專利名稱：橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(lateraldiffusion metal oxide semiconductor,簡稱LDMOS)晶體管在操作時具有高擊穿電壓(breakdown voltage)以及低的開啟電阻(on-state resistance),因此,無論是在典型的電源集成電路上,或是在智能型電源集成電路上，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管都扮演著極為重要的角色。在目前的半導(dǎo)體制備技術(shù)中，往往在一個晶圓上會制備多個橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，當施加在所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件上的電壓比較大時，所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的襯底會有漏電現(xiàn)象。為了克服所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的漏電，在現(xiàn)有技術(shù)中，往往通過增加深阱寬度的方法，從而增加所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的間隔，以避免所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的襯底會被擊穿。然而，由于增加了深阱的寬度，造成整個所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸過大，無法滿足小尺寸的所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的需要。因此，如何提供一種橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制造方法，能夠減小或避免所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的漏電，又不增加橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的尺寸，已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制造方法，能夠減小或避免所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的漏電，又可以減小橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的尺寸。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件包括:襯底；深阱，位于所述襯底中；第一阱、第二阱以及第三阱，均位于所述深阱中，所述第三阱包圍所述第一阱和所述第二阱；漏區(qū)，位于所述第二阱中；源區(qū)，位于所述第一阱中；接觸區(qū)，位于所述第一阱中；以及柵極結(jié)構(gòu)，覆蓋部分所述第一阱和部分所述第二阱；其中，所述襯底、第一阱、和接觸區(qū)均為第一導(dǎo)電類型參雜，所述深阱、第二阱、第三阱、漏區(qū)和源區(qū)均為第二導(dǎo)電類型參雜。可選的，在所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件中，所述第二阱和所述第三阱的摻雜濃度相同?？蛇x的，在所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件中，所述第三阱為重摻雜?？蛇x的，在所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件中，所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型；或所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型?？蛇x的，在所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件中，所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件還包括隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)包括:第一部分，覆蓋部分所述第三阱和部分所述第二阱上；第二部分，位于所述漏區(qū)和所述源區(qū)之間，且覆蓋另一部分所述第二阱上?？蛇x的，在所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件中，所述隔離結(jié)構(gòu)還包括第三部分，位于所述源區(qū)和所述接觸區(qū)之間，且覆蓋部分所述第一阱上?？蛇x的，在所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件中，所述隔離結(jié)構(gòu)為淺槽隔離結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還提供一種橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法，所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法包括:提供襯底；在所述襯底中形成深阱；在所述深阱中形成第一阱、第二阱以及第三阱，所述第三阱包圍所述第一阱和所述第二阱；在所述第二阱中形成漏區(qū)，在所述第一阱中形成源區(qū)，在所述第一阱中形成接觸區(qū)；在部分所述第一阱和部分所述第二阱上形成柵極結(jié)構(gòu)；其中，所述襯底、第一阱、和接觸區(qū)均為第一導(dǎo)電類型參雜，所述深阱、第二阱、第三阱、漏區(qū)和源區(qū)均為第二導(dǎo)電類型參雜?？蛇x的，在所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法中，在所述深阱中形成第一導(dǎo)電類型的第一阱、第二導(dǎo)電類型的第二阱以及第二導(dǎo)電類型的第三阱的步驟包括:在所述深阱中形成第一導(dǎo)電類型的第一阱；同時在所述深阱中形成第一導(dǎo)電類型的第二阱和第三阱。 