用于連續(xù)地涂覆基板的方法和設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于連續(xù)涂覆基板的方法，其中，所述基板被連續(xù)地輸送通過沉積室，并且同時(shí)采用措施以盡量減少寄生沉積物。本發(fā)明還涉及用于連續(xù)地涂覆基板的相應(yīng)設(shè)備。
【專利說明】用于連續(xù)地涂覆基板的方法和設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于連續(xù)涂覆基板的方法，其中，該基板被連續(xù)地傳輸通過沉積室，同時(shí)采取措施以盡量減少寄生沉積物。本發(fā)明還涉及用于連續(xù)地涂覆基板的相應(yīng)設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于涂覆設(shè)備的設(shè)計(jì)，產(chǎn)生連續(xù)的浸提物和產(chǎn)品流仍然是一個(gè)重要的方面。然而，對(duì)于從現(xiàn)有技術(shù)已知的用于連續(xù)涂覆的涂覆設(shè)備而言，在沉積過程期間出現(xiàn)不希望的伴隨現(xiàn)象。包括下列現(xiàn)象:
[0003]?沉積室的幾何尺寸可以改變從而氣體流動(dòng)。對(duì)于一些沉積條件而言，這對(duì)層均勻性和層質(zhì)量產(chǎn)生影響。
[0004]?傳輸路徑可以被寄生層或寄生顆粒堵塞，或者可以增大摩擦，這可以導(dǎo)致托架傳輸?shù)亩氯?br> [0005]?氣體路徑可以被堵塞，這可以導(dǎo)致氣體逸出從而可能導(dǎo)致危險(xiǎn)的情形。
[0006]?寄生層可以剝落，這導(dǎo)致在沉積室中的顆粒形成從而得到“壞”層，甚至導(dǎo)致層的總體經(jīng)濟(jì)損失。
[0007]?由于沉積物經(jīng)?？杀换匚g，故設(shè)備的正常運(yùn)行時(shí)間變差。
[0008]迄今,對(duì)于上述列出的問題已經(jīng)提出了不同的方案設(shè)想(S.Reber等，CONCVD andPR0C0NCVD:Development of High-Throughput CVD Tools on the Way to Low-CostSilicon Epitaxy,第24屆歐洲光伏太陽能展覽會(huì),漢堡和A.Hurrie等,High-ThroughputContinuous CVD Reactor` for Silicon Deposition,第 19 屆歐洲光伏太陽能會(huì)議，2004)。
[0009]本文包括通過寄生層的原位回蝕的定期清洗。然而，該方法不能應(yīng)用于一些層(例如，碳化硅)，這是由于這些層是耐蝕刻的。
[0010]用于消除寄生沉積物的另一方法是基于定期的非原位清洗。然而，這與額外的時(shí)間支出相關(guān)聯(lián)。
[0011]此外，通過被影響的寄生涂覆表面的定期更換可以去除寄生沉積物。然而，這代表昂貴的變型。
[0012]另一方法是基于通過覆蓋材料而使“高質(zhì)量”表面免受寄生沉積物。該覆蓋材料可以被非原位清洗或者更換。
[0013]此外，已知通過采用直接的氣流(例如，氣簾、氣墊等)避免表面與工藝氣體的接觸來解決提到的問題。然而，該變型僅可以以有限的方式防止寄生沉積物的生成。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]從此處開始，本發(fā)明的目的是提供一種用于連續(xù)涂覆的方法和設(shè)備，通過該方法和設(shè)備，寄生沉積物被最小化使得用于去除寄生沉積物的周期可以被明顯縮短。
[0015]通過具有權(quán)利要求1的特征的用于連續(xù)涂覆基板的方法和具有權(quán)利要求11的特征的相應(yīng)設(shè)備實(shí)現(xiàn)該目的。其它的從屬權(quán)利要求揭示了有利的進(jìn)展。[0016]本發(fā)明的原理是基于用于待涂覆的工件的基板托架，其被設(shè)計(jì)成使得盡可能多的寄生表面臨時(shí)連接到基板托架并且與工件的輸送一起從設(shè)備運(yùn)出。
[0017]因此，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種用于連續(xù)涂覆基板的方法，其中，在涂覆設(shè)備中，基板被輸送通過沉積室，該沉積室通過兩個(gè)基板托架以及基座和蓋被限定，該基座具有用于導(dǎo)向基板托架的裝置，在基板托架上的基板被輸送通過涂覆設(shè)備，在輸送期間實(shí)現(xiàn)了基板的連續(xù)涂覆，并且該蓋被固定在基板托架上，從而與基板托架一起被輸送通過涂覆設(shè)備。
