專利名稱：Siw電橋的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微波器件。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代微波毫米波電路系統(tǒng)的高速發(fā)展，其功能越來越復(fù)雜、電性能指標(biāo)越來越高，同時(shí)其體積越來越小、重量越來越輕；整個(gè)系統(tǒng)迅速向小型化、輕量化、高可靠性、多功能性和低成本方向發(fā)展。低成本、高性能、高成品率的微波毫米波技術(shù)對(duì)于開發(fā)商業(yè)化的低成本微波毫米波寬帶系統(tǒng)非常關(guān)鍵。因此，迫切需要發(fā)展新的微波毫米波集成技術(shù)?；刹▽?dǎo)(Substratelntegrated Waveguide, slff)技術(shù)是近幾年提出的一種可以集成于介質(zhì)基片中的具有低插損、低輻射、高功率容量等特性的新的導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，它可以有效地實(shí)現(xiàn)無源和有源集成，使微波毫米波系統(tǒng)小型化，甚至可把整個(gè)微波毫米波系統(tǒng)制作在一個(gè)封裝內(nèi)；而且它的傳播特性與矩形金屬波導(dǎo)類似，所以由其構(gòu)成的微波毫米波甚至亞毫米波部件及子系統(tǒng)具有高Q值、高功率容量、易與其它平面電路和芯片集成等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)由于整個(gè)結(jié)構(gòu)完全為介質(zhì)基片上的金屬化通孔陣列所構(gòu)成，所以這種結(jié)構(gòu)可以利用普通PCB工藝、LTCC工藝、甚至薄膜電路工藝精確實(shí)現(xiàn)。與傳統(tǒng)的波導(dǎo)形式微波毫米波器件的加工成本相比，基片集成波導(dǎo)微波毫米波器件的加工成本十分低廉，不需任何事后調(diào)試工作，非常適合微波毫米波電路的集成設(shè)計(jì)和大批量制作。SIW兼顧傳統(tǒng)波導(dǎo)和微帶傳輸線的優(yōu)點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)高性能微波毫米波平面電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種體積小、易于集成的SIW_3dB電橋。本發(fā)明解決所述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是，SIff電橋，其特征在于，由介質(zhì)基板和介質(zhì)基板上的金屬通孔構(gòu)成，包括第一端口、第二端口和第三端口，隔離帶作為第二端口的下壁和第三端口的上壁，第一端口上壁與第二端口上壁由第一斜邊連接，第一端口下壁與第三端口下壁由第二斜邊連接，三個(gè)端口為軸對(duì)稱，隔離帶處于對(duì)稱軸上，第一斜邊51與對(duì)稱軸夾角為45°，第二斜邊與對(duì)稱軸夾角為45°，各端口的各壁皆由金屬通孔排列構(gòu)成，第一端口上壁、第一端口下壁、第二端口上壁和第三端口下壁平行于對(duì)稱軸。進(jìn)一步的，介質(zhì)基板厚度為0.254mm,電橋長度為12mm,每個(gè)端口寬度為4mm,排列構(gòu)成第一端口上壁和下壁、第二端口上壁、第三端口下壁的金屬孔半徑為0.15mm，間隔為
0.5mm ;構(gòu)成隔離帶的金屬孔的半徑為0.1mm,間隔為0.4mm。本發(fā)明的有益效果是，克服了現(xiàn)有的功分器不易加工、體積大不易集成的不足，可以廣泛應(yīng)用于微波毫米波集成電路中，是一種新型的高Q值、低損耗集成導(dǎo)波結(jié)構(gòu)器件，并能方便實(shí)現(xiàn)與微帶線、共面波導(dǎo)等平面?zhèn)鬏斁€的集成，且易于設(shè)計(jì)和加工。本發(fā)明的電橋具有微波頻帶(40GHz 56GHz)內(nèi)的高隔離性能，低的插入損耗和端口駐波。


圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為頻率42GHz 54GHz的測(cè)試曲線圖，可見Sll最小隔離為:_15dB。圖3為頻率42GHz 54GHz，可見最大分配損耗為:3.31。圖4為在頻率42GHz 54GHz，可見最大駐波為:2.58。
具體實(shí)施例方式參見圖1 4。本發(fā)明的SIW電橋，由介質(zhì)基板和介質(zhì)基板上的金屬通孔構(gòu)成，包括第一端口 Al、第二端口 A2和第三端口 A3，隔離帶A4作為第二端口 A2的下壁和第三端口A3的上壁，第一端口上壁All與第二端口上壁A21由第一斜邊A51連接，第一端口下壁A12與第三端口下壁A22由第二斜邊A52連接，三個(gè)端口為軸對(duì)稱，隔離帶A4處于對(duì)稱軸上，第一斜邊A51與對(duì)稱軸夾角為45°，第二斜邊A52與對(duì)稱軸的夾角為45°，各端口的各壁皆由金屬通孔排列構(gòu)成，第一端口上壁、第一端口下壁、第二端口上壁和第三端口下壁平行于對(duì)稱軸。介質(zhì)基板厚度為0.254mm,電橋長度為12mm,每個(gè)端口寬度為4mm,排列構(gòu)成第一端口上壁和下壁、第二端口上壁、第三端口下壁的金屬孔半徑為0.15mm,間隔為0.5mm ;第一端口的上壁、下壁長度為4mm (0.5 X 8)，第二端口的上壁和第三端口的下壁長度為6.5mm(0.5X13)。構(gòu)成隔離帶的金屬孔的半徑為0.1mm,間隔為0.4mm,隔離帶長度為5.2mm(0.4X13)。兩個(gè)斜邊長度為2mm (0.5X4)。以上金屬孔的間距皆為圓心距離。
權(quán)利要求
1.IW電橋，其特征在于，由介質(zhì)基板和介質(zhì)基板上的金屬通孔構(gòu)成，包括第一端口[Al]、第二端口 [A2]和第三端口 [A3]，隔離帶[A4]作為第二端口 [A2]的下壁和第三端口[A3]的上壁，第一端口上壁[All]與第二端口上壁[A21]由第一斜邊[A51]連接，第一端口下壁[A12]與第三端口下壁[A22]由第二斜邊[A52]連接，三個(gè)端口為軸對(duì)稱，隔離帶[A4]處于對(duì)稱軸上，第一斜邊[A51]與對(duì)稱軸夾角為45°，第二斜邊[A52]與對(duì)稱軸夾角為45° ,各端口的各壁皆由金屬通孔排列構(gòu)成,第一端口上壁、第一端口下壁、第二端口上壁和第三端口下壁平行于對(duì)稱軸。
2.按權(quán)利要求1所述的SIW電橋，其特征在于，介質(zhì)基板厚度為0.254mm,電橋長度為12mm,每個(gè)端口寬度為4mm, 排列構(gòu)成第一端口上壁和下壁、第二端口上壁、第三端口下壁的金屬孔半徑為0.15mm,間隔為0.5mm ； 構(gòu)成隔離帶的金屬孔的半徑為0.1mm,間隔為0.4mm。
全文摘要
SIW電橋，涉及微波器件。本發(fā)明由介質(zhì)基板和介質(zhì)基板上的金屬通孔構(gòu)成，包括第一端口、第二端口和第三端口，隔離帶作為第二端口的下壁和第三端口的上壁，第一端口上壁與第二端口上壁由第一斜邊連接，第一端口下壁與第三端口下壁由第二斜邊連接，三個(gè)端口為軸對(duì)稱，隔離帶處于對(duì)稱軸上，第一斜邊51與對(duì)稱軸夾角為45°，第二斜邊與對(duì)稱軸夾角為45°，各端口的各壁皆由金屬通孔排列構(gòu)成，第一端口上壁、第一端口下壁、第二端口上壁和第三端口下壁平行于對(duì)稱軸。本發(fā)明的電橋具有微波頻帶(40GHz～56GHz)內(nèi)的高隔離性能，低的插入損耗和端口駐波。
文檔編號(hào)H01P5/16GK103094656SQ201210590709
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2012年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月13日
發(fā)明者汪曉光, 郭田田, 陳良, 鄧龍江, 謝建良, 梁迪飛 申請(qǐng)人:電子科技大學(xué)