可選的，在所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法中，在所述深阱中形成第一導(dǎo)電類型的第一阱、第二導(dǎo)電類型的第二阱以及第二導(dǎo)電類型的第三阱的步驟包括:在所述深阱中形成第一導(dǎo)電類型的第一阱；在所述深阱中形成第二導(dǎo)電類型的第二阱；在所述深阱中形成第二導(dǎo)電類型的第三阱。可選的，在所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法中，所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型；或所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型?？蛇x的，在所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法中，在所述第一阱中形成第一導(dǎo)電類型的接觸區(qū)步驟和在部分所述第一阱和部分所述第二阱上形成柵極結(jié)構(gòu)步驟之間，還包括在所述襯底上制備隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)包括:
第一部分，覆蓋部分所述第三阱和部分所述第二阱上；第二部分，位于所述漏區(qū)和所述源區(qū)之間，且覆蓋另一部分所述第二阱上。可選的，在所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法中，所述隔離結(jié)構(gòu)還包括第三部分，位于所述源區(qū)和所述接觸區(qū)之間，且覆蓋部分所述第一阱上。可選的，在所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法中，所述隔離結(jié)構(gòu)為淺槽隔離結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法具有以下優(yōu)點:1、本發(fā)明提供的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件包括第二導(dǎo)電類型的第三阱，所述第三阱包圍所述第一阱和所述第二阱，與現(xiàn)有技術(shù)相比，所述第三阱包圍所述第一阱和所述第二阱，使得電子不容易穿越所述第三阱區(qū)域，增加了所述第三阱區(qū)域的所述深阱的摻雜濃度，提高所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的擊穿電壓，能夠減小或避免所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的漏電；較小尺寸的所述第三阱區(qū)域就可以較大地提高所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的擊穿電壓，避免增大所述深阱的尺寸來增加所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的間隔，有利于減小所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的尺寸。2、本發(fā)明提供的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件還包括隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)包括:第一部分，覆蓋部分所述第三阱和部分所述第二阱上，可以進一步地提高所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的擊穿電壓，減小所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的漏電；第二部分，位于所述漏區(qū)和所述源區(qū)之間，且覆蓋另一部分所述第二阱上，可以防止所述漏區(qū)和所述源區(qū)之間的漏電；第三部分，位于所述源區(qū)和所述接觸區(qū)之間，且覆蓋部分所述第一阱上，可以防止所述源區(qū)和所述接觸區(qū)之間的漏電。


圖1為本發(fā)明一實施例的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的剖面圖；圖2為本發(fā)明一實施例的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的俯視圖；圖3為本發(fā)明一實施例的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖；圖4a-圖4e為本發(fā)明一實施例的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法中各步驟中器件的示意圖；圖5為本發(fā)明另一實施例的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的剖面圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
本發(fā)明的核心思想在于提供一種橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，該橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件包括:第一導(dǎo)電類型的襯底，第二導(dǎo)電類型的深阱，位于所述襯底中，第一導(dǎo)電類型的第一阱、第二導(dǎo)電類型的第二阱以及第二導(dǎo)電類型的第三阱，均位于所述深阱中，所述第三阱包圍所述第一阱和所述第二阱，第二導(dǎo)電類型的漏區(qū)，位于所述第二阱中，第二導(dǎo)電類型的源區(qū)，位于所述第一阱中，第一導(dǎo)電類型的接觸區(qū)，位于所述第一阱中，柵極結(jié)構(gòu)，覆蓋部分所述第一阱和部分所述第二阱，所述第三阱能夠減小或避免所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的漏電，相比無所述第三阱的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的漏電流可以減小2個數(shù)量級，又可以減小橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的尺寸。