[0018]此處應(yīng)該理解，通過在蓋和基板托架之間的固定，這些部件在輸送通過涂覆設(shè)備期間具有固定連接，即，防止了蓋相對(duì)于基板托架的相互移位。尤其是，通過摩擦連接可以實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。與允許在蓋和基板托架之間移位的連接(從現(xiàn)有技術(shù)可知)相比，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:一方面，部件之間的摩擦(伴隨的缺點(diǎn)是形成研磨顆粒)可以被避免，另一方面，可以使沉積室明顯更有效地密封。
[0019]在固定蓋和基板托架的情況下，優(yōu)選可拆卸的連接。因此，蓋可以與沉積室外部的基板托架分離，并且蓋可被清洗，例如，獨(dú)立于基板托架而清洗。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的方法的最重要的優(yōu)點(diǎn)被再次簡(jiǎn)略地匯總為下列優(yōu)點(diǎn):
[0021]-因?yàn)榛逋屑芄潭ǖ缴w，故在這些部件之間沒有發(fā)生摩擦，從而防止了由于軌道和基板托架之間的摩擦產(chǎn)生的顆粒，這些顆粒可以進(jìn)入沉積室并且降低在此處沉積的質(zhì)量。
[0022]-通過根據(jù)本發(fā)明的基板托架到蓋的固定，實(shí)現(xiàn)了部件的明顯改善的密封，當(dāng)使用用于基板托架的軌道時(shí)，這是不可能的。
[0023]-在尺寸方面，由于該蓋與具有導(dǎo)向軌道的板相比明顯較小，故可以確保對(duì)于部件的改善的尺寸精度。
[0024]根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選用于基板的區(qū)域，在該區(qū)域中，限定與基座相鄰的沉積室的蓋和基板托架可以被清洗或者被去除以清洗。在第一種情況中，在此考慮清洗區(qū)域，在第二種情況中考慮去除區(qū)域，通過該去除區(qū)域，可以進(jìn)行原位清洗或者非原位清洗。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式提供了一個(gè)壁，該壁被構(gòu)造成蓋，該蓋被固定到基板托架上從而與基板托架一起被運(yùn)出沉積室，隨后在該蓋上的寄生沉積物被去除。隨后，對(duì)于另一涂覆周期而言，可再次使用該蓋。
[0026]還優(yōu)選的是，在沉積室(4)中，至少一個(gè)蓋元件(8)被設(shè)置在基座(2)的前方。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式提供了作為蓋元件的犧牲層，該犧牲層被沉積在限定沉積室的元件中的至少一個(gè)元件上。該犧牲層用于促進(jìn)隨后的回蝕或者用于簡(jiǎn)化隨后的回蝕。該犧牲層還可以從限定沉積室的元件上去除。該犧牲層的去除在涂覆設(shè)備的內(nèi)部和外部都是可行的。
[0028]該犧牲層被設(shè)計(jì)成使得寄生沉積物的回蝕被明確地簡(jiǎn)化。例如，該簡(jiǎn)化可以在于減少寄生沉積物(分離層)的粘合強(qiáng)度，而不在于改變托架材料(材料變型)的機(jī)械強(qiáng)度或者防止寄生沉積物滲入多孔材料中。
[0029]例如，該犧牲層可以是碳層，尤其是炭黑層，或者粉末層，尤其是由二氧化硅或者氮化硅制成的粉末層。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的另一變型提供了布、箔、薄片、梳狀物、密封唇或者O形環(huán)被用作蓋元件。[0031]還優(yōu)選的是，在涂覆設(shè)備內(nèi)的回蝕區(qū)域中，通過蝕刻從限定沉積室的(至少一個(gè))元件和從上文描述的蓋元件去除寄生沉積物。
[0032]因此，回蝕區(qū)域可以設(shè)置在沉積室的前方、沉積室中或者沉積室之后。
[0033]優(yōu)選地，在回蝕區(qū)域中，蝕刻裝置通過至少一個(gè)噴嘴被導(dǎo)向并且朝向限定沉積室的元件中的至少一個(gè)元件和/或朝向蓋元件中的至少一個(gè)蓋元件以用于蝕刻在這些元件上的寄生沉積物，該蓋元件被設(shè)置在沉積室中的限定元件中的至少一個(gè)元件的前方。
