導(dǎo)電膜【技術(shù)領(lǐng)域】本發(fā)明涉及一種觸控導(dǎo)電膜。

背景技術(shù)：
導(dǎo)電膜是觸摸屏中接收觸摸等輸入信號的感應(yīng)元件。目前，ITO（氧化銦錫）層是導(dǎo)電膜中至關(guān)重要的組成部分。雖然觸摸屏的制造技術(shù)一日千里的飛速發(fā)展著，但是以投射式電容屏為例，ITO層的基礎(chǔ)制造流程近年來并未發(fā)生太大的改變，總是不可避免的需要ITO鍍膜，ITO圖形化。銦是一種昂貴的金屬材料，因此以ITO作為導(dǎo)電層的材料，很大程度上提升了觸摸屏的成本。再者，ITO導(dǎo)電層在圖形化工藝中，需將鍍好的整面ITO膜進行蝕刻，以形成ITO圖案，在此工藝中，大量的ITO被蝕刻掉，造成大量的貴金屬浪費及污染。導(dǎo)電膜中的導(dǎo)電層通過引線電極與電路板電連接。引線電極通常包括引線觸頭及引線電路，導(dǎo)電層邊緣與引線觸頭電連接。這樣，在制備的過程中，對與引線電極的引線觸頭與導(dǎo)電層邊緣對準(zhǔn)的精度要求較高，且容易產(chǎn)生脫節(jié)，導(dǎo)致生產(chǎn)良率較低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
鑒于上述狀況，有必要提供一種具有較高生產(chǎn)良率的導(dǎo)電膜。一種導(dǎo)電膜，其包括：透明基底，包括第一表面以及與所述第一表面相對設(shè)置的第二表面；導(dǎo)電層，設(shè)于所述第一表面，所述導(dǎo)電層呈網(wǎng)格狀；引線電極，設(shè)于所述第一表面，所述引線電極包括引線觸頭及引線線路，所述引線觸頭設(shè)于所述導(dǎo)電層的網(wǎng)格內(nèi)部且與所述導(dǎo)電層電連接。相較于傳統(tǒng)的導(dǎo)電膜，上述導(dǎo)電膜的引線觸頭設(shè)置于導(dǎo)電層的網(wǎng)格內(nèi)部，在制備的過程中，對于對準(zhǔn)的精度要求低，不易因為引線觸頭與導(dǎo)電層的邊緣沒有對準(zhǔn)而產(chǎn)生不良品，從而具有較高的生產(chǎn)良率。在其中一個實施例中，所述導(dǎo)電層凸設(shè)于所述第一表面。在其中一個實施例中，所述引線電極凸設(shè)于所述第一表面。在其中一個實施例中，所述第一表面形成有網(wǎng)格凹槽，所述導(dǎo)電層收容于所述網(wǎng)格凹槽。在其中一個實施例中，所述第一表面形成于引線凹槽，所述引線電極收容于所述引線凹槽內(nèi)。在其中一個實施例中，所述導(dǎo)電層的網(wǎng)格為規(guī)則網(wǎng)格或隨機網(wǎng)格。在其中一個實施例中，所述網(wǎng)格凹槽的寬度為d1，深度為h，其中，1μm≤d1≤5μm，2μm≤h≤6μm，h/d1>1。在其中一個實施例中，所述網(wǎng)格凹槽為底部為“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽。在其中一個實施例中，所述微型槽的深度為500nm～1μm。在其中一個實施例中，所述透明基底的材料為熱塑性材料或PET。在其中一個實施例中，還包括基質(zhì)層，所述基質(zhì)層設(shè)于所述透明基底的第一表面，所述導(dǎo)電層及所述引線電極設(shè)于所述基質(zhì)層遠離透明基底的一側(cè)。在其中一個實施例中，所述基質(zhì)層的材料為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。在其中一個實施例中，還包括覆蓋所述導(dǎo)電層及所述引線電極表面的透明保護層。在其中一個實施例中，所述透明保護層的材料為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。在其中一個實施例中，所述導(dǎo)電層及所述引線電極的材料為銀、銅、導(dǎo)電聚合物或ITO?！靖綀D說明】圖1為本發(fā)明實施方式的導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中的導(dǎo)電膜的俯視圖；圖3（a）至圖3（d）為圖2所示的導(dǎo)電膜的網(wǎng)格凹槽的底部的不同實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4（a）至圖4（d）為圖2所示的導(dǎo)電膜的網(wǎng)格的不同實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為另一實施方式的導(dǎo)電膜的分解圖；圖6為另一實施方式的導(dǎo)電膜的剖面圖；圖7為圖1中的導(dǎo)電膜在另一實施例中的剖面圖；圖8為圖1中的導(dǎo)電膜在另一實施例中的剖面圖；圖9（a）至圖9（e）為本發(fā)明實施方式中在透明基底上形成引線電極步驟的結(jié)構(gòu)示意圖?！