進一步，結(jié)合上述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，本發(fā)明還提供了一種橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法，包括:步驟S11，提供第一導(dǎo)電類型的襯底；步驟S12，在所述襯底中形成第二導(dǎo)電類型的深阱；步驟S13，在所述深阱中形成第一導(dǎo)電類型的第一阱、第二導(dǎo)電類型的第二阱以及第二導(dǎo)電類型的第三阱，所述第三阱包圍所述第一阱和所述第二阱；步驟S14，在所述第二阱中形成第二導(dǎo)電類型的漏區(qū)，在所述第一阱中形成第二導(dǎo)電類型的源區(qū)，在所述第一阱中形成第一導(dǎo)電類型的接觸區(qū)；步驟S15，在部分所述第一阱和部分所述第二阱上形成柵極結(jié)構(gòu)。以下結(jié)合圖1和圖2具體說明本實施例的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其中，圖1為本發(fā)明一實施例的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的剖面圖，圖2為本發(fā)明一實施例的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的俯視圖。如圖1所示，所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件包括第一導(dǎo)電類型的襯底100、第二導(dǎo)電類型的深阱101、第一導(dǎo)電類型的第一阱102、第二導(dǎo)電類型的第二阱103以及第二導(dǎo)電類型的第三阱104、第二導(dǎo)電類型的漏區(qū)105、第二導(dǎo)電類型的源區(qū)106、第一導(dǎo)電類型的接觸區(qū)107以及柵極結(jié)構(gòu)108。其中，所述第一導(dǎo)電類型可以為P型或N型，當所述第一導(dǎo)電類型為P型時，所述第二導(dǎo)電類型為N型；當所述第一導(dǎo)電類型為N型時，所述第二導(dǎo)電類型為P型。為了方便說明，以下以P型來表示所述第一導(dǎo)電類型，N型來表示所述第二導(dǎo)電類型。P型襯底100可為硅襯底或其他半導(dǎo)體襯底。如圖2所示，N型深阱101位于所述襯底100中，P型第一阱102、N型第二阱103以及N型第三阱104均位于所述深阱101中，所述第三阱104包圍所述第一阱102和所述第二阱103，所述第三阱104使得所述第一阱102的電子不容易穿越所述第三阱104流到襯底(沒有所述第三阱104時，所述襯底100底部摻雜濃度底，電子容易穿過所述深阱101表面流到所述襯底100)，使得電子不能流出所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，從而減小或避免所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的漏電；并且，較小寬度W的所述第三阱104可以顯著提高所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的擊穿電壓，以避免過大地增大所述深阱101的尺寸來增加所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的間隔，有利于減小所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的尺寸。其中，所述第三阱104的寬度W不做具體限制，具體由所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的要求決定，如果對所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的擊穿電壓要求較低，則所述第三阱104的寬度W可以較窄，比如所述第三阱104的寬度W為5um 10um，如果對所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的擊穿電壓要求較高，則適當?shù)卦黾铀龅谌?04的寬度W，比如所述第三阱104的寬度W為IOum 50um，甚至更寬。所述第二阱103的摻雜濃度一般在Ο/cm3至102°/cm3之間，具體不做限制。較佳的，所述第二阱103和所述第三阱104的摻雜濃度相同，則所述第二阱103和所述第三阱104可以同時制備，節(jié)約工藝，但所述第二阱103和所述第三阱104的摻雜濃度不限于相同，所述第三阱104還可以為摻雜濃度高于所述第二阱103的重摻雜，重摻雜的所述第三阱104具有更好的隔絕電子的能力，可以使所述第三阱104在更小的寬度W下具有更好的防漏電能力。N型漏區(qū)105位于所述第二阱103中，作為所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的漏極，N型源區(qū)106位于所述第一阱102中，作為所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的源極，P型接觸區(qū)107位于所述第一阱102中，用于連接所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的溝道。柵極結(jié)構(gòu)108覆蓋部分所述第一阱102和部分所述第二阱103，一般的，所述柵極結(jié)構(gòu)108由柵極介電層181和柵極182組成。較佳的，所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件還包括隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)包括:第一部分110a，覆蓋部分所述第三阱和部分所述第二阱上，可以進一步地提高所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的擊穿電壓，減小所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的漏電；第二部分110b，位于所述漏區(qū)105和所述源區(qū)106之間，且覆蓋另一部分所述第二阱103上，可以防止所述漏區(qū)105和所述源區(qū)106之間的漏電，如圖1所示。為了清楚地顯示所述第一阱102、第二阱103、第三阱104、漏區(qū)105、源區(qū)106、接觸區(qū)107以及柵極結(jié)構(gòu)108的位置關(guān)系，在圖2中不具示出所述隔離結(jié)構(gòu)。所述隔離結(jié)構(gòu)還包括第三部分110c，位于所述源區(qū)106和所述接觸區(qū)107之間，且覆蓋部分所述第一阱102上，可以防止所述源區(qū)106和所述接觸區(qū)107之間的漏電。優(yōu)選的，所述隔離結(jié)構(gòu)為淺槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺槽隔離的尺寸小，且絕緣性能好，但所述隔離結(jié)構(gòu)并不限于為淺槽隔離結(jié)構(gòu)，如所述隔離結(jié)構(gòu)還可以為局部熱氧化。以下參考圖3以及圖4a_圖4e，具體說明本實施例中所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法。如圖3所示，首先，進行步驟S11，提供第一導(dǎo)電類型的襯底100。然后，進行步驟S12，在所述襯底100中形成第二導(dǎo)電類型的深阱101，如圖4a所