[0034]根據(jù)本發(fā)明，設(shè)備被制成可用于連續(xù)地涂覆基板，所述設(shè)備具有設(shè)置用于化學(xué)氣相沉積的沉積室，該沉積室通過兩個(gè)基板托架以及基座和蓋來限定。因此，基座具有用于導(dǎo)向基板托架的裝置。該蓋被固定到基板托架從而可以與基板托架(1，I’)一起被輸送通過涂覆設(shè)備，使得蓋(6)和基板托架(1，I’)可以與基板一起被運(yùn)出沉積室(4)。從而，在基板托架上的基板可以被輸送通過涂覆設(shè)備，并且在輸送期間，實(shí)現(xiàn)了基板的連續(xù)涂覆。
[0035]優(yōu)選地，用于導(dǎo)向基板托架的裝置是至少一個(gè)軌道。
[0036]因此，本發(fā)明具有得出上述問題的解決方案的下列優(yōu)點(diǎn):
[0037]?由于在每個(gè)涂覆周期之后寄生沉積物的及時(shí)去除，故僅在無關(guān)緊要的尺度上發(fā)生沉積室的幾何變化。
[0038]?由于顆粒通常僅對(duì)于厚層產(chǎn)生，故樣品輸送的堵塞或阻塞被最小化，即被避免。 [0039]?沒有形成堵塞氣體路徑的厚層。
[0040]?通過避免剝落，壞層的風(fēng)險(xiǎn)被最小化。
[0041]?由于連續(xù)的非原位清洗，該設(shè)備可以不中斷的運(yùn)行，在理想的情況下可以完全地運(yùn)行而沒有清洗周期，即，正常運(yùn)行時(shí)間大大增加。
[0042]本發(fā)明被應(yīng)用于裝置和設(shè)備中，尤其是涂覆設(shè)備中，其中，寄生沉積物出現(xiàn)并且具有連續(xù)的進(jìn)料。
[0043]本發(fā)明還包括下列方面:
[0044]1、一種用于連續(xù)地涂覆基板的方法，其中，所述基板被輸送通過沉積室(4)，所述沉積室(4)通過兩個(gè)基板托架(1，I’)以及兩個(gè)壁(2，2’)被限定，至少一個(gè)壁(2，2’)具有用于導(dǎo)向基板托架(1，I’ )的裝置(3，3’)，在所述基板托架(1，I’)上的基板被輸送通過沉積室，在所述輸送期間，實(shí)現(xiàn)了所述基板的連續(xù)涂覆，其特征在于，限定沉積室(4)的元件(1，I’，2，2’ )中的至少一個(gè)元件和/或設(shè)置在沉積室(4)中的限定元件(1，1’，2，2’ )中的至少一個(gè)元件的前方并且保護(hù)所述限定元件(1，I’，2，2’ )免受寄生沉積物影響的蓋元件(8，8’ )中的至少一個(gè)蓋元件，與基板一起被運(yùn)出沉積室(4)。
[0045]2、根據(jù)方面I所述的方法，其特征在于，所述設(shè)備具有用于基板的區(qū)域，其中，限定沉積室(4)的元件(1，1’，2，2’ )中的至少一個(gè)元件和/或設(shè)置在沉積室(4)中的所述限定元件(1，I’，2,2’)中的至少一個(gè)元件的前方的蓋元件(8,8’ )中的至少一個(gè)蓋元件能夠被清洗或者被去除以用于清洗。
[0046]3、根據(jù)前述方面中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，一個(gè)壁被構(gòu)造成蓋(6)，該蓋
(6)固定到基板托架(1，1’)且因此與基板托架(1，1’)一起被運(yùn)出所述沉積室(4)，隨后去除在所述蓋(6)上的寄生沉積物。
[0047]4、根據(jù)前述方面中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，作為蓋元件(8，8’ )的犧牲層被沉積在限定沉積室(4)的元件(1，1’，2，2’ )中的至少一個(gè)元件上。[0048]5、根據(jù)前一方面所述的方法，其特征在于，所述犧牲層是碳層，尤其是炭黑層，或者粉末層，尤其是由二氧化硅或者氮化硅制成的粉末層。
[0049]6、根據(jù)前述方面中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，布、箔、薄片、梳狀物、密封唇或者O形環(huán)被用作蓋元件(8，8’)。
[0050]7、根據(jù)前述方面中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在回蝕區(qū)域中，通過蝕刻，從限定所述沉積室(4)的所述元件(1，1’，2，2’)中的至少一個(gè)元件和/或從設(shè)置在沉積室(4)中的限定元件(I, I’，2，2’ )中的至少一個(gè)元件的前方的所述蓋元件(8，8’ )中的至少一個(gè)蓋元件去除所述寄生沉積物。
[0051]8、根據(jù)前一方面所述的方法，其特征在于，所述回蝕區(qū)域被設(shè)置在沉積室(4)的前方、沉積室(4 )中或者沉積室(4 )之后。
