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一種變壓器鐵芯的拼片結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號(hào):6785883閱讀:743來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):一種變壓器鐵芯的拼片結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種變壓器鐵芯的拼片結(jié)構(gòu),特別是一種用于三相三柱式變壓器鐵芯的拼片結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
在變壓器中,鐵芯是變壓器的基本部件,是變壓器的磁路和安裝骨架。鐵芯一般是由若干片狀的硅鋼片層疊拼接制成?,F(xiàn)有三相三柱式變壓器的中柱片的片形通常為六邊形,上下軛所用的硅鋼片一般帶有缺口。上述兩種片形的硅鋼片在剪片過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量不可利用的硅鋼片廢料,而且廢料既占據(jù)空間又需浪費(fèi)人力定期清理。此外,硅鋼片的片形種類(lèi)多且不統(tǒng)一,增加了鐵芯制造過(guò)程中疊片的復(fù)雜度。

實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)上述問(wèn)題,本實(shí)用新型提供一種變壓器鐵芯的拼片結(jié)構(gòu),其鐵芯片的片形少、套裁簡(jiǎn)單、基本不產(chǎn)生廢料。為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:一種變壓器鐵芯的拼片結(jié)構(gòu),包括上鐵軛、下鐵軛、兩個(gè)側(cè)柱以及至少一個(gè)的中柱,所述上鐵軛、下鐵軛、側(cè)柱、中柱由其厚度方向并排排列的η組梯形鐵芯片拼接制成,其中η大于等于I。優(yōu)選的,所述梯形鐵芯片的梯形面的底角為45°。優(yōu)選的,每 一組上鐵軛包括一個(gè)第一梯形鐵芯片和兩個(gè)第二梯形鐵芯片,所述第一梯形鐵芯片的上底面分別與兩個(gè)第二梯形鐵芯片的下底面相拼接,每一組上鐵軛中的第一梯形鐵芯片分別與兩個(gè)第二梯形鐵芯片的側(cè)面拼接成兩個(gè)第一斜面和V形凹槽。優(yōu)選的,每一組下鐵軛包括一個(gè)第一梯形鐵芯片和兩個(gè)第二梯形鐵芯片,所述第一梯形鐵芯片的上底面分別與兩個(gè)第二梯形鐵芯片的下底面相拼接,每一組下鐵軛中的第一梯形鐵芯片分別與兩個(gè)第二梯形鐵芯片的側(cè)面拼接成兩個(gè)第二斜面和V形凹槽。優(yōu)選的,每一組側(cè)柱由第三梯形鐵芯片組成,所述第三梯形鐵芯片具有上斜面和下斜面。優(yōu)選的,每一組中柱由兩個(gè)第四梯形鐵芯片組成,所述兩個(gè)第四梯形鐵芯片的下底相拼接,每一組的兩個(gè)第四梯形鐵芯片拼接成上V形凸面和下V形凸面。優(yōu)選的,所述兩個(gè)側(cè)柱的上斜面分別與所述上鐵軛的兩個(gè)第一斜面相拼接,所述兩個(gè)側(cè)柱的下斜面分別與所述下鐵軛的兩個(gè)第二斜面相拼接,所述中柱的上V形凸面與所述上鐵軛的上V形凹槽相拼接,所述中柱的下V形凹面與所述下鐵軛的下V形凹槽相拼接。優(yōu)選的,所述梯形鐵芯片為梯形體硅鋼片。本實(shí)用新型采用以上結(jié)構(gòu),鐵芯全部采用梯形鐵芯片,硅鋼卷料帶材可以在所有硅鋼片剪切設(shè)備中套裁,幾乎無(wú)廢料產(chǎn)生;梯形鐵芯片片形簡(jiǎn)單,可簡(jiǎn)化鐵芯疊片生產(chǎn)流水線,便于生廣,提聞工效。
