專利名稱：一種led陶瓷基座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種LED陶瓷基座。
背景技術(shù)：
在LED技術(shù)領(lǐng)域，散熱問題是制約LED技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。眾所周知，LED的結(jié)溫對(duì)LED光通量有著重要影響，為有效解決結(jié)溫(實(shí)質(zhì)是散熱)問題，業(yè)內(nèi)在LED基板散熱方面做了大量的有益嘗試。目前業(yè)內(nèi)普遍采取了 2種解決方案，其一，是散熱基板采用鋁基板散熱，由于金屬鋁基板散熱效率較高，可以很好地改善LED器件的散熱效率。但是，由于LED芯片COB邦定封裝前需要在金屬鋁基板表面進(jìn)行有效電氣隔離和絕緣，該電氣隔離和絕緣問題又帶來了可靠性和導(dǎo)熱問題，導(dǎo)致金屬鋁基板喪失了一些優(yōu)良特性，使產(chǎn)品技術(shù)推廣大打折扣。其二，業(yè)內(nèi)目前開發(fā)了一種LTCC陶瓷基板技術(shù)，該技術(shù)采用陶瓷基板作為L(zhǎng)ED沉底，徹底解決了金屬鋁基板的有效電氣隔離和絕緣問題帶來的可靠性和導(dǎo)熱問·題，成為行業(yè)發(fā)展的新的拓展方向。然而，由于LTCC在工藝、材料和技術(shù)上尚處于推廣完善期，尤其是LTCC需要在瓷片上打孔和填充金屬漿料，是一個(gè)技術(shù)難點(diǎn)，因此，目前的產(chǎn)品成本和效率問題，制約了 LTCC技術(shù)的進(jìn)一步推廣和應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種成本低廉、質(zhì)量可靠、散熱效率高、適合SMT工藝的LED陶瓷基座。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案包括基片、正電極、背電極、側(cè)導(dǎo)電極和外保護(hù)層，所述正電極設(shè)置在所述基片的上表面，所述背電極設(shè)置在所述基片的下表面，所述側(cè)導(dǎo)電極設(shè)置在所述基片的側(cè)端面，且與所述正電極和背電極相連接，所述外保護(hù)層覆蓋在所述正電極的上表面。進(jìn)一步地，所述基片采用氧化鋁、氮化鋁或氧化鈹構(gòu)成。進(jìn)一步地，所述正電極的全部或至少其中一部分由銀、銀鈀、銀鉬、銅、金或鉬構(gòu)成。進(jìn)一步地，所述背電極采用銀或賤金屬銅材料構(gòu)成。進(jìn)一步地，所述側(cè)導(dǎo)電極設(shè)置在所述基片的側(cè)端面，且與所述正電極和背電極相連接，所述側(cè)導(dǎo)電極采用銀或銅構(gòu)成。進(jìn)一步地，所述正電極由相互疊加或相互搭接一層以上的電極結(jié)構(gòu)組成。本實(shí)用新型的LED陶瓷基座，具有成本低廉、散熱效率高、可靠性高、性能穩(wěn)定等特點(diǎn)、適合表面貼裝技術(shù)，適合工業(yè)化大批量生產(chǎn)。

圖I為本實(shí)用新型LED陶瓷基座的外形結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖I中除去外保護(hù)層后的結(jié)構(gòu)示意圖；[0013]圖3為本實(shí)用新型LED陶瓷基座中背電極的正視圖；圖4為本實(shí)用新型LED陶瓷基座實(shí)施例一的示意圖；圖5為本實(shí)用新型LED陶瓷基座實(shí)施例二的示意圖；圖6為本實(shí)用新型LED陶瓷基座實(shí)施例二中 背電極的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)施例中，參照?qǐng)DI至圖3所示，該LED陶瓷基座，包括基片I、正電極2、背電極
3、側(cè)導(dǎo)電極4、外保護(hù)層5，所述基片I優(yōu)選采用氮化鋁陶瓷，亦可選擇氧化鈹或96-99%氧化鋁。所述正電極2采用厚膜絲印工藝印刷在所述基片I的上表面，或者，所述正電極2采用厚膜絲印工藝印刷在所述基片I的上表面后，可以利用電鍍或?yàn)R射等工藝在電極表面進(jìn)行熱沉處理。所述背電極3設(shè)置在所述基片I的下表面，所述側(cè)導(dǎo)電極4設(shè)置在所述基片I的側(cè)端面，且與所述正電極2和背電極3電連接，所述外保護(hù)層5覆蓋在所述正電極2的部分上表面。所述正電極2的全部或至少其中一部分，至少由銀、銀鈀、銀鉬、銅、金或鉬等金屬或賤金屬材料的其中一種或數(shù)種材料構(gòu)成，因而可以利用不同材料的優(yōu)點(diǎn)獲得較好的產(chǎn)品特性。所述背電極3采用銀或賤金屬銅等材料構(gòu)成，相比較而言，成本可控。所述側(cè)導(dǎo)電極4設(shè)置在所述基片I的側(cè)端面，且與所述正電極2和所述背電極3的全部或部分相連接?；蛘?，所述側(cè)導(dǎo)電極4設(shè)置在所述基片I的側(cè)端面后，可以利用電鍍或?yàn)R射等工藝在電極表面進(jìn)行熱沉處理，以期獲得好的SMD特性。