[0052]9、根據(jù)方面6或7所述的方法，其特征在于，在所述回蝕區(qū)域中，蝕刻裝置通過至少一個(gè)噴嘴被導(dǎo)向并且朝向限定沉積室(4)的元件(1，1’，2，2’ )中的至少一個(gè)元件和/或朝向蓋元件(8，8’)中的至少一個(gè)蓋元件以用于蝕刻在這些元件上的寄生沉積物，該蓋元件被設(shè)置在沉積室(4)中的限定元件(1，1’，2，2’ )中的至少一個(gè)元件的前方。
[0053]10、一種用于連續(xù)地涂覆基板的設(shè)備，所述設(shè)備具有沉積室(4)，所述沉積室(4)被用于化學(xué)氣相沉積并且通過兩個(gè)基板托架(1，I’ )以及兩個(gè)壁(2，2’ )限定，至少一個(gè)壁(2，2’)具有用于導(dǎo)向基板托架(1，I’ )的裝置(3，3’)，其特征在于，限定沉積室(4)的元件(1，1’，2，2’ )中的至少一個(gè)元件和/或蓋元件(8，8’ )中的至少一個(gè)蓋元件能夠被輸送，所述蓋元件設(shè)置在沉積室(4)中的限定元件(1，1’，2，2’ )中的至少一個(gè)元件的前方并且保護(hù)所述限定元件(1，I’，2，2’ )免受寄生沉積物的影響，所述蓋元件能夠與基板一起被運(yùn)出沉積室(4)。
[0054]11、根據(jù)前一方面的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備具有用于基板的區(qū)域，在該區(qū)域中，限定沉積室(4)的元件(I，I’，2，2’)中的至少一個(gè)元件和/或設(shè)置在沉積室(4)中的限定元件(1，1’，2，2’ )中的至少一個(gè)元件的前方中的所述蓋元件(8，8’ )中的至少一個(gè)蓋元件可以被清洗或者被去除以用于清洗。
[0055]12、根據(jù)方面10或11所述的設(shè)備，其特征在于，一個(gè)壁被設(shè)計(jì)成固定到基板托架(1，1’ )的蓋(6)，用于與基板托架(1，I’)一起運(yùn)出所述沉積室(4)。
[0056]13、根據(jù)方面10至12中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述蓋元件(8，8’)是犧牲層。
[0057]14、根據(jù)前一方面所述的設(shè)備，其特征在于，所述犧牲層是碳層，尤其是炭黑層，或者粉末層，尤其是由二氧化硅或者氮化硅制成的粉末層。
[0058]15、根據(jù)方面10至14中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述蓋元件(8，8’)選自布、箔、薄片、梳狀物、密封唇或者O形環(huán)及其組合。
[0059]16、根據(jù)方面10至15中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備具有回蝕區(qū)域，在該區(qū)域中，通過蝕刻，從限定所述沉積室(4)的所述元件(1，1’，2，2’ )中的至少一個(gè)元件和/或從設(shè)置在沉積室(4)中的限定元件(1，1’，2，2’ )中的至少一個(gè)元件的前方的蓋元件(8，8’ )中的至少一個(gè)蓋元件去除所述寄生沉積物。
[0060]17、根據(jù)前一方面所述的設(shè)備，其特征在于，所述回蝕區(qū)域被設(shè)置在沉積室(4)的前方、沉積室(4)之后或者沉積室(4)中。[0061]18、根據(jù)方面16或17所述的設(shè)備，其特征在于，在所述回蝕區(qū)域中，設(shè)置用于蝕刻劑的至少一個(gè)噴嘴，該噴嘴朝向限定沉積室(4)的元件(I，I’，2，2’)中的至少一個(gè)元件和/或者朝向蓋元件(8,8’ )中的至少一個(gè)蓋元件以用于蝕刻在這些元件上的寄生沉積物,所述蓋元件被設(shè)置在沉積室(4)中的限定元件(1，1’，2，2’ )中的至少一個(gè)元件的前方。
[0062]19、根據(jù)方面10至18中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，用于導(dǎo)向基板托架(1，I’ )的裝置(3，3’)是軌道。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0063]結(jié)合附圖旨在更詳細(xì)地說明根據(jù)本發(fā)明的主題，而不希望將所述主題限制于本文示出的【具體實(shí)施方式】。
[0064]圖1示出從現(xiàn)有技術(shù)已知的沉積設(shè)備的實(shí)施方式。
[0065]圖2示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的第一變型。
[0066]圖3示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的另一變型。
