專利名稱：基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及可調諧半導體激光器技術領域，特別是低成本低發(fā)散角的可調諧半導體激光器結構及制作方法。
背景技術：
可調諧半導體激光器一直被認為是光纖通信系統(tǒng)和下一代光網絡的關鍵器件之一。它不僅能為密集波分復用(DWDM)系統(tǒng)提供及時、有效的庫存管理和信道快速建立功能，而且還能極大地降低光源備用方案的成本；更重要是，還能為下一代可重構光網絡提供自動波長配置、波長轉換和波長路由功能，從而大大增加網絡靈活性和帶寬利用率。此外，可調諧半導體激光器還廣泛用于相干監(jiān)測、光雷達、光器件測試、示蹤氣體傳感器、環(huán)境監(jiān)測、高分辨率光譜分析及激光多普勒風力測定等。按結構不同，將各公司和研究機構提出的可調諧半導體激光器大致分為以下五類:分布式反饋(DFB)激光器、分布式布拉格反射(DBR)激光器、外腔半導體激光器(ECL)、可調諧垂直腔面發(fā)射激光器、狹槽法布里珀羅(SFP)可調諧激光器。第一類:DFB激光器。它采用溫度調諧方式，制作技術成熟、成本低、可靠性好，但是調諧速度慢、調諧范圍窄(5nm左右)，在實際應用中多采用單片集成DFB激光器陣列來擴大調諧范圍。加拿大Nortel公司、美國Santur公司以及日本NEC、Fujitsu、NTT等公司相繼推出了這類單片集成DFB激光器陣列。第二類:DBR激光器。采用電流調諧方式，調諧速度快(ns)，輸出功率低，調諧范圍大；制作工藝的兼容性好， 比較容易與半導體放大器(SOA)、電吸收(EA)調制器、馬赫-曾德(MZ)調制器等功能單元集成，這些特點使DBR激光器在未來光網絡中的應用頗受關注。目前DBR激光器主要有取樣光柵激光器(SG-DBR)、超結構光柵激光器(SSG-DBR)、數(shù)字超模光柵(DS-DBR)、光柵輔助同向f禹合激光器(GACC-DBR)、輔助光柵定向f禹合背向取樣反射激光器GCSR-DBR、Y分支可調諧激光器以及大幅減小掩埋次數(shù)和生長次數(shù)的非稱波導的可調諧激光器(ATG-DBR)等。對DBR型激光器可以通過集成SOA來彌補它在輸出功率上面的不足，但其工藝難度大、產品成品率低、成本較高限制了其市場規(guī)模。此外這類多電極器件的控制相對復雜，如何確定電流與波長的對應關系是非常繁瑣的事情。第三類:可調諧外腔半導體激光器(ECL)。通過機械方法改變腔外光柵或旋轉鏡的角度，選擇不同衍射角度的波長形成激射，調諧范圍大、光譜線寬窄，輸出光功率高，邊模抑制比高。這種激光器采用微機械系統(tǒng)控制來實現(xiàn)波長調諧，所以調諧慢、結構比較復雜，與其他器件實現(xiàn)單片集成比較困難。第四類:可調諧垂直腔面發(fā)射激光器。采用機械調諧原理，與可調諧外腔半導體激光器不同，它通過微電子機械系統(tǒng)(MEMS)來實現(xiàn)來改變腔長，從而改變縱模間隔達到改變激射波長的目的。這種器件的特點是體積小，便于集成陣列，但它主要缺點是輸出功率低，調節(jié)速度慢。第五類:狹槽FP可調諧半導體激光器。這種可調諧激光器縱模選擇不是依靠通常DFB及DBR，而是在常規(guī)脊型波導激光器上，刻蝕出多個微納周期狹槽，利用帶狹槽微納周期結構的游標卡尺對準效應來選模，通過改變不同微納周期結構的注入電流，實現(xiàn)寬帶調諧，制作工藝簡單。上述五種可調諧半導體激光器，像DFB或DBR激光器，不但需要全息光刻或電子束曝光等亞微米加工技術，而且還需要二次外延或選區(qū)生長、對接生長、量子阱混雜等技術，加工周期長，成本很難降低；可調諧外腔半導體激光器存在體積大、調諧速度慢等問題；可調諧垂直腔面發(fā)射激光器也存在調諧速度慢，輸出功率低等問題。但無論是DFB激光器、DBR激光器、外腔半導體激光器、可調諧垂直腔面發(fā)射激光器和狹槽FP腔激光器都存在快軸慢軸發(fā)散角不一致性，如快軸發(fā)散角40°左右，慢軸發(fā)散角IOo左右，不易于光纖耦合等問題。