堆疊柵型sonos閃存存儲(chǔ)器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種堆疊柵型SONOS閃存存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)，該存儲(chǔ)器由一個(gè)選擇管和一個(gè)存儲(chǔ)管構(gòu)成，所述存儲(chǔ)管從下至上由ONO層和第一多晶硅柵構(gòu)成；所述選擇管從下至上由中壓氧化層和第二多晶硅柵構(gòu)成，該選擇管的柵氧為中壓氧化層，該選擇管上方有氮化硅；所述第一多晶硅柵和所述第二多晶硅柵的側(cè)壁上有氮化硅側(cè)墻；所述存儲(chǔ)管和所述選擇管之間有一定的重疊，重疊量為X，0<X≤第一多晶硅柵的寬度。此外，本發(fā)明還公開了該堆疊柵型SONOS閃存存儲(chǔ)器的制造方法。本發(fā)明能夠有效的縮小存儲(chǔ)單元的面積。
【專利說明】堆疊柵型SONOS閃存存儲(chǔ)器及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路中半導(dǎo)體工藝方法，具體涉及一種嵌入式半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的制造方法，尤其涉及一種堆疊柵型SONOS閃存存儲(chǔ)器的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]圖1為現(xiàn)有的存儲(chǔ)管結(jié)構(gòu)不意圖，如圖1所不，ONO層和多晶娃棚組成了存儲(chǔ)管，中壓氧化層和多晶硅柵組成了選擇管。這種結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)不夠緊湊，面積較大。
[0003]如圖2A-圖2Q所示，現(xiàn)有的如圖1所示的存儲(chǔ)管結(jié)構(gòu)的工藝實(shí)現(xiàn)流程一般采用如下步驟:
[0004]1.形成隔離區(qū)和有源區(qū)；
[0005]2.中低壓阱以及閾值電壓調(diào)整等離子注入，在硅襯底I上全面沉積氧化層2，如圖2A所示；
[0006]3.存儲(chǔ)管區(qū)域的離子注入和氧化層2去除，如圖2B所示；
[0007]4.存儲(chǔ)管區(qū)域 ONO (oxide-nitride-oxide)層 3 淀積，如圖 2C 所示;
[0008]5.非存儲(chǔ)管區(qū)域ONO (oxide-nitride-oxide)層光刻以及刻蝕,如圖2D所示；
[0009]6.在非存儲(chǔ)管區(qū)域生長(zhǎng)中壓氧化層4(100-20()A),如圖2E所示；
[0010]7.去除低壓區(qū)域的氧化層(同時(shí)可對(duì)低壓氧化層區(qū)域進(jìn)行離子注入)，如圖2F所示；
[0011]8.在低壓區(qū)域生長(zhǎng)低壓氧化層5，如圖2G所示；
[0012]9.多晶硅柵6的淀積和摻雜，如圖2H所示；
[0013]10.氮化硅層7淀積，如圖21所示；
[0014]11.多晶娃柵6的光刻和刻蝕,如圖2 J所不；
[0015]12.多晶硅柵6的再氧化，形成多晶硅柵6的側(cè)壁氧化層8，如圖2K所示；
[0016]13.各種器件的輕摻雜漏的注入，形成輕摻雜漏區(qū)9，如圖2L所示；
[0017]14.氮化硅側(cè)墻10的淀積和刻蝕，如圖2M所示；
[0018]15.多晶硅柵上接觸孔區(qū)域的氮化硅去除，如圖2N所示；
[0019]16.阻擋氧化層11生長(zhǎng)，如圖20所示；
[0020]17.源漏注入形成源漏注入?yún)^(qū)12，如圖2P所示；
[0021]18.阻擋氧化層去除，如圖2Q所示。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0022]本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種堆疊柵型SONOS閃存存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)能夠有效的縮小存儲(chǔ)單元的面積。為此，本發(fā)明還提供該堆疊柵型SONOS閃存存儲(chǔ)器的制造方法。
