功率器件的模組封裝框架以及功率器件的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了功率器件的模組封裝框架以及功率器件的制造方法，模組封裝框架包括：若干引線框架，所述引線框架上形成散熱區(qū)域和貼片區(qū)域；所述引線框架之間通過至少兩連接?xùn)艁磉B接，所述引線框架與所述第一連接?xùn)?、第二連接?xùn)乓惑w成型，所述引線框架的散熱區(qū)域與相鄰其他所述引線框架的散熱區(qū)域之間至少通過所述第一連接?xùn)藕偷诙B接?xùn)胚B接，第一連接?xùn)?、第二連接?xùn)旁诠β势骷闹圃爝^程中被切除，本發(fā)明取消了連環(huán)柵結(jié)構(gòu)，而通過連接?xùn)艁泶_保其穩(wěn)固性，并且在制造過程中，減少了材料的浪費(fèi)。
【專利說明】功率器件的模組封裝框架以及功率器件的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝部件領(lǐng)域，特別涉及一種通過連接?xùn)艁泶_保其穩(wěn)固性的功 率器件的模組封裝框架以及功率器件的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 在半導(dǎo)體封裝測試領(lǐng)域，尤其是TRIAC (三端雙向交流開關(guān)）封裝工藝中，傳統(tǒng)的 框架封裝散熱片部分均是由連環(huán)柵連接起來，其目的是為了保證框架的穩(wěn)定性，使其在框 架焊接成型過程中（與管腳部分，陶瓷絕緣體靠焊錫在烤箱高溫下融合并經(jīng)過降溫凝結(jié)在 一起)不會(huì)變形，錯(cuò)位。框架焊接成型以后，會(huì)經(jīng)過切筋工藝，將多余的連環(huán)柵切除從而以進(jìn) 行后續(xù)的封裝工藝。
[0003] 圖1示出現(xiàn)有技術(shù)的功率器件的模組封裝框架的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有 技術(shù)的功率器件的模組封裝框架包括多個(gè)引線框架10'，且引線框架10'之間均通過連環(huán) 柵11'相互連接。
[0004] 圖2示出對(duì)圖1中A區(qū)域的局部放大圖。如圖2所示，每個(gè)引線框架10'上均設(shè) 有一圓形的散熱孔13'，用于加強(qiáng)散熱。每個(gè)引線框架10'的兩端被連接在連環(huán)柵11'上， 且連環(huán)柵11'與引線框架10'之間形成矩形的工藝孔14'。
[0005] 圖3示出現(xiàn)有技術(shù)的一種功率器件的制造方法的流程圖。如圖3所示，現(xiàn)有技術(shù) 的功率器件的制造方法主要包括：
[0006] 在步驟S101，功率器件的模組封裝框架上連接陶瓷絕緣體和芯片引腳。模組封裝 框架包括多個(gè)引線框架，且引線框架之間均通過連環(huán)柵相互連接。每個(gè)引線框架上均設(shè)有 一圓形的散熱孔，用于加強(qiáng)散熱。每個(gè)引線框架的兩端被連接在連環(huán)柵上，且連環(huán)柵與引線 框架之間形成矩形的工藝孔。
[0007] 在步驟S102,切除連環(huán)柵。
[0008] 在步驟S103,芯片粘貼。
[0009] 在步驟S104,采用樹脂模封成型。
[0010] 在步驟S105,去除毛刺。
[0011] 在步驟S106,存放在高溫環(huán)境中進(jìn)行老化。
[0012] 在步驟S107,電鍍引腳部分和散熱片部分。
[0013] 在步驟S108,切除連接部。
[0014] 在步驟S109,通過測試去掉次品。在一個(gè)是實(shí)例中，引線框架為20個(gè)，則理想狀態(tài) 下，經(jīng)上述處理后可以得到20個(gè)功率器件。
[0015] 圖4示出圖3步驟S102中切除連環(huán)柵后的引線框架的局部示意圖。如圖4所示， 將多余的連環(huán)柵（圖中未示出）切除。當(dāng)引線框架10'之間切除連環(huán)柵后，引線框架10'之 間僅通過切除后形成的連接部12'相互連接。被切除的連環(huán)柵只能作為生產(chǎn)廢料，無法再 使用，造成了浪費(fèi)。