揪唧w實施方式】為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對本發(fā)明進行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳的實施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發(fā)明的公開內(nèi)容的理解更加透徹全面。需要說明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個元件被認(rèn)為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本文所使用的術(shù)語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的。除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“及／或”包括一個或多個相關(guān)的所列項目的任意的和所有的組合。請參閱圖1，本發(fā)明實施方式的導(dǎo)電膜200包括透明基底210、基質(zhì)層220及第一導(dǎo)電層230。透明基底210包括第一表面及與第一表面相對設(shè)置的第二表面。透明基底210的形狀可以根據(jù)導(dǎo)電膜200的形狀來設(shè)定，例如，透明基底210為矩形。透明基底的材料為熱塑性材料、PET或者玻璃。具體的，熱塑性材料為PC或PMMA，當(dāng)然也可以為其他熱塑性材料?；|(zhì)層220設(shè)于透明基底210的第一表面。基質(zhì)層220開設(shè)有網(wǎng)格凹槽221。基質(zhì)層220的材料為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。請同時參閱圖2，網(wǎng)格凹槽221內(nèi)填充有導(dǎo)電材料以形成相互交叉的導(dǎo)電絲線，相互交叉的導(dǎo)電絲線形成導(dǎo)電層230。導(dǎo)電材料為銀、銅、導(dǎo)電聚合物或ITO。優(yōu)選的，導(dǎo)電層230及網(wǎng)格凹槽221通過壓印的方式形成。進一步地，網(wǎng)格凹槽221為底部為“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽。請參閱圖3（a）至圖3（d），圖3（a）所示的網(wǎng)格凹槽221為底部為“V”字形的微型槽，圖3（b）所示的網(wǎng)格凹槽221為底部為“W”字形的微型槽，圖3（c）所示的網(wǎng)格凹槽221為底部為弧形的微型槽，圖3（d）所示的網(wǎng)格凹槽221為底部為波浪形的微型槽。優(yōu)選地，微型槽的深度為500nm～1μm。優(yōu)選地，網(wǎng)格凹槽221的寬度為d1，深度為h，其中，1μm≤d1≤5μm，2μm≤h≤6μm，h/d1>1。網(wǎng)格凹槽221為底部為“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽，這樣網(wǎng)格凹槽221的溝槽內(nèi)的導(dǎo)電墨水在烘干的時候，導(dǎo)電墨水縮聚不容易出現(xiàn)烘干后的導(dǎo)電材料不會出現(xiàn)斷開的現(xiàn)象。進一步的，請參閱圖4（a）至圖4（d），導(dǎo)電層230的網(wǎng)格為規(guī)則網(wǎng)格或隨機網(wǎng)格。如圖4（a）中所示的網(wǎng)格為隨機網(wǎng)格，圖4（b）至圖4（d）中所示的網(wǎng)格分別為正六邊形網(wǎng)格、菱形網(wǎng)格及正方形網(wǎng)格。在圖1所示的實施方式中，僅僅顯示了導(dǎo)電膜的導(dǎo)電層230，導(dǎo)電層230由多個陣列排布的導(dǎo)電條帶組成。當(dāng)然，在具體的應(yīng)用中，導(dǎo)電膜還包括另一個導(dǎo)電層250。請參閱圖5，圖示的實施方式中，導(dǎo)電層230的導(dǎo)電條帶沿第一維的方向延伸，導(dǎo)電層250的導(dǎo)電條帶沿第二維的方向延伸，第一維方向與第二維方向相互垂直。當(dāng)然，第一維方向與第二維方向也可以斜交。進一步的，請同時參閱圖2及圖6，導(dǎo)電膜200還包括引線電極260。引線電極260與導(dǎo)電層230電連接。引線電極260包括引線觸頭262及引線線路264。引線觸頭262大體為條狀。引線觸頭262設(shè)于導(dǎo)電層230的網(wǎng)格內(nèi)部。在圖示的實施方式中，導(dǎo)電層230由多個陣列排布的導(dǎo)電條帶組成，每一個引線觸頭262沿導(dǎo)電條帶的寬度方向延伸，從而引線觸頭262與導(dǎo)電條帶的多條導(dǎo)電絲線相交并電連接。