顯示面板、顯示單元和電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了能在相鄰像素之間減少泄漏電流的顯示面板、顯示單元以及電子設(shè)備。該顯示面板包括在顯示區(qū)域的多個(gè)像素。該像素的每一個(gè)具有有機(jī)EL器件以及驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL器件的像素電路。有機(jī)EL器件具有陽(yáng)極、陰極以及設(shè)置在陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)層。陽(yáng)極的側(cè)表面構(gòu)造為陽(yáng)極在陰極側(cè)的截面面積大于陽(yáng)極在陰極相反側(cè)的截面面積。
【專利說(shuō)明】顯示面板、顯示單元和電子設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及包括以每個(gè)像素為基礎(chǔ)的有機(jī)EL (Electroluminescence,電致發(fā)光)器件的顯示面板以及包括這種顯示面板的顯示單元。此外，本發(fā)明涉及包括上述顯示單元的電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，在執(zhí)行圖像顯示的顯示單元領(lǐng)域中，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了采用電流驅(qū)動(dòng)型光學(xué)器件作為像素中的發(fā)光器件的顯示單元，其中發(fā)光亮度根據(jù)流過(guò)的電流值變化，例如為有機(jī)EL器件，并且這樣的顯示單元的產(chǎn)品商業(yè)化已經(jīng)在向前推進(jìn)。與液晶器件等不同，有機(jī)EL器件是自發(fā)光器件。因此，采用有機(jī)EL器件的顯示單元(有機(jī)EL顯示單元)消除了對(duì)光源(背光)的需求，并且因此與具有光源的液晶顯示單元相比能實(shí)現(xiàn)小框架外觀(lower-profile appearance)和高亮度。尤其是,當(dāng)有源矩陣方法用作驅(qū)動(dòng)方法時(shí),能在保持狀態(tài)下使每個(gè)像素明亮，并且降低功耗。因此，希望有機(jī)EL顯示單元成為下一代平板顯示器的主流。
[0003]在有源矩陣顯示單元中，流過(guò)以每個(gè)像素為基礎(chǔ)設(shè)置的有機(jī)EL器件的電流由設(shè)置在為每個(gè)有機(jī)EL器件設(shè)置的像素電路內(nèi)的薄膜晶體管(TFT)控制(例如，見(jiàn)PTLl )。
[0004]引用列表
[0005]專利文件
[0006]PTLl日本未審查專利申請(qǐng)公開(kāi)N0.2008-33193
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]有機(jī)EL器件是在陽(yáng)極和陰極之間設(shè)置由有機(jī)化合物制成的薄膜的電子器件。在有機(jī)EL器件中，從每一個(gè)陽(yáng)極和陰極的注入空穴和電子，并且這些空穴和電子的復(fù)合產(chǎn)生的能量提取為光。因此，通過(guò)改善空穴的注入特性能夠?qū)崿F(xiàn)諸如降低驅(qū)動(dòng)電壓和改善發(fā)光效率的有益效果。
[0008]在有機(jī)EL器件為低分子氣相沉積型的情況下，當(dāng)有機(jī)EL器件設(shè)置成陣列時(shí)，采用蒸發(fā)掩模，在每個(gè)像素基礎(chǔ)上選擇性地執(zhí)行氣相沉積形成發(fā)光層。然而，考慮到改善生產(chǎn)率和降低生產(chǎn)成本，有機(jī)層上除了發(fā)光層之外的任何其它層可優(yōu)選共同地形成在每個(gè)像素中。不過(guò)，如果空穴注入層(HIL)共同地形成在每個(gè)像素中，由于空穴注入層的低電阻率而在相鄰像素之間產(chǎn)生泄漏電流，導(dǎo)致所希望像素之外的任何像素也發(fā)光。結(jié)果，產(chǎn)生混色和圖像質(zhì)量下降的缺點(diǎn)。
[0009]因此，希望提供使得可以在相鄰像素之間減少泄漏電流的顯示面板、顯示單元和電子設(shè)備。
[0010]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板包括在顯示區(qū)域的多個(gè)像素。每個(gè)像素具有有機(jī)EL器件和驅(qū)動(dòng)該有機(jī)EL器件的像素電路。有機(jī)EL器件具有陽(yáng)極、陰極以及設(shè)置在陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)層。陽(yáng)極的側(cè)表面構(gòu)造為陽(yáng)極在陰極側(cè)的截面面積大于陽(yáng)極在陰極相反側(cè)的截面面積。
