專利名稱：半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種可防止銅離子游離的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
基于電子產(chǎn)品的體積越來越趨向輕薄短小的方向，使得電子產(chǎn)品內(nèi)部的電路布局也必須越來越趨向微細(xì)間距發(fā)展，然電路布線之間距越微細(xì)將使得短路的機(jī)率提升。由此可見，上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思 來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種可兼具體積小、成本低且使用時(shí)可具有全方位調(diào)整功能的新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本實(shí)用新型。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于，克服現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是在提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，從而更加適于實(shí)用。本實(shí)用新型的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本實(shí)用新型提出的其至少包含一基板，其具有一上表面及多個(gè)設(shè)置于該上表面的接點(diǎn)，各該接點(diǎn)具有一第一接合表面，且該第一接合表面具有多個(gè)第一導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)及多個(gè)第一非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)；一可導(dǎo)電的防游離膠體，其形成于該基板的該上表面及所述接點(diǎn)上，該可導(dǎo)電的防游離膠體混合有多個(gè)導(dǎo)電顆粒及多個(gè)保護(hù)材；以及一芯片，其覆晶結(jié)合于該基板，該芯片具有一主動(dòng)面及多個(gè)設(shè)置于該主動(dòng)面的含銅凸塊，該主動(dòng)面朝向該基板的該上表面，該可導(dǎo)電的防游離膠體包覆所述含銅凸塊，各該含銅凸塊具有一第二接合表面及一環(huán)壁，該第二接合表面具有多個(gè)第二導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)及多個(gè)第二非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)，所述含銅凸塊借由所述導(dǎo)電顆粒電性連接于所述接點(diǎn)，所述導(dǎo)電顆粒位于所述第一接合表面及所述第二接合表面之間，且所述導(dǎo)電顆粒是電性連接所述第一接合表面的所述第一導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)及所述第二接合表面的所述第二導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)，所述保護(hù)材位于相鄰導(dǎo)電顆粒之間，且所述保護(hù)材位于各該第一接合表面及各該第二接合表面之間，所述保護(hù)材結(jié)合于所述第二接合表面的所述第二非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)，且所述保護(hù)材更包覆所述含銅凸塊的所述環(huán)壁。本實(shí)用新型的目的以及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的所述保護(hù)材結(jié)合于所述第一接合表面的所述第一非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)。前述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的各該接點(diǎn)具有一側(cè)壁，所述保護(hù)材包覆所述側(cè)壁。前述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的所述保護(hù)材的材質(zhì)為有機(jī)保焊劑。前述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的該有機(jī)保焊劑的材質(zhì)選自于咪唑化合物或咪 唑衍生物其中之一。前述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的該咪唑衍生物可為苯基聯(lián)三連唑、苯基咪唑、替代性苯基咪唑或芳香族羥基咪唑或其混合體其中之一，該咪唑化合物可為苯基聯(lián)三連唑、苯基咪唑、替代性苯基咪唑或芳香族羥基咪唑或其混合體其中之一。前述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的所述含銅凸塊的材質(zhì)選自于銅/鎳或銅/鎳
/金其中之一。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。借由上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)可達(dá)到相當(dāng)?shù)募夹g(shù)進(jìn)步性及實(shí)用性，并具有產(chǎn)業(yè)上的廣泛利用價(jià)值，其至少具有下列優(yōu)點(diǎn)當(dāng)所述含銅凸塊中的銅離子產(chǎn)生游離時(shí)，所述保護(hù)材可實(shí)時(shí)捕捉游離的銅離子以防止短路的情形發(fā)生。綜上所述，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包含一基板、一可導(dǎo)電的防游離膠體以及一芯片，該基板具有一上表面及多個(gè)設(shè)置于該上表面的接點(diǎn)，各該接點(diǎn)具有一第一接合表面，且該第一接合表面具有多個(gè)第一導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)及多個(gè)第一非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)，該可導(dǎo)電的防游離膠體形成于該基板的該上表面及所述接點(diǎn)上，該可導(dǎo)電的防游離膠體混合有多個(gè)導(dǎo)電顆粒及多個(gè)保護(hù)材，該芯片覆晶結(jié)合于該基板，該芯片具有一主動(dòng)面及多個(gè)設(shè)置于該主動(dòng)面的含銅凸塊，該主動(dòng)面朝向該基板的該上表面，該可導(dǎo)電的防游離膠體包覆所述含銅凸塊，各該含銅凸塊具有一第二接合表面及一環(huán)壁，該第二接合表面具有多個(gè)第二導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)及多個(gè)第二非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)，所述含銅凸塊借由所述導(dǎo)電顆粒電性連接于所述接點(diǎn)，所述導(dǎo)電顆粒位于所述第一接合表面及所述第二接合表面之間，且所述導(dǎo)電顆粒電性連接所述第一接合表面的所述第一導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)及所述第二接合表面的所述第二導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)，所述保護(hù)材位于相鄰導(dǎo)電顆粒之間，且所述保護(hù)材位于各該第一接合表面及各該第二接合表面之間，所述保護(hù)材結(jié)合于所述第二接合表面的所述第二非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)，且所述保護(hù)材更包覆所述含銅凸塊的所述環(huán)壁。由于該可導(dǎo)電的防游離膠體所具有的所述保護(hù)材包覆所述含銅凸塊的所述環(huán)壁，因此當(dāng)所述含銅凸塊中的銅離子產(chǎn)生游離時(shí)，所述保護(hù)材可實(shí)時(shí)捕捉游離的銅離子以防止短路的情形發(fā)生。本實(shí)用 新型在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并具有明顯的積極效果，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù) 手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為讓本實(shí)用新型的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。