圖1為一種三相三柱式變壓器鐵芯的傳統(tǒng)拼片結(jié)構(gòu)。圖2為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為梯形體硅鋼片的剪切示意圖。圖中:1、上鐵軛;11、第一梯形鐵芯片;12、第二梯形鐵芯片;2、下鐵軛;3、側(cè)柱;31、第三梯形鐵芯片;4、中柱;41、第四梯形鐵芯片;5、梯形鐵芯片。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的內(nèi)容用一種優(yōu)選實(shí)施例來(lái)作詳細(xì)闡述。參照?qǐng)D1所示,三相三柱式變壓器鐵芯的傳統(tǒng)拼片結(jié)構(gòu)至少由三種片形構(gòu)成,且上下軛和中柱所用的硅鋼片在剪切過(guò)程不可避免的產(chǎn)生廢料。參照?qǐng)D2所示,本實(shí)施例為一種三相三柱式變壓器鐵芯的拼片結(jié)構(gòu)。包括上鐵軛
1、下鐵軛2、兩個(gè)側(cè)柱3、一個(gè)中柱4,上鐵軛1、下鐵軛2、側(cè)柱3、中柱4由其厚度方向并排排列的η組梯形鐵芯片拼接制成,其中η大于等于I。所述梯形鐵芯片的梯形面的底角為45°。每一組上鐵軛I包括一個(gè)第一梯形鐵芯片11和兩個(gè)第二梯形鐵芯片12,所述第一梯形鐵芯片11的上底面分別與兩個(gè)第二梯形鐵芯片12的下底面相拼接,每一組上鐵軛I中的第一梯形鐵芯片分別與兩個(gè)第二梯形鐵芯片的側(cè)面拼接成兩個(gè)第一斜面和V形凹槽。每一組下鐵軛2包括一個(gè)第一梯形鐵芯片11和兩個(gè)第二梯形鐵芯片12,所述第一梯形鐵芯片11的上底面分別與兩個(gè)第二梯形鐵芯片12的下底面相拼接,每一組下鐵軛2中的第一梯形鐵芯片11分別與兩個(gè)第二梯形鐵芯片12的側(cè)面拼接成兩個(gè)第二斜面和V形凹槽。每一組側(cè)柱3由第三梯形鐵芯片31組成,所述第三梯形鐵芯片31具有上斜面和下斜面。每一組中柱4由兩個(gè)第四梯形鐵芯片41組成,所述兩個(gè)第四梯形鐵芯片41的下底相拼接,每一組的兩個(gè)第四梯形鐵芯片41拼接成上V形凸面和下V形凸面。兩個(gè)側(cè)柱3的上斜面分別與所述上鐵軛I的兩個(gè)第一斜面相拼接,所述兩個(gè)側(cè)柱3的下斜面分別與所述下鐵軛2的兩個(gè)第二斜面相拼接,所述中柱4的上V形凸面與所述上鐵軛的上V形凹槽相拼接,所述中柱4的下V形凹面與所述下鐵軛的下V形凹槽相拼接。本實(shí)施中,梯形鐵芯片為梯形體硅鋼片。上述上鐵軛1、下鐵軛2、側(cè)柱3、中柱4的梯形鐵芯片拼接完成后,將鐵芯灌固化膠固定。參照?qǐng)D3所示,由硅鋼卷料帶材裁切為梯形鐵芯片5的過(guò)程中,幾乎不會(huì)產(chǎn)生任何廢料。在本實(shí)用新型中,以上涉及到的方位詞,如附圖2所示,該變壓器鐵芯拼片的厚度方向?yàn)榇怪庇诩埫娴姆较颉I鲜鰧?shí)施例只為說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn),其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本 實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施,并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾,都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi) 。
權(quán)利要求1.一種變壓器鐵芯的拼片結(jié)構(gòu),包括上鐵軛、下鐵軛、兩個(gè)側(cè)柱以及至少一個(gè)的中柱,其特征在于:所述上鐵軛、下鐵軛、側(cè)柱、中柱均由其厚度方向并排排列的η組梯形鐵芯片拼接制成,所述梯形鐵芯片在垂直于其厚度方向的截面上呈梯形,其中η大于等于I。