所述側(cè)導(dǎo)電極4采用銀或銅等材料構(gòu)成，成本低廉。所述正電極3可以由相互疊加或相互搭接多層電極結(jié)構(gòu)組成，在產(chǎn)品成本和性能上獲得優(yōu)選方案。所述正電極3的上表面的局部部分還可設(shè)置外保護(hù)層5，主要用于保護(hù)正電極3長(zhǎng)期可靠性，增加阻焊功能。實(shí)施例一如圖4中所示，本實(shí)用新型包括基片I、正電極2、背電極3、側(cè)導(dǎo)電極4，所述基片I優(yōu)選采用氮化鋁陶瓷，所述正電極2采用厚膜絲印工藝印刷在所述基片I的上表面，所述背電極3設(shè)置在所述基片I的下表面，所述側(cè)導(dǎo)電極4設(shè)置在所述基片I的側(cè)端面，且與所述正電極2和背電極3電連接。所述正電極2由銀和銅材料構(gòu)成。所述背電極3采用銀材料構(gòu)成。所述側(cè)導(dǎo)電極4設(shè)置在所述基片I的側(cè)端面，且與所述正電極2和所述背電極3的全部或部分相連接。所述側(cè)導(dǎo)電極4采用銀或銅等材料構(gòu)成。實(shí)施例二如圖5和圖6所示，本實(shí)用新型包括基片I、正電極2、背電極3、側(cè)導(dǎo)電極4，所述基片I優(yōu)選采用氮化鋁陶瓷，所述正電極2采用厚膜絲印工藝印刷在所述基片I的上表面，所述背電極3設(shè)置在所述基片I的下表面，所述側(cè)導(dǎo)電極4設(shè)置在所述基片I的側(cè)端面，且與所述正電極2和背電極3電連接，所述側(cè)導(dǎo)電極4根據(jù)LED產(chǎn)品封裝產(chǎn)品功率和模組結(jié)構(gòu)被設(shè)置成兩邊對(duì)稱的兩組側(cè)導(dǎo)電極，以適應(yīng)不同LED產(chǎn)品封裝產(chǎn)品功率和模組需要。所述正電極2由銀和金材料構(gòu)成。所述背電極3采用賤金屬銅材料構(gòu)成。所述側(cè)導(dǎo)電極4設(shè)置在所述基片I的側(cè)端面，且與所述正電極2和所述背電極3的全部或部分相連接。所述側(cè)導(dǎo)電極4采用銀或銅等材料構(gòu)成。以上已將本實(shí)用新型做一詳細(xì)說明，以上所述，僅為本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例而已，當(dāng)不能限定本實(shí)用新型實(shí)施范圍，即凡依本申請(qǐng)范圍 所作均等變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型涵蓋范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種LED陶瓷基座，包括基片、正電極、背電極、側(cè)導(dǎo)電極和外保護(hù)層，所述正電極設(shè)置在所述基片的上表面，所述背電極設(shè)置在所述基片的下表面，所述側(cè)導(dǎo)電極設(shè)置在所述基片的側(cè)端面，且與所述正電極和背電極相連接，所述外保護(hù)層覆蓋在所述正電極的上表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的LED陶瓷基座，其特征在于所述基片采用氧化鋁、氮化鋁或氧化鈹構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的LED陶瓷基座，其特征在于所述正電極的全部或至少其中一部分由銀、銀鈀、銀鉬、銅、金或鉬構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的LED陶瓷基座，其特征在于所述背電極采用銀或賤金屬銅材料構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的LED陶瓷基座，其特征在于所述側(cè)導(dǎo)電極設(shè)置在所述基片的側(cè)端面，且與所述正電極和背電極相連接，所述側(cè)導(dǎo)電極采用銀或銅構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的LED陶瓷基座，其特征在于所述正電極由相互疊加或相互搭接一層以上的電極結(jié)構(gòu)組成。
專利摘要本實(shí)用新型的LED陶瓷基座，包括基片、正電極、背電極、側(cè)導(dǎo)電極和外保護(hù)層，所述正電極設(shè)置在所述基片的上表面，所述背電極設(shè)置在所述基片的下表面，所述側(cè)導(dǎo)電極設(shè)置在所述基片的側(cè)端面，且與所述正電極和背電極的全部或部分相連接，所述外保護(hù)層覆蓋在所述正電極的部分上表面。通過上述結(jié)構(gòu)獲得的LED陶瓷基座及封裝產(chǎn)品，其成本低廉、質(zhì)量可靠、散熱特性更優(yōu)良、適合SMT工藝。
文檔編號(hào)H01L33/48GK202678399SQ201220162928
公開日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月12日
發(fā)明者白云峰 申請(qǐng)人:東莞市簡(jiǎn)創(chuàng)電子科技有限公司