專(zhuān)利名稱(chēng)：一種高壓斷路器裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種高壓斷路器裝置。
背景技術(shù)：
目前的斷路器一般是固定的滅弧柵片，此種產(chǎn)品的滅弧縫隙是固定的，不能做到快速?gòu)氐讓㈦娀∠绲男Ч瑪嗦菲魅菀讚p壞，大大降低了斷路器的使用壽命。基于此，發(fā)明人提出了一種高壓斷路器裝置。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例的目的在于提出一種高壓斷路器裝置，能夠有效解決現(xiàn)有技術(shù)中的斷路器所存在的上述技術(shù)問(wèn)題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:一種高壓斷路器裝置，包括滅弧室，在滅弧室的內(nèi)部設(shè)置有相對(duì)的靜觸頭和動(dòng)觸頭，靜觸頭位于滅弧室的頂部，在靜觸頭上設(shè)置有永磁鐵，動(dòng)觸頭位于滅弧室的底部；在靜觸頭和動(dòng)觸頭之間的滅弧室內(nèi)部由上至下依次設(shè)置有第一鐵柵片區(qū)、絕緣柵片區(qū)與第二鐵柵片區(qū)，在第一鐵柵片區(qū)的內(nèi)部設(shè)置有第一鐵柵片，絕緣柵片區(qū)的內(nèi)部設(shè)置有第一絕緣柵片與第二絕緣柵片，第一絕緣柵片設(shè)置在滅弧室的側(cè)壁上，第二絕緣柵片與第一絕緣柵片相對(duì)設(shè)置且能相對(duì)于第一絕緣柵片水平往復(fù)運(yùn)動(dòng)，在第二鐵柵片區(qū)的內(nèi)部設(shè)置有第二鐵柵片；沿第一鐵柵片區(qū)、絕緣柵片區(qū)與第二鐵柵片區(qū)的豎直軸線上形成一條供所述動(dòng)觸頭運(yùn)動(dòng)的間隙。優(yōu)選地，所述絕緣柵片區(qū)內(nèi)部，在與第一絕緣柵片所在側(cè)壁相對(duì)的另一側(cè)壁上設(shè)置有一個(gè)外凸的容納槽，容納槽內(nèi)部設(shè)置有絕緣座，所述第二絕緣柵片固定在絕緣座上，在所述絕緣座上還設(shè)置有一根穿出滅弧室側(cè)壁的傳動(dòng)桿。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是:本實(shí)用新型述及的高壓斷路器裝置，第一絕緣柵片與第二絕緣柵片之間能夠相對(duì)運(yùn)動(dòng)，其間隙可調(diào)，能夠快速?gòu)氐讓㈦娀∠纾M(jìn)而延長(zhǎng)了斷路器本身的使用壽命。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例中一種高壓斷路器裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖以及具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明:結(jié)合圖1所示，高壓斷路器裝置，包括滅弧室8和分別設(shè)置在滅弧室8內(nèi)部的動(dòng)觸頭I和靜觸頭7，靜觸頭7位于滅弧室8的頂部，動(dòng)觸頭I位于滅弧室8的底部，在靜觸頭7上上設(shè)有永磁鐵6，靜觸頭7與動(dòng)觸頭I之間的滅弧室8內(nèi)部還設(shè)置有第一鐵柵片區(qū)與第二鐵柵片區(qū)，第一鐵柵片區(qū)位于滅弧室的上部，在第一鐵柵片區(qū)內(nèi)部設(shè)置有第一鐵柵片9，第二鐵柵片區(qū)位于滅弧室的下部，在第二鐵柵片區(qū)內(nèi)部設(shè)置有第二鐵柵片2，第一鐵柵片和第二鐵柵片分別設(shè)置在滅弧室8的側(cè)壁上。本實(shí)用新型中的高壓斷路器裝置，在第一鐵柵片區(qū)和第二鐵柵片區(qū)之間設(shè)置有絕緣柵片區(qū)，絕緣柵片區(qū)內(nèi)部設(shè)置有第一絕緣柵片10和第二絕緣柵片5，第一絕緣柵片10固定在滅弧室8的一個(gè)側(cè)壁上，第二絕緣柵片5與第一絕緣柵片10相對(duì)且能沿水平進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng)。沿第一鐵柵片區(qū)、絕緣柵片區(qū)與第二鐵柵片區(qū)的豎直軸線上形成一條供動(dòng)觸頭I進(jìn)行上下運(yùn)動(dòng)的間隙。具體地，在第一絕緣柵片10所在側(cè)壁相對(duì)的另一側(cè)壁上設(shè)置有一個(gè)外凸的容納槽，容納槽內(nèi)部設(shè)置有絕緣座4，絕緣座4能夠沿水平往復(fù)運(yùn)動(dòng)，第二絕緣柵片5固定在絕緣座4上，在絕緣座4的上還設(shè)置有傳動(dòng)桿3，傳動(dòng)桿3穿出滅弧室8。