[0011]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示單元包括上述顯示面板以及驅(qū)動(dòng)像素中的每一個(gè)的驅(qū)動(dòng)電路。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備包括上述顯示單元。
[0012]在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板、顯示單元和電子設(shè)備中，有機(jī)EL器件上陽(yáng)極的側(cè)表面構(gòu)造為陽(yáng)極在陰極側(cè)的截面面積大于陽(yáng)極在陰極相反側(cè)的截面面積。采用這樣的結(jié)構(gòu)，例如，當(dāng)空穴注入層層疊在對(duì)應(yīng)于包括顯示區(qū)域內(nèi)所有像素的區(qū)域的整個(gè)區(qū)域上時(shí)，能在對(duì)應(yīng)于空穴注入層上每個(gè)陽(yáng)極的側(cè)表面的位置形成高電阻率結(jié)構(gòu)。
[0013]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板、顯示單元和電子設(shè)備，能在空穴注入層的制造工藝中在對(duì)應(yīng)于空穴注入層上每個(gè)陽(yáng)極的側(cè)表面的位置形成高電阻率結(jié)構(gòu)，因此使得可以抑制在相鄰像素之間產(chǎn)生泄漏電流。結(jié)果，這使得可以抑制產(chǎn)生混色以及圖像質(zhì)量的下降。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示單元的構(gòu)造示例的示意圖。
[0015]圖2是示出一個(gè)像素的構(gòu)造示例的示意圖。
[0016]圖3是示出有機(jī)EL器件的截面構(gòu)造示例的示意圖。
[0017]圖4是示出有機(jī)EL器件的另一個(gè)截面構(gòu)造示例的示意圖。
[0018]圖5是用于說(shuō)明圖1所示顯示面板中像素之間泄漏電流的示意圖。
[0019]圖6是用于說(shuō)明根據(jù)比較示例的顯示面板中像素之間泄漏電流的示意圖。
[0020]圖7是示出用于制造圖3所示有機(jī)EL器件的工藝示例的截面圖。
[0021]圖8是示出包括根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的顯示單元的模塊的簡(jiǎn)化構(gòu)造的平面圖。
[0022]圖9是示出用于根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的發(fā)光單元的應(yīng)用示例I的外觀的透視圖。
[0023]圖1OA是示出應(yīng)用示例2從前側(cè)看的外觀的透視圖，而圖1OB是示出應(yīng)用示例2從后側(cè)看的外觀的透視圖。
[0024]圖11是示出應(yīng)用示例3的外觀的透視圖。
[0025]圖12是示出應(yīng)用示例4的外觀的透視圖。
[0026]圖13A是應(yīng)用示例5在開(kāi)啟狀態(tài)下的主視圖，圖13B是其側(cè)視圖，圖13C是關(guān)閉狀態(tài)下的主視圖，圖13D是左側(cè)視圖，圖13E是右側(cè)視圖，圖13F是俯視圖，而圖13G是仰視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面，將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。應(yīng)注意，描述按下列順序提供。
[0028]1.實(shí)施例(顯示單元)
[0029]在陽(yáng)極的側(cè)表面上分級(jí)切出空穴注入層的示例。
[0030]2.應(yīng)用不例(電子設(shè)備)
[0031]根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的顯示單元應(yīng)用于電子設(shè)備的示例。
[0032]1.實(shí)施例
[0033]構(gòu)造
[0034]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示單元I的簡(jiǎn)化構(gòu)造。該顯示單元I包括顯示面板10和驅(qū)動(dòng)顯示面板10的驅(qū)動(dòng)電路20。驅(qū)動(dòng)電路20例如可具有定時(shí)發(fā)生電路21、圖像信號(hào)處理電路22、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路23、寫(xiě)入線驅(qū)動(dòng)電路24和電源線驅(qū)動(dòng)電路25。
[0035]顯示面板10
[0036]顯示面板10構(gòu)造的方式為多個(gè)像素11以二維方式設(shè)置在顯示面板10上的顯示區(qū)域IOA的整個(gè)區(qū)域上。像素11對(duì)應(yīng)于構(gòu)成顯示面板10上顯示屏幕的最小單元的點(diǎn)。像素11對(duì)應(yīng)于發(fā)射凈色光的子像素，例如，在顯示面板10為彩色顯示面板時(shí)為紅光、綠光或藍(lán)光，并且在顯示面板10為單色顯示面板時(shí)對(duì)應(yīng)于發(fā)射白光的子像素。