[0016] 可見，連環(huán)柵的作用主要是為了在模組封裝過程中增強(qiáng)整條框架的穩(wěn)固性能，其 作用也僅僅是在框架焊接成型過程中實(shí)現(xiàn)，之后將只能作為廢金屬處理。眾所周知，隨著全 球金屬資源供求矛盾日益嚴(yán)峻，框架的金屬原材料(主要是銅）的價(jià)格在近些年以來持續(xù)上 漲，導(dǎo)致了生產(chǎn)成本的增加，直接導(dǎo)致了產(chǎn)品價(jià)格的升高
[0017] 而且，經(jīng)統(tǒng)計(jì)，在TRIAC絕緣產(chǎn)品中，其41%的成本來自于散熱片部分。所以出于 降低產(chǎn)品成本的考慮，在不影響功能的前提下，去除連環(huán)柵結(jié)構(gòu)無疑是最好的節(jié)約成本的 方式。
[0018] 考慮到此連環(huán)柵的作用，是否可以用其他方式來代替，從而達(dá)到來減少這個(gè)不必 要的浪費(fèi)的目的，是解決問題的關(guān)鍵。
[0019] 有鑒于此，發(fā)明人提供了一種取消了連環(huán)柵結(jié)構(gòu)，而通過連接?xùn)艁泶_保其穩(wěn)固性 的功率器件的模組封裝框架以及功率器件的制造方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0020] 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明提供了功率器件的模組封裝框架以及功率器件的 制造方法，克服了現(xiàn)有技術(shù)的困難，取消了連環(huán)柵結(jié)構(gòu)，而通過連接?xùn)艁泶_保其穩(wěn)固性，并 且在制造過程中，減少了材料的浪費(fèi)。
[0021] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種功率器件的模組封裝框架，包括：若干引線框 架，所述引線框架之間通過至少兩連接?xùn)艁磉B接，所述引線框架與所述第一連接?xùn)?、第二連 接?xùn)乓惑w成型。
[0022] 優(yōu)選地，所述引線框架上形成散熱區(qū)域和貼片區(qū)域；所述引線框架的散熱區(qū)域與 相鄰其他所述引線框架的散熱區(qū)域之間至少通過所述第一連接?xùn)藕偷诙B接?xùn)胚B接。
[0023] 優(yōu)選地，所述散熱區(qū)域的一側(cè)設(shè)有所述第一連接?xùn)藕偷诙B接?xùn)拧?br> [0024] 優(yōu)選地，所述散熱區(qū)域的兩側(cè)均設(shè)有所述第一連接?xùn)藕偷诙B接?xùn)拧?br> [0025] 優(yōu)選地，所述第一連接?xùn)藕偷诙B接?xùn)旁O(shè)置在所述散熱區(qū)域側(cè)邊的兩端。
[0026] 優(yōu)選地，相鄰的所述引線框架的散熱區(qū)域、第一連接?xùn)乓约暗诙B接?xùn)胖g圍成 一矩形的工藝孔。
[0027] 優(yōu)選地，所述第一連接?xùn)排c第二連接?xùn)诺膶挾认嗟取?br> [0028] 優(yōu)選地，所述第一連接?xùn)疟人龅诙B接?xùn)鸥拷N片區(qū)域，所述第一連接?xùn)诺?寬度大于所述第二連接?xùn)诺膶挾取?br> [0029] 優(yōu)選地，所述散熱區(qū)域設(shè)有至少一散熱孔。
[0030] 優(yōu)選地，所述散熱孔的形狀為圓形、三角形、矩形、橢圓形、多邊形中的至少一種。
[0031] 根據(jù)本發(fā)明的；另一個(gè)方面，還提供一種功率器件的制造方法，包括以下步驟：
[0032] 在上述功率器件的模組封裝框架上連接陶瓷絕緣體和芯片引腳；
[0033] 切除第一連接?xùn)牛?br> [0034] 芯片粘貼；
[0035] 采用樹脂模封成型；
[0036] 去除毛刺；
[0037] 存放在高溫環(huán)境中進(jìn)行老化；
[0038] 電鍍引腳部分和散熱片部分；
[0039] 切除第二連接?xùn)?；以?br> [0040] 通過測試去掉次品。