為了降低快軸發(fā)散角，人們采用多種方法，像極窄波導、寬對稱波導，模式擴展波導，耦合波導，泄漏波導、錐形波導等，但這些方法快軸發(fā)散角也很難小于10度、且不同程度存在模式穩(wěn)定性差、結構設計容差小、損耗大及閾值電流大等問題。單片集成可調諧半導體激光器在光纖通信和智能光網絡中發(fā)揮著越來越重要的作用。針對傳統(tǒng)單片集成可調諧半導體激光器不同程度存在制作工藝復雜、調諧速度慢及發(fā)散角一致性差不利于耦合等問題，本發(fā)明提出一種基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器。該激光器特點是在垂直方向引入微納周期結構對光場進行調制，調整發(fā)散角，提高快慢軸光束的一致性；在與其正交的縱向引入微納周期結構，利用交叉微納周期結構游標卡尺對準效應來進行縱模選擇，通過改變交叉微納周期結構的注入電流分配，實現(xiàn)寬帶調諧。新結構只需低成本的微米級加工工藝，免去二次外延和復雜光柵制備，具有工藝簡單、調諧帶寬大速度快、發(fā)散角一致性好易于耦合等優(yōu)點
發(fā)明內容

為解決上述的一個或多個問題，本發(fā)明的目的在于，提供一種基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器，其是利用人工微結構進行模式選擇，實現(xiàn)單模輸出；同時利用人工微結構對光的散射和衍射作用形成斜向襯底的傾斜光束，增大模場面積，實現(xiàn)超低垂直發(fā)散角，改善單模激光器光束質量，提高與光纖或光柵的耦合效率。該激光器只需一次外延和普通光刻技術即可實現(xiàn)單模工作，低制作成本。本發(fā)明提供一種基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器，包括:一襯底；一 N型電極，制作在襯底的背面；一 N型縱向微納周期結構，制作在襯底的上方，用于形成電流注入通道和實現(xiàn)縱向光場的擴展；一 N型下波導層，制作在N型縱向微納周期結構上方，用于形成電流注入通道和縱向光場限制；一有源區(qū)，制作在N型下波導層的上方，提供光增益；一 P型上波導層，制作在有源區(qū)的上方，用于形成電流注入通道和縱向光場限制；一 P型上限制層，制作在P型上波導的上方，該P型上限制層的縱向剖面為一脊型結構，脊形結構上部的兩側為整體結構，一側為增益區(qū)，另一側為吸收區(qū)，中間為橫向微納周期結構調諧區(qū)，該橫向微納周期結構中包括多個狹槽，用于形成電流注入通道和縱向側向光場限制；一 P型歐姆接觸層，制作在P型上限制層脊型結構上部的上方，用于形成歐姆接觸；一絕緣層，制作在P型上限制層脊型結構下部的上面和脊形結構上部的一側面；一 P型電極，制作在P型上限制層脊形結構的兩側、絕緣層的上面，該P型電極同時還制作在P型歐姆接觸層的上面，用于形成增益區(qū)、橫向微納周期結構兩個交叉調諧區(qū)注入電極，覆蓋于增益區(qū)、橫向微納周期結構調諧區(qū)的狹槽區(qū)域除外，各部分電極彼此斷開；其中該脊型結構兩側為整體結構部分，一側為增益區(qū)，位于激光器出光端面一側，另一側為吸收區(qū)，中間為橫向微納周期結構調諧區(qū)，緊挨著增益區(qū)。從上述技術方案可以看出，本發(fā)明公開一種基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器激光器，具有以下有益效果:利用人工微結構進行模式選擇，實現(xiàn)單模輸出；同時利用人工微結構對光的散射和衍射作用形成斜向襯底的傾斜光束，增大模場面積，實現(xiàn)超低垂直發(fā)散角，改善單模激光器光束質量，提高與光纖或光柵的耦合效率。該激光器只需一次外延和普通光刻技術即可實現(xiàn)單模工作，免去DFB激光器或DBR激光器復雜光柵制備技術和二次外延技術，低制作成本。


