專利名稱：一種新型的芯片背面硅通孔結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及芯片背面硅通孔的結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了硅通孔互聯(lián)技術(shù)，即以填充金屬的硅通孔在垂直方向(Z軸方向)重新分布電極或線路，實現(xiàn)互聯(lián)從芯片一側(cè)轉(zhuǎn)移到另一側(cè)，結(jié)合平面上(X，Y平面)的重新布線技術(shù)，使得互聯(lián)可以在整個X，Y, Z方向進(jìn)行。通過硅通孔互聯(lián)技術(shù)，極大增加了封裝的靈活性，同時為三維堆疊封裝創(chuàng)造了條件。硅通孔互聯(lián)通常包含硅通孔制作、絕緣層形成以及金屬填充。對于行業(yè)內(nèi)常用的直孔來說，形成過程主要采用“B0SCH”刻蝕方法，即交替的使用刻蝕及鈍化的工藝。但直孔不利于后續(xù)孔內(nèi)金屬填充過程中溶液進(jìn)入，容易導(dǎo)致填充不良。而且“B0SCH”刻蝕方法最終會在孔壁上留下高低起伏的圈狀紋路(scallop)，即孔壁波紋，并且在硅與下層材料的界面留下側(cè)向內(nèi)凹(notch)。而這些孔壁波紋和側(cè)向內(nèi)凹都會導(dǎo)致后續(xù)絕緣層覆蓋不足，影響絕緣層形成的質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于克服當(dāng)前硅通孔結(jié)構(gòu)的不足，提供一種不是直孔、具有孔壁光滑度好和工藝兼容性好的新型的芯片背面硅通孔結(jié)構(gòu)。本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的本實用新型一種新型的芯片背面硅通孔結(jié)構(gòu)，它包括芯片本體和設(shè)置在芯片本體正面的芯片電極，所述芯片本體的背面設(shè)置硅通孔，所述硅通孔為外大內(nèi)小的喇叭形，硅通孔的底部直達(dá)芯片電極下表面。喇叭形硅通孔有利于后續(xù)工藝的操作，消除孔壁波紋缺陷和內(nèi)凹(notch)缺陷，同時提升孔壁光滑度。本實用新型的有益效果是硅通孔呈外大內(nèi)小的喇叭形，孔壁光滑度好和工藝兼容性好，避免了孔壁波紋缺陷和內(nèi)凹(notch)缺陷的發(fā)生，有利于后續(xù)絕緣層覆蓋和孔內(nèi)金屬填充，提高產(chǎn)品的可靠性。

圖1為本實用新型一種新型的芯片背面硅通孔結(jié)構(gòu)的示意圖。圖中芯片本體I芯片電極2硅通孔101。
具體實施方式
參見圖1， 本實用新型一種新型的芯片背面硅通孔結(jié)構(gòu)，包括芯片本體1、設(shè)置在芯片本體1正面的芯片電極2和設(shè)置在芯片本體1背面的硅通孔101，所述硅通孔101的位置與芯片電極2的位置對應(yīng)，所述硅通孔101為外大內(nèi)小、光滑的喇叭形，硅通孔101的底 部直達(dá)芯片電極2下表面。所述硅通孔101利用膠層作為掩模、采用二次干法刻蝕的方法成形，降低了孔壁粗糙度、消除了側(cè)向內(nèi)凹缺陷，并且使常規(guī)的直孔形貌發(fā)生變化，形成喇叭形孔，以方便后續(xù)工藝的進(jìn)行。
權(quán)利要求1.一種新型的芯片背面硅通孔結(jié)構(gòu)，包括芯片本體(I)和設(shè)置在芯片本體(I)正面的芯片電極(2)，其特征在于所述芯片本體(I)的背面設(shè)置硅通孔(101)，所述硅通孔(101)為外大內(nèi)小的喇叭形，硅通孔(101)的底部直達(dá)芯片電極(2)下表面。
專利摘要本實用新型涉及芯片背面硅通孔的結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域。本實用新型一種新型的芯片背面硅通孔結(jié)構(gòu)，它包括芯片本體(1)和設(shè)置在芯片本體(1)正面的芯片電極(2)，所述芯片本體(1)的背面設(shè)置硅通孔(101)，所述硅通孔(101)為外大內(nèi)小的喇叭形，硅通孔(101)的底部直達(dá)芯片電極(2)下表面。本實用新型提供了具有喇叭形硅通孔的新型的芯片背面硅通孔結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)的孔壁光滑度好和工藝兼容性好。
文檔編號H01L23/48GK202905695SQ20122052167
公開日2013年4月24日 申請日期2012年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月12日
發(fā)明者陳棟, 張黎, 胡正勛, 陳錦輝, 賴志明 申請人:江陰長電先進(jìn)封裝有限公司