[0041] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于使用了以上技術(shù)，本發(fā)明的功率器件的模組封裝框架以及 功率器件的制造方法取消了連環(huán)柵結(jié)構(gòu)，而通過連接?xùn)艁泶_保其穩(wěn)固性，并且在制造過程 中，減少了材料的浪費(fèi)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0042] 通過閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、 目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：
[0043] 圖1示出現(xiàn)有技術(shù)的功率器件的模組封裝框架的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044] 圖2示出對(duì)圖1中A區(qū)域的局部放大圖；
[0045] 圖3示出現(xiàn)有技術(shù)的一種功率器件的制造方法的流程圖；
[0046] 圖4示出圖3步驟S106中切除連環(huán)柵后的引線框架的局部示意圖；
[0047] 圖5示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)【具體實(shí)施方式】的，本發(fā)明的功率器件的模組封裝框架 的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0048] 圖6示出對(duì)圖5中B區(qū)域的局部放大圖；以及
[0049] 圖7示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)【具體實(shí)施方式】的，本發(fā)明的功率器件的制造方法的流 程圖。
[0050] 附圖標(biāo)記
[0051] 10' 引線框架
[0052] 11' 連環(huán)柵
[0053] 12' 連接部
[0054] 13' 散熱孔
[0055] 14' 工藝孔
[0056] 10 引線框架
[0057] 11 第一連接?xùn)?br> [0058] 12 第二連接?xùn)?br> [0059] 13 散熱孔
[0060] 14 工藝孔
[0061] 15 散熱區(qū)域
[0062] 16 貼片區(qū)域

【具體實(shí)施方式】
[0063] 本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)以及上述實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)變 化例，在此不予贅述。這樣的變化例并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。
[0064] 圖5示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)【具體實(shí)施方式】的，本發(fā)明的功率器件的模組封裝框架 的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，本發(fā)明的功率器件的模組封裝框架，包括多個(gè)引線框架10,弓丨 線框架10之間通過第一連接?xùn)?1和第二連接?xùn)?2來連接，引線框架10與第一連接?xùn)?1、 第二連接?xùn)?2-體成型。在實(shí)際生產(chǎn)中，引線框架的數(shù)量、尺寸、材料等等都可以根據(jù)工藝 要求而定。本實(shí)施例中，引線框架的材料主要為銅，但不以此為限。功率器件的模組封裝框 架的整體寬度為227. 65mm，但不以此為限。單個(gè)引線框架的寬度為10. 18mm，但不以此為 限。圖5示出一個(gè)是實(shí)例中的20個(gè)引線框架10。
[0065] 圖6示出對(duì)圖5中B區(qū)域的局部放大圖。如圖5所示，每個(gè)引線框架10上，按功 能劃分的話，可以分為成散熱區(qū)域15和貼片區(qū)域16。每個(gè)引線框架10的散熱區(qū)域15與相 鄰其他引線框架10的散熱區(qū)域15之間通過第一連接?xùn)?1和第二連接?xùn)?2連接。