為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結合具體實施例，并參照附圖，對本發(fā)明進一步詳細說明，其中:圖1為基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器結構示意圖；圖2是圖1所示可調諧半導體激光器剖面圖；圖3a_d是圖1所示的可調諧半導體激光器，L2和L1的長度差固定，功率反射隨L1和L2長度變化圖；圖4a_d圖1所示的可調諧半導體激光器，L1長度固定，功率反射隨L2長度變化圖；圖5是圖1所示的可調諧半導體激光器近場分布圖；圖6是圖1所示的可調諧半導體激光器遠場分布圖。
具體實施例方式請參閱圖1及圖2，本發(fā)明提供一種基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器。包括N型電極1、N型襯底2、縱向微納周期結構3、N型下波導層4、有源區(qū)5、P型波導層6、P型上限制層7、P型歐姆接觸層8、絕緣層9、P型電極10、增益區(qū)11、橫向微納周期結構調諧區(qū)12和吸收區(qū)13。該結構激光器在垂直生長方向引入微納周期結構對光場進行調制，進行橫模選擇，增大模場面積，減小發(fā)散角；在正交橫向引入多狹槽微納周期結構，利用微周期結構的游標卡尺對準效應來進行縱模選模，通過改變不同的注入電流，實現(xiàn)寬帶調諧。因此這種結構的可調諧激光器只需一次外延生長和普通光刻技術，免去了二次外延和復雜的光柵制備技術，常規(guī)光刻技術即可實現(xiàn)。這種可調諧半導體激光器具有制作工藝簡單、調諧范圍大、調諧速度快、低發(fā)散角易用光纖耦合及結構緊湊等優(yōu)點。在本發(fā)明的一個示例性實施例中，提供了一種基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器。請參照圖1，本實施例單可調諧半導體激光器自下而上包括:N型電極1、N型襯底2、N型縱向微納周期結構3、N型下波導層4、有源區(qū)5、P型波導層6、P型上限制層7、P型歐姆接觸層8、絕緣層9、P型電極10、增益區(qū)11、橫向微納周期結構調諧區(qū)12和吸收區(qū)13。一 N型電極1，制作在襯底2的背面，材料為AuGeNi/Au ；一襯底2，所述襯底2的材料為GaAs、InP、GaSb或GaN，波長覆蓋紫外到遠紅外波段；一 N型縱向微納周期結構3，制作在襯底2的上方，由多個周期組分漸變或突變高低折射率材料31和32InP/InGaAsP交替分布一維光子晶體構成，周期數(shù)大于5，用于形成電流注入通道和實現(xiàn)縱向光場的擴展；一 N型下波導層4，制作在 N型縱向微納周期結構3的上方，材料為InGaAsP、AlGalnAs、AlGaAs或AlGaN,用于形成電流注入通道和縱向光場限制；一有源區(qū)5，制作在N型下波導層4的上方，三明治式夾置N型下波導層4和P型上波導層6之間,提供光增益,所述有源區(qū)5的結構為GaAs、InGaAs、AlGalnAs、InGaAsP、InGaN等量子阱、量子點或量子級聯(lián)超晶格材料；一 P型上波導層6，制作在有源區(qū)5的上方，材料為InGaAsP、AlGaInAs、AlGaAs或AlGaN，用于形成電流注入通道和縱向光場限制；一 P型上限制層7，制作在P型上波導6的上方，該P型上限制層7的縱向剖面為一脊型結構，脊形結構上部的兩側為整體結構，一側為增益區(qū)，另一側為吸收區(qū)，中間為橫向微納周期結構調諧區(qū)，該橫向微納周期結構中包括多個狹槽，用于形成電流注入通道和縱向側向光場限制；所述P型上限制層7脊形結構的上部的高度小于P型上限制層7的厚度，所述P型上限制層7脊形結構的上部的寬度為2-4 μ m,該脊形結構上部整體結構出光端面的一側的長度大于 200ym。材料為 InP、AlGaAs、InGaAsP、AlGaInAs 或 AlGaN。