[0023]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種堆疊柵型SONOS閃存存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)，該存儲(chǔ)器由一個(gè)選擇管和一個(gè)存儲(chǔ)管構(gòu)成，所述存儲(chǔ)管從下至上由ONO層和第一多晶硅柵構(gòu)成；所述選擇管從下至上由中壓氧化層和第二多晶硅柵構(gòu)成，該選擇管的柵氧為中壓氧化層，該選擇管上方有氮化硅；所述第一多晶硅柵和所述第二多晶硅柵的側(cè)壁上有氮化硅側(cè)墻；所述存儲(chǔ)管和所述選擇管之間有一定的重疊，重疊量為x，o〈x <第一多晶娃柵的寬度。
[0024]進(jìn)一步地，所述ONO層結(jié)構(gòu)從下到上依次為:厚度為10-2V、的氧化層，厚度為50-200A的氮化物層,30-100A的氧化層。
[0025]進(jìn)一步地，所述中壓氧化層的厚度為80-250Λ:所述選擇管上方的氮化硅的厚度為500-3000A,,
[0026]進(jìn)一步地，所述氮化硅側(cè)墻的厚度為200-800Λ。
[0027]進(jìn)一步地,所述第一多晶硅柵的厚度為300-2000Λ、寬度為0.065-0.5微米；所述第二多晶硅柵的厚度為1000-3000 A，第二多晶硅柵的寬度(這個(gè)寬度是指選擇管和存儲(chǔ)管非重疊的部分)為0.065-0.5微米。
[0028]此外，本發(fā)明還提供該堆疊柵型SONOS閃存存儲(chǔ)器的制造方法，該制造方法包括如下工藝步驟:
[0029]I)形成隔離區(qū)和有源區(qū)；
[0030]2)中低壓阱以及閾值電壓調(diào)整等離子注入；
[0031]3)存儲(chǔ)管區(qū)域的離子注入和氧化層去除；
[0032]4)全片進(jìn)行 ONO層淀積；
[0033]5)全片進(jìn)行第一層多晶硅淀積；
[0034]6)采用光刻和刻蝕工藝刻蝕第一層多晶硅和ONO層，在存儲(chǔ)管區(qū)域形成第一多晶娃柵；
[0035]7)在全硅片上全面生長(zhǎng)中壓氧化層；
[0036]8)第二層多晶硅的淀積和摻雜；
[0037]9)第二層多晶硅化學(xué)研磨拋光；
[0038]10)在全硅片上全面淀積氮化硅層；
[0039]11)第二多晶硅柵的光刻和刻蝕；
[0040]12)第二多晶硅柵的再氧化；
[0041]13)各種器件的輕摻雜漏的注入；
[0042]14)氮化硅側(cè)墻的淀積和刻蝕；
[0043]15)在全硅片上全面生長(zhǎng)阻擋氧化層；
[0044]16)源漏注入；
[0045]17)阻擋氧化層的去除。
[0046]進(jìn)一步地,第4)步中，所述ONO層從下到上依次為:厚度為〗0-25A的氧化層，厚度為50-200A的氮化物層，30-1OOA的氧化層。
[0047]進(jìn)一步地,第5)步中，第一層多晶娃的厚度為300-2000A。
[0048]進(jìn)一步地，第6)步中，先用干法刻蝕去除第一層多晶硅和ONO層最上面的氧化層和氮化層，然后用濕法刻蝕去除ONO層最下面的氧化層；所述第一多晶硅柵的厚度為300-2000Λ、寬度為 0.065-0.5 微米。
[0049]進(jìn)一步地,第7)步中，所述中壓氧化層的厚度為80-250 A。
[0050]進(jìn)一步地,第8)步中，所述第二層多晶娃的厚度Χ/400Μ 5000 A0[0051]進(jìn)一步地，第9)步中，所述第二層多晶硅化學(xué)研磨拋光后剩余的第二層多晶硅的厚度為1000-3000 A0
[0052]進(jìn)一步地,第10)步中，所述氮化娃層的厚度為500-3000 A,
[0053]進(jìn)一步地，第11)步中，所述第二多晶硅柵的厚度為1000-3000 Α?寬度為0.065-0.5微米。
[0054]進(jìn)一步地，第12)步中，所述第二多晶硅柵的再氧化在第二層多晶硅柵的側(cè)壁上形成的氧化層的厚度為丨0-300Λ。
[0055]進(jìn)一步地,第14)步中，所述氮化娃側(cè)墻的厚度200-800 Ac
[0056]進(jìn)一步地，第15)步中，所述阻擋氧化層的厚度為50-500A?