/Jn ο接著，進行步驟S13，在所述深阱101中形成第一導(dǎo)電類型的第一阱102、第二導(dǎo)電類型的第二阱103以及第二導(dǎo)電類型的第三阱104，如圖4b所示。當所述第二阱103和所述第三阱104的摻雜濃度相同，則所述第二阱103和所述第三阱104可以同時制備，即:可以先在所述深阱101中形成第一導(dǎo)電類型的第一阱102，之后再同時在所述深阱101中形成第一導(dǎo)電類型的第二阱103和第三阱104 ;也可以先同時在所述深阱101中形成第一導(dǎo)電類型的第二阱103和第三阱104，之后再在所述深阱101中形成第一導(dǎo)電類型的第一阱102。當所述第三阱104為摻雜濃度高于所述第二阱103的重摻雜，則分別在所述深阱101中形成所述第一阱102、第二阱103以及第三阱104，其中所述第一阱102、第二阱103以及第三阱104形成的順序不做具體限制。
隨后，進行步驟S14，在所述第二阱103中形成第二導(dǎo)電類型的漏區(qū)105，在所述第一阱102中形成第二導(dǎo)電類型的源區(qū)106，在所述第一阱中形成第一導(dǎo)電類型的接觸區(qū)107，其中所述漏區(qū)105、源區(qū)106以及接觸區(qū)107形成的順序不做具體限制，如圖4c所示。由于在本實施例中還包括所述隔離結(jié)構(gòu)，所以在步驟S14和步驟S15之間，還包括制備所述隔離結(jié)構(gòu)，如圖4d所示。最后，進行步驟S15，在部分所述第一阱102和部分所述第二阱103上形成柵極結(jié)構(gòu)108,如圖4e所示。本發(fā)明并不限于以上實施例，所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的所述第一阱102、第二阱103、第三阱104、漏區(qū)105、源區(qū)106、接觸區(qū)107以及柵極結(jié)構(gòu)108的排列關(guān)系由版圖設(shè)計(design)，不作具體限制，所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件還可以為如圖5所示結(jié)構(gòu)，亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。綜上所述，本發(fā)明提供一種橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，該橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件包括:第一導(dǎo)電類型的襯底，第二導(dǎo)電類型的深阱，位于所述襯底中，第一導(dǎo)電類型的第一阱、第二導(dǎo)電類型的第二阱以及第二導(dǎo)電類型的第三阱，均位于所述深阱中，所述第三阱包圍所述第一阱和所述第二阱，第二導(dǎo)電類型的漏區(qū)，位于所述第二阱中，第二導(dǎo)電類型的源區(qū)，位于所述第一阱中，第一導(dǎo)電類型的接觸區(qū)，位于所述第一阱中，柵極結(jié)構(gòu)，覆蓋部分所述第一阱和部分所述第二阱，所述第三阱能夠減小或避免所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的漏電，又不增加橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的尺寸。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件具有以下優(yōu)點:1、本發(fā)明提供的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件包括第二導(dǎo)電類型的第三阱，所述第三阱包圍所述第一阱和所述第二阱，與現(xiàn)有技術(shù)相比，所述第三阱包圍所述第一阱和所述第二阱，使得電子不容易穿越所述第三阱區(qū)域，增加了所述第三阱區(qū)域的所述深阱的摻雜濃度，提高所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的擊穿電壓，能夠減小或避免所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的漏電；較小尺寸的所述第三阱區(qū)域就可以較大地提高所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的擊穿電壓，避免增大所述深阱的尺寸來增加所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的間隔，有利于減小所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的尺寸。2、本發(fā)明提供的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件還包括隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)包括:第一部分，覆蓋部分所述第三阱和部分所述第二阱上，可以進一步地提高所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的擊穿電壓，減小所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的漏電；第二部分，鄰接所述漏區(qū)的一側(cè)，且覆蓋另一部分所述第二阱上，可以防止所述漏區(qū)漏電；第三部分，位于所述漏區(qū)和所述源區(qū)之間，且覆蓋部分所述第二阱上，可以防止所述漏區(qū)和所述源區(qū)之間的漏電；第四部分，位于所述源區(qū)和所述接觸區(qū)之間，且覆蓋部分所述第一阱上，可以防止所述源區(qū)和所述接觸區(qū)之間的漏電。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括: 襯底； 深阱，位于所述襯底中； 第一阱、第二阱以及第三阱，均位于所述深阱中，所述第三阱包圍所述第一阱和所述第二阱； 漏區(qū)，位于所述第二阱中； 源區(qū)，位于所述第一阱中； 接觸區(qū)，位于所述第一阱中；以及 柵極結(jié)構(gòu)，覆蓋部分所述第一阱和部分所述第二阱； 其中，所述襯底、第一阱、和接觸區(qū)均為第一導(dǎo)電類型參雜，所述深阱、第二阱、第三阱、漏區(qū)和源區(qū)均為第二導(dǎo)電類型參雜。
