專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置及制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置可使用光顯示期望的信息，例如圖像、字母和/或字符，其中，通過在OLED裝置的有機(jī)層中結(jié)合從陽極提供的空穴和從陰極提供的電子而產(chǎn)生所述光。OLED裝置可確保相對(duì)大的視角、快的響應(yīng)速度、小的厚度、低的功耗等。因此，OLED裝置可確定地被認(rèn)為是最具有前景的下一代顯示裝置之一。OLED裝置可包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域。有機(jī)發(fā)光顯示結(jié)構(gòu)可設(shè)置在顯示區(qū)域中，外圍電路可位于外圍區(qū)域中。為了相對(duì)于使用者屏蔽外圍電路，可設(shè)置框架或光屏蔽層以覆蓋外圍區(qū)域。前述討論為了提供大概的背景信息，不構(gòu)成對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的陳述。

發(fā)明內(nèi)容
一方面提供了可以省略用于屏蔽外圍電路的另外的框架或邊框的有機(jī)發(fā)光顯示
>J-U ρ α裝直。當(dāng)在偏振 膜和顯示面板之間設(shè)置例如黑矩陣的光屏蔽層時(shí)，由于黑矩陣和基板之間的臺(tái)階而會(huì)在偏振膜和顯示面板之間產(chǎn)生空隙或氣泡。另外，OLED裝置的機(jī)械強(qiáng)度也會(huì)減小。因此，另一個(gè)方面提供了確保改善的機(jī)械強(qiáng)度和/或可視性的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。另一個(gè)方面提供了具有增強(qiáng)的機(jī)械強(qiáng)度和/或可視性的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法。根據(jù)實(shí)施例，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述裝置包括第一基板、有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)、外圍電路部分、凹陷、黑矩陣和偏振結(jié)構(gòu)。第一基板包括顯示區(qū)域和靠近顯示區(qū)域的至少一側(cè)的外圍區(qū)域。有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)在顯示區(qū)域中設(shè)置在第一基板的第一面的上方。外圍電路部分在外圍區(qū)域中設(shè)置在第一基板的第一面的上方。凹陷在外圍區(qū)域中設(shè)置在第一基板的第二面上，所述第二面與第一面相反。黑矩陣設(shè)置在凹陷中。偏振結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一基板的第二面和黑矩陣的上方。在實(shí)施例中，凹陷可具有大約5mm至大約15mm的寬度。凹陷的深度與凹陷的寬度的比可以是大約1:250至大約1:5000。凹陷的深度可與黑矩陣的厚度基本上相同。在實(shí)施例中，黑矩陣可包括黑硅或炭黑。在實(shí)施例中，外圍區(qū)域可圍繞顯示區(qū)域。在實(shí)施例中，黑矩陣可具有與凹陷的尺寸基本上相同的尺寸。黑矩陣的表面和第一基板的第二面可位于同一平面上。在實(shí)施例中，當(dāng)沿著與第二面垂直的方向觀看時(shí)，黑矩陣可具有線形形狀、彎線形狀、曲線形狀、“U”形形狀、矩形帶形狀、橢圓帶形狀、圓形帶形狀和多邊形帶形狀等。在實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可包括開關(guān)結(jié)構(gòu)，開關(guān)結(jié)構(gòu)在顯示區(qū)域中設(shè)置在第一基板和有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)之間。第二基板可與第一基板相對(duì)。密封件可將第一基板和第二基板互連。根據(jù)實(shí)施例，提供了制造偏振結(jié)構(gòu)的方法。在所述方法中，提供具有顯示區(qū)域和外圍區(qū)域的顯示面板。顯示面板包括第一基板、設(shè)置在第一基板的第一面上方的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)和設(shè)置在第一基板的第一面上方的外圍電路。部分地去除第一基板以在外圍區(qū)域中在第一基板的第二面上形成凹陷。在凹陷中形成黑矩陣。在第一基板的第二面和黑矩陣的上方形成偏振結(jié)構(gòu)。在實(shí)施例中，外圍區(qū)域可靠近顯示區(qū)域的至少一側(cè)。在實(shí)施例中，外圍區(qū)域可圍繞顯示 區(qū)域。在實(shí)施例中，凹陷可具有大約5mm至大約15mm的寬度，凹陷的深度與凹陷的寬度的比可以是大約1:250至大約1:5000。在實(shí)施例中，黑矩陣可具有與凹陷的尺寸基本上相同的尺寸。當(dāng)沿著與第二面垂直的方向觀看時(shí)，黑矩陣可被形成為具有線形形狀、彎線形狀、曲線形狀、“U”形形狀、矩形帶形狀、橢圓帶形狀、圓形帶形狀和多邊形帶形狀等。黑矩陣的表面和第一基板的第二面可位于同一平面上。在實(shí)施例中，可使用黑硅或炭黑形成黑矩陣。在實(shí)施例中，第一基板可包括透明的無機(jī)基板，形成凹陷的步驟可包括干蝕刻工藝或濕蝕刻工藝。在實(shí)施例中，第一基板可包括透明聚合物基板，形成凹陷的步驟可包括拋光工藝。根據(jù)實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可包括填充凹陷的黑矩陣，其中，凹陷可在外圍區(qū)域中設(shè)置在第一基板上。黑矩陣可用作光屏蔽層，從而可以省略用于屏蔽外圍電路的另外的框架或邊框。另外，在第一基板和偏振結(jié)構(gòu)之間或黑矩陣和偏振結(jié)構(gòu)之間可以不產(chǎn)生空隙或氣泡，由此改善了有機(jī)發(fā)光顯示裝置的機(jī)械強(qiáng)度。


