專利名稱：一種空腔結(jié)構(gòu)刻蝕后清洗和干燥的方法
一種空腔結(jié)構(gòu)刻蝕后清洗和干燥的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于半導(dǎo)體制程領(lǐng)域，特別是關(guān)于一種空腔結(jié)構(gòu)刻蝕后清洗和干燥的方法。背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造過程中，特殊工藝中需要通過刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)具有特定深度和比例的各向異性腐蝕+各向同性腐蝕的空腔結(jié)構(gòu)，運(yùn)用此種空腔結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)特殊的功能。DSIE(深硅刻蝕)工藝產(chǎn)生的聚合物(polymer)比常規(guī)工藝多，聚合物主要集中在深槽的底部和側(cè)壁， 所以DSIE工藝后需要進(jìn)行清洗。特殊工藝中各向異性+各向同性空腔腐蝕后需要進(jìn)行清洗去除空腔中的polymer，由于特殊工藝制造的硅片為深度較深的空腔結(jié)構(gòu)，常規(guī)的清洗后甩干工藝會(huì)造成腐蝕后的空腔結(jié)構(gòu)斷裂，而使圓片報(bào)廢。目前較常用的清洗干燥這種具有空腔結(jié)構(gòu)硅片的工藝為:圓片清洗后采用IPA氣體進(jìn)行干燥，該工藝過程中圓片始終處于靜止?fàn)顟B(tài)，不會(huì)造成空腔結(jié)構(gòu)的斷裂，但該工藝干燥時(shí)間長，IPA這種藥液的使用具有一定的危險(xiǎn)性，并且工藝結(jié)束后會(huì)存在空腔中水去除不干凈的現(xiàn)象。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種空腔結(jié)構(gòu)刻蝕后清洗和干燥的方法。
為達(dá)成前述目的，本發(fā)明一種空腔結(jié)構(gòu)刻蝕后清洗和干燥的方法，其包括如下步驟:
對(duì)刻蝕出空腔結(jié)構(gòu)的硅片進(jìn)行硅屑漂洗工藝處理的步驟；
將漂洗后的硅片放入甩干機(jī)中進(jìn)行勻速甩干處理的步驟，其中甩干處理是控制甩干機(jī)在前2分鐘轉(zhuǎn)速由O勻速升到1000轉(zhuǎn)/分鐘-1200轉(zhuǎn)/分鐘，然后控制甩干機(jī)保持 1000轉(zhuǎn)/分鐘-1200轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速持續(xù)20分鐘-30分鐘的勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，最后由1000轉(zhuǎn)/ 分鐘-1200轉(zhuǎn)/分鐘在2分鐘左右降到O。
進(jìn)一步地，所述漂洗工藝采用的漂洗液為剝離液，其配比為:HF:HN03: CH3C00H=1:25:50ο
進(jìn)一步地，所述漂洗的時(shí)間為I分鐘。
進(jìn)一步地，在進(jìn)行甩干處理的步驟中還包括進(jìn)行沖水處理。
進(jìn)一步地，在整個(gè)甩干過程中沖入氮?dú)?，氮?dú)獾臏囟瓤刂圃?0-50攝氏度。
本發(fā)明的方法在對(duì)刻蝕后的硅片選用常規(guī)的硅屑漂洗工藝進(jìn)行處理，漂洗工藝結(jié)束后放入普通的甩干機(jī)中，將甩干機(jī)的程序設(shè)置為:轉(zhuǎn)速1000-1200r/min，工藝時(shí)間 20-30min，整個(gè)工藝過程通入氮?dú)?，?duì)硅片進(jìn)行甩干處理。本發(fā)明的方法能夠很好的解決特殊工藝中空腔結(jié)構(gòu)清洗后圓片干燥的問題，工藝過程中圓片上空腔結(jié)構(gòu)保存完整，為 下步工藝提供可能，能夠保證特殊工藝中具有空腔結(jié)構(gòu)產(chǎn)品開發(fā)的順利進(jìn)行。

圖1是本發(fā)明的方法的流程圖。
具體實(shí)施方式此處所稱的“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”是指可包含于本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式中的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。在本說明書中不同地方出現(xiàn)的“在一個(gè)實(shí)施例中”并非均指同一個(gè)實(shí)施例，也不是單獨(dú)的或選擇性的與其他實(shí)施例互相排斥的實(shí)施例。半導(dǎo)體器件在制造過程中通常需要許多重復(fù)的氧化、淀積、光刻、蝕刻等步驟，每次蝕刻完之后都會(huì)在硅片上產(chǎn)生許多聚合物(polymer)，為順利進(jìn)行下一步的處理工藝，每次蝕刻完之后需要對(duì)硅片上產(chǎn)生的聚合物進(jìn)行清洗、干燥。在半導(dǎo)體的制造工藝中，有的器件需要通過刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)具有特定深度和比例的各向異性腐蝕+各向同性腐蝕的空腔結(jié)構(gòu)，比如MEMS傳感器器件等。這種產(chǎn)生具有空腔結(jié)構(gòu)的蝕刻工藝采用的是深硅刻蝕工藝(DSIE)，其產(chǎn)生的聚合物(polymer)比常規(guī)工藝多，聚合物主要集中在深槽的底部和側(cè)壁，所以DSIE工藝后需要進(jìn)行清洗。請(qǐng)參閱圖1所示，其顯示本發(fā)明的空腔結(jié)構(gòu)刻蝕后清洗和干燥的方法，如圖1所示，本發(fā)明的方法包括:
