專利名稱：一種oled顯示裝置及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED顯示裝置及其制作方法。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光二極管顯不裝置(Organic Light-Emitting Diode ;0LED),又稱為有機電致發(fā)光顯示裝置(Organic Electroluminesence ；0EL)是一門相當年輕的顯示技術(shù)。它利用有機半導體材料和發(fā)光材料在電流的驅(qū)動下產(chǎn)生發(fā)光來實現(xiàn)顯示。OLED與LCD相比有很多優(yōu)點超輕、超薄、高亮度、大視角、像素自身發(fā)光、低功耗、快響應、高清晰度、低發(fā)熱量、優(yōu)異的抗震性能、制造成本低、可彎曲等。已被業(yè)界普遍認為是最具有發(fā)展前途的新一代顯示技術(shù)。OLED的發(fā)光原理是在陽極和陰極之間插入有機功能層，該有機功能層通常包括電荷注入層、電荷傳輸層以及發(fā)光層，在電極之間施加適當?shù)碾妷?，器件就能發(fā)光。OLED按照出光方式分為兩種，光從基板面發(fā)出為底發(fā)射型，光從后蓋面發(fā)出為頂發(fā)射型。圖I示例出現(xiàn)有技術(shù)中的底部發(fā)射型的OLED顯示裝置截面示意圖。該底部發(fā)射型的OLED顯示裝置包括基板11、形成于基板11上的陽極12、形成于陽極12上的有機功能層13、形成于有機功能層13之上的陰極14、后蓋15以及封裝膠16，后蓋15通過封裝膠16與基板11貼合在一起。其中，基板11 一般為玻璃，陽極12 —般為ITO透明導電薄膜,有機功能層13通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電極傳輸層和電子注入層，陰極14 一般為鋁、銀、鎂或其合金，后蓋15包括玻璃后蓋和金屬后蓋，封裝膠16 —般為紫外線固化膠。OLED顯示裝置的顏色一般是由紅、綠、藍三基色組成的，三種顏色分別由不同的發(fā)光材料發(fā)出。紅色材料的CIE值的范圍為(^的1值為0.63、.68，CIE的y值為O. 3(Γθ. 35。紅色材料典型的CIE值為(O. 66,0. 34)，此種紅色應用較為廣泛。但在一些特殊用途(如制作商標)中，需要更深紅色的CIE值，例如(O. 70，O. 30)，甚至于更深的紅色(O. 72，O. 28)。CIE包括x、y兩個值，一般來說，CIE的x值在O. 68以上OLED顯示裝置才能達到深紅色效果,而CIE的Y值對深紅色的影響不大。在現(xiàn)有陽極材料(如ΙΤ0)的基礎(chǔ)上很難達到要求的深紅色CIE坐標值，這是因為ITO為透明電極，反射率很小，無法與陰極形成微腔效應。一般認為CIE坐標值在(O. 68，O. 32) (O. 72，O. 28)之間，就能達到深紅色的效果。

發(fā)明內(nèi)容
為了滿足現(xiàn)有對深紅色OLED顯示裝置的需求，即CIE的x值達到O. 68以上，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為本發(fā)明提供了一種OLED顯示裝置，包括基板、位于所述基板之上的第一電極層、位于所述第一電極層之上的有機功能層、位于所述有機功能層之上的第一透明電極層、與所述基板貼合的封裝片，其特征在于，所述第一電極層采用對波長為62(T760nm的光的反射率在90%以上的導電材料制成。
優(yōu)選地，所述導電材料為金屬銅。優(yōu)選地，還包括位于所述第一電極層和所述有機功能層之間的第二透明電極層。優(yōu)選地，所述第二透明電極層采用ITO材料制成。本發(fā)明還提供了一種OLED顯示裝置的制作方法，包括提供一基板；在所述基板之上制作第一電極層； 在所述第一電極層之上制作有機功能層；在所述有機功能層之上制作第一透明電極層；將所述基板貼合在封裝片上；其中，所述第一電極層米用對波長為620 760nm的光的反射率在90%以上的導電材料制成。優(yōu)選地，所述導電材料為金屬銅。優(yōu)選地，所述在所述基板上制作第一電極層之后且所述在所述第一電極層上制作有機功能層之前，還包括在所述第一電極層上制作第二透明電極層。優(yōu)選地，所述第二透明電極層采用ITO材料制成。本發(fā)明通過采用對波長為62(T760nm的光的反射率在90以上的導電材料作陽極，透明金屬作陰極，因作為陽極的導電材料，對波長為62(T760nm之間的紅光的反射率高，可以作為反射電極，透明陰極作為透射電極，在陰、陽兩電極之間制作有機功能層，通電時，有機功能層中的紅色材料會發(fā)出紅色的光，這樣在由不透明的導電材料制作的陽極和透明陰極之間形成微腔效應，通過微腔效應使有機功能層產(chǎn)生的光發(fā)生紅移，使CIE的X的值能達到O. 68以上，能夠獲得深紅色OLED顯示裝置。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I是現(xiàn)有技術(shù)中的OLED結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明中實施例一的示意圖；圖3是本發(fā)明中實施例二的示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其它不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此，本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。實施例一請參閱圖2 (包括圖2 Ca)和圖2 (b))。圖2 Ca)是本發(fā)明實施例一的OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。