[0066] 位于模組封裝框架兩端的引線框架10的散熱區(qū)域15只有一側(cè)設(shè)有第一連接?xùn)?1 和第二連接?xùn)?2。其余的引線框架10的散熱區(qū)域15的兩側(cè)均設(shè)有第一連接?xùn)?1和第二 連接?xùn)?2,引線框架10之間以這種形式相互連接。
[0067] 第一連接?xùn)?1和第二連接?xùn)?2設(shè)置在散熱區(qū)域15側(cè)邊的兩端。相鄰的引線框 架10的散熱區(qū)域15、第一連接?xùn)?1以及第二連接?xùn)?2之間圍成一矩形的工藝孔14。第 一連接?xùn)?1和第二連接?xùn)?2連接在散熱區(qū)域15側(cè)邊的具體位置可以根據(jù)工藝要求而定， 不以此為限。也可以將第一連接?xùn)?1設(shè)置在散熱區(qū)域15側(cè)邊靠近中央的位置。或是，將 第一連接?xùn)?1、第二連接?xùn)?2都設(shè)置在散熱區(qū)域15側(cè)邊靠近中央的位置。顯然，不同的位 置會(huì)形成不同的應(yīng)力效果。本實(shí)施例中，第一連接?xùn)?1與第二連接?xùn)?2的寬度相等，兩者 的寬度為8mm。
[0068] 由于在功率器件的制造過程中，會(huì)對(duì)貼片區(qū)域16進(jìn)行各種操作，受力變形的可能 性比散熱區(qū)域15大很多。所以，更需要加強(qiáng)貼片區(qū)域16之間的穩(wěn)固。第一連接?xùn)?1比第 二連接?xùn)?2更靠近貼片區(qū)域16?？紤]到材料成本，適當(dāng)增加第一連接?xùn)?1的寬度，或是增 加第一連接?xùn)?1的寬度，同時(shí)減小第二連接?xùn)?2的寬度，能夠是得到更好的應(yīng)力效果。
[0069] 如，第一連接?xùn)?1的寬度為9mm，第二連接?xùn)?2的寬度為8mm ;
[0070] 或者，第一連接?xùn)?1的寬度為10mm,第二連接?xùn)?2的寬度為8mm ;
[0071] 或者，第一連接?xùn)?1的寬度為llrnm，第二連接?xùn)?2的寬度為8mm ;
[0072] 或者，第一連接?xùn)?1的寬度為12mm,第二連接?xùn)?2的寬度為8mm ;
[0073] 或者，第一連接?xùn)?1的寬度為9mm,第二連接?xùn)?2的寬度為7mm ;
[0074] 或者，第一連接?xùn)?1的寬度為10mm,第二連接?xùn)?2的寬度為6mm ;
[0075] 或者，第一連接?xùn)?1的寬度為11mm，第二連接?xùn)?2的寬度為5mm ;
[0076] 或者，第一連接?xùn)?1的寬度為12mm,第二連接?xùn)?2的寬度為4mm ;
[0077] 或者，第一連接?xùn)?1的寬度為13mm,第二連接?xùn)?2的寬度為3mm ;
[0078] 或者，第一連接?xùn)?1的寬度為14mm，第二連接?xùn)?2的寬度為2mm，等等，均可，且 不以此為限。
[0079] 散熱區(qū)域15設(shè)有至少一散熱孔13。散熱孔13的形狀為圓形、三角形、矩形、橢圓 形、多邊形中的至少一種。散熱區(qū)域15中散熱孔13的數(shù)量和形狀等，都可以根據(jù)工藝要求 而定，不以此為限。本實(shí)施例中，在散熱區(qū)域15的中央位置設(shè)有一個(gè)直徑3. 8_的圓形散 熱孔13。
[0080] 圖7示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)【具體實(shí)施方式】的，本發(fā)明的功率器件的制造方法的流 程圖。如圖7所示，本發(fā)明的功率器件的制造方法，包括以下步驟：
[0081] 首先，步驟201中，在上述功率器件的模組封裝框架上連接陶瓷絕緣體和芯片引 腳。
[0082] 接著，步驟202中，切除第一連接?xùn)拧?br> [0083] 切除后，步驟203中，芯片粘貼。
[0084] 并且，步驟204中，采用樹脂模封成型。
[0085] 在成型后，步驟205中，去除毛刺。
[0086] 并且，步驟206中，存放在高溫環(huán)境中進(jìn)行老化。
[0087] 之后，步驟207中，電鍍引腳部分和散熱片部分。
[0088] 然后，步驟208中，切除第二連接?xùn)?。以?br> [0089] 最后，步驟209中，通過測試去掉次品。