[0037]顯示面板10根據(jù)外部輸入的圖像信號(hào)20A顯示圖像，外部信號(hào)以像素11的每一個(gè)由驅(qū)動(dòng)電路20以有源矩陣方法驅(qū)動(dòng)的方式輸入。圖2示出了用于像素11的電路構(gòu)造的示例。例如，如圖2所示，像素11可具有像素電路12和有機(jī)EL器件13。
[0038]例如，如圖2所示，像素電路12可由驅(qū)動(dòng)晶體管Trl、寫(xiě)入晶體管Tr2和存儲(chǔ)電容器Cs構(gòu)成，其等效于2TrlC的電路構(gòu)造。寫(xiě)入晶體管Tr2取樣信號(hào)線DTL上的電壓，如下文所述，并且同時(shí)將這樣的電壓寫(xiě)入到驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極。驅(qū)動(dòng)晶體管Trl根據(jù)寫(xiě)入晶體管Tr2寫(xiě)入電壓的大小控制流過(guò)有機(jī)EL器件13的電流。存儲(chǔ)電容器Cs存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極和源極之間的預(yù)定電壓。應(yīng)注意，像素電路12可采用與上述2TrlC的電路構(gòu)造不同的電路構(gòu)造。
[0039]驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和寫(xiě)入晶體管Tr2的每一個(gè)例如可由n_溝道MOS薄膜晶體管(TFT)形成。應(yīng)注意，這種TFT的類型沒(méi)有具體限制，而是例如可選擇性地允許反交錯(cuò)結(jié)構(gòu)(底柵型)或交錯(cuò)結(jié)構(gòu)(頂柵型)。此外，驅(qū)動(dòng)晶體管Trl或?qū)懭刖w管Tr2也可為p-溝道MOS TFT0
[0040]如圖2所示，顯示面板10具有在行方向上延伸的多個(gè)寫(xiě)入線WSL、在列方向上延伸的多個(gè)信號(hào)線DTL以及在行方向上延伸的多個(gè)電源線DSL。像素11設(shè)置在信號(hào)線DTL的每一個(gè)和寫(xiě)入線WSL的每一個(gè)之間的交叉點(diǎn)附近。信號(hào)線DTL的每一個(gè)與下文描述的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路23的輸出端(圖中未示出)以及與寫(xiě)入晶體管Tr2的源極或漏極連接。寫(xiě)入線WSL的每一個(gè)與下文描述的寫(xiě)入線驅(qū)動(dòng)電路24的輸出端(圖中未示出)以及與寫(xiě)入晶體管Tr2的柵極連接。電源線DSL的每一個(gè)與輸出固定電壓的電源的輸出端(圖中未示出)以及與驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的源極或漏極連接。
[0041]寫(xiě)入晶體管Tr2的柵極與寫(xiě)入線WSL連接。寫(xiě)入晶體管Tr2的源極或漏極與信號(hào)線DTL連接，并且寫(xiě)入晶體管Tr2沒(méi)有與信號(hào)線DTL連接的源極或漏極的端子與驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極連接。驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的源極或漏極與電源線DSL連接，并且驅(qū)動(dòng)晶體管Trl沒(méi)有與電源線DSL連接的源極或漏極的端子與有機(jī)EL器件13的陽(yáng)極連接。存儲(chǔ)電容器Cs的第一端與驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極連接，并且存儲(chǔ)電容器Cs的第二端與驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的源極(圖2中有機(jī)EL器件13側(cè)的端子)連接。換言之，存儲(chǔ)電容器Cs插設(shè)在驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極和源極之間。有機(jī)EL器件13的陰極與接地線GND連接。接地線GND與規(guī)定為基準(zhǔn)電勢(shì)(例如，接地電勢(shì))的外部電路(圖中未示出)電連接。
[0042]顯示面板10內(nèi)的結(jié)構(gòu)
