專利名稱：一種amoled的集成結(jié)構(gòu)及集成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)光電顯示器件，更具體地講，涉及一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)的結(jié)構(gòu)及其集成方法，屬于光電顯示技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(縮寫為AM0LED)由于其主動(dòng)發(fā)光、廣視角、高對(duì)比度、 色域豐富、響應(yīng)速度快、構(gòu)造簡(jiǎn)單、低功耗及可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等特性，將成為下一代顯示器件的主力軍。鑒于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的電流驅(qū)動(dòng)特性，其每個(gè)像素都有一個(gè)對(duì)應(yīng)由薄膜晶體管(TFT)和電容組成的電路來(lái)驅(qū)動(dòng)和控制OLED發(fā)光元件，其中驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管與OLED直接連接，將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成電流，并結(jié)合電容和其余薄膜晶體管構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn)像素的選通、驅(qū)動(dòng)和補(bǔ)償?shù)裙δ?。由OLED和驅(qū)動(dòng)電路組成的像素以陣列形式排列，每個(gè)像素都由開(kāi)關(guān)信號(hào)和光強(qiáng)信號(hào)共同控制，決定像素的開(kāi)關(guān)狀態(tài)和發(fā)光強(qiáng)度，進(jìn)而形成一幅完整的圖像。以單個(gè)像素為例，制備AMOLED的傳統(tǒng)的集成工藝是在基板上先制備驅(qū)動(dòng)電路，再在空白的區(qū)域制備OLED器件。若采用目前底發(fā)光結(jié)構(gòu)的0LED，雖然集成工藝較為成熟并易于實(shí)現(xiàn)，但是先制備的不透明的驅(qū)動(dòng)電路會(huì)限制發(fā)光區(qū)域的大小，從而影響像素的開(kāi)口率；若采用頂發(fā)光結(jié)構(gòu)的0LED，雖然可以使像素的開(kāi)口率不受驅(qū)動(dòng)電路限制，實(shí)現(xiàn)約100 %的開(kāi)口率，但是卻面臨著頂電極、反型層和封裝等諸多結(jié)構(gòu)和工藝難點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種AMOLED的集成結(jié)構(gòu)及集成方法，其結(jié)合底發(fā)光結(jié)構(gòu)OLED成熟的工藝，利用N型薄膜晶體管對(duì)底發(fā)光結(jié)構(gòu)OLED驅(qū)動(dòng)的技術(shù)，實(shí)現(xiàn)等效的頂發(fā)光結(jié)構(gòu)的AMOLED系統(tǒng)，從而達(dá)到簡(jiǎn)化工藝步驟、提高生產(chǎn)效率、提高器件的工藝兼容性和冗余度的目的。本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種AMOLED的集成結(jié)構(gòu)，其由分別制備在兩個(gè)獨(dú)立的基板上的底發(fā)光結(jié)構(gòu)的OLED面板和驅(qū)動(dòng)電路背板構(gòu)成；所述OLED面板包括基板和依次層疊在該基板上的陽(yáng)極層、功能層和陰極層；所述驅(qū)動(dòng)電路背板包括絕緣基板、驅(qū)動(dòng)電路、信號(hào)輸出端連接點(diǎn)、封裝層和擴(kuò)展電極，其中，絕緣基板位于最底層，驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)輸出端連接點(diǎn)相互連接且位于絕緣基板之上，封裝層位于驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)輸出端連接點(diǎn)之上，擴(kuò)展電極位于封裝層之上且伸出端穿過(guò)封裝層與信號(hào)輸出端連接點(diǎn)相連接；所述OLED面板的陰極層面向?qū)?zhǔn)驅(qū)動(dòng)電路背板的擴(kuò)展電極并相互疊層粘合。