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變壓器鐵芯的拼片結(jié)構(gòu),其特征在于:所述梯形鐵芯片的梯形面的底角為45°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變壓器鐵芯的拼片結(jié)構(gòu),其特征在于:每一組上鐵軛包括一個(gè)第一梯形鐵芯片和兩個(gè)第二梯形鐵芯片,所述第一梯形鐵芯片的上底面分別與兩個(gè)第二梯形鐵芯片的下底面相拼接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變壓器鐵芯的拼片結(jié)構(gòu),其特征在于:每一組下鐵軛包括一個(gè)第一梯形鐵芯片和兩個(gè)第二梯形鐵芯片,所述第一梯形鐵芯片的上底面分別與兩個(gè)第二梯形鐵芯片的下底面相拼接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變壓器鐵芯的拼片結(jié)構(gòu),其特征在于:每一組側(cè)柱由第三梯形鐵芯片組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變壓器鐵芯的拼片結(jié)構(gòu),其特征在于:每一組中柱由兩個(gè)第四梯形鐵芯片組成,所述兩個(gè)第四梯形鐵芯片的下底相拼接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變壓器鐵芯的拼片結(jié)構(gòu),其特征在于:每一組上鐵軛包括一個(gè)第一梯形鐵芯片和兩個(gè)第二梯形鐵芯片,所述第一梯形鐵芯片的上底面分別與兩個(gè)第二梯形鐵芯片的下底面相拼接,每一組上鐵軛中的第一梯形鐵芯片的兩側(cè)面分別與兩個(gè)第二梯形鐵芯片的外側(cè)面拼接成兩個(gè)第一外斜面,所述兩個(gè)第二梯形鐵芯片的內(nèi)側(cè)面拼接成第一 V形槽;每一組下鐵軛包括一個(gè)第一梯形鐵芯片和兩個(gè)第二梯形鐵芯片,所述第一梯形鐵芯片的上底面分別與兩個(gè)第二梯形鐵芯片的下底面相拼接,每一組上鐵軛中的第一梯形鐵芯片的兩側(cè)面分別與兩個(gè)第二梯形鐵芯片的外側(cè)面拼接成兩個(gè)第二外斜面,所述兩個(gè)第二梯形鐵芯片的內(nèi)側(cè)面拼接成第二 V形槽;每一組側(cè)柱由第三梯形鐵芯片組成,所述第三梯形鐵芯片具有上棱臺(tái)面和下棱臺(tái)面,所述上棱臺(tái)面與所述的第一外斜面相拼接,所述下棱臺(tái)面與所述第二外斜面相拼接;每一組中柱由兩個(gè)第四梯形鐵芯片組成,所述兩個(gè)第四梯形鐵芯片的下底相拼接形成,這兩個(gè)第四梯形鐵芯片的上部形成與所述第一 V形槽相對(duì)拼接的第一 V形部,這兩個(gè)第四梯形鐵芯片的下部形成與所述第二 V形槽相對(duì)拼接的第二V形部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變壓器鐵芯的拼片結(jié)構(gòu),其特征在于:所述梯形鐵芯片為梯形體硅鋼片。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種變壓器鐵芯的拼片結(jié)構(gòu)。一種變壓器鐵芯的拼片結(jié)構(gòu),包括上鐵軛、下鐵軛、兩個(gè)側(cè)柱以及至少一個(gè)的中柱,所述上鐵軛、下鐵軛、側(cè)柱、中柱由其厚度方向并排排列的n組梯形鐵芯片拼接制成,其中n大于等于1。所述梯形鐵芯片的梯形面的底角為45°。本實(shí)用新型的目的是提供一種變壓器鐵芯的拼片結(jié)構(gòu),其鐵芯片的片形少、套裁簡(jiǎn)單、基本不產(chǎn)生廢料。
文檔編號(hào)H01F27/245GK203118732SQ20122073976
公開(kāi)日2013年8月7日 申請(qǐng)日期2012年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月31日
發(fā)明者張春紅, 張新根, 花虹, 汝慧紅 申請(qǐng)人:吳江市變壓器廠有限公司
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