一 P型歐姆接觸層8，制作在P型上限制層7脊型結構上部的上方，用于形成歐姆接觸，材料 GaAs、InGaAs> GaN 或 GaInAsSb ；一絕緣層9，制作在P型上限制層7脊型結構下部的上面和脊形結構上部的側面，采用材料為氮化硅或Si02 ；一 P型電極10，制作在P型上限制層7脊形結構的兩側、絕緣層9的上面，該P型電極10同時還制作在P型歐姆接觸層8的上面，用于形成增益區(qū)11、橫向微納周期結構兩個交叉調諧區(qū)121和122注入電極，覆蓋于增益區(qū)11、橫向微納周期結構調諧區(qū)12的狹槽區(qū)域除外，各部分電極彼此斷開。材料為TiPtAiuAuZnAu或CrAu,通過剝離方法、濕法腐蝕或干法刻蝕方法制備。其中該脊型結構兩側為整體結構部分，一側為增益區(qū)11，位于激光器出光端面一偵牝該增益區(qū)長度大于ΙΟΟμπι另一側為吸收區(qū)13，中間為橫向微納周期結構調諧區(qū)12，緊挨著增益區(qū)11，調諧區(qū)由兩個交叉式調諧區(qū)121和122構成，它有Ν/2個分別為LI和L2的調諧區(qū)組成，N為整數(shù)。調諧機理是利用兩個交叉式調諧區(qū)的梳狀反射譜的游標卡尺效應進行選模，在游標卡尺效應的作用下，通過注入電流改變交叉式調諧區(qū)的兩部分的有效折射率nl和n2，引起反射譜調制包絡的偏移，使得滿足相位匹配條件的最大環(huán)路增益對應波長被調諧出來，從而實現(xiàn)激射波長的切換。交叉式調諧區(qū)可實現(xiàn)短的諧振腔長度，它通過狹槽部分腐蝕進入脊型波導來實現(xiàn)。交叉式調諧區(qū)可實現(xiàn)短的諧振腔長度，它通過狹槽部分腐蝕進入脊型波導來實現(xiàn)，狹槽寬度0.8-1.6 μ m。本實施例基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器，通過在傳統(tǒng)半導體激光器的脊型波導上引入人工微結構，利用人工微結構進行模式選擇，實現(xiàn)單模輸出；同時利用人工微結構對光的散射和衍射作用形成斜向襯底的傾斜光束，增大模場面積，實現(xiàn)超低垂直發(fā)散角，改善單模激光器光束質量，提高與光纖或光柵的耦合效率。該激光器只需一次外延和普通光刻技術即可實現(xiàn)單模工作，免去DFB激光器或DBR激光器復雜光柵制備技術和二次外延技術，低制作成本。本發(fā)明的超低發(fā)散角傾斜光束單縱模人工微結構激光器激光器的制備方法是以上述實施例的1.55 μ m波段AlGaInAs多量子阱基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器制備方法為例進行說明。本實施例包括:步驟A，制備包括:N型電極1、N型襯底2、N型縱向微納周期結構3、N型下波導層
4、有源區(qū)5、P型波導層6、P型上限制層7、P型歐姆接觸層8的外延片。步驟B，生長SiO2刻蝕保護層。用等離子增強化學汽相淀積PECVD方法高溫300°C淀積 200-300nm 厚 SiO2 層。步驟C，光刻技術和 刻蝕技術將增益區(qū)、橫向微納周期結構調諧區(qū)和吸收區(qū)圖形轉移到SiO2層上。用常規(guī)光刻技術制備出增益區(qū)、橫向微納周期結構調諧區(qū)和吸收區(qū)圖形，用光刻膠做為掩膜進行ICP刻蝕SiO2層，將圖形轉移到SiO2層上，刻蝕露出P型歐姆接觸層8，刻蝕掉步驟B淀積的SiO2層厚度。步驟D，用SiO2做為掩膜，借助于ICP刻蝕技術，將上述圖形轉移到外延片?？涛g深度到部分上限制層，控制刻蝕深度不超過P型上波導層，刻蝕側壁盡量陡直。步驟E，生長絕緣層SiO2層9。采用PECVD方法高溫300°C淀積絕緣層SiO2層9。步驟F，在脊形條上開電極窗口。通過光刻形成掩膜圖形，該掩模圖形與所述益區(qū)、橫向微納周期結構調諧區(qū)和吸收區(qū)的臺面的中心為中心，其需要腐蝕掉SiO2部分，條寬小于脊型條寬。