[0090] 在圖7的步驟201中，參考附圖5,本發(fā)明的功率器件的模組封裝框架，包括20個(gè) 引線框架10,引線框架10之間通過第一連接?xùn)?1和第二連接?xùn)?2來連接，引線框架10 與第一連接?xùn)?1、第二連接?xùn)?2 -體成型。在實(shí)際生產(chǎn)中，引線框架的數(shù)量、尺寸、材料等 等都可以根據(jù)工藝要求而定。本實(shí)施例中，引線框架的材料主要為銅，但不以此為限。功 率器件的模組封裝框架的整體寬度為227. 65_，但不以此為限。單個(gè)引線框架的寬度為 10. 18mm，但不以此為限。
[0091] 在圖7的步驟201中，進(jìn)一步參考附圖6,每個(gè)引線框架10上，按功能劃分的話， 可以分為成散熱區(qū)域15和貼片區(qū)域16。每個(gè)引線框架10的散熱區(qū)域15與相鄰其他引線 框架10的散熱區(qū)域15之間通過第一連接?xùn)?1和第二連接?xùn)?2連接。位于模組封裝框架 兩端的引線框架10的散熱區(qū)域15只有一側(cè)設(shè)有第一連接?xùn)?1和第二連接?xùn)?2。其余的 引線框架10的散熱區(qū)域15的兩側(cè)均設(shè)有第一連接?xùn)?1和第二連接?xùn)?2,引線框架10之 間以此相互連接。第一連接?xùn)?1和第二連接?xùn)?2設(shè)置在散熱區(qū)域15側(cè)邊的兩端。相鄰 的引線框架10的散熱區(qū)域15、第一連接?xùn)?1以及第二連接?xùn)?2之間圍成一矩形的工藝 孔14。第一連接?xùn)?1和第二連接?xùn)?2連接在散熱區(qū)域15側(cè)邊的具體位置可以根據(jù)工藝 要求而定，不以此為限。也可以將第一連接?xùn)?1設(shè)置在散熱區(qū)域15側(cè)邊靠近中央的位置。 或是，將第一連接?xùn)?1、第二連接?xùn)?2都設(shè)置在散熱區(qū)域15側(cè)邊靠近中央的位置。顯然， 不同的位置會(huì)形成不同的應(yīng)力效果。本實(shí)施例中，第一連接?xùn)?1與第二連接?xùn)?2的寬度 相等，兩者的寬度為8mm。散熱區(qū)域15設(shè)有至少一散熱孔13。散熱孔13的形狀為圓形、三 角形、矩形、橢圓形、多邊形中的至少一種。散熱區(qū)域15中散熱孔13的數(shù)量和形狀等，都可 以根據(jù)工藝要求而定，不以此為限。本實(shí)施例中，在散熱區(qū)域15的中央位置設(shè)有一個(gè)直徑 3. 8mm的圓形散熱孔13。
[0092] 在圖7的步驟202中，沿散熱區(qū)域15的邊沿切去第一連接?xùn)?1。
[0093] 在圖7的步驟203中，粘貼芯片到引線框架10上，包括：將整個(gè)晶源貼在藍(lán)膜上。 通過烘烤增加藍(lán)膜上晶源的粘性。切割晶源，切割深度為晶源連接部厚度的一半。背面平 壓使晶源開裂成單個(gè)的晶片。測試單個(gè)晶片，去掉壞的晶片。在常溫下將硅晶片通過所述 焊錫膏貼合在所述引線框架10的貼片區(qū)域16上。并存放在溫度為攝氏175度的恒溫環(huán)境 下，內(nèi)有氮?dú)庾鳛楸Ｗo(hù)氣體，存放8小時(shí)進(jìn)行老化。通過清洗，將焊錫膏里蒸發(fā)出來的助焊 劑清掉。焊線，將硅晶片中的各個(gè)焊盤與引線框架10中對(duì)應(yīng)的引腳耦合。
[0094] 在圖7的步驟204中，采用樹脂模封成型，采用導(dǎo)熱樹脂模封成型，所述引線框架 10的貼片區(qū)域16被所述樹脂密封封裝。
[0095] 在圖7的步驟205中，去除毛刺?？蚣苌系拿坛叽缫蟊仨毧刂圃?至0. 055mm 的范圍內(nèi)，否則會(huì)在后續(xù)的模封工藝中造成壓傷，優(yōu)選地，切掉連接?xùn)藕罂蚣苌系拿掏黄?尺寸為0至0.03mm。
[0096] 在圖7的步驟206中，存放在高溫環(huán)境中進(jìn)行老化。
[0097] 在圖7的步驟207中，對(duì)功率器件的引腳部分進(jìn)行電鍍，起到防止腐蝕，提高耐磨 性、導(dǎo)電性、反光性的作用。
[0098] 在圖7的步驟208中，沿散熱區(qū)域15的邊沿切去第二連接?xùn)?2。