通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，將更清楚地理解實(shí)施例。圖1至圖8表現(xiàn)出在此描述的非限制性實(shí)施例。圖1是示出了根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖；圖2是示出了根據(jù)實(shí)施例的具有黑矩陣的基板的平面圖；圖3是示出了根據(jù)一些實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖；圖4是示出了根據(jù)一些實(shí)施例的具有黑矩陣的基板的平面圖；圖5至圖8是示出了根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖視圖。
具體實(shí)施例方式在下文中參照附圖更充分地描述了各種實(shí)施例，在附圖中示出了一些實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)施，且不應(yīng)該解釋為局限于在這里所提出的實(shí)施例。確切地說，提供這些實(shí)施例使得本描述將是徹底和完全的，且這些實(shí)施例將把本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰起見，會(huì)夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。將被理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在”另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí),該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)由稀⒅苯舆B接到或結(jié)合到另一元件或?qū)?，或者在該元件或?qū)优c另一元件或?qū)又g可以存在中間元件或中間層。相反，當(dāng)元件被稱作“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”或“直接結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或中間層。相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。如在這里使用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任意和所有組合。將被理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅是用來將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開來。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可被稱作第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。為了便于描述，在這里可使用空間相對(duì)術(shù)語，如“在…之下”、“在…下方”、“下面的”、“在…上方”、“上面的”等，用來描述如在圖中所示的一個(gè)元件或特征與另一個(gè)元件或特征的關(guān)系。將理解的是，空間相對(duì)術(shù)語意在包含除了在附圖中描述的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件隨后將被定位為“在”其他元件或特征“上方”。因而，示例性術(shù)語“在…下方”可包括“在…上方”和“在…下方”兩種方位。所述裝置可被另外定位(例如旋轉(zhuǎn)90度或者在其他方位)，并對(duì)在這里使用的空間相對(duì)描述語做出相應(yīng)的解釋。這里使用的術(shù)語僅為了描述具體實(shí)施例的目的，而不意圖限制本發(fā)明。如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式“一個(gè)/ 一種”、“所述”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時(shí)，說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。在此參照作為理想實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的剖視圖來描述實(shí)施例。這樣，預(yù)計(jì)會(huì)出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，實(shí)施例不應(yīng)該被解釋為局限于在此示出的區(qū)域的具體形狀，而將包括例如由制造導(dǎo)致的形狀偏差。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)域?qū)⑼ǔＴ谄溥吘壘哂袌A形或彎曲的特征和/或具有注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的二元變化。同樣，通過注入形成的埋區(qū)會(huì)導(dǎo)致在埋區(qū)和通過其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，在圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀并不意圖示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀，也不意圖限制本發(fā)明的范圍。