所述的驅(qū)動(dòng)電路由若干薄膜晶體管和若干電容構(gòu)成，該薄膜晶體管包括依次層疊在所述絕緣基板上的柵電極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層和源/漏電極，該電容包括依次層疊在同一絕緣基板上的第一電極、絕緣層和第二電極。本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題的另一技術(shù)方案為
一種用于所述AMOLED的集成結(jié)構(gòu)的集成方法，其包括以下具體步驟第一步，制備OLED面板①利用洗滌劑溶液、丙酮、去離子水和乙醇超聲清洗所述基板，再烘干；②在基板上依次制備所述陽(yáng)極層、功能層和陰極層；第二步，制備驅(qū)動(dòng)電路背板①利用洗滌劑溶液、丙酮、去離子水 和乙醇超聲清洗所述絕緣基板，再烘干；②在所述絕緣基板上依次制備所述薄膜晶體管的柵電極、絕緣層、半導(dǎo)體層、源/漏電極，同時(shí)制備所述信號(hào)輸出端連接點(diǎn)以及所述電容的第一電極、絕緣層和第二電極，并連接各薄膜晶體管和電容構(gòu)成所述驅(qū)動(dòng)電路，然后采用所述封裝層對(duì)該驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)輸出端連接點(diǎn)進(jìn)行封裝，隨后貫通該封裝層制成連接信號(hào)輸出端連接點(diǎn)的通道，并在封裝層之上和該通道中制備所述擴(kuò)展電極連接和引出信號(hào)輸出端連接點(diǎn)。第三步，集成AMOLED結(jié)構(gòu)將制成的OLED面板翻轉(zhuǎn)，使所述陰極層面向所述驅(qū)動(dòng)電路背板的擴(kuò)展電極，兩者對(duì)準(zhǔn)并疊層粘合，完成AMOLED的集成。區(qū)別于傳統(tǒng)的將OLED逐層制備在驅(qū)動(dòng)電路背板上的AMOLED制造技術(shù)，本發(fā)明將OLED面板與驅(qū)動(dòng)電路背板首先在各自的基板上獨(dú)立制備完成，然后通過(guò)已成熟的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，將OLED面板與驅(qū)動(dòng)電路背板疊層粘合在一起，形成完整的AMOLED系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)單個(gè)像素以N型薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)底發(fā)射結(jié)構(gòu)的OLED的技術(shù)。本發(fā)明所述的AMOLED集成結(jié)構(gòu)及其集成方法具有以下優(yōu)點(diǎn)能有效地利用成熟的底發(fā)光結(jié)構(gòu)的OLED實(shí)現(xiàn)頂發(fā)光功能，提高像素開(kāi)口率，增加像素電路設(shè)計(jì)時(shí)冗余度，能夠?qū)崿F(xiàn)更多器件、更高功能型的像素電路；OLED面板與驅(qū)動(dòng)電路背板的制備過(guò)程相互獨(dú)立，避免傳統(tǒng)工藝中后期OLED不良率導(dǎo)致的驅(qū)動(dòng)電路背板的損失；兩個(gè)制備過(guò)程可以同時(shí)進(jìn)行，從而提高了生產(chǎn)效率，降低了工藝成本，縮短了生產(chǎn)周期，具有很好的產(chǎn)業(yè)兼容性。