[0099] 在圖7的步驟209中，通過測試去掉次品，整個(gè)功率器件的制造過程至此結(jié)束。理 想狀態(tài)下，通過本發(fā)明一個(gè)模組封裝框架一次可以得到20個(gè)功率器件。
[0100] 本發(fā)明的功率器件的模組封裝框架以及功率器件制造方法通過在單元之間增加 連接?xùn)艁泶_保其穩(wěn)固性。而且這種框架結(jié)構(gòu)上的變化只發(fā)生于框架切筋之前，切筋之后的 框架沒有任何結(jié)構(gòu)性差異，因此不存在框架后續(xù)封裝的品質(zhì)風(fēng)險(xiǎn)和可靠性問題。模封以后 沒有框架壓傷和樹脂溢膠的品質(zhì)問題，顯示出優(yōu)越的可使用性。絕緣測試工位沒有顯示絕 緣失效異常?？蛻舳苏w框架外觀尺寸無任何變更和影響。
[0101] 下表中將對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明的成本數(shù)據(jù)：
[0102]

【權(quán)利要求】
1. 一種功率器件的模組封裝框架，其特征在于，包括：若干引線框架（10)，所述引線 框架（10)之間通過至少兩連接?xùn)艁磉B接，所述引線框架（10)與所述第一連接?xùn)牛?1 )、第二 連接?xùn)牛?2)-體成型。
2. 如權(quán)利要求1所述的功率器件的模組封裝框架，其特征在于：所述引線框架（10)上 形成散熱區(qū)域（15)和貼片區(qū)域（16); 所述引線框架（10)的散熱區(qū)域（15)與相鄰其他所述引線框架（10)的散熱區(qū)域（15) 之間至少通過所述第一連接?xùn)牛?1)和第二連接?xùn)牛?2)連接。
3. 如權(quán)利要求2所述的功率器件的模組封裝框架，其特征在于：所述散熱區(qū)域（15)的 一側(cè)設(shè)有所述第一連接?xùn)牛?1)和第二連接?xùn)牛?2)。
4. 如權(quán)利要求2所述的功率器件的模組封裝框架，其特征在于：所述散熱區(qū)域（15)的 兩側(cè)均設(shè)有所述第一連接?xùn)牛?1)和第二連接?xùn)牛?2)。
5. 如權(quán)利要求2所述的功率器件的模組封裝框架，其特征在于：所述第一連接?xùn)牛?1) 和第二連接?xùn)牛?2)設(shè)置在所述散熱區(qū)域（15)側(cè)邊的兩端。
6. 如權(quán)利要求2所述的功率器件的模組封裝框架，其特征在于：相鄰的所述引線框架 (10)的散熱區(qū)域（15)、第一連接?xùn)牛?1)以及第二連接?xùn)牛?2)之間圍成一矩形的工藝孔 (14)。
7. 如權(quán)利要求2所述的功率器件的模組封裝框架，其特征在于：所述第一連接?xùn)牛?1) 與第二連接?xùn)牛?2)的寬度相等。
8. 如權(quán)利要求2所述的功率器件的模組封裝框架，其特征在于：所述第一連接?xùn)牛?1) 比所述第二連接?xùn)牛?2)更靠近貼片區(qū)域（16)，所述第一連接?xùn)牛?1)的寬度大于所述第二 連接?xùn)牛?2)的寬度。
9. 如權(quán)利要求2所述的功率器件的模組封裝框架，其特征在于：所述散熱區(qū)域（15)設(shè) 有至少一散熱孔（13)。
10. 如權(quán)利要求9所述的功率器件的模組封裝框架，其特征在于：所述散熱孔（13)的形 狀為圓形、三角形、矩形、橢圓形、多邊形中的至少一種。
11. 一種功率器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟： 在如權(quán)利要求1至10中任意一項(xiàng)所述的功率器件的模組封裝框架上連接陶瓷絕緣體 和芯片引腳； 切除第一連接?xùn)牛? 芯片粘貼； 采用樹脂模封成型； 去除毛刺； 存放在高溫環(huán)境中進(jìn)行老化； 電鍍引腳部分和散熱片部分； 切除第二連接?xùn)?；以?通過測試去掉次品。
【文檔編號(hào)】H01L23/495GK104253093SQ201310260325
【公開日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2013年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月26日
【發(fā)明者】劉新軍, 歐陽燏 申請(qǐng)人:深圳賽意法微電子有限公司