[0043]接下來(lái)，參照?qǐng)D3和圖4，對(duì)顯示面板10內(nèi)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述。圖3示出了顯示面板10內(nèi)有機(jī)EL器件13及其附近的截面構(gòu)造的示例。圖4示出了顯示面板10內(nèi)有機(jī)EL器件13及其附近的截面構(gòu)造的另一示例。例如,如圖3和圖4所示,顯示面板10可具有多個(gè)設(shè)置得對(duì)應(yīng)于TFT基板14上像素11的每一個(gè)的有機(jī)EL器件13。應(yīng)注意，TFT基板14是其上形成像素電路12等的基板，并且具有至少在最上表面與像素電路12電連接的金屬層(圖中未示出)。有機(jī)EL器件13形成為與該金屬層接觸。
[0044]例如，如圖3和圖4所示，有機(jī)EL器件13可具有設(shè)置在TFT基板14側(cè)上的陽(yáng)極
31、設(shè)置在陽(yáng)極31上的有機(jī)層32、以及設(shè)置在有機(jī)層32上的陰極33。陽(yáng)極31用于將空穴注入有機(jī)層32中。陽(yáng)極31例如可由具有優(yōu)良空穴注入特性的材料構(gòu)造，例如，Al-基金屬。概念上，Al-基金屬包括Al和Al合金。有機(jī)層32發(fā)射光，其亮度取決于有機(jī)層32內(nèi)流過(guò)的電流量。有機(jī)層32具有層疊結(jié)構(gòu)，例如，可通過(guò)從陽(yáng)極31側(cè)依次堆疊改善空穴注入效率的空穴注入層32A、改善空穴傳輸?shù)桨l(fā)光層32C (在下文描述)效率的空穴傳輸層32B、通過(guò)電子和空穴的復(fù)合而發(fā)光的發(fā)光層32C、以及改善電子傳輸?shù)桨l(fā)光層32C效率的電子傳輸層32D而構(gòu)成。陰極33用于將電子注入有機(jī)層32中。陰極33由具有優(yōu)良電子注入特性的材料構(gòu)造，并且例如可由諸如MgAg的半透射金屬材料構(gòu)造。有機(jī)EL器件13是低分子氣相沉積裝置，并且有機(jī)層32以氣相沉積法形成。
[0045]同時(shí)，陽(yáng)極31的側(cè)表面的構(gòu)造為陽(yáng)極31在陰極33側(cè)的截面面積大于陽(yáng)極31在陰極33相反側(cè)的截面面積。如圖3所示，陽(yáng)極31的側(cè)表面采用倒錐形形狀。應(yīng)注意，例如，如圖4所示，陽(yáng)極31的側(cè)表面可采用屋檐狀形狀。
[0046]有機(jī)層32上除了發(fā)光層32C外的所有層形成在顯示區(qū)域IOA內(nèi)包括所有像素11的整個(gè)區(qū)域上。另一方面，對(duì)有機(jī)EL器件13的每一個(gè)選擇性地形成發(fā)光層32C，并且例如可對(duì)面對(duì)陽(yáng)極31的每個(gè)區(qū)域選擇性地形成發(fā)光層32C。這里，空穴傳輸層32B和電子傳輸層32D形成為所有像素11共用。然而，在空穴傳輸層32B和電子傳輸層32D的每一個(gè)中，除了較小的厚度外，電阻率都大于空穴注入層32A的電阻率，并且因此層疊的平面內(nèi)方向上的電阻變得很大。因此，盡管空穴傳輸層32B和電子傳輸層32D形成為所有像素11共用，但是對(duì)于像素11的每一個(gè)它們基本上彼此電隔離。
[0047]另一方面，空穴注入層32A在對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極31的每一個(gè)的側(cè)表面的位置具有高電阻率結(jié)構(gòu)。在圖3所示的空穴注入層32A中，高電阻率結(jié)構(gòu)是階梯切除結(jié)構(gòu)。該階梯切除結(jié)構(gòu)形成倒錐形形狀，其在以氣相沉積法在陽(yáng)極31上形成空穴注入層32A中形成在陽(yáng)極31的側(cè)表面上。再者，在圖4所示的空穴注入層32A中，高電阻率結(jié)構(gòu)也是階梯切除結(jié)構(gòu)。該階梯切除結(jié)構(gòu)形成屋檐狀形狀，其在以氣相沉積法在陽(yáng)極31上形成空穴注入層32A中形成在陽(yáng)極31的側(cè)表面上。
[0048]應(yīng)注意，盡管附圖中沒(méi)有給出圖示，但是根據(jù)上述倒錐形形狀或屋檐狀形狀的高度或深度在對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極31的每一個(gè)的側(cè)表面的位置可能很難形成階梯切除結(jié)構(gòu)，并且在某些情況下可能形成局部薄膜結(jié)構(gòu)。在局部薄膜結(jié)構(gòu)中，空穴注入層32A的厚度小于空穴注入層32A上不對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極31的側(cè)表面位置的厚度。因此，在局部薄膜結(jié)構(gòu)中，空穴注入層32A的電阻率高于空穴注入層32A上不對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極31的側(cè)表面位置的電阻率。因此，在此情況下，高電阻率結(jié)構(gòu)是局部薄膜結(jié)構(gòu)。