除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。還將理解的是，除非這里如此明確定義，否則術(shù)語(諸如在通用字典中定義的術(shù)語)應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的環(huán)境中它們的意思一致的意思，而將不以理想的或者過于形式化的含義來解釋它們。圖1是示出了根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖，圖2是示出了根據(jù)實(shí)施例的具有黑矩陣的基板的平面圖。參照?qǐng)D1，根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100可包括第一基板110、黑矩陣120、偏振結(jié)構(gòu)130、開關(guān)結(jié)構(gòu)140、有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)150、外圍電路單元160、第二基板170和密封件180 等。在實(shí)施例中，開關(guān)結(jié)構(gòu)140、有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)150和外圍電路單元160可設(shè)置在第一基板110的第一面和第二基板170之間，黑矩陣120可設(shè)置在第一基板110的第二面和偏振結(jié)構(gòu)130之間。例如，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置100具有底發(fā)射類型時(shí)，黑矩陣120可位于第一基板110的第二面上。另外，開關(guān)結(jié)構(gòu)140、有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)150和外圍電路單兀160設(shè)置在第一基板110的第一面上。第一基板110可包括透明絕緣基板。例如，第一基板110可包括玻璃基板、石英基板和透明樹脂基板等中的一種。在一些實(shí)施例中，第一基板110可包括柔性基板。參照?qǐng)D2，第一基板110可包括顯示區(qū)域I和可基本上圍繞或包圍顯示區(qū)域I的外圍區(qū)域II。例如，外圍區(qū)域II可遍及顯示區(qū)域I的四側(cè)延伸以圍繞顯示區(qū)域I。有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)150可位于顯示區(qū)域I中，包括外圍電路的外圍電路單元160可位于外圍區(qū)域II中。凹陷115可在外圍區(qū)域II中位于第一基板110的第二面上。在實(shí)施例中，凹陷115可完全覆蓋外圍區(qū)域II或可形成在整個(gè)外圍區(qū)域II。在一些實(shí)施例中，凹陷115可基本上覆蓋外圍區(qū)域II的至少一部分。例如，當(dāng)沿著與第二面垂直的方向觀看時(shí)，凹陷115可具有各種形狀例如基本上的矩形帶形狀、基本上的橢圓帶形狀、基本上的圓形帶形狀和基本上的多邊形帶形狀等中的一種。當(dāng)從第一基板110的第二面測(cè)量時(shí)，凹陷115可具有在大約3μπι至大約20 μ m范圍內(nèi)的深度。因此，可在顯示區(qū)域I和外圍區(qū)域II之間在第一基板110上產(chǎn)生臺(tái)階部。另外，凹陷115可具有大約5mm至大約15mm的寬度。因此，凹陷115的深度和寬度的比可在大約1:250至大約1:5000的范圍內(nèi)。黑矩陣120可設(shè)置在凹陷115中。例如，黑矩陣120可包括黑硅、炭黑等。在實(shí)施例中，黑矩陣120可具有與凹陷115的深度基本上相同的高度。黑矩陣120可基本上填充凹陷115，因此第一基板110的第二面和黑矩陣120的面可形成基本上平坦的面。即，在第一基板110的第二面和黑矩陣120的面之間可不形成臺(tái)階。在實(shí)施例中，黑矩陣120可完全填充凹陷115，使得黑矩陣120可具有在大約5mm至大約15mm范圍內(nèi)的寬度。因此，黑矩陣的高度和寬度的比可以是大約1:250至大約1:5000。S卩，黑矩陣120可具有與凹陷115的尺寸基本上相同或基本上相似的尺寸。在選擇性實(shí)施例中，黑矩陣120可具有比凹陷115的深度小的高度。參照?qǐng)D1，偏振結(jié)構(gòu)130可設(shè)置在第一基板110的第二面和黑矩陣120的面上。偏振結(jié)構(gòu)130可位于由第一基板110和黑矩陣120形成的基本上水平的面上，使得在第一基板110和偏振結(jié)構(gòu)130之間或在黑矩陣120和偏振結(jié)構(gòu)130之間可以不產(chǎn)生空隙或氣泡。