[0067]圖4示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的變型。
[0068]圖5示出根據(jù)圖4的根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】 [0069]在圖1中示出一種設(shè)備，其中，兩個(gè)基板托架I和I’被平行設(shè)置。沿著上軌道3和下軌道3’輸送這兩個(gè)基板托架。工藝氣體被導(dǎo)入所形成的內(nèi)腔4，在內(nèi)腔4中發(fā)生沉積過程。兩個(gè)軌道3和3’被剛性安裝，寄生沉積物發(fā)生在反應(yīng)室9的頂部和反應(yīng)室9’的基座上。此外，通過在軌道3、3’與基板托架1、1’之間的摩擦，顆粒被生成，其可以進(jìn)入沉積室4并且降低此處沉積的質(zhì)量。
[0070]在圖2中示出根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備，其中，上軌道(在圖1中用3表示)已經(jīng)被置于其上方的蓋6替代。蓋6隨著基板托架I和I’而移動(dòng)通過涂覆設(shè)備。在該變型的情況中，事實(shí)上，同樣在內(nèi)部9上將發(fā)生寄生涂覆，然而，這可以容易地非原位去除。為了該目的，機(jī)械方法以及化學(xué)方法是可用的。可能的鎖定適于在此示出的旋轉(zhuǎn)的U形幾何形狀，使得當(dāng)前可移動(dòng)的蓋6被共同地密封。
[0071]在圖3中示出根據(jù)本發(fā)明的另一設(shè)備，其中，與根據(jù)圖1的現(xiàn)有技術(shù)相比，在豎向方向上分別可移動(dòng)的砂布8和8’被分別設(shè)置在上軌道3和下軌道3’的區(qū)域中，該砂布覆蓋相應(yīng)的軌道。在沉積區(qū)域中，這些砂布8和8’位于各自的軌道的前方從而吸收所有的寄生沉積物。然后，砂布8和8’與基板一起被向外引導(dǎo)，其中它們可以被清洗或處理。在鎖定的區(qū)域中，入口噴嘴等從下方豎直伸出進(jìn)入沉積區(qū)域，該砂布可以通過合適的導(dǎo)件被按壓成豎向使得其可以移動(dòng)越過所有的插件。
[0072]在圖4中示出根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備，其中，基板托架I和I’被固定到蓋6。蓋和基板托架的該單元被輸送通過涂覆設(shè)備。該導(dǎo)向軌道3被設(shè)置在基座2上，在此沒有示出。此處并且，氣體鎖定可以適于所示出的倒U形使得蓋6被共同地密封。
[0073]在圖5中示出基板托架I和I’以及蓋6的單元的剖面圖?？梢钥闯觯w6通過卡扣連接被摩擦連接到基板托架I和I’。
【權(quán)利要求】
1.一種用于連續(xù)地涂覆基板的方法，其中，在涂覆設(shè)備中，所述基板被輸送通過沉積室(4)，所述沉積室(4)通過兩個(gè)基板托架(1，I’)以及基座(2)和蓋(6)被限定，所述基座(2)具有用于導(dǎo)向所述基板托架(1，I’)的裝置(3)，在所述基板托架(1，I’)上的基板被輸送通過所述涂覆設(shè)備，在所述輸送期間實(shí)現(xiàn)了所述基板的連續(xù)涂覆，所述蓋(6 )被固定到所述基板托架(1，I’)從而與所述基板托架(1，I’)一起被輸送通過所述涂覆設(shè)備。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，至少一個(gè)蓋元件(8)被設(shè)置在所述沉積室(4)中的所述基座(2)的前方。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，作為蓋元件(8)的犧牲層被沉積在所述基座(2 )上。
4.根據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述犧牲層是碳層，尤其是炭黑層、或者粉末層，尤其是由二氧化硅或者氮化硅制成的粉末層。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，布、箔、薄片、梳狀物、密封唇或者O形環(huán)被用作蓋元件(8)。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述涂覆設(shè)備具有一區(qū)域，在該區(qū)域中，所述蓋(6)和所述基板托架(I，I’)被清洗或者被去除以用于清洗。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在運(yùn)出所述沉積室(4)之后，所述蓋(6)上的寄生沉積物被去除。