[0049]圖5和圖6的每一個(gè)示出了像素之間流過(guò)的泄漏電流作為電流強(qiáng)度的分布，具體來(lái)講，示出了在像素發(fā)光時(shí)附圖左側(cè)的像素的周圍區(qū)域上電流強(qiáng)度的分布。圖5示出了在高電阻率結(jié)構(gòu)設(shè)置在空穴注入層32A上的情況下電流強(qiáng)度分布的示例。圖6示出了在高電阻率結(jié)構(gòu)不設(shè)置在空穴注入層32A上的情況下電流強(qiáng)度分布的示例。在圖5和圖6的每一個(gè)中，垂直軸上的電流強(qiáng)度規(guī)定為在像素發(fā)光時(shí)流過(guò)附圖左側(cè)像素的電流強(qiáng)度。[0050]在圖5中，電流強(qiáng)度不連續(xù)變化，并且在空穴注入層32A上的高電阻率結(jié)構(gòu)的位置處迅速降低。因此，來(lái)自發(fā)光像素的泄漏電流沒(méi)有達(dá)到相鄰于發(fā)光像素設(shè)置的像素(圖5中右側(cè)的像素)。另一方面，在圖6中，電流強(qiáng)度隨著距發(fā)光像素的距離逐步下降。因此，來(lái)自發(fā)光像素的泄漏電流到達(dá)相鄰于發(fā)光像素設(shè)置的像素(圖5中右側(cè)的像素)。由上可見(jiàn)空穴注入層32A上的高電阻率結(jié)構(gòu)有效地阻擋了來(lái)自發(fā)光像素的泄漏電流。
[0051]驅(qū)動(dòng)電路20
[0052]接下來(lái)，簡(jiǎn)要說(shuō)明驅(qū)動(dòng)電路20。如上所述，驅(qū)動(dòng)電路20例如可具有定時(shí)發(fā)生電路
21、圖像信號(hào)處理電路22、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路23、寫(xiě)入線驅(qū)動(dòng)電路24和電源線驅(qū)動(dòng)電路25，如圖1所示。定時(shí)發(fā)生電路21控制驅(qū)動(dòng)電路20內(nèi)的每個(gè)電路以彼此關(guān)聯(lián)操作。例如，定時(shí)發(fā)生電路21可根據(jù)外部輸入的同步信號(hào)20B (與之同步)輸出控制信號(hào)21A到上述電路的
每一個(gè)。
[0053]圖像信號(hào)處理電路22校正外部輸入的數(shù)字圖像信號(hào)20A，并且同時(shí)將校正的圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成模擬信號(hào)以將這種轉(zhuǎn)換的模擬信號(hào)輸出到信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路23。信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路23根據(jù)控制信號(hào)21A的輸入(與之同步)將從圖像信號(hào)處理電路22輸入的模擬圖像信號(hào)輸出到信號(hào)線DTL的每一個(gè)。寫(xiě)入線驅(qū)動(dòng)電路24根據(jù)控制信號(hào)21A的輸入(與之同步)在每個(gè)預(yù)定單元的基礎(chǔ)上順序選擇多個(gè)寫(xiě)入線WSL。例如，電源線驅(qū)動(dòng)電路25根據(jù)控制信號(hào)21A的輸入(與之同步)在每個(gè)預(yù)定單元的基礎(chǔ)上順序選擇多個(gè)電源線DSL。
[0054]有機(jī)EL器件13的制造方法
[0055]接下來(lái)，參見(jiàn)圖7，對(duì)有機(jī)EL器件13的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖7示出了用于有機(jī)EL器件13的制造工藝的示例。
[0056]首先，陽(yáng)極31形成在TFT基板14上(圖7A)。例如，具有錐形孔的掩?？尚纬稍赥FT基板14上，并且預(yù)定的金屬材料可填充在這些孔中。其后，去除掩模層。這使得可以形成側(cè)表面為倒錐形形狀的陽(yáng)極31。
[0057]應(yīng)注意，當(dāng)空穴注入層32A的側(cè)表面形成屋檐狀形狀時(shí)，例如可執(zhí)行下列工藝。首先，具有孔的第一掩模層形成在TFT基板14上，并且預(yù)定的金屬材料填充在這些孔中。接下來(lái)，形成具有直徑大于上述孔的孔的第二掩模層。在此情況下，第二掩模層形成的方式為填充金屬材料的全部頂表面暴露在孔的底表面上。其后，預(yù)定的金屬材料填充在第二掩模層的孔中。然后，去除第一掩模層和第二掩模層。這使得可以形成側(cè)表面為屋檐狀形狀的陽(yáng)極31。