在實(shí)施例中，偏振結(jié)構(gòu)130可包括至少一個(gè)偏振層、延遲層、保護(hù)層和多個(gè)粘合層等。粘合層可包括位于第一基板110的第二面上和黑矩陣120的面上的粘合層135。粘合層135可包括壓敏粘合劑。偏振結(jié)構(gòu)130可減少或防止外部光的反射，從而改善有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的可視性。當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置100具有有源矩陣類型時(shí)，有機(jī)發(fā)光顯示裝置100可包括在顯示區(qū)域I中設(shè)置在第一基板Iio的第一面上的開關(guān)結(jié)構(gòu)140。例如，開關(guān)結(jié)構(gòu)140可包括開關(guān)元件(例如晶體管)和多個(gè)絕緣層。當(dāng)開關(guān)元件包括薄 膜晶體管時(shí)，開關(guān)元件可包括柵電極、源電極、漏電極和有源層。有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)150可在顯示區(qū)域I中設(shè)置在開關(guān)結(jié)構(gòu)140上。有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)150可包括多個(gè)有機(jī)層。例如，有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)150可包括空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層和電子傳輸層等，有機(jī)發(fā)光層可包括產(chǎn)生紅色光、綠色光和藍(lán)色光中的至少一種光的有機(jī)材料或有機(jī)材料和無機(jī)材料的混合物。外圍電路單元160可在外圍區(qū)域II中設(shè)置第一基板110上。例如，外圍電路單元160可包括例如柵極驅(qū)動(dòng)電路、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路、共電源線和驅(qū)動(dòng)電源線的各種外圍電路。夕卜圍電路可接收來自外部部分的信號(hào)，并可將信號(hào)傳輸?shù)接袡C(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)150。在實(shí)施例中，夕卜圍電路單元160可被設(shè)置為充分地覆蓋外圍區(qū)域II。在一些實(shí)施例中，外圍電路單元160可被設(shè)置為基本上圍繞或包圍顯示區(qū)域I?，F(xiàn)在參照?qǐng)D1，第二基板170可位于第一基板110上方。S卩，第二基板170可基本上與第一基板110相對(duì)。第二基板170可包括透明絕緣基板或不透明絕緣基板。例如，第二基板170可包括例如玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等的透明絕緣基板?？蛇x擇地，第二基板170可包括例如金屬基板和金屬氧化物基板等的不透明絕緣基板。密封件180可設(shè)置在第一基板110和第二基板170之間以結(jié)合第一基板110和第二基板170或?qū)⒌谝换?10和第二基板170互連。因此，密封件180可防止水蒸氣或污染物滲入有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)150中，這可以避免有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)150中的有機(jī)層的劣化。盡管有機(jī)發(fā)光顯示裝置100可具有如圖1中所示的底發(fā)射類型，但是本發(fā)明可以不限于上述構(gòu)造。即，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可具有頂發(fā)射類型。在實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置100可包括填充凹陷115的黑矩陣120，其中，凹陷115在外圍區(qū)域II中設(shè)置在第一基板110的第二面上。黑矩陣120可用作光屏蔽層，因此黑矩陣120可屏蔽外圍電路單元160。因此，可省略用于屏蔽外圍電路單元160的另外的框架或另外的邊框(bezel)。另外，黑矩陣120可位于第一基板110的凹陷115中，以防止在第一基板110和偏振結(jié)構(gòu)130之間或黑矩陣120和偏振結(jié)構(gòu)130之間產(chǎn)生空隙或氣泡。因此，在可減少圖像可視性的降低的同時(shí)，可增強(qiáng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的機(jī)械強(qiáng)度。圖3是示出了根據(jù)一些實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖，圖4是示出了根據(jù)一些實(shí)施例的具有黑矩陣的基板的平面圖。參照?qǐng)D3，有機(jī)發(fā)光顯示裝置102可包括第一基板112、黑矩陣121、偏振結(jié)構(gòu)130、開關(guān)結(jié)構(gòu)140、有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)150、外圍電路部分160、第二基板170和密封件180等。