引線線路264的一端與引線觸頭262電連接并延伸至導(dǎo)電層230外。需要說明的是，在圖6示的實施例中，引線電極260收容于開設(shè)于基質(zhì)層220的引線凹槽223中。當(dāng)然，在其他實施例中，引線電極260也可以直接凸設(shè)于基質(zhì)層220遠離基底210的表面，如在圖7所示的實施例中，引線電極260凸設(shè)于基質(zhì)層220遠離基底210的表面。引線電極260可以通過絲網(wǎng)印刷、壓印或噴墨打印等方式形成。在本實施例中，引線電極260包括相互交叉的導(dǎo)電引線。引線電極260的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電層230的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)相同，為規(guī)則網(wǎng)格或隨機網(wǎng)格，具體可以為圖4（a）至圖4（d）所示的結(jié)構(gòu)。引線凹槽223的結(jié)構(gòu)及參數(shù)與網(wǎng)格凹槽221的結(jié)構(gòu)及參數(shù)均相同。當(dāng)然，在其他的實施例中，引線電極260還可以為凸起線條狀時，引線電極260的線寬為50μm～200μm，高度為5μm～10μm。優(yōu)選的，引線電極260的材料為銀、銅等導(dǎo)電金屬。進一步的，導(dǎo)電膜200還包括覆蓋于導(dǎo)電層230表面的透明保護層（圖未示）。透明保護層覆蓋導(dǎo)電層230及基質(zhì)層220遠離透明基底210的表面。由于導(dǎo)電層230設(shè)于基質(zhì)層220的表面，因此，在導(dǎo)電層230的表面形成透明保護層2以對導(dǎo)電層230及引線電極260形成保護，避免劃傷。優(yōu)選的，透明保護層的材料為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。當(dāng)然，基質(zhì)層220可以省略，此時網(wǎng)格凹槽221開設(shè)于透明基底210的第一表面，引線凹槽223開設(shè)于透明基底210的第一表面，導(dǎo)電層230及引線電極26直接設(shè)于透明基底的第一表面即可。需要說明的是，網(wǎng)格凹槽221可以省略，此時導(dǎo)電層230直接凸設(shè)于透明基底210的第一表面即可。請參閱圖8，在圖示的實施例中，導(dǎo)電層230直接凸設(shè)于透明基底210的第一表面。請參閱圖9（a）至圖9（e），具體在圖示的實施例中，在透明基底210表面形成引線電極260的步驟包括：如圖9（a）所示，在透明基底210的表面形成用于引線電極260的導(dǎo)電材料層300；如圖9（b）所示，在導(dǎo)電材料層300表面設(shè)置可形成對應(yīng)的引線電極260的遮光板400；如圖9（c）所示，對導(dǎo)電材料層300進行光照曝光；如圖9（d）所示，對導(dǎo)電材料層300進行刻蝕形成如圖9（e）所示的引線電極260。相較于傳統(tǒng)的導(dǎo)電膜，上述導(dǎo)電膜200至少具有以下優(yōu)點：（1）上述導(dǎo)電膜200的引線觸頭262設(shè)置于導(dǎo)電層230的網(wǎng)格內(nèi)部，在制備的過程中，對于對準(zhǔn)的精度要求低，不易因為引線觸頭262與導(dǎo)電層230的邊緣沒有對準(zhǔn)而產(chǎn)生不良品，從而具有較高的生產(chǎn)良率。（2）上述導(dǎo)電膜200的導(dǎo)電層230為網(wǎng)格狀，以網(wǎng)格結(jié)構(gòu)取代傳統(tǒng)ITO工藝結(jié)構(gòu)，從而降低成本，簡化制造工藝。（3）通過在基質(zhì)層220上形成網(wǎng)格凹槽221，網(wǎng)格凹槽221內(nèi)填充導(dǎo)電絲線形成導(dǎo)電層230，從而能降低導(dǎo)電膜200的厚度；同時采用這種埋入式設(shè)計，對導(dǎo)電膜200的性能得到很好的保護。（4）通過在導(dǎo)電層230的表面形成透明保護層280，可以保護導(dǎo)電層230避免被劃傷，同時可以防止導(dǎo)電材料氧化。（5）網(wǎng)格凹槽221為底部為“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽，這樣網(wǎng)格凹槽221的溝槽內(nèi)的導(dǎo)電墨水在烘干的時候，導(dǎo)電墨水縮聚不容易出現(xiàn)烘干后的導(dǎo)電材料不會出現(xiàn)斷開的現(xiàn)象。以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。