然后再采用HF: NH4F: H2O(3ml: 6g: 10ml)腐蝕液，腐蝕SiO2層9，從而在脊型條上開出電極窗口。步驟G，采用磁控濺射技術濺射P型電極層Ti/AulO。步驟H，光刻腐蝕P型電極10。通過光刻形成掩膜圖形，該掩模圖形與所述益區(qū)、橫向微納周期結構調諧區(qū)和吸收區(qū)的臺面的中心為中心，其條寬大于脊型條寬，并在一側或兩側引出壓焊電極圖形。以該掩模圖形為掩膜，濕法腐蝕P型電極TiAulO。步驟I，減薄、拋光背面InP襯底2，蒸發(fā)AuGeNi/Au作為N型電極，然后合金形成歐姆接觸，在快速退火爐內350-410°C退火60秒。步驟J，解離成巴條，腔面鍍膜，在增益區(qū)11的一側鍍增透膜材料可以使Ti02/Si02或Ta205/Si02，在吸收區(qū)的一側鍍高反膜Si或SiO2。步驟K，解離、裝管，分別引出增益區(qū)電極、調諧區(qū)121和調諧區(qū)122電極引線，三個區(qū)域分別加不同注入電流測試調諧特性，相應剖面示意圖如圖2所示。橫向微納周期結構調諧區(qū)12反射譜的形狀強烈兩個交叉式調諧區(qū)121和122的周期長度，依賴L1和L2尺寸參數(shù)，圖3和圖4模擬得到功率反射譜隨L1和L2的長度變化情況。圖3為L1和L2長度差固定情況下，功率反射譜隨L1和L2長度變化圖，其中L1和L2長度差固定 ο μ m, L1和L2長度從50 μ m，60 μ m逐漸增大到200 μ m，210 μ m的情況下，功率反射譜的變化情況。從圖3可以看出，L1和L2長度差固定情況下，增大L1和L2長度，梳狀反射譜的反射峰間距變小，兩個交叉調諧區(qū)相互干涉在反射譜形成調制包絡，可以獲得的最大調諧范圍由調制包線峰值間距決定。由于L1和L2長度差固定，最大可實現(xiàn)的調諧范圍不變。圖4Q長度固定情況下，功率反射譜隨L2長度變化圖，其中L1長度固定200 μ m，L2長度從206 μ m增大到209 μ m功率反射譜的變化情況。從圖中可以看出，L1和L2差值越小可以獲得最大調諧范圍越大，L1和L2差值為6 μ m可獲得的最大調諧范圍62nm。實際器件設計中，為了實現(xiàn)連續(xù)調諧和考慮到量子阱有源區(qū)的增益帶寬，L1和L2長度大于ΙΟΟμπι。圖5為可調諧半導體激光器的近場分布,包括16對InP/InGaAsP光子晶體,計算得到基模光限制因子是其他高階模式限制因子3.8倍，確保基模激射，提高基模的穩(wěn)定性。對近場做快速傅里葉變化得到可調諧半導體激光器遠 場分布圖，模擬得到垂直方向發(fā)散角9.8°。需要說明的是，上述對各元件的定義并不僅限于實施方式中提到的各種具體結構或形狀，本領域的普通技術人員可對其進行簡單地熟知地替換。以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器，包括: 一襯底； 一 N型電極，制作在襯底的背面； 一 N型縱向微納周期結構，制作在襯底的上方，用于形成電流注入通道和實現(xiàn)縱向光場的擴展； 一N型下波導層，制作在N型縱向微納周期結構上方，用于形成電流注入通道和縱向光場限制； 一有源區(qū)，制作在N型下波導層的上方，提供光增益； 一 P型上波導層，制作在有源區(qū)的上方，用于形成電流注入通道和縱向光場限制； 一 P型上限制層，制作在P型上波導的上方，該P型上限制層的縱向剖面為一脊型結構，脊形結構上部的兩側為整體結構，一側為增益區(qū)，另一側為吸收區(qū)，中間為橫向微納周期結構調諧區(qū)，該橫向微納周期結構中包括多個狹槽，用于形成電流注入通道和縱向側向光場限制； 一 P型歐姆接觸層，制作在P型上限制層脊型結構上部的上方，用于形成歐姆接觸； 一絕緣層，制作在P型上限制層脊型結構下部的上面和脊形結構上部的一側面； 一 P型電極，制作在P型上限制層脊形結構的兩側、絕緣層的上面，該P型電極同時還制作在P型歐姆接觸層的上面，用于形成增益區(qū)、橫向微納周期結構兩個交叉調諧區(qū)注入電極，覆蓋于增益區(qū)、橫向微納周期結構調諧區(qū)的狹槽區(qū)域除外，各部分電極彼此斷開； 其中該脊型結構兩側為整體結構部分，一側為增益區(qū)，位于激光器出光端面一側，另一側為吸收區(qū)，中間為橫向微納周期結構調諧區(qū)，緊挨著增益區(qū)。