圖1A是本發(fā)明OLED面板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖1B是本發(fā)明OLED面板經(jīng)翻轉(zhuǎn)后的示意圖。圖2A是本發(fā)明驅(qū)動(dòng)電路背板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2B是本發(fā)明驅(qū)動(dòng)電路中薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2C是本發(fā)明驅(qū)動(dòng)電路中電容的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng)電路原理圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明涉及一種OLED面板與驅(qū)動(dòng)電路背板的集成技術(shù)，其將傳統(tǒng)底發(fā)光結(jié)構(gòu)的OLED和驅(qū)動(dòng)電路背板分別制備在兩個(gè)獨(dú)立的基板上，通過(guò)成熟的對(duì)準(zhǔn)工藝和疊層粘合技術(shù)，將OLED面板與驅(qū)動(dòng)電路背板連接在一起，形成一個(gè)實(shí)現(xiàn)頂發(fā)光功能的完整等效的AMOLED 系統(tǒng)。
下面結(jié)合附圖進(jìn)一步描述本發(fā)明的實(shí)施方案。請(qǐng)參閱圖3，圖示AMOLED (有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管)的集成結(jié)構(gòu)由底發(fā)光結(jié)構(gòu)的OLED面板和驅(qū)動(dòng)電路背板構(gòu)成，該OLED面板和驅(qū)動(dòng)電路背板分別制備在兩個(gè)獨(dú)立的基板上。請(qǐng)參閱圖1A，所述OLED面板為經(jīng)典的底發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括基板10和依次層疊在該基板上的陽(yáng)極層11、功能層12和陰極層13 ;其中，陽(yáng)極層11位于基板10之上，功能層12位于陰極層13之上，陰極層13位于功能層12之上。所述基板10為玻璃或塑料薄膜等透光性較好的絕緣材料，所述陽(yáng)極層11通常為采用無(wú)機(jī)金屬氧化物(如氧化銦錫IT0、氧化銦鋅IZO等)、有機(jī)導(dǎo)電聚合物(如PED0T:PSS、PANI等)或高功函數(shù)金屬材料(如金、銅、銀、鉬等)制成的透明導(dǎo)電薄膜。所述功能層12包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和 緩沖層等，該功能層電致發(fā)光可以是紅光、綠光、藍(lán)光或白光等，取決發(fā)光層所用的材料，該發(fā)光層可以是單層發(fā)光層，也可以是組合發(fā)光層。請(qǐng)參閱圖2A，所述驅(qū)動(dòng)電路背板包括絕緣基板20、驅(qū)動(dòng)電路21、信號(hào)輸出端連接點(diǎn)22、封裝層23和擴(kuò)展電極24，其中，絕緣基板20位于最底層，驅(qū)動(dòng)電路21和信號(hào)輸出端連接點(diǎn)22相互連接且位于絕緣基板20之上，信號(hào)輸出端連接點(diǎn)22為驅(qū)動(dòng)電路21的引出點(diǎn)，封裝層23位于驅(qū)動(dòng)電路21和信號(hào)輸出端連接點(diǎn)22之上，擴(kuò)展電極24位于封裝層23之上，并且其下部具有伸出端穿過(guò)封裝層23與信號(hào)輸出端連接點(diǎn)22相連接，從而驅(qū)動(dòng)電路21的信號(hào)輸出電極被引出，以便與所述OLED面板集成。所述的驅(qū)動(dòng)電路21由若干薄膜晶體管和若干電容以一定的方式連接構(gòu)成，其器件數(shù)目和連接方式取決于驅(qū)動(dòng)電路21所實(shí)現(xiàn)的功能；該若干薄膜晶體管的器件結(jié)構(gòu)一致，不僅限于底柵頂接觸式的薄膜晶體管，還包括底柵底接觸、頂柵底接觸和頂柵頂接觸的結(jié)構(gòu)。