圖3中示出的偏振結(jié)構(gòu)130、開關(guān)結(jié)構(gòu)140、有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)150、外圍電路部分160、第二基板170和密封件180可分別與參照?qǐng)D1描述的偏振結(jié)構(gòu)130、開關(guān)結(jié)構(gòu)140、有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)150、外圍電路部分160、第二基板170和密封件180基本上相同或基本上相似。因此，為簡(jiǎn)潔起見，可簡(jiǎn)化或省略其詳細(xì)描述。參照?qǐng)D3和圖4，第一基板112可包括透明絕緣基板。第一基板可包括顯示區(qū)域I和可被設(shè)置為靠近顯示區(qū)域I的至少一側(cè)的外圍區(qū)域II。盡管如圖4中所示，外圍區(qū)域II可鄰近顯示區(qū)域I的下側(cè)和右側(cè)，但是在選擇性實(shí)施例中，外圍區(qū)域II也可鄰近顯示區(qū)域I的上側(cè)、左側(cè)、下側(cè)和右側(cè)中的一側(cè)。在其他的實(shí)施例中，外圍區(qū)域II可鄰近顯示區(qū)域I的上側(cè)、左側(cè)、下側(cè)和右側(cè)中的兩側(cè)或三側(cè)。在圖4中所示的實(shí)施例中，外圍區(qū)域II沿著下側(cè)和右側(cè)的整個(gè)長度延伸。 可選擇地，外圍區(qū)域II可沿著顯示區(qū)域I的側(cè)部的部分長度延伸。有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)150可設(shè)置在顯示區(qū)域I中，外圍電路單元160可設(shè)置在外圍區(qū)域II中。參照?qǐng)D3，凹陷116可在外圍區(qū)域II中形成在第一基板112的第二面上。因此，凹陷116可靠近或鄰近顯示區(qū)域I的至少一側(cè)。如上所述，凹陷116可鄰近顯示區(qū)域I的上側(cè)、下側(cè)、右側(cè)和左側(cè)中的一側(cè)、兩側(cè)或三側(cè)。黑矩陣121可填充凹陷116，從而靠近顯示區(qū)域I的上側(cè)、下側(cè)、右側(cè)和左側(cè)中的至少一側(cè)并基本上沿著顯示區(qū)域I的上側(cè)、下側(cè)、右側(cè)和左側(cè)中的至少一側(cè)延伸。因此，當(dāng)沿著與第二面垂直的方向觀看時(shí)，黑矩陣121可具有例如基本上的彎線形狀、曲線形狀和基本上的“U”形形狀等的各種形狀。在實(shí)施例中，黑矩陣121可具有與凹陷116的深度基本上相同的厚度。即，黑矩陣121可具有與凹陷116的尺寸基本上相同或基本上相似的尺寸。偏振結(jié)構(gòu)130可設(shè)置在第一基板112的第二面和黑矩陣121上。如上所述，在偏振結(jié)構(gòu)130和第一基板112之間或偏振結(jié)構(gòu)130和黑矩陣121之間可以不產(chǎn)生空隙或氣泡。在實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置102可包括填充凹陷116的黑矩陣121，其中，凹陷116可在外圍區(qū)域II中設(shè)置在第一基板112的第二面上。與參照?qǐng)D1描述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100相比，參照?qǐng)D3描述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置102可包括可沿著顯示區(qū)域I的側(cè)部部分地延伸的黑矩陣121。在這種情況下，可省略用于屏蔽外圍電路單元160的另外的框架或另外的邊框，并且在第一基板112和偏振結(jié)構(gòu)130之間或在黑矩陣121和偏振結(jié)構(gòu)130之間可以不出現(xiàn)空隙或氣泡。圖5至圖8是示出了根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖視圖。參照?qǐng)D5,可提供具有顯不區(qū)域I和外圍區(qū)域II的第一基板110。如圖2和圖4中所示，外圍區(qū)域II可與顯示區(qū)域I的至少一側(cè)接觸。在實(shí)施例中，可在顯示區(qū)域I中在第一基板110的第一面上順序地形成開關(guān)結(jié)構(gòu)140和有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)150,可在外圍區(qū)域II中在第一基板110的第一面上形成外圍電路單元160?？稍诘谝换?10的上方設(shè)置第二基板170以與第一基板110的第一面相對(duì)，可通過使用密封件180固定第一基板110和第二基板170，以完成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示面板。參照?qǐng)D6，可去除第一基板110的部分以在第一基板110的第二面上形成凹陷115。在實(shí)施例中，凹陷115可形成在可接觸顯示區(qū)域I的至少一側(cè)的外圍區(qū)域II中。在這種情況下，凹陷115可具有例如基本上的線形形狀、基本上的彎線形狀、曲線形狀和基本上的“U”形形狀等的各種形狀中的一種。在一些實(shí)施例中，凹陷115可形成在可完全圍繞或包圍顯示區(qū)域I的四側(cè)的外圍區(qū)域II中。在這種情況下，凹陷115可具有例如基本上的矩形帶形狀、基本上的橢圓帶形狀、基本上的圓形帶形狀和基本上的多邊形帶形狀等的各種平面形狀。