[0057]進(jìn)一步地，在第7)步和第8)步之間可以增加如下步驟:A.去除低壓區(qū)域的氧化層，同時(shí)對(duì)低壓氧化層區(qū)域進(jìn)行離子注入；B.在全硅片上生長(zhǎng)低壓氧化層，所述低壓氧化層的厚度為10-60 A;在第14)步之后增加如下步驟A:多晶硅柵上接觸孔區(qū)域的氮化硅去除(即該步驟A可以在第14)步之后的任一步驟完成，例如，在第14)和15)步之間，在第15)和16)步之間，在第16)和17)步之間，或者在第17)步之后)。
[0058]和現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:通過堆疊柵工藝，能夠有效的縮小存儲(chǔ)單元的面積，按照目前0.13 μ m的設(shè)計(jì)規(guī)則，采用原有結(jié)構(gòu)，2管存儲(chǔ)單元的面積為0.35左右，采用新的結(jié)構(gòu)后，存儲(chǔ)單元面積將縮小到0.26左右，約有25%左右的縮小。
【專利附圖】

【附圖說明】
·[0059]圖1為現(xiàn)有的存儲(chǔ)管結(jié)構(gòu)示意圖。
[0060]圖2A-圖2Q是現(xiàn)有的存儲(chǔ)管結(jié)構(gòu)的制造方法的剖面示意圖；其中，圖2A是現(xiàn)有方法的步驟2完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2B是現(xiàn)有方法的步驟3完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2C是現(xiàn)有方法的步驟4完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2D是現(xiàn)有方法的步驟5完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2E是現(xiàn)有方法的步驟6完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2F是現(xiàn)有方法的步驟7完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2G是現(xiàn)有方法的步驟8完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2!1是本發(fā)明方法的步驟9完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖21是現(xiàn)有方法的步驟10完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2】是現(xiàn)有方法的步驟11完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2K是現(xiàn)有方法的步驟12完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖21^是現(xiàn)有方法的步驟13完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖211是現(xiàn)有方法的步驟14完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2N是現(xiàn)有方法的步驟15完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖20是現(xiàn)有方法的步驟16完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2P是現(xiàn)有方法的步驟17完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2Q是現(xiàn)有方法的步驟18完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0061]圖3是本發(fā)明堆疊柵型SONOS閃存存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0062]圖4A-圖4S是本發(fā)明SONOS閃存存儲(chǔ)器的制造方法的剖面示意圖；其中，圖4A是現(xiàn)有方法的步驟2完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4B是本發(fā)明方法的步驟3完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4(:是本發(fā)明方法的步驟4完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖40是本發(fā)明方法的步驟5完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4E是本發(fā)明方法的步驟6完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4?