專(zhuān)利名稱(chēng)：帶有場(chǎng)板和場(chǎng)限環(huán)的二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子元器件領(lǐng)域，尤其是指二極管。
背景技術(shù)：
快速恢復(fù)二極管是一種利用外延單晶硅片做外延材料的新一代半導(dǎo)體器件。具有高頻高壓等優(yōu)點(diǎn)?？梢宰鳛檩敵稣?、吸收、嵌位二極管等單獨(dú)使用。也可以作為續(xù)流二極 管與晶體管結(jié)合使用。廣泛應(yīng)用于電機(jī)變頻調(diào)速，各種開(kāi)關(guān)電源、靜電感應(yīng)等工業(yè)領(lǐng)域?？焖倩謴?fù)二極管的工作周期具有正向恢復(fù)和反向恢復(fù)。所謂正向恢復(fù)是指在開(kāi)通初期會(huì)會(huì)有一較高的瞬態(tài)壓降，然后經(jīng)歷一定時(shí)間恢復(fù)到平穩(wěn)狀態(tài)，該時(shí)間反映了正向恢復(fù)特性；反向恢復(fù)特性指的是二極管在短時(shí)間內(nèi)從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)換為反向阻斷狀態(tài)所需的時(shí)間，該時(shí)間反映了反向恢復(fù)特性。一般二極管需要具有好的反向恢復(fù)特性。要求其具有較低的正向恢復(fù)的瞬態(tài)壓降，同時(shí)要求反向恢復(fù)快，擊穿電壓高。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的發(fā)明目的是提供一種具有恢復(fù)快、擊穿電壓高的二極管。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案是一種二極管，其包括N+襯底層，形成于N+襯底層下側(cè)的金屬化層和形成于其上方的N_外延層，其特征在于在所述的N_外延層中間隔擴(kuò)散形成有一 P+主擴(kuò)散區(qū)和至少一 P+場(chǎng)限環(huán)，所述P+場(chǎng)限環(huán)位于所述P+主擴(kuò)散區(qū)外周；在所述N_外延層、所述P+主擴(kuò)散區(qū)和所述P+場(chǎng)限環(huán)的同一側(cè)形成有保護(hù)鈍化層，所述鈍化層位于所述所述P+主擴(kuò)散區(qū)和所述P+場(chǎng)限環(huán)上方分別開(kāi)設(shè)有肖特基接觸窗口，所述肖特基接觸窗口處位于所述鈍化層上方連接有場(chǎng)板；位于所述P+主擴(kuò)散區(qū)處上方的場(chǎng)板向其兩側(cè)延伸；位于所述P+場(chǎng)限環(huán)上方的場(chǎng)板向背向所述P+主擴(kuò)散區(qū)的方向延神。所述P+主擴(kuò)散區(qū)和所述P+場(chǎng)限環(huán)的摻雜濃度和深度相同。本實(shí)用新型的二極管，其通過(guò)采用場(chǎng)板和場(chǎng)限環(huán)結(jié)合，在反向電壓下P+主擴(kuò)散區(qū)和P+場(chǎng)限環(huán)的耗盡層交疊，加寬了耗盡層寬度，提高了擊穿電壓。

圖I本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖具體實(shí)施方式
針對(duì)本實(shí)用新型，通過(guò)一具體實(shí)施例并結(jié)合圖式進(jìn)行具體說(shuō)明。在高濃度摻雜的N+襯底層2，即陰極區(qū)，其一端連接有N_外延層3，其另一端形成有金屬化層I，形成金屬電極。在外延層3通過(guò)硅平面擴(kuò)散工藝形成位于外延層3中心的P+主擴(kuò)散區(qū)4，在P+主擴(kuò)散區(qū)4的外周間隔適當(dāng)距離形成有P+場(chǎng)限環(huán)5，P+主擴(kuò)散區(qū)4和P+場(chǎng)限環(huán)5位于同一制造平面，分別與N_外延層形成P+主擴(kuò)散區(qū)PN結(jié)和P+場(chǎng)限環(huán)PN環(huán)結(jié)，P+場(chǎng)限環(huán)5位于N_外延層3區(qū)域內(nèi)。