成源區(qū)；多晶硅塞四周均被光刻膠所覆蓋，多晶硅塞的上方在柵氧化層正上方的位置 被光刻膠所覆蓋，多晶硅塞的上方的其余位置未被光刻膠所覆蓋。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的射頻LDM0S器件的制造方法，其特征是，所述方法第3 步中，第一次離子注入劑量為1 X 1012?1 X 1015原子每平方厘米，第二次離子注入劑量為 4X 1015?1 X 1016原子每平方厘米； 所述方法第6步中，離子注入劑量為1 X 1015?5X 1015原子每平方厘米。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的射頻LDM0S器件的制造方法，其特征是，所述方法第4步 中，多晶硅塞的邊緣部位的寬度為中間部位的尺寸的1/4。
【文檔編號(hào)】H01L21/336GK104425597SQ201310374024
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月23日
【發(fā)明者】遇寒, 李 昊, 周正良 申請人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司