如圖2B所示，所述薄膜晶體管包括依次層疊在所述絕緣基板20上的柵電極31、柵極絕緣層32、半導(dǎo)體層33和源/漏電極34 ;其中，絕緣基板20位于最底層，為驅(qū)動(dòng)電路21的基板，柵電極31位于絕緣基板20之上，柵極絕緣層32位于柵電極31之上，半導(dǎo)體層33位于柵絕緣層32之上，源/漏電極34位于半導(dǎo)體層33之上。所述絕緣基板20為玻璃或塑料薄膜等；所述柵電極31和源/漏電極34為金、銀、銅或鋁等，或者為銦錫氧化物(ITO)或重?fù)诫s的硅，或者為聚3，4-乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽有機(jī)導(dǎo)電材料(PED0T:PSS)；所述柵極絕緣層32為由二氧化硅、氮化硅、金屬氧化物或者有機(jī)聚合物等材料構(gòu)成的絕緣薄膜；所述半導(dǎo)體層33為N型氧化鋅、氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅或氧化銦鎵等金屬氧化物半導(dǎo)體，或者為有機(jī)半導(dǎo)體材料。如圖2C所示，所述若干電容結(jié)構(gòu)一致，與薄膜晶體管采用同一絕緣基板20，其包括依次層疊在絕緣基板20上的第一電極41、絕緣層42和第二電極43 ;其中，絕緣基板20位于電容的最底層，第一電極41位于基板20之上,絕緣層42位于第一電極41之上,第二電極43位于絕緣層42之上。所述第一電極41和第二電極43為金、銀、銅或鋁等，或者為銦錫氧化物(ITO)或重?fù)诫s的硅，或者為聚3，4-乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽有機(jī)導(dǎo)電材料(PED0T:PSS);所述絕緣層42與薄膜晶體管的柵極絕緣層32使用同樣的材料，為由二氧化硅、氮化硅、金屬氧化物或者有機(jī)聚合物等材料構(gòu)成的絕緣薄膜。
所述OLED面板如圖1B所示翻轉(zhuǎn)后，其陰極層13面向?qū)?zhǔn)驅(qū)動(dòng)電路背板的擴(kuò)展電極24并相互疊層粘合，從而構(gòu)成AMOLED (有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管)的集成結(jié)構(gòu)。用于上述AMOLED結(jié)構(gòu)的集成方法包括以下具體步驟第一步，制備OLED面板①利用洗滌劑溶液、丙酮、去離子水和乙醇超聲清洗所述基板10，再烘干；②在基板10上依次制備所述陽(yáng)極層11、功能層12和陰極層13。所述陽(yáng)極層11、功能層12和陰極層13是通過(guò)真空蒸鍍、離子團(tuán)束沉積、離子鍍、直流濺射鍍膜、RF濺射鍍膜、離子束濺射鍍膜、離子束輔助沉積、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、高密度電感耦合式等離子體源化學(xué)氣相沉積、觸媒式化學(xué)氣相沉積、磁控濺射、電鍍、旋涂、浸 涂、噴墨打印、輥涂、LB膜、刻蝕等工藝中的一種或者幾種方式形成的。第二步，制備驅(qū)動(dòng)電路背板①利用洗滌劑溶液、丙酮、去離子水和乙醇超聲清洗所述絕緣基板20，再烘干；②在所述絕緣基板20上依次制備所述薄膜晶體管的柵電極31、絕緣層32、半導(dǎo)體層33和源/漏電極34，同時(shí)制備所述信號(hào)輸出端連接點(diǎn)22以及所述電容的第一電極41、絕緣層42和第二電極43，并按照所述驅(qū)動(dòng)電路21的方案連接各薄膜晶體管和電容構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路21 ;然后采用絕緣材料構(gòu)成的封裝層23對(duì)該驅(qū)動(dòng)電路21和信號(hào)輸出端連接點(diǎn)22進(jìn)行封裝，隨后貫通該封裝層23制成連接信號(hào)輸出端連接點(diǎn)22的通道，并在封裝層23之上和該通道中制備所述擴(kuò)展電極24連接和引出信號(hào)輸出端連接點(diǎn)22。