2.根據權利要求1所述的基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器，其中N型縱向微納周期結構由多個周期組分漸變或突變高低折射率材料交替分布一維光子晶體構成，周期數(shù)5-20個，對可調諧激光器縱向光場進行模式調控，降低垂直發(fā)散角。
3.根據權利要求2所述的基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器，其中構成N型縱向微納周期結構材料的折射率高于P型上限制層的折射率，以保證模式擴展和基模式較強的增益。
4.根據權利要求3所述的基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器，其中N型縱向微納周期結構為采用組分漸變折射率設計來降低垂直方向周期結構肖特基勢壘限制，降低串聯(lián)電阻，改善熱特性。
5.根據權利要求1所述的基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器，其中橫向微納周期結構調諧區(qū)由兩個交叉式調諧區(qū)構成，它有N/2個兩個長度分別為L1和L2的調諧區(qū)組成，N為大于I,狹槽寬度0.8-1.6μ m 和L2長度不等,均大于50 μ m ;是利用兩個交叉式調諧區(qū)的梳狀反射譜的游標卡尺效應進行選模，通過改變兩個調諧區(qū)的注入電流實現(xiàn)波長調諧。
6.根據權利要求1所述的基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器，其中所述P型上限制層的脊型結構的上部的高度小于P型上限制層的厚度。
7.根據權利要求6所述的基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器，其中所述P型上限制層脊型結構的上部的寬度為2-4 μ m，該脊形結構上部整體結構出光端面的一側長度大于200 μ m。
8.根據權利要求1所述的基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器，其中襯底的材料為GaAs、InP, GaSb或GaN，波長覆蓋紫外到遠紅外波段。
9.根據權利要求1所述的基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器，其中有源區(qū)的結構為量子阱、量子點 或超晶格材料。
全文摘要
一種基于正交微納周期結構選模的可調諧半導體激光器，包括一襯底；在該襯底上制作有N型縱向微納周期結構、N型下波導層、有源區(qū)、P型上波導層和P型上限制層，該P型上限制層縱向剖面為一脊型結構，脊形結構上部的兩側為整體結構，一側為增益區(qū)，另一側為吸收區(qū)，中間為橫向微納周期結構調諧區(qū)，該橫向微納周期結構中包括多個狹槽，一P型歐姆接觸層制作在P型上限制層脊型結構上部的上方，一絕緣層，制作在P型上限制層脊型結構下部的上面和脊形結構上部的一側面；一P型電極，制作在P型上限制層脊形結構的兩側、絕緣層的上面，其中該脊型結構兩側為整體結構部分，一側為增益區(qū)，位于激光器出光端面一側，另一側為吸收區(qū)，中間為橫向微納周期結構調諧區(qū)，緊挨著增益區(qū)。
文檔編號H01S5/065GK103227416SQ20131009598
公開日2013年7月31日 申請日期2013年3月25日 優(yōu)先權日2013年3月25日
發(fā)明者渠紅偉, 鄭婉華, 張冶金, 張建心, 劉磊, 齊愛誼, 王海玲, 馬紹棟, 石巖 申請人:中國科學院半導體研究所