專利名稱：晶體硅電池背面電極結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及晶體硅太陽能電池的制造領(lǐng)域，一種晶體硅電池背面電極結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，太陽能電池的應(yīng)用越來越多，降低電池片的生產(chǎn)成本，成為每個公司研究的重點，而目前傳統(tǒng)電池片的背面電極，通常采用絲網(wǎng)印刷貴金屬銀漿料的方式制備得到。而隨著生產(chǎn)漿料技術(shù)和組件焊接技術(shù)的改進(jìn)，原有的電池背面電極的形狀及對金屬的用量設(shè)計，已超過背電極作為導(dǎo)電及用于焊接的用途。對電池片重新設(shè)計電極結(jié)構(gòu)，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的就是為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，而提供一種晶體硅電池背面電極結(jié)構(gòu)，節(jié)省太陽能電池背面的電極漿料使用量。本實用新型的技術(shù)方案是，一種晶體硅電池背面電極結(jié)構(gòu)，所述電極柵線為鏤空或凹陷在硅片的背面。所述鏤空電極柵線為多個長方形銀導(dǎo)體框架串聯(lián)而成，各個框架之間有導(dǎo)線連接。本實用新型的有益效果為通過減小太陽能電池背面電極在硅片上的面積，既不影響焊接和電池效率，同時節(jié)省太陽能電池背面的電極漿料使用量，降低晶體硅太陽能電池的單瓦成本。由于各個框架之間有導(dǎo)線連接，避免了一處焊接不好而影響電池片電性能的缺點。


圖I為本實用新型凹陷電極的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實用新型鏤空電極的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，I.背鋁，2.硅片，3.背面電極，4.電極鏤空區(qū)。
具體實施方式
為了更好地理解本實用新型，
以下結(jié)合附圖來詳細(xì)說明本實用新型的技術(shù)方案。
具體實施方式
一如圖I所示，一種晶體硅電池背面電極結(jié)構(gòu)，所述電極柵線為凹陷在硅片的背面。
具體實施方式
二 如圖2所示，一種晶體硅電池背面電極結(jié)構(gòu)，，所述電極柵線為鏤空，鏤空電極柵線為多個長方形銀導(dǎo)體框架串聯(lián)而成，各個框架之間有導(dǎo)線連接。
權(quán)利要求1.一種晶體硅電池背面電極結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電極柵線為鏤空或凹陷在硅片的背面。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅電池背面電極結(jié)構(gòu)，其特征在于所述鏤空電極柵線為多個長方形銀導(dǎo)體框架 串聯(lián)而成，各個框架之間有導(dǎo)線連接。
專利摘要本實用新型涉及晶體硅太陽能電池的制造領(lǐng)域，一種晶體硅電池背面電極結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電極柵線為鏤空或凹陷在硅片的背面，其中鏤空電極柵線為多個長方形銀導(dǎo)體框架串聯(lián)而成，各個框架之間有導(dǎo)線連接。本實用新型節(jié)省太陽能電池背面的電極漿料使用量，降低晶體硅太陽能電池的單瓦成本。
文檔編號H01L31/0224GK202549856SQ201220148010
公開日2012年11月21日 申請日期2012年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月10日
發(fā)明者任現(xiàn)坤, 劉鵬, 姜言森, 張麗麗, 張春燕, 張黎明, 徐振華, 李玉花, 王兆光, 程亮, 賈河順 申請人:山東力諾太陽能電力股份有限公司