是本發(fā)明方法的步驟7完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖46是本發(fā)明方法的步驟8完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4!1是本發(fā)明方法的步驟9完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖41是本發(fā)明方法的步驟10完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4J是本發(fā)明方法的步驟11完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4K是本發(fā)明方法的步驟12完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4L是本發(fā)明方法的步驟13完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4M是本發(fā)明方法的步驟14完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4N是本發(fā)明方法的步驟15完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖40是本發(fā)明方法的步驟16完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4?是本發(fā)明方法的步驟17完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖40是本發(fā)明方法的步驟18完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4R是本發(fā)明方法的步驟19完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4S是本發(fā)明方法的步驟20完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0063]圖中附圖標(biāo)記說明如下:
[0064]1:硅襯底
[0065]2:氧化層
[0066]3: ONO 層
[0067]4:中壓氧化層 [0068]5:低壓氧化層
[0069]6:多晶硅柵
[0070]6A:第一層多晶硅
[0071]6B:第一多晶娃柵
[0072]7:氮化硅層
[0073]8:側(cè)壁氧化層
[0074]9:輕摻雜漏區(qū)
[0075]10:氮化硅側(cè)墻
[0076]11:阻擋氧化層
[0077]12:源漏注入?yún)^(qū)
[0078]13A:第二層多晶硅
[0079]13B:第二多晶硅柵
【具體實(shí)施方式】
[0080]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0081]如圖3所示，本發(fā)明堆疊柵的SONOS閃存存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)包括一個(gè)選擇管和一個(gè)存儲(chǔ)管:存儲(chǔ)管從下至上由ONO層和第一多晶娃柵構(gòu)成；采用ONO (oxide-nitride-oxide)層結(jié)構(gòu)(從下到上:氧化層:10-25 A，氮化物層:50-200 A，氧化層:30-100 Α)，0Ν0層上面是300-2000A的第一多晶硅柵；
[0082]第二多晶硅柵構(gòu)成選擇管，選擇管的柵氧為中壓氧化層(80_250A左右)；選擇管上方有氮化硅(即硅柵上的氮化娃，其厚度為500-3000Λ);
[0083]存儲(chǔ)管和選擇管之間有一定的重疊，重疊量范圍X (0〈X <第一多晶硅柵的寬度)；
[0084]所述第一多晶硅柵和所述第二多晶硅柵的側(cè)壁上有氮化硅側(cè)墻，氮化硅側(cè)墻的厚度約為200-800Λ;
[0085]第一多晶娃柵的厚度為300-2000A,第一多晶娃柵的寬度為0.065-0.5微米;第二
多晶娃柵的厚度為1000-3000 A，第二多晶娃柵的寬度(這個(gè)寬度是指選擇管和存儲(chǔ)管非重疊的部分)為0.065-0.5微米。
[0086]如圖4A-圖4S所示，本發(fā)明方法對(duì)應(yīng)的工藝實(shí)現(xiàn)流程如下:
[0087]1.娃襯底I形成隔尚區(qū)和有源區(qū)；
[0088]2.硅襯底I上形成中低壓阱以及閾值電壓調(diào)整等離子注入，在上述硅襯底I上全面沉積氧化層2，如圖4A所示；對(duì)于操作電壓15V以內(nèi)的器件，氧化層2的厚度為50-250埃，其生長(zhǎng)方式通常為熱生長(zhǎng)或PVD，CVD沉積；