P+主擴(kuò)散區(qū)4和P+場(chǎng)限環(huán)5的摻雜濃度和深度相同，其深度小于N_外延層3的厚度。P+場(chǎng)限環(huán)5可以以P+主擴(kuò)散區(qū)4為中心設(shè)置若干條，場(chǎng)限環(huán)5與P+主擴(kuò)散區(qū)4之間的間距及場(chǎng)限環(huán)5之間的間距與襯底層的電阻率成正比。在N_外延層3、P+主擴(kuò)散區(qū)4和P+場(chǎng)限環(huán)5的上方間隔形成有保護(hù)鈍化層6，鈍化層6選擇二氧化娃材料。鈍化層6在位于P+主擴(kuò)散區(qū)4和P+場(chǎng)限環(huán)5的上方分別形成有肖特基接觸窗口 7，在肖特基接觸窗口 7連接有場(chǎng)板8。P+場(chǎng)限環(huán)5上方的場(chǎng)板8向背向P+主擴(kuò)散區(qū)4 一側(cè)的方向延伸；P+主擴(kuò)散區(qū)4上方的場(chǎng)板8分別向肖特基接觸窗口兩端延展。通過(guò)P+主擴(kuò)散區(qū)的PN主結(jié)及P+場(chǎng)限環(huán)5的PN環(huán)結(jié)，當(dāng)施加方向電壓時(shí)，PN主結(jié)耗盡層和PN環(huán)結(jié)的耗盡層交疊，加寬了耗盡層的寬度，提高了擊穿電壓。
權(quán)利要求1.一種帶有場(chǎng)板和場(chǎng)限環(huán)的二極管，其包括N+襯底層，形成于N+襯底層下側(cè)的金屬化層和形成于其上方的N_外延層，其特征在于在所述的N_外延層中間隔擴(kuò)散形成有一 P+主擴(kuò)散區(qū)和至少一 P+場(chǎng)限環(huán)，所述P+場(chǎng)限環(huán)位于所述P+主擴(kuò)散區(qū)外周；在所述N_外延層、所述P+主擴(kuò)散區(qū)和所述P+場(chǎng)限環(huán)的同一側(cè)形成有保護(hù)鈍化層，所述鈍化層位于所述P+主擴(kuò)散區(qū)和所述P +場(chǎng)限環(huán)上方分別開(kāi)設(shè)有肖特基接觸窗口，所述肖特基接觸窗口處位于所述鈍化層上方連接有場(chǎng)板；位于所述P+主擴(kuò)散區(qū)處上方的場(chǎng)板向其兩側(cè)延伸；位于所述P+場(chǎng)限環(huán)上方的場(chǎng)板向背向所述P+主擴(kuò)散區(qū)的方向延神。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的帶有場(chǎng)板和場(chǎng)限環(huán)的二極管，其特征在于所述P+主擴(kuò)散區(qū)和所述P+場(chǎng)限環(huán)的摻雜濃度和深度相同。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種帶有場(chǎng)板和場(chǎng)限環(huán)的二極管，其包括N+襯底層，形成于N+襯底層兩側(cè)的金屬化層和N-外延層，在N-外延層中間隔擴(kuò)散形成有P+主擴(kuò)散區(qū)和P+場(chǎng)限環(huán)，P+場(chǎng)限環(huán)位于P+主擴(kuò)散區(qū)外周；在N-外延層、P+主擴(kuò)散區(qū)和P+場(chǎng)限環(huán)的同一側(cè)形成有保護(hù)鈍化層，鈍化層位于P+主擴(kuò)散區(qū)和P+場(chǎng)限環(huán)上方分別開(kāi)設(shè)有肖特基接觸窗口，肖特基接觸窗口處位于鈍化層上方連接有場(chǎng)板；位于P+主擴(kuò)散區(qū)處上方上方的場(chǎng)板向其兩側(cè)延伸；位于P+場(chǎng)限環(huán)上方的場(chǎng)板向背向P+主擴(kuò)散區(qū)的方向延神。采用場(chǎng)板和場(chǎng)限環(huán)結(jié)合，加寬了耗盡層寬度，提高了擊穿電壓。
文檔編號(hào)H01L29/861GK202434524SQ20122003937
公開(kāi)日2012年9月12日 申請(qǐng)日期2012年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月8日
發(fā)明者陳小建 申請(qǐng)人:蘇州力瑞電子科技有限公司