當(dāng)?shù)谝换?10包括例如透明陶瓷基板、玻璃基板或石英基板的透明的無機(jī)基板時(shí)，可通過干蝕刻工藝或濕蝕刻工藝形成凹陷115。在實(shí)施例中，可在第一基板110的第二面上形成光致抗蝕劑圖案或硬掩模，可使用光致抗蝕劑圖案或硬掩模部分地蝕刻第一基板110以在外圍區(qū)域II中形成凹陷115。 當(dāng)?shù)谝换?10包括透明聚合物基板時(shí)，可通過干蝕刻工藝、濕蝕刻工藝或拋光工藝形成凹陷115。包括透明聚合物基板的第一基板110的機(jī)械強(qiáng)度可顯著低于包括透明的無機(jī)基板的第一基板110的機(jī)械強(qiáng)度。因此，可通過執(zhí)行拋光工藝以及蝕刻工藝在外圍區(qū)域II中形成凹陷115。凹陷115可被形成為具有與外圍區(qū)域II的寬度基本上相同的寬度。例如，凹陷115可具有大約5mm至大約15mm的寬度。凹陷115可具有在大約3 μ m至大約20 μ m范圍內(nèi)的深度，使得凹陷115的深度與寬度的比可以是大約1:250至大約1:5000。在實(shí)施例中，凹陷115的側(cè)壁可與第一基板110的第二面基本上垂直。在一些實(shí)施例中，凹陷115的側(cè)壁可相對(duì)于第一基板110的第二面具有預(yù)定的角度。即，凹陷115可具有相對(duì)于第一基板110以預(yù)定的角度傾斜的側(cè)壁。參照?qǐng)D7，可在凹陷115中形成黑矩陣120。 在實(shí)施例中，可通過紫外(UV)墨印刷工藝形成黑矩陣120。例如，可通過用黑色紫夕KUV)墨填充凹陷115并照射具有預(yù)定波長的光以使黑色UV墨硬化來形成黑矩陣120。在這種情況下，黑矩陣120可被形成為具有各種平面形狀，例如基本上的線形形狀、基本上的彎線形狀、曲線形狀、基本上的“U”形形狀、基本上的矩形帶形狀、基本上的橢圓帶形狀、基本上的圓形帶形狀和基本上的多邊形帶形狀等。例如，黑色UV墨可包括黑硅或炭黑?？稍谙鄬?duì)低的溫度下執(zhí)行UV墨印刷工藝，使得在凹陷115中形成黑矩陣120的同時(shí)顯示面板不會(huì)受到熱損害?？蛇x擇地，可通過噴射印刷工藝形成黑矩陣120。黑矩陣120可被形成為具有與凹陷115的尺寸基本上相同或基本上相似的尺寸。因此，在黑矩陣120的暴露的面和第一基板110的第二面之間可以不形成臺(tái)階。參照?qǐng)D8，可在第一基板110的第二面和黑矩陣120上形成偏振結(jié)構(gòu)130。在實(shí)施例中，可鄰近第一基板110的第二面形成偏振結(jié)構(gòu)130的粘合層135。粘合層135可包括壓敏粘合劑，使得當(dāng)對(duì)粘合層135施加壓力時(shí)，偏振結(jié)構(gòu)130可粘附到第一基板110和黑矩陣。因此，可完成有機(jī)發(fā)光顯示裝置。根據(jù)制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的實(shí)施例，在第一基板110的第二面和黑矩陣120的暴露的面之間可以不形成臺(tái)階。因此，偏振結(jié)構(gòu)130可粘附到第一基板110，而在它們之間不形成空隙或氣泡。另外，可在相對(duì)低的溫度下使用紫外(UV)墨印刷工藝形成黑矩陣120，而不對(duì)顯示面板造成損害。根據(jù)實(shí)施例，在第一基板和偏振結(jié)構(gòu)之間或在黑矩陣和偏振結(jié)構(gòu)之間可以不形成空隙或氣泡。因此，可改善有機(jī)發(fā)光顯示裝置的機(jī)械強(qiáng)度和可視性。根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可應(yīng)用在常規(guī)的顯示設(shè)備和各種新近的電子設(shè)備例如電子書、消費(fèi)類產(chǎn)品等中。前述是實(shí)施例的舉例說明，并不解釋為對(duì)實(shí)施例進(jìn)行限制。雖然已經(jīng)描述了一些實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易地理解，在本質(zhì)上不脫離本發(fā)明的新穎的教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)的情況下，能夠在實(shí)施例中做出許多修改。因此，意圖將所有這樣的修改包括在本發(fā)明的如權(quán)利要求中限定的范圍之內(nèi)。在權(quán)利要求中，功能性限定意在覆蓋這里被描述為執(zhí)行所述功能的結(jié)構(gòu)，并且不僅覆蓋結(jié)構(gòu)上的等同物而且覆蓋等同的結(jié)構(gòu)。因此，應(yīng)該理解的是，前述是各種實(shí)施例的舉例說明，并不被解釋為局限于公開的特定實(shí)施例，并且對(duì)公開的實(shí)施例的修改以及其他實(shí)施例意圖被包括在權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括: 第一基板，包括顯示區(qū)域和靠近顯示區(qū)域的至少一側(cè)的外圍區(qū)域； 有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)，在顯示區(qū)域中設(shè)置在第一基板的第一面的上方； 外圍電路部分，在外圍區(qū)域中設(shè)置在第一基板的第一面的上方； 凹陷，在外圍區(qū)域中設(shè)置在第一基板的第二面上，所述第二面與第一面相反； 黑矩陣，設(shè)置在凹陷中；以及 偏振結(jié)構(gòu)，設(shè)置在第一基板的第二面和黑矩陣的上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，凹陷具有5mm至15mm的寬度，凹陷的深度與凹陷的寬度的比是1:250至1:5000。