[0058]隨后，通過(guò)利用氣相沉積法，例如，用于構(gòu)成空穴注入層32A的材料層疊在包括陽(yáng)極31的全部預(yù)定區(qū)域(顯示區(qū)域IOA內(nèi)對(duì)應(yīng)于包括所有像素11區(qū)域的區(qū)域)上。如圖7B所示，這使得可以形成空穴注入層32A，其中高電阻率結(jié)構(gòu)(階梯切除結(jié)構(gòu))形成為對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極31的側(cè)表面。其后，通過(guò)利用氣相沉積法，例如，順序形成空穴傳輸層32B、有機(jī)層32C和電子傳輸層32D。例如，空穴傳輸層32B形成在空穴注入層32A的頂表面上，并且有機(jī)層32C可形成在陽(yáng)極31的正上方,位于空穴傳輸層32B的頂表面上。此外，電子傳輸層32D可形成在包括有機(jī)層32C的預(yù)定區(qū)域上。以這樣的方式，有機(jī)EL器件13形成在TFT基板14上。隨后，陰極33形成在包括有機(jī)EL器件13的整個(gè)表面上。該方式使得可以在TFT基板14上形成有機(jī)EL器件13。
[0059]有益效果[0060]接下來(lái)，將對(duì)根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的顯示單元I的有益效果進(jìn)行說(shuō)明。
[0061 ] 在有機(jī)EL器件為低分子氣相沉積型的情況下，當(dāng)有機(jī)EL器件設(shè)置成陣列時(shí)，采用蒸發(fā)掩模，通常通過(guò)在每個(gè)像素基礎(chǔ)上選擇性執(zhí)行氣相沉積而形成發(fā)光層。然而，考慮到提高生產(chǎn)率以及降低生產(chǎn)成本，有機(jī)層上除發(fā)光層之外的任何其它層可優(yōu)選共同地形成在每個(gè)像素中。不過(guò)，如果空穴注入層共同地形成在每個(gè)像素中，則在相鄰像素之間由于空穴注入層的低電阻率而產(chǎn)生泄漏電流。例如，如圖6所示，來(lái)自發(fā)光像素的泄漏電流到達(dá)相鄰于發(fā)光像素設(shè)置的像素(圖6中右側(cè)的像素)。這導(dǎo)致期望像素之外的任何像素也發(fā)光，導(dǎo)致出現(xiàn)混色以及圖像質(zhì)量的下降。
[0062]相反，在本發(fā)明的該實(shí)施例中，陽(yáng)極31的側(cè)表面3IA構(gòu)造為陽(yáng)極31在陰極33側(cè)的截面面積大于陽(yáng)極31在陰極33相反側(cè)的截面面積。更具體而言，陽(yáng)極31的側(cè)表面31A采用倒錐形形狀或屋檐狀形狀。因此，例如，當(dāng)空穴注入層32A層疊在顯示區(qū)域IOA內(nèi)對(duì)應(yīng)于包括所有像素11的區(qū)域的整個(gè)區(qū)域上時(shí)，高電阻率結(jié)構(gòu)形成在空穴注入層32A上對(duì)應(yīng)于每個(gè)陽(yáng)極31的側(cè)表面31A的位置。結(jié)果，例如，如圖5所示，電流強(qiáng)度在空穴注入層32A上的高電阻結(jié)構(gòu)的位置迅速下降，并且因此能夠抑制在相鄰像素11之間產(chǎn)生泄漏電流。因此，這使得可以抑制混色以及圖像質(zhì)量的下降。
[0063]2.應(yīng)用示例
[0064]在下文，對(duì)本發(fā)明上述各實(shí)施例和變型示例中描述的顯示單元I的應(yīng)用示例進(jìn)行說(shuō)明。上述顯示單元I適用于各領(lǐng)域中電子設(shè)備的顯示單元，將外部輸入的圖像信號(hào)或者內(nèi)部產(chǎn)生的圖像信號(hào)顯示為圖像或者視頻圖片，例如，電視接收機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)、包括移動(dòng)電話的移動(dòng)終端或攝像機(jī)。
[0065]模塊
[0066]例如，作為圖8所示的模塊，上述顯示單元I可根據(jù)下文描述的應(yīng)用示例I至5結(jié)合在各種電子設(shè)備中。例如，該模塊可被構(gòu)造為從密封基板35暴露的區(qū)域210設(shè)置在基板34的一側(cè)，并且外部連接終端(圖中未示出)通過(guò)在該暴露區(qū)域210延伸驅(qū)動(dòng)電路20的配線而形成。用于信號(hào)輸入/輸出的FPC (Flexible Printed Circuit Board,柔性印刷電路板)220可設(shè)置在這些外部連接終端處。
[0067]應(yīng)用示例I
[0068]圖9示出了適用上述顯示單元I的電視接收機(jī)的外觀。該電視接收機(jī)例如可具有圖像顯示屏幕部分300，該圖像顯示屏幕部分300包括前面板310和濾光片玻璃320，并且該圖像顯示屏幕部分300由上述顯示單元I構(gòu)造。
[0069]應(yīng)用示例2
[0070]圖10示出了適用上述顯示單元I的數(shù)碼相機(jī)的外觀。該數(shù)字相機(jī)例如可具有用于閃光的發(fā)光部分410、顯示部分420、菜單開(kāi)關(guān)430和快門(mén)按鈕440，并且該顯示部分420由上述顯示單元I構(gòu)造。
[0071]應(yīng)用示例3
[0072]圖11示出了適用上述顯示單元I的筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀。該筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)例如可具有主單元510、用于輸入字符等操作的鍵盤(pán)520以及用于顯示圖像的顯示部分530,并且該顯示部分530由上述顯示單元I構(gòu)造。