其大致工作過(guò)程如下:在高壓斷路器斷開(kāi)過(guò)程中，動(dòng)觸頭I和靜觸頭7之間會(huì)產(chǎn)生電弧，當(dāng)動(dòng)觸頭I向下運(yùn)動(dòng)到A點(diǎn)處，即第一鐵柵片區(qū)的上部時(shí)，主要由第一鐵柵片9改變滅弧室8中電場(chǎng)的分布，起到滅弧作用，同時(shí)起到冷卻滅弧室的作用；當(dāng)動(dòng)觸頭I運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)處，即絕緣柵片區(qū)的上部時(shí)，絕緣柵片開(kāi)始起到滅弧作用；隨著動(dòng)觸頭I繼續(xù)向下運(yùn)動(dòng)到C處，即第二鐵柵片區(qū)的上部時(shí)，第二絕緣柵片5在傳動(dòng)桿3的推動(dòng)下，隨絕緣座4向左運(yùn)動(dòng)，使電弧通道間隙，即第二絕緣柵片5與第一絕緣柵片10之間的間隙縮小，將電弧拉長(zhǎng)變形，最后徹底熄滅電弧，第二鐵柵片2主要起到冷卻滅弧室的作用。在高壓斷路器裝置合閘的過(guò)程中，動(dòng)觸點(diǎn)I向上運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)之前，第二絕緣柵片5由傳動(dòng)桿3拉回到最右端，動(dòng)觸點(diǎn)I可以順利的和靜觸點(diǎn)7接觸，完成合閘。本實(shí)用新型實(shí)施例中的高壓斷路器裝置，第二絕緣柵片5和第一絕緣柵片10可以相對(duì)運(yùn)動(dòng)，其間隙可調(diào)，能夠快速?gòu)氐椎膶㈦娀∠?，由此延長(zhǎng)了斷路器的壽命。當(dāng)然，以上說(shuō)明僅僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，本實(shí)用新型并不限于上述舉例，應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的時(shí)，任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本說(shuō)明書(shū)的教導(dǎo)下，所做出的任何相同或等同的改變、替換形式，均落在本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)范圍之內(nèi)，理應(yīng)受到本實(shí)用新型的保護(hù)。
權(quán)利要求1.一種高壓斷路器裝置，其特征在于，包括滅弧室，在滅弧室的內(nèi)部設(shè)置有相對(duì)的靜觸頭和動(dòng)觸頭，靜觸頭位于滅弧室的頂部，在靜觸頭上設(shè)置有永磁鐵，動(dòng)觸頭位于滅弧室的底部；在靜觸頭和動(dòng)觸頭之間的滅弧室內(nèi)部由上至下依次設(shè)置有第一鐵柵片區(qū)、絕緣柵片區(qū)與第二鐵柵片區(qū)，在第一鐵柵片區(qū)的內(nèi)部設(shè)置有第一鐵柵片，絕緣柵片區(qū)的內(nèi)部設(shè)置有第一絕緣柵片與第二絕緣柵片，第一絕緣柵片設(shè)置在滅弧室的側(cè)壁上，第二絕緣柵片與第一絕緣柵片相對(duì)設(shè)置且能相對(duì)于第一絕緣柵片水平往復(fù)運(yùn)動(dòng)，在第二鐵柵片區(qū)的內(nèi)部設(shè)置有第二鐵柵片；沿第一鐵柵片區(qū)、絕緣柵片區(qū)與第二鐵柵片區(qū)的豎直軸線上形成一條供所述動(dòng)觸頭運(yùn)動(dòng)的間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高壓斷路器裝置，其特征在于，所述絕緣柵片區(qū)內(nèi)部，在與第一絕緣柵片所在側(cè)壁相對(duì)的另一側(cè)壁上設(shè)置有一個(gè)外凸的容納槽，容納槽內(nèi)部設(shè)置有絕緣座，所述第二絕緣柵片固定在絕緣座上，在所述絕緣座上還設(shè)置有一根穿出滅弧室側(cè)壁的傳動(dòng)桿。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種高壓斷路器裝置，包括滅弧室，在滅弧室的內(nèi)部設(shè)置有靜觸頭和動(dòng)觸頭，靜觸頭位于滅弧室的頂部，動(dòng)觸頭位于滅弧室的底部；在靜觸頭和動(dòng)觸頭之間的滅弧室內(nèi)部由上至下依次設(shè)置有第一鐵柵片區(qū)、絕緣柵片區(qū)與第二鐵柵片區(qū)，第一鐵柵片區(qū)內(nèi)部設(shè)置有第一鐵柵片，絕緣柵片區(qū)內(nèi)部設(shè)置有第一絕緣柵片與第二絕緣柵片，第一絕緣柵片設(shè)置在滅弧室的側(cè)壁上，第二絕緣柵片與第一絕緣柵片相對(duì)設(shè)置且能相對(duì)于第一絕緣柵片水平往復(fù)運(yùn)動(dòng)，第二鐵柵片區(qū)內(nèi)部設(shè)置有第二鐵柵片；沿第一鐵柵片區(qū)、絕緣柵片區(qū)與第二鐵柵片區(qū)的豎直軸線上形成一條供所述動(dòng)觸頭運(yùn)動(dòng)的間隙。本實(shí)用新型中第一絕緣柵片與第二絕緣柵片間隙可調(diào)，能夠快速?gòu)氐讓㈦娀∠纭?br> 文檔編號(hào)H01H73/18GK203055835SQ201220678250
公開(kāi)日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2012年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月11日
發(fā)明者閆洪林, 公茂法, 于永進(jìn), 閆曉麗, 劉盛源, 曹媛莉 申請(qǐng)人:山東科技大學(xué)