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，凹陷的深度與黑矩陣的厚度基本上相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，黑矩陣包括黑硅或炭黑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，外圍區(qū)域圍繞顯示區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，黑矩陣具有與凹陷的尺寸基本上相同的尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，黑矩陣的表面和第一基板的第二面位于同一平面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，當(dāng)沿著與第二面垂直的方向觀看時(shí)，黑矩陣具有從由線形形狀、彎線形狀、曲線形狀、“U”形形狀、矩形帶形狀、橢圓帶形狀、圓形帶形狀和多邊形帶形狀組成的組中選擇的形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置還包括: 開關(guān)結(jié)構(gòu)，在顯示區(qū)域中設(shè)置在第一基板和有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)之間； 第二基板，與第一基板相對(duì)；以及 密封件，將第一基板和第二基板互連。
10.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括: 提供顯示面板，顯示面板包括第一基板、設(shè)置在第一基板的第一面上方的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)和設(shè)置在第一基板的第一面上方的外圍電路，顯示面板具有顯示區(qū)域和外圍區(qū)域；部分地去除第一基板以在外圍區(qū)域中在第一基板的第二面上形成凹陷； 在凹陷中形成黑矩陣；以及 在第一基板的第二面和黑矩陣的上方形成偏振結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，外圍區(qū)域靠近顯示區(qū)域的至少一側(cè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，外圍區(qū)域圍繞顯示區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，凹陷具有5mm至15mm的寬度，凹陷的深度與凹陷的寬度的比是1:250至1:5000。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，黑矩陣具有與凹陷的尺寸基本上相同的尺寸。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，當(dāng)沿著與第二面垂直的方向觀看時(shí)，黑矩陣被形成為具有從由線形形狀、彎線形狀、曲線形狀、“U”形形狀、矩形帶形狀、橢圓帶形狀、圓形帶形狀和多邊形帶形狀組成的組中選擇的形狀。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法， 其中，使用黑硅或炭黑形成黑矩陣。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，第一基板包括透明的無機(jī)基板，通過使用干蝕刻工藝或濕蝕刻工藝形成凹陷。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，第一基板包括透明聚合物基板，通過使用拋光工藝形成凹陷。
19.根據(jù)權(quán) 利要求10所述的方法，其中，黑矩陣的表面和第一基板的第二面位于同一平面上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括第一基板、有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)、外圍電路、凹陷、黑矩陣和偏振結(jié)構(gòu)。第一基板可包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域。外圍區(qū)域可圍繞顯示區(qū)域或沿顯示區(qū)域的至少一側(cè)延伸。有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)可在顯示區(qū)域中設(shè)置在第一基板的第一面的上方。外圍電路可在外圍區(qū)域中設(shè)置在第一基板的第一面的上方。凹陷可在外圍區(qū)域中設(shè)置在第一基板的第二面上。黑矩陣可設(shè)置在凹陷中。偏振結(jié)構(gòu)可設(shè)置在第一基板的第二面和黑矩陣的上方。
文檔編號(hào)H01L27/32GK103219358SQ20131002725
公開日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月19日
發(fā)明者梁承要, 柳道亨 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司