[0073]應(yīng)用示例4[0074]圖12示出了適用上述顯示單元I的攝像機(jī)的外觀。該攝像機(jī)例如可具有主單元部分610、用于攝取物體的設(shè)置在主單元部分610前側(cè)表面上的鏡頭620、攝像時(shí)的啟動(dòng)/停止開(kāi)關(guān)630以及顯示部分640,并且該顯示部分640由上述顯示單元I構(gòu)造。
[0075]應(yīng)用示例5
[0076]圖13示出了適用上述顯示單元I的移動(dòng)電話的外觀。例如，該移動(dòng)電話可通過(guò)連接部分(鉸鏈部分)730結(jié)合上機(jī)架710和下機(jī)架720，并且可具有顯示器740、子顯示器750、閃光燈760以及相機(jī)770。這些部件的顯示器740或子顯示器750由上述顯示單元I構(gòu)造。
[0077]至此，盡管已經(jīng)參考某些實(shí)施例和變型示例以及應(yīng)用示例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明不限于上述實(shí)施例等，而是可進(jìn)行不同的變化。
[0078]例如，在上述實(shí)施例等中，描述了上述顯示單元I是有源矩陣型的情況，盡管用于有源矩陣驅(qū)動(dòng)的像素電路12的構(gòu)造不限于上述實(shí)施例等描述的構(gòu)造，而是可根據(jù)需要將電容器器件和晶體管等增加到像素電路12。在此情況下，除了前述的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路23、寫(xiě)入線驅(qū)動(dòng)電路24和電源線驅(qū)動(dòng)電路25外，可響應(yīng)于像素電路12的變型增加任何必要的驅(qū)動(dòng)電路。
[0079]此外，例如，在上述實(shí)施例等中，定時(shí)發(fā)生電路21控制圖像信號(hào)處理電路22、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路23、寫(xiě)入線驅(qū)動(dòng)電路24和電源線驅(qū)動(dòng)電路25中的驅(qū)動(dòng)操作，盡管另外的電路可控制這樣的驅(qū)動(dòng)操作。作為選擇，圖像信號(hào)處理電路22、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路23、寫(xiě)入線驅(qū)動(dòng)電路24和電源線驅(qū)動(dòng)電路25的這樣的控制可在硬件(電路)或軟件(程序)中實(shí)現(xiàn)。
[0080]而且，應(yīng)注意，本發(fā)明可具有諸如下列的構(gòu)造。
[0081](I) 一種顯示面板，包括:
[0082]多個(gè)像素，位于顯示區(qū)域，其中
[0083]該多個(gè)像素的每一個(gè)具有有機(jī)EL器件和驅(qū)動(dòng)該有機(jī)EL器件的像素電路，并且
[0084]該有機(jī)EL器件具有陽(yáng)極、陰極以及設(shè)置在該陽(yáng)極和該陰極之間的有機(jī)層，并且
[0085]該陽(yáng)極的側(cè)表面構(gòu)造為該陽(yáng)極在該陰極側(cè)的截面面積大于該陽(yáng)極在該陰極相反側(cè)的截面面積。
[0086](2)根據(jù)(I)所述的顯示面板，其中該有機(jī)層具有改善空穴注入效率的空穴注入層、改善空穴傳輸效率的空穴傳輸層、通過(guò)電子和空穴復(fù)合發(fā)光的發(fā)光層以及改善電子傳輸效率的電子傳輸層，并且
[0087]至少在該有機(jī)層上的該空穴注入層形成在包括該顯示區(qū)域內(nèi)的所有像素的整個(gè)區(qū)域上，并且在對(duì)應(yīng)于每個(gè)陽(yáng)極的側(cè)表面的位置具有高電阻率結(jié)構(gòu)。
[0088](3)根據(jù)(2)所述的顯示面板，其中該高電阻率結(jié)構(gòu)是階梯切除結(jié)構(gòu)或局部薄膜結(jié)構(gòu)。
[0089](4)根據(jù)(I)至(3)任何一項(xiàng)所述的顯示面板，其中該陽(yáng)極的側(cè)表面采用倒錐形形狀。
[0090](5)根據(jù)(I)至(3)任何一項(xiàng)所述的顯示面板，其中該陽(yáng)極的側(cè)表面采用屋檐狀形狀。
[0091](6)根據(jù)(I)至(5)任何一項(xiàng)所述的顯示面板，其中該有機(jī)層通過(guò)氣相沉積形成。
[0092](7 ) 一種顯示單元,包括:[0093]顯示面板，包括在顯示區(qū)域的多個(gè)像素；以及驅(qū)動(dòng)該像素的每一個(gè)的驅(qū)動(dòng)電路，其中
[0094]該像素的每一個(gè)均具有有機(jī)EL器件以及驅(qū)動(dòng)該有機(jī)EL器件的像素電路，并且
[0095]該有機(jī)EL器件具有陽(yáng)極、陰極以及設(shè)置在該陽(yáng)極和該陰極之間的有機(jī)層，并且