[0089]3.存儲(chǔ)管區(qū)域的離子注入和氧化層2去除，如圖4Β所示；通常采用本領(lǐng)域常規(guī)的光刻刻蝕去除存儲(chǔ)管區(qū)域區(qū)域的氧化層，在其他區(qū)域(即普通晶體管區(qū)域)形成氧化層的保護(hù)層(抗反射阻擋層和光刻膠)，刻蝕一般采用含HF藥液的濕法刻蝕；
[0090]4.全片進(jìn)行ONO (oxide-nitride-oxide)層3淀積,通常采用熱生長(zhǎng)或PVD, CVD沉積，ONO層從下到上依次為:氧化層oxide:10-25 A，氮化物層nitride: 50-200 A,氧化層oxide: 30-100Λ )，如圖 4C 所示；
[0091]5.在全娃片上全面生長(zhǎng)第一層多晶娃6A,第一層多晶娃6A的厚度約為,00 2000Λ，通常采用CVD工藝生長(zhǎng)第一層多晶硅6A，如圖4D所示；[0092]6.第一多晶娃柵6B光刻和刻蝕,基本方法是先用干法刻蝕去除第一層多晶娃6A和0N0層3的最上面的氧化層和氮化層，然后用濕法刻蝕去除0N0層3最下面的氧化層，在存儲(chǔ)管區(qū)域形成第一多晶硅柵6B，如圖4E所示；所述第一多晶硅柵6B的厚度為300-2000Λ、寬度為0.065-0.5微米。
[0093]7.在全硅片上全面生長(zhǎng)中壓氧化層4(中壓氧化層4的厚度約為80-250八，例如11(^)，通常采用熱生長(zhǎng)工藝或CVD工藝，如圖4F所示；
[0094]8.去除低壓區(qū)域的氧化層4 (同時(shí)可對(duì)低壓氧化層區(qū)域進(jìn)行離子注入)，通常采用含HF藥液的濕法刻蝕來去除低壓區(qū)域的氧化層，如圖4G所示；
[0095]9.生長(zhǎng)低壓氧化層5，通常采用熱生長(zhǎng)工藝或其他淀積工藝，低壓氧化層5的厚度約為10-60A，例如32A,如圖4H所示；低壓氧化層5是全片生長(zhǎng)，由于存儲(chǔ)管區(qū)域有0N0層3,所以長(zhǎng)不了氧化層；但中壓氧化層4的厚度會(huì)略有增加；
[0096]10.在全硅片上全面淀積和摻雜第二層多晶硅13A，通常采用CVD工藝生長(zhǎng)第二層多晶硅13A，第二層多晶硅13A的厚度約為4000-15000 A，如圖41所示；
[0097]11.第二層多晶硅13A化學(xué)研磨拋光，第二層多晶硅13A研磨到厚度約為1000-3000 Λ’例如1800 Λ，如圖 4J 所示;
[0098]12.在全硅片上全面淀積氮化硅層7，通常采用CVD工藝淀積，氮化硅層7的厚度約為500-30001,例如1500 A，如圖4K所示；
[0099]13.第二層多晶硅柵13B的光刻和刻蝕，所述第二多晶硅柵13B的厚度為1000-3000 A,寬度(這個(gè)寬度是指選擇管和存儲(chǔ)管非重疊的部分)為0.065-0.5微米,第二多晶娃柵13B和第一多晶娃柵6B之間有一定的重疊,重疊量范圍X (0〈X <第一多晶娃柵的寬度)，如圖4L所不；
[0100]14.第二層多晶硅柵的再氧化，在第二層多晶硅柵的側(cè)壁上形成的側(cè)壁氧化層8的厚度約為10-300Λ,通常采用熱生長(zhǎng)或CVD工藝或快速熱氧化工藝(RT0)，如圖4M所示；
[0101]15.采用本領(lǐng)域常規(guī)工藝進(jìn)行各種器件的輕摻雜漏的注入，形成輕摻雜漏區(qū)9，如圖4N所示；[0102]16.采用本領(lǐng)域常規(guī)方法進(jìn)行氮化硅側(cè)墻的淀積和刻蝕，形成氮化硅側(cè)墻10的厚度約為200-800 A，例如550A，如圖40所示；
[0103]17.多晶硅柵上接觸孔區(qū)域的氮化硅去除，即去除低壓區(qū)域多晶硅柵上接觸孔區(qū)域的氮化娃，如圖4P所示；
[0104]18.在全硅片上全面生長(zhǎng)阻擋氧化層11 (約為50-500Λ)，如圖4Q所示；
[0105]19.源漏注入，形成源漏注入?yún)^(qū)12，如圖4R所示；
[0106]20.阻擋氧化層11的去除，如圖4S所示。
[0107]如果沒有低壓器件，上述步驟8，9，17可以刪除。
【權(quán)利要求】
1.一種堆疊柵型SONOS閃存存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)，該存儲(chǔ)器由一個(gè)選擇管和一個(gè)存儲(chǔ)管構(gòu)成，其特征在于， 所述存儲(chǔ)管從下至上由ONO層和第一多晶硅柵構(gòu)成； 所述選擇管從下至上由中壓氧化層和第二多晶硅柵構(gòu)成，該選擇管的柵氧為中壓氧化層，該選擇管上方有氮化娃; 所述第一多晶硅柵和所述第二多晶硅柵的側(cè)壁上有氮化硅側(cè)墻； 所述存儲(chǔ)管和所述選擇管之間有一定的重疊，重疊量為χ，0〈χ <第一多晶硅柵的寬度。
2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述ONO層結(jié)構(gòu)從下到上依次為:厚度為10-25A的氧化層，厚度為50-200A的氮化物層，30-1 (M)A的氧化層。
3.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述中壓氧化層的厚度為80-250A;所述選擇管上方的氮化硅的厚度為500-3000A。
