專利名稱：涂布顯影機傳送單元的硅片定位結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體集成電路領域，特別屬于一種涂布顯影機傳送單元的硅片定位結構。
背景技術：
涂布顯影機MK8的傳送單元位于光阻涂布模組與光刻機之間，主要作用為硅片的中轉站。目前，現(xiàn)有傳送單元的定位導軌結構軸向截面，如圖1所示，該導軌的內側面為一豎直平面，該豎直平面的軸向截面為直線CD段，傳送距離短而且導軌沒有延伸到托盤表面，這樣會造成定位不良，即硅片會跨在定位導軌上，而不能準確滑入位于導軌下方的托盤上，導致手臂在接片時硅片掉落。

實用新型內容本實用新型要解決的技術問題是提供一種涂布顯影機傳送單元的硅片定位結構，可以提聞定位效率，減少跨片情況的發(fā)生。為解決上述技術問題，本實用新型的涂布顯影機傳送單元的硅片定位結構，所述硅片定位結構為兩個對稱的弧形導軌，所述弧形導軌的內側面為一凹形曲面。在上述結構中，所述凹形曲面的軸向截面為一凹形曲線，該凹形曲線的方程為f (x) = 6.5x4-23.4x3+30.3x2_20.5x+9。此外，所述弧形導軌具有若干凸塊，該凸塊的內側面包括所述凹形曲面，該凹形曲面上方連接一平面 ，所述平面由下至上向外傾斜。優(yōu)選的，所述平面的軸向截面為一直線，該直線的方程為g(x) = -2.2x。在上述結構中，所述弧形導軌通過螺釘固定在托盤上。本實用新型的硅片定位導軌的內側面是兩段式的，由一段斜平面和一段凹形曲面組成，距離長而且導軌延伸到工藝單元的托盤表面，這種設計增加了導軌和硅片的接觸時間，提聞了娃片的定位成功率。

圖1是現(xiàn)有的硅片定位結構的軸向截面示意圖；圖2是本實用新型的硅片定位結構的軸向截面示意圖；圖3是本實用新型的硅片定位結構的立體示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖與具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細的說明。本實用新型提供的涂布顯影機傳送單元的硅片定位結構為兩個對稱的弧形導軌，弧形導軌通過螺釘和螺孔3固定在托盤上。如圖3所示，所述弧形導軌的內側面為一凹形曲面1，所述弧形導軌具有若干凸塊2，該凸塊2的內側面包括所述凹形曲面，該凹形曲面上方連接一平面，所述平面由下至上向外傾斜，如圖3所示。如圖2所示，所述凹形曲面的軸向截面為一凹形曲線C’D’，該凹形曲線C’D’的方程為f (X) = 6.5χ4-23.4χ3+30.3χ2_20.5χ+9。平面的軸向截面為一直線B’C’，該直線B，C，的方程為g(x) = -2.2x。當然，本實用新型中的凹形曲面也可以變換為傾斜平面，該傾斜平面的斜率小于等于其上方連接的平面斜率。本實用新型的硅片定位導軌的內側面為一段凹形曲面，距離長而且導軌延伸到工藝單元的托盤表面，這種設計增加了導軌和硅片的接觸時間，提高了硅片的定位成功率，避免了跨片的情況。以上通過具體實施例對本實用新型進行了詳細的說明，但這些并非構成對本實用新型的限制。在不脫離本實用新型原理的情況下，本領域的技術人員可對本實用新型的導軌內側面的形狀等做 出許多變形和改進，這些也應視為本實用新型的保護范圍。
權利要求1.一種涂布顯影機傳送單元的硅片定位結構，其特征在于，所述硅片定位結構為兩個對稱的弧形導軌，所述弧形導軌的內側面為一凹形曲面(I)。
2.根據(jù)權利要求1所述的涂布顯影機傳送單元的硅片定位結構，其特征在于，所述凹形曲面(I)的軸向截面為一凹形曲線，該凹形曲線的方程為f(x)=6.5χ4-23.4χ3+30.3χ2_20.5χ+9。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的涂布顯影機傳送單元的硅片定位結構，其特征在于，所述弧形導軌具有若干凸塊(2)，該凸塊(2)的內側面包括所述凹形曲面，該凹形曲面上方連接一平面，所述平面由下至上向外傾斜。
4.根據(jù)權利要求3所述的涂布顯影機傳送單元的硅片定位結構，其特征在于，所述平面的軸向截面為一直線，該直線的方程 為g(x) = -2.2x。
5.根據(jù)權利要求1所述的涂布顯影機傳送單元的硅片定位結構，其特征在于，所述弧形導軌通過螺釘固定在托盤上。
專利摘要本實用新型公開了一種涂布顯影機傳送單元的硅片定位結構，所述硅片定位結構為兩個對稱的弧形導軌，所述弧形導軌的內側面為一凹形曲面，所述弧形導軌具有若干凸塊，該凸塊的內側面包括所述凹形曲面，該凹形曲面上方連接一平面，所述平面由下至上向外傾斜。本實用新型的硅片定位導軌的內側面為凹形曲面，距離長而且導軌延伸到工藝單元的托盤表面，這種設計增加了導軌和硅片的接觸時間，提高了硅片的定位成功率。
文檔編號H01L21/68GK203085506SQ20122070386
公開日2013年7月24日 申請日期2012年12月18日 優(yōu)先權日2012年12月18日
發(fā)明者單忠飛, 陳群琦 申請人:上海華虹Nec電子有限公司