[0096]該陽(yáng)極的側(cè)表面構(gòu)造為該陽(yáng)極在該陰極側(cè)的截面面積大于該陽(yáng)極在該陰極相反側(cè)的截面面積。
[0097](8) 一種設(shè)置有顯示單元的電子設(shè)備，該顯示單元包括:
[0098]顯示面板，包括在顯示區(qū)域的多個(gè)像素；以及驅(qū)動(dòng)該像素的每一個(gè)的驅(qū)動(dòng)電路，其中
[0099]該像素的每一個(gè)均具有有機(jī)EL器件以及驅(qū)動(dòng)該有機(jī)EL器件的像素電路，并且
[0100]該有機(jī)EL器件具有陽(yáng)極、陰極以及設(shè)置在該陽(yáng)極和該陰極之間的有機(jī)層，并且
[0101]該陽(yáng)極的側(cè)表面構(gòu)造為該陽(yáng)極在該陰極側(cè)的截面面積大于該陽(yáng)極在該陰極相反側(cè)的截面面積。
[0102]本申請(qǐng)要求基于2011年10月19日向日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)N0.2011-229995的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于本申請(qǐng)。
【權(quán)利要求】
1.一種顯不面板，包括: 多個(gè)像素，位于顯示區(qū)域，其中 該多個(gè)像素的每一個(gè)均具有有機(jī)EL器件和驅(qū)動(dòng)該有機(jī)EL器件的像素電路，以及該有機(jī)EL器件具有陽(yáng)極、陰極以及設(shè)置在該陽(yáng)極和該陰極之間的有機(jī)層，以及該陽(yáng)極的側(cè)表面構(gòu)造為該陽(yáng)極在該陰極側(cè)的截面面積大于該陽(yáng)極在該陰極相反側(cè)的截面面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該有機(jī)層具有改善空穴注入效率的空穴注入層、改善空穴傳輸效率的空穴傳輸層、通過(guò)電子和空穴復(fù)合發(fā)光的發(fā)光層以及改善電子傳輸效率的電子傳輸層，以及 至少該有機(jī)層上的該空穴注入層形成在包括該顯示區(qū)域內(nèi)的所有像素的整個(gè)區(qū)域上，并且在對(duì)應(yīng)于每個(gè)陽(yáng)極的側(cè)表面的位置具有高電阻率結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其中該高電阻率結(jié)構(gòu)是階梯切除結(jié)構(gòu)或局部薄膜結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該陽(yáng)極的側(cè)表面采用倒錐形形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該陽(yáng)極的側(cè)表面采用屋檐狀形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該有機(jī)層通過(guò)氣相沉積形成。
7.—種顯示單元,包括: 顯示面板，包括在顯示區(qū)域的多個(gè)像素；以及驅(qū)動(dòng)該多個(gè)像素的每一個(gè)的驅(qū)動(dòng)電路，其中 該多個(gè)像素的每一個(gè)具有有機(jī)EL器件以及驅(qū)動(dòng)該有機(jī)EL器件的像素電路，并且該有機(jī)EL器件具有陽(yáng)極、陰極以及設(shè)置在該陽(yáng)極和該陰極之間的有機(jī)層，并且該陽(yáng)極的側(cè)表面構(gòu)造為該陽(yáng)極在該陰極側(cè)的截面面積大于該陽(yáng)極在該陰極相反側(cè)的截面面積。
8.一種設(shè)置有顯示單元的電子設(shè)備，該顯示單元包括: 顯示面板，包括在顯示區(qū)域的多個(gè)像素；以及驅(qū)動(dòng)該多個(gè)像素的每一個(gè)的驅(qū)動(dòng)電路，其中 該像素的每一個(gè)具有有機(jī)EL器件和驅(qū)動(dòng)該有機(jī)EL器件的像素電路，并且該有機(jī)EL器件具有陽(yáng)極、陰極以及設(shè)置在該陽(yáng)極和該陰極之間的有機(jī)層，并且該陽(yáng)極的側(cè)表面構(gòu)造為該陽(yáng)極在該陰極側(cè)的截面面積大于該陽(yáng)極在該陰極相反側(cè)的截面面積。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK103891408SQ201280050067
【公開(kāi)日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2012年10月10日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月19日
【發(fā)明者】三浦究 申請(qǐng)人:索尼公司