第IA至IC圖依據(jù)本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝方法的截面示意圖。100 :半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)110:基板111 :上表面112 :接點(diǎn)113:第一接合表面113a :第一導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)113b :第一非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)114:側(cè)壁120 :可導(dǎo)電的防游離膠體121 :導(dǎo)電顆粒122 :保護(hù)材130 :芯片·131 :主動(dòng)面132 :含銅凸塊133 :第二接合表面133a :第二導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)133b :第二非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)134 :環(huán)壁
具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，
以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本實(shí)用新型提出的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。請(qǐng)參閱第IA至IC圖，其是本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝方法包含下列步驟首先，請(qǐng)參閱第IA圖，提供一基板110，該基板110具有一上表面111及多個(gè)設(shè)置于該上表面111的接點(diǎn)112，所述接點(diǎn)112可為基板110上的引腳或是連接線路的凸塊接墊，各該接點(diǎn)112具有一第一接合表面113及一側(cè)壁114，且該第一接合表面113具有多個(gè)第一導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)113a及多個(gè)第一非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)113b ;接著，請(qǐng)參閱第IB圖，形成一可導(dǎo)電的防游離膠體120在該基板110的該上表面111及所述接點(diǎn)112上，該可導(dǎo)電的防游離膠體120混合有多個(gè)導(dǎo)電顆粒121及多個(gè)保護(hù)材122，在本實(shí)施例中，所述保護(hù)材122的材質(zhì)為有機(jī)保焊劑，且該有機(jī)保焊劑的材質(zhì)選自于咪唑化合物或咪唑衍生物其中之一，該咪唑衍生物可為苯基聯(lián)三連唑、苯基咪唑、替代性苯基咪唑或芳香族羥基咪唑或其混合體其中之一，該咪唑化合物可為苯基聯(lián)三連唑、苯基咪唑、替代性苯基咪唑或芳香族羥基咪唑或其混合體其中之一。最后，請(qǐng)參閱第IC圖，覆晶結(jié)合一芯片130在該基板110，該芯片130具有一主動(dòng)面131及多個(gè)設(shè)置于該主動(dòng)面131的含銅凸塊132，在本實(shí)施例中，所述含銅凸塊132的材質(zhì)選自于銅/鎳或銅/鎳/金其中之一，該主動(dòng)面131朝向該基板110的該上表面111,該可導(dǎo)電的防游離膠體120包覆所述含銅凸塊132，各該含銅凸塊132具有一第二接合表面133及一環(huán)壁134，該第二接合表面133具有多個(gè)第二導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)133a及多個(gè)第二非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)133b，所述含銅凸塊132借由所述導(dǎo)電顆粒121電性連接于所述接點(diǎn)112，所述導(dǎo)電顆粒121位于所述第一接合表面113及所述第二接合表面133之間，且所述導(dǎo)電顆粒121是電性連接所述第一接合表面113的所述第一導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)113a及所述第二接合表面133的所述第二導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)133a，所述保護(hù)材122位于相鄰導(dǎo)電顆粒121之間，且所述保護(hù)材122位于各該第一接合表面113及各該第二接合表面133之間，所述保護(hù)材122結(jié)合于所述第二接合表面133的所述第二非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)133b，且所述保護(hù)材122更包覆所述含銅凸塊132的所述環(huán)壁134，此外，所述保護(hù)材122也結(jié)合于所述第一接合表面113的所述第一非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)113b，且所述保護(hù)材122包覆所述接點(diǎn)112的所述側(cè)壁114以形成一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100。由于該可導(dǎo)電的防游離膠體120所具有的所述保護(hù)材122可包覆所述含銅凸塊132的所述環(huán)壁134，因此當(dāng)所述含銅凸塊132中的銅離子產(chǎn)生游離時(shí)，所述保護(hù)材122可實(shí)時(shí)捕捉游離的銅離子以防止短路的情形發(fā)生，進(jìn)而提高該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100的良率。