制備所述薄膜晶體管、電容、信號(hào)輸出端連接點(diǎn)22、封裝層23和擴(kuò)展電極24是通過(guò)真空蒸鍍、離子團(tuán)束沉積、離子鍍、直流濺射鍍膜、RF濺射鍍膜、離子束濺射鍍膜、離子束輔助沉積、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、高密度電感耦合式等離子體源化學(xué)氣相沉積、觸媒式化學(xué)氣相沉積、磁控濺射、電鍍、旋涂、浸涂、噴墨打印、輥涂、LB膜、刻蝕等工藝中的一種或者幾種方式進(jìn)行的。第三步，集成AMOLED結(jié)構(gòu)將已制備完成的底發(fā)射結(jié)構(gòu)的OLED面板翻轉(zhuǎn)，使所述陰極層13面向所述驅(qū)動(dòng)電路背板的擴(kuò)展電極24，分別制備有OLED和驅(qū)動(dòng)電路的兩個(gè)基板對(duì)準(zhǔn)并疊層粘合，完成AMOLED的集成。驅(qū)動(dòng)電路背板對(duì)OLED起到封裝的作用，翻轉(zhuǎn)后的OLED可實(shí)現(xiàn)等效的頂發(fā)光功能。以下為采用所述方法集成AMOLED的具體實(shí)施例，但是本發(fā)明并不局限于這些實(shí)施例。實(shí)施例1OLED器件的實(shí)現(xiàn)以玻璃為基板10，對(duì)基板10進(jìn)行清洗處理后，通過(guò)磁控濺射的工藝在基底10表面形成氧化銦錫透明導(dǎo)電薄膜作為陽(yáng)電極11 ;功能層12所包括的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層采用真空蒸鍍工藝制備，最后通過(guò)真空蒸鍍工藝在功能層12表面形成鋁薄膜作為陰極層13。驅(qū)動(dòng)電路21采用玻璃作為絕緣基板20，所述信號(hào)輸出端連接點(diǎn)22為蒸渡的鋁電極，封裝層23采用原子沉積法制備的氮化硅，然后在信號(hào)輸出端連接點(diǎn)22對(duì)應(yīng)的位置用刻蝕的方式打通孔，然后蒸鍍鋁作為擴(kuò)展電極24。驅(qū)動(dòng)電路21由兩個(gè)薄膜晶體管(Msw，Ms)和一個(gè)電容(Cs)構(gòu)成，薄膜晶體管和電容按圖4所示的電路原理圖連接，其中節(jié)點(diǎn)a對(duì)應(yīng)為信號(hào)輸出端連接點(diǎn)22。所述薄膜晶體管的制備，首先通過(guò)蒸鍍工藝在絕緣基板20上制備鋁薄膜作為柵電極31 ;通過(guò)原子層沉積法制備氮化硅作為柵極絕緣層32 ;以射頻濺射法將銦鎵鋅氧薄膜沉積在柵極絕緣層32表面制備半導(dǎo)體層33 ;采用蒸鍍的鋁在半導(dǎo)體層33上制備源/漏電34。同時(shí)在絕緣基板20上制備電容，第一電極41為蒸鍍的鋁電極，絕緣層42采用與薄膜晶體管的柵絕緣層32相同的材料，為原子層沉積法制備的氮化硅，第二電極43為蒸鍍的鋁電極。過(guò)程中器件絕緣層或半導(dǎo)體的圖形化，以及連接處于不同層的器件的電極時(shí)會(huì)用到刻蝕和過(guò)孔等工藝。最后將OLED面板翻轉(zhuǎn)，將其陰極層13面向驅(qū)動(dòng)電路背板的擴(kuò)展電極24，與驅(qū)動(dòng)電路背板對(duì)準(zhǔn)，將陰極層13與擴(kuò)展電極24疊層粘合后，形成一個(gè)完整的AMOLED系統(tǒng)，結(jié)構(gòu)如圖3所示，同時(shí)驅(qū)動(dòng)電路背板成為OLED器件的封裝板?！?br> 權(quán)利要求
1.一種AMOLED的集成結(jié)構(gòu)，其特征在于所述由分別制備在兩個(gè)獨(dú)立的基板上的底發(fā)光結(jié)構(gòu)的OLED面板和驅(qū)動(dòng)電路背板構(gòu)成；所述OLED面板包括基板和依次層疊在該基板上的陽(yáng)極層、功能層和陰極層；所述驅(qū)動(dòng)電路背板包括絕緣基板、驅(qū)動(dòng)電路、信號(hào)輸出端連接點(diǎn)、封裝層和擴(kuò)展電極，其中，絕緣基板位于最底層，驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)輸出端連接點(diǎn)相互連接且位于絕緣基板之上，