2.如權(quán)利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二阱和所述第三阱的摻雜濃度相同。
3.如權(quán)利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第三阱為重摻雜。
4.如權(quán)利要求1至3中的任一項所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件,其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型；或所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型。
5.如權(quán)利要求1至3中的任一項所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件,其特征在于，所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件還包括隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)包括: 第一部分，覆蓋部分所述第三阱和部分所述第二阱上； 第二部分，位于所述漏區(qū)和所述源區(qū)之間，且覆蓋另一部分所述第二阱上。
6.如權(quán)利要求5所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)還包括第三部分，位于所述源區(qū)和所述接觸區(qū)之間，且覆蓋部分所述第一阱上。
7.如權(quán)利要求5或6所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)為淺槽隔離結(jié)構(gòu)。
8.一種橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括: 提供襯底； 在所述襯底中形成深講； 在所述深阱中形成第一阱、第二阱以及第三阱，所述第三阱包圍所述第一阱和所述第二阱； 在所述第二阱中形成漏區(qū)，在所述第一阱中形成源區(qū)，在所述第一阱中形成接觸區(qū)； 在部分所述第一阱和部分所述第二阱上形成柵極結(jié)構(gòu)； 其中，所述襯底、第一阱、和接觸區(qū)均為第一導(dǎo)電類型參雜，所述深阱、第二阱、第三阱、漏區(qū)和源區(qū)均為第二導(dǎo)電類型參雜。
9.如權(quán)利要求8所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述深阱中形成第一導(dǎo)電類型的第一阱、第二導(dǎo)電類型的第二阱以及第二導(dǎo)電類型的第三阱的步驟包括: 在所述深阱中形成第一導(dǎo)電類型的第一阱；同時在所述深阱中形成第一導(dǎo)電類型的第二阱和第三阱。
10.如權(quán)利要求8所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述深阱中形成第一導(dǎo)電類型的第一阱、第二導(dǎo)電類型的第二阱以及第二導(dǎo)電類型的第三阱的步驟包括: 在所述深阱中形成第一導(dǎo)電類型的第一阱； 在所述深阱中形成第二導(dǎo)電類型的第二阱； 在所述深阱中形成第二導(dǎo)電類型的第三阱。
11.如權(quán)利要求8至10中的任一項所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型；或所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型。
12.如權(quán)利要求8至10中的任一項所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述第一阱中形成第一導(dǎo)電類型的接觸區(qū)步驟和在部分所述第一阱和部分所述第二阱上形成柵極結(jié)構(gòu)步驟之間，還包括在所述襯底上制備隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)包括: 第一部分，覆蓋部分所述第三阱和部分所述第二阱上； 第二部分，位于所述漏區(qū)和所述源區(qū)之間，且覆蓋另一部分所述第二阱上。
13.如權(quán)利要求12所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)還包括第三部分，位于所述源區(qū)和所述接觸區(qū)之間，且覆蓋部分所述第一阱上。
14.如權(quán)利要求12或13所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)為淺槽隔離結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制造方法，所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件包括襯底；深阱，位于所述襯底中；第一阱、第二阱以及第三阱，均位于所述深阱中，所述第三阱包圍所述第一阱和所述第二阱；漏區(qū)，位于所述第二阱中；源區(qū)，位于所述第一阱中；接觸區(qū)，位于所述第一阱中；柵極結(jié)構(gòu)，覆蓋部分所述第一阱和部分所述第二阱。在本發(fā)明提供的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，能夠減小所述橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件之間的漏電，相比無所述第三阱的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的漏電流可以減小2個數(shù)量級，又可以縮小橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的尺寸。
文檔編號H01L29/78GK103151386SQ20131010317
公開日2013年6月12日 申請日期2013年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月27日
發(fā)明者劉正超 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司