4.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氮化硅側(cè)墻的厚度為200-800A。
5.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一多晶硅柵的厚度為300-2000A、寬度為0.065-0.5微米；所述第二多晶硅柵的厚度為1000-3000 A，寬度為0.065-0.5微米。
6.如權(quán)利要求1所述的堆疊柵型SONOS閃存存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，該制造方法包括如下工藝步驟: 1)形成隔離區(qū)和有源區(qū)；· 2)中低壓阱以及閾值電壓調(diào)整等離子注入； 3)存儲(chǔ)管區(qū)域的離子注入和氧化層去除； 4)全片進(jìn)行ONO層淀積； 5)全片進(jìn)行第一層多晶硅淀積； 6)采用光刻和刻蝕工藝刻蝕第一層多晶硅和ONO層，在存儲(chǔ)管區(qū)域形成第一多晶硅柵； 7)在全硅片上全面生長(zhǎng)中壓氧化層； 8)第二層多晶硅的淀積和摻雜； 9)第二層多晶娃化學(xué)研磨拋光； 10)在全硅片上全面淀積氮化硅層； 11)第二多晶娃柵的光刻和刻蝕； 12)第二多晶硅柵的再氧化； 13)各種器件的輕摻雜漏的注入； 14)氮化硅側(cè)墻的淀積和刻蝕； 15)在全硅片上全面生長(zhǎng)阻擋氧化層； 16)源漏注入； 17)阻擋氧化層的去除。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，第4)步中，所述ONO層從下到上依次為:厚度為10-2SA的氧化層，厚度為50-200A的氮化物層，30-1OOA的氧化層。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，第5)步中，第一層多晶硅的厚度為300-2000A。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，第6)步中，先用干法刻蝕去除第一層多晶硅和ONO層最上面的氧化層和氮化層，然后用濕法刻蝕去除ONO層最下面的氧化層；所述第一多晶硅柵的厚度為300-2000A、寬度為0.065-0.5微米。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，第7)步中，所述中壓氧化層的厚度為80-2 MA。
11.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，第8)步中，所述第二層多晶硅的厚度為40U0-15000 An
12.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，第9)步中，所述第二層多晶硅化學(xué)研磨拋光后剩余的第二層多晶硅的厚度為1000-3000 A?
13.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，第10)步中，所述氮化硅層的厚度為500-3000A。
14.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，第11)步中，所述第二多晶硅柵的厚度為1000-3000 A，寬度為 0.065-0.5 微米。
15.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，第12)步中，所述第二多晶硅柵的再氧化在第二層多晶硅柵的側(cè)壁上形成的氧化層的厚度為10-300A。
16.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，第14)步中，所述氮化硅側(cè)墻的厚度200-800A。
17.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，第15)步中，所述阻擋氧化層的厚度為50-500Ao·
18.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在第7)步和第8)步之間增加如下步驟: A.去除低壓區(qū)域的氧化層，同時(shí)對(duì)低壓氧化層區(qū)域進(jìn)行離子注入；B.在全硅片上生長(zhǎng)低壓氧化層，所述低壓氧化層的厚度為10-60 A;在第14)步之后增加如下步驟:多晶硅柵上接觸孔區(qū)域的氮化硅去除。
【文檔編號(hào)】H01L21/8247GK103855162SQ201210516638
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2012年12月5日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月5日
【發(fā)明者】張可鋼, 陳廣龍, 陳華倫 申請(qǐng)人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司