封裝層位于驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)輸出端連接點(diǎn)之上，擴(kuò)展電極位于封裝層之上且伸出端穿過(guò)封裝層與信號(hào)輸出端連接點(diǎn)相連接；所述OLED面板的陰極層面向?qū)?zhǔn)驅(qū)動(dòng)電路背板的擴(kuò)展電極并相互疊層粘合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED的集成結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的驅(qū)動(dòng)電路由若干薄膜晶體管和若干電容構(gòu)成，該薄膜晶體管包括依次層疊在所述絕緣基板上的柵電極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層和源/漏電極，該電容包括依次層疊在同一絕緣基板上的第一電極、絕緣層和第二電極。
3.一種用于權(quán)利要求1所述AMOLED的集成結(jié)構(gòu)的集成方法，其特征在于所述集成方法包括以下具體步驟第一步，制備OLED面板①利用洗滌劑溶液、丙酮、去離子水和乙醇超聲清洗所述基板，再烘干；②在基板上依次制備所述陽(yáng)極層、功能層和陰極層；第二步，制備驅(qū)動(dòng)電路背板①利用洗滌劑溶液、丙酮、去離子水和乙醇超聲清洗所述絕緣基板，再烘干；②在所述絕緣基板上依次制備所述薄膜晶體管的柵電極、絕緣層、半導(dǎo)體層、源/漏電極，同時(shí)制備所述信號(hào)輸出端連接點(diǎn)以及所述電容的第一電極、絕緣層和第二電極，并連接各薄膜晶體管和電容構(gòu)成所述驅(qū)動(dòng)電路，然后采用所述封裝層對(duì)該驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)輸出端連接點(diǎn)進(jìn)行封裝，隨后貫通該封裝層制成連接信號(hào)輸出端連接點(diǎn)的通道，并在封裝層之上和該通道中制備所述擴(kuò)展電極連接和引出信號(hào)輸出端連接點(diǎn)。第三步，集成AMOLED結(jié)構(gòu)將制成的OLED面板翻轉(zhuǎn)，使所述陰極層面向所述驅(qū)動(dòng)電路背板的擴(kuò)展電極，兩者對(duì)準(zhǔn)并疊層粘合，完成AMOLED的集成。
全文摘要
一種AMOLED的集成結(jié)構(gòu)，其由分別制備在兩個(gè)獨(dú)立的基板上的底發(fā)光結(jié)構(gòu)的OLED面板和驅(qū)動(dòng)電路背板構(gòu)成；所述OLED面板包括基板和依次層疊在該基板上的陽(yáng)極層、功能層和陰極層；所述驅(qū)動(dòng)電路背板包括絕緣基板、驅(qū)動(dòng)電路、信號(hào)輸出端連接點(diǎn)、封裝層和擴(kuò)展電極，其中，絕緣基板位于最底層，驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)輸出端連接點(diǎn)相互連接且位于絕緣基板之上，封裝層位于驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)輸出端連接點(diǎn)之上，擴(kuò)展電極位于封裝層之上且伸出端穿過(guò)封裝層與信號(hào)輸出端連接點(diǎn)相連接；所述OLED面板的陰極層面向?qū)?zhǔn)驅(qū)動(dòng)電路背板的擴(kuò)展電極并相互疊層粘合。本發(fā)明具有良好的工藝兼容性和冗余度，簡(jiǎn)化了工藝、提高了生產(chǎn)效率，能夠促進(jìn)AMOLED的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
文檔編號(hào)H01L21/77GK103000663SQ20121058590
公開(kāi)日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月28日
發(fā)明者徐小麗, 陳蘇杰, 李思瑩, 崔晴宇, 郭小軍 申請(qǐng)人:上海交通大學(xué)