8.根據(jù)前述 權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在回蝕區(qū)域中，通過蝕刻，從限定所述沉積室(4)的所述元件(1，I’，2，6)中的至少一個(gè)元件和/或從設(shè)置在所述沉積室(4)中的所述基座(2)的前方的所述蓋元件(8)中的至少一個(gè)蓋元件去除所述寄生沉積物。
9.根據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述回蝕區(qū)域被設(shè)置在所述沉積室(4)的前方、所述沉積室(4)之后或者所述沉積室(4)中。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于，在所述回蝕區(qū)域中，蝕刻裝置通過至少一個(gè)噴嘴被導(dǎo)向并且朝向限定所述沉積室(4)的所述元件(1，1’，2，6)中的至少一個(gè)元件和/或朝向設(shè)置在所述沉積室(4)中的所述基座(2)的前方的所述蓋元件(8)中的至少一個(gè)蓋元件以蝕刻在這些元件上的寄生沉積物。
11.一種用于連續(xù)地涂覆基板的設(shè)備，所述設(shè)備具有沉積室(4)，所述沉積室(4)被設(shè)置用于化學(xué)氣相沉積并且通過兩個(gè)基板托架(1，I’ )以及基座(2)和蓋(6)被限定，所述基座(2)具有用于導(dǎo)向所述基板托架(1，I’ )的裝置(3)，所述蓋(6)被固定到所述基板托架(1，I’)從而能夠與所述基板托架(1，I’)一起被輸送通過所述涂覆設(shè)備，其特征在于，所述蓋(6)和所述基板托架(1，I’ )能夠與所述基板一起被運(yùn)出所述沉積室(4)。
12.根據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備具有一區(qū)域，在該區(qū)域中，所述蓋(6)和所述基板托架(1，I’ )能夠被清洗或者被去除以用于清洗。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的設(shè)備，其特征在于，至少一個(gè)蓋元件(8)被設(shè)置在所述沉積室(4)中的所述基座(2)的前方。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述蓋元件(8)是犧牲層。
15.根據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于，所述犧牲層是碳層，尤其是炭黑層、或者粉末層，尤其是由二氧化硅或者氮化硅制成的粉末層。
16.根據(jù)權(quán)利要求11至15中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述蓋元件(8)選自布、箔、薄片、梳狀物、密封唇或者O形環(huán)及其組合。
17.根據(jù)權(quán)利要求11至16中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備具有回蝕區(qū)域，所述回蝕區(qū)域被設(shè)置在所述沉積室(4)的前方、所述沉積室(4)之后或者所述沉積室(4)中。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的設(shè)備，其特征在于，在所述回蝕區(qū)域中，設(shè)置用于蝕刻劑的至少一個(gè)噴嘴，所述噴嘴朝向限定所述沉積室(4)的所述元件(1，1’，2，6)中的至少一個(gè)元件和/或朝向設(shè)置在所述沉積室(4)中的所述基座(2)的前方的所述蓋元件(8)中的至少一個(gè)蓋元件以蝕刻在這些元件 上的寄生沉積物。
19.根據(jù)權(quán)利要求11至18中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，用于導(dǎo)向所述基板托架(1，1’)的所述裝置(3)是至少一個(gè)軌道。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK103764870SQ201280033552
【公開日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2012年7月9日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月7日
【發(fā)明者】斯蒂芬·雷伯, 諾伯特·希林格, 戴維·波卡扎, 馬丁·阿諾德 申請(qǐng)人:弗勞恩霍弗應(yīng)用技術(shù)研究院