請(qǐng)?jiān)賲㈤喌贗C圖，其是本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100，其包含有一基板110、一可導(dǎo)電的防游離膠體120以及一芯片130,該基板110具有一上表面111及多個(gè)設(shè)置于該上表面111的接點(diǎn)112，各該接點(diǎn)112具有一第一接合表面113，且該第一接合表面113具有多個(gè)第一導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)113a及多個(gè)第一非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)113b，該可導(dǎo)電的防游離膠體120形成于該基板110的該上表面111及所述接點(diǎn)112上，該可導(dǎo)電的防游離膠體120混合有多個(gè)導(dǎo)電顆粒121及多個(gè)保護(hù)材122，該芯片130覆晶結(jié)合于該基板110，該芯片130具有一主動(dòng)面131及多個(gè)設(shè)置于該主動(dòng)面131的含銅凸塊132，該主動(dòng)面131朝向該基板110的該上表面111，該可導(dǎo)電的防游離膠體120包覆所述含銅凸塊 132，各該含銅凸塊132具有一第二接合表面133及一環(huán)壁134，該第二接合表面133具有多個(gè)第二導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)133a及多個(gè)第二非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)133b，所述含銅凸塊132借由所述導(dǎo)電顆粒121電性連接于所述接點(diǎn)112，所述導(dǎo)電顆粒121位于所述第一接合表面113及所述第二接合表面133之間，且所述導(dǎo)電顆粒121是電性連接所述第一接合表面113的所述第一導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)113a及所述第二接合表面133的所述第二導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)133a，所述保護(hù)材122位于相鄰導(dǎo)電顆粒121之間，且所述保護(hù)材122位于各該第一接合表面113及各該第二接合表面133之間，所述保護(hù)材122結(jié)合于所述第二接合表面133的所述第二非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)133b及所述第一接合表面113的所述第一非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)113b，且所述保護(hù)材122更包覆所述含銅凸塊132的所述環(huán)壁134及所述接點(diǎn)112的所述側(cè)壁114。以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制，雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其至少包含 一基板，其具有一上表面及多個(gè)設(shè)置于該上表面的接點(diǎn)，各該接點(diǎn)具有一第一接合表面，且該第一接合表面具有多個(gè)第一導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)及多個(gè)第一非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)； 一可導(dǎo)電的防游離膠體，其形成于該基板的該上表面及所述接點(diǎn)上，該可導(dǎo)電的防游離膠體混合有多個(gè)導(dǎo)電顆粒及多個(gè)保護(hù)材；以及 一芯片，其覆晶結(jié)合于該基板，該芯片具有一主動(dòng)面及多個(gè)設(shè)置于該主動(dòng)面的含銅凸塊，該主動(dòng)面朝向該基板的該上表面，該可導(dǎo)電的防游離膠體包覆所述含銅凸塊，各該含銅凸塊具有一第二接合表面及一環(huán)壁，該第二接合表面具有多個(gè)第二導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)及多個(gè)第二非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)，所述含銅凸塊借由所述導(dǎo)電顆粒電性連接于所述接點(diǎn)，所述導(dǎo)電顆粒位于所述第一接合表面及所述第二接合表面之間，且所述導(dǎo)電顆粒是電性連接所述第一接合表面的所述第一導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)及所述第二接合表面的所述第二導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)，所述保護(hù)材位于相鄰導(dǎo)電顆粒之間，且所述保護(hù)材位于各該第一接合表面及各該第二接合表面之間，所述保護(hù)材結(jié)合于所述第二接合表面的所述第二非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)，且所述保護(hù)材更包覆所述含銅凸塊的所述環(huán)壁。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述保護(hù)材結(jié)合于所述第一接合表面的所述第一非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于各該接點(diǎn)具有一側(cè)壁，所述保護(hù)材包覆所述側(cè)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述保護(hù)材的材質(zhì)為有機(jī)保焊劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該有機(jī)保焊劑的材質(zhì)選自于咪唑化合物或咪唑衍生物其中之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該咪唑衍生物的材質(zhì)是選自于苯基聯(lián)三連唑、苯基咪唑、替代性苯基咪唑或芳香族羥基咪唑其中之一，該咪唑化合物的材質(zhì)是選自于苯基聯(lián)三連唑、苯基咪唑、替代性苯基咪唑或芳香族羥基咪唑其中之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述含銅凸塊的材質(zhì)選自于銅/鎳或銅/鎳/金其中之一。
專利摘要本實(shí)用新型是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包含一基板、一可導(dǎo)電的防游離膠體及一芯片，該基板的接點(diǎn)有一第一接合表面，且該第一接合表面有第一導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)及第一非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)，該可導(dǎo)電的防游離膠體形成于所述接點(diǎn)，該可導(dǎo)電的防游離膠體混合有導(dǎo)電顆粒及保護(hù)材，該芯片覆晶結(jié)合該基板，該可導(dǎo)電的防游離膠體包覆該芯片的含銅凸塊，各該含銅凸塊有一第二接合表面及一環(huán)壁，該第二接合表面有第二導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)及第二非導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)，所述含銅凸塊借由導(dǎo)電顆粒電性連接接點(diǎn)，所述導(dǎo)電顆粒電性連接第一導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)及第二導(dǎo)電顆粒接觸區(qū)，所述保護(hù)材位于第一接合表面及第二接合表面之間，且所述保護(hù)材更包覆所述含銅凸塊的所述環(huán)壁。
文檔編號(hào)H01L23/00GK202585382SQ20122000426
公開日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月6日
發(fā)明者施政宏, 林淑真, 林政帆, 謝永偉, 姜伯勛 申請(qǐng)人:頎邦科技股份有限公司