步驟S1:對(duì)刻蝕出空腔結(jié)構(gòu)的硅片進(jìn)行硅屑漂洗工藝處理的步驟；以及步驟S2:將漂洗后的硅片放入甩干機(jī)中進(jìn)行勻速甩干處理的步驟。其中前述漂洗工藝是將通過深硅刻蝕工藝蝕刻出空腔結(jié)構(gòu)的硅片放入清洗槽中，用漂洗液進(jìn)行漂洗，其中所采用的漂洗液為剝離液，其配比為:HF:HN03 =CH3COOH=1:25:50,其中漂洗的時(shí)間一般為I分鐘。其中甩干的步驟是將漂洗后的硅片放入甩干機(jī)中，控制甩干機(jī)在前2分鐘轉(zhuǎn)速由O勻速升到1000轉(zhuǎn)/分鐘-1200轉(zhuǎn)/分鐘，然后控制甩干機(jī)保持1000轉(zhuǎn)/分鐘-1200轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速持續(xù)20分鐘-30分鐘的勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，最后由1000轉(zhuǎn)/分鐘-1200轉(zhuǎn)/分鐘在2分鐘左右降到O。在進(jìn)行甩干處理的步驟中還包括進(jìn)行沖水處理的步驟。另外，在整個(gè)甩干的過程中通入加熱過的氮?dú)膺M(jìn)行干燥，氮?dú)獾臏囟炔荒苓^高，否則會(huì)使空腔結(jié)構(gòu)的應(yīng)力發(fā)生變化，其中加熱的氮?dú)獾臏囟瓤刂圃?0-50攝氏度為宜。本發(fā)明所使用的甩干機(jī)即現(xiàn)有的常規(guī)的甩干機(jī)，但本發(fā)明的關(guān)鍵點(diǎn)在于:整個(gè)過程保持勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，減少由于甩干機(jī)速率波動(dòng)導(dǎo)致的巨大震動(dòng)。另外在工藝時(shí)間的控制上，本發(fā)明的工藝時(shí)間設(shè)置較常規(guī)的程序長(常規(guī)在IOmin左右)，該工藝的總時(shí)間設(shè)置在20-30min保證空腔中的水能完全的被去除干凈。而且在硅片放入甩干機(jī)，甩干機(jī)開始轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)即通入氮?dú)膺M(jìn)行同步干燥。本發(fā)明的方法能夠很好的解決特殊工藝中空腔結(jié)構(gòu)清洗后圓片干燥的問題，工藝過程中圓片上空腔結(jié)構(gòu)保存完整，為下步工藝提供可能，能夠保證特殊工藝中具有空腔結(jié)構(gòu)產(chǎn)品開發(fā)的順利進(jìn)行。上述說明已經(jīng)充分揭露了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。需要指出的是，熟悉該領(lǐng)域的技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
所做的任何改動(dòng)均不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求書的范圍。相應(yīng)地，本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍也并不僅僅局限于前述具體實(shí)施方式
。
權(quán)利要求
1.一種空腔結(jié)構(gòu)刻蝕后清洗和干燥的方法，其包括如下步驟: 對(duì)刻蝕出空腔結(jié)構(gòu)的硅片進(jìn)行硅屑漂洗工藝處理的步驟； 將漂洗后的硅片放入甩干機(jī)中進(jìn)行勻速甩干處理的步驟，其中甩干處理是控制甩干機(jī)在前2分鐘轉(zhuǎn)速由O勻速升到1000轉(zhuǎn)/分鐘-1200轉(zhuǎn)/分鐘，然后控制甩干機(jī)保持1000轉(zhuǎn)/分鐘-1200轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速持續(xù)20分鐘-30分鐘的勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，最后由1000轉(zhuǎn)/分鐘-1200轉(zhuǎn)/分鐘在2分鐘左右降到O。
2.如權(quán)利要求1所述空腔結(jié)構(gòu)刻蝕后清洗和干燥的方法，其特征在于:所述漂洗工藝采用的漂洗液為剝離液，其配比為:HF = HNO3 =CH3COOH=1:25:50ο
3.如權(quán)利要求1所述空腔結(jié)構(gòu)刻蝕后清洗和干燥的方法，其特征在于:所述漂洗的時(shí)間為I分鐘。
4.如權(quán)利要求1所述空腔結(jié)構(gòu)刻蝕后清洗和干燥的方法，其特征在于:在進(jìn)行甩干處理的步驟中還包括進(jìn)行沖水處理。
5.如權(quán)利要求1所述空腔結(jié)構(gòu)刻蝕后清洗和干燥的方法，其特征在于:在整個(gè)甩干過程中沖入氮?dú)?氮?dú)獾臏囟瓤刂圃?0-50攝氏度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種空腔結(jié)構(gòu)刻蝕后清洗和干燥的方法,其首先對(duì)刻蝕后的硅片進(jìn)行硅屑漂洗工藝處理，漂洗工藝結(jié)束后將硅片放入普通的甩干機(jī)中，將甩干機(jī)的程序設(shè)置為轉(zhuǎn)速1000-1200r/min，工藝時(shí)間20-30min，整個(gè)工藝過程通入氮?dú)?，?duì)硅片進(jìn)行甩干處理。本發(fā)明的方法能夠很好的解決特殊工藝中空腔結(jié)構(gòu)清洗后圓片干燥的問題，工藝過程中圓片上空腔結(jié)構(gòu)保存完整，為下步工藝提供可能，能夠保證特殊工藝中具有空腔結(jié)構(gòu)產(chǎn)品開發(fā)的順利進(jìn)行。
文檔編號(hào)H01L21/02GK103208416SQ201310116218
公開日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2013年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月3日
發(fā)明者章安娜 申請(qǐng)人:無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司