該OLED顯示裝置包括基板21、位于基板21之上的第一電極層22、位于第一電極層22之上的有機功能層23、位于有機功能層23之上的第一透明電極層24、與基板21貼合的封裝片25，該封裝片25通過封裝膠26與基板21貼合在一起。其中，該第一電極層22采用對波長為62(T760nm的光的反射率在90%以上的導電材料制成。該OLED顯示裝置采用如圖2 (b)所示的方法制作而成。詳細參閱圖2 (b)。圖2(b)為實施例一的OLED顯示裝置的制作方法流程圖。S201、提供基板提供一透明基板21，如圖2 (a)所示。對透明基板21的材料不加限制，可以為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、環(huán)烯烴聚合物(COC)、玻璃或鋼化玻璃等等。S202、在所述基板之上制作第一電極層 采用磁控濺射的方法在基板21上制作第一電極層22，如圖2 (a)所示。該第一電極層22的厚度為10(T500nm，采用黃光制程光刻得到所需的電極圖案。本實施例中制作第一電極層21的材料為對波長為620 760nm的光的反射率為90%以上的導電材料。波長為620 760nm的光為紅光。這樣,在通電時，該電極對紅光有很高的反射率，利用微腔效應，容易得到深紅色的OLED顯示裝置，即CIE的X值在O. 68以上的OLED顯示裝置。廣義上來說，只要是該第一電極的材料對紅光的反射率達到90%以上，一般就能達到要求，例如，金屬銅，金屬鋁(Al)、金屬銀或其合金對紅光的反射率均在90%以上，其中，金屬銅為優(yōu)選材料，因為其本身顏色為銅紅色，再加上其導電性能優(yōu)良，可以作為優(yōu)選的材料之一。S203、在所述第一電極層之上制作有機功能層通常情況下，采用蒸鍍的方法在第一電極層22之上制作有機功能層23，如圖2(a)所示。該有機功能層23至少包括有機發(fā)光層，為了使顯示裝置具有更好的顯示效果，有機功能層23通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。若第一電極層22為陽極,蒸鍍的有機功能層依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。其中，蒸鍍的空穴注入層的厚度在10(T600nm范圍內(nèi)調(diào)整，OLED顯示裝置的CIE值隨著有機功能層的厚度的變化而變化，根據(jù)需要調(diào)整，從而能夠得到CIE的X值大于O. 68的OLED顯示裝置。S204、在所述有機功能層之上制作第一透明電極層采用蒸鍍方法在有機功能層23之上制作第一透明電極層24，如圖2 (a)所示。該第一透明電極層24 —般采用金屬鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或其合金制成。該第一透明電極層24的厚度要求很薄，優(yōu)選為5-20nm。因為如果該第一透明電極層24的厚度太厚的話，會引起光的透過率下降。S205、將所述基板貼合在封裝片上采用封裝膠26將所述基板21貼合在封裝片25上，如圖2 (a)所示。通常采用的封裝膠26為紫外線固化的封裝膠。通過本實施例的制作方法制作的OLED顯示裝置，采用對波長為62(T760nm的光的反射率在90%以上的導電材料制成陽極，由第一透明電極層制成陰極，或者，將對波長為62(T760nm的光的反射率在90%以上的導電材料制作成陰極，第一透明電極層制作成陽極。這樣，OLED顯示裝置在兩個電極中間形成微腔效應，因OLED的發(fā)光一般為紅色，CIE坐標為(O. 66，O. 34)，通過微腔效應，OLED內(nèi)的光譜發(fā)生紅移，CIE坐標值能達到(O. 68，O. 32) (O. 72，O. 28)范圍，從而獲得深紅色OLED顯示裝置。由于CIE的y值對深紅色顏色的影響不大，所以CIE值能達到O. 68以上，OLED顯示裝置就能發(fā)出公認的深紅色。本實施例中通過調(diào)整各層的厚度，甚至能使CIE的X值達到O. 72，這是現(xiàn)有技術(shù)中很難或者說無法做到的。此外，本發(fā)明實施例提供的制作OLED顯示裝置的制作方法，操作簡單。實施例一中的OLED顯示裝置的陽極僅有一層對62(T760nm的光的反射率在90%以上的導電材料層。該導電材料的透明度可能不是很理想，為了增強電極的透明度，還可以再在該導電材料層即第一電極層上制作一 透明度高的透明電極層。實施例二請參閱圖3 (包括圖3 Ca)和圖3 (b))。圖3 Ca)是本發(fā)明實施例二的OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。該OLED顯示裝置結(jié)構(gòu)與實施例一中的OLED的結(jié)構(gòu)不同之處在于，還包括位于第一電極層22和有機功能層23之間的第二透明電極層27，其它結(jié)構(gòu)和附圖標記與實施例一的相同，為了簡要起見，不再詳細陳述。圖3 (b)為本發(fā)明實施例二的OLED顯示裝置的制作方法流程圖。步驟S301和S302與實施例一中的步驟S201和S202相同。為了簡要起見，不再詳細描述，請參閱實施例一的相關(guān)描述。S303、在所述第一電極層之上制作第二透明電極層通常情況下，采用磁控濺射的方法在第一電極層上制作第二透明電極層27，如圖
3(a)所示。第二透明電極層27可以增加該電極的透明度。理論上說，第二透明電極層27只要是高透明度的導電材料即可，優(yōu)選ITO材料。S304、在所述第二透明電極層之上制作有機功能層在第二透明電極層27之上制作有機功能層23。該步驟與實施例一中的步驟S203相同，不再詳細陳述，請參閱實施例一中的步驟S203。步驟S305至S306與實施例一中的步驟S204至S205相同，為了簡要起見，不再詳細陳述，請參閱實施例一中的步驟S204至S205。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種OLED顯不裝置,包括基板、位于所述基板之上的第一電極層、位于所述第一電極層之上的有機功能層、位于所述有機功能層之上的第一透明電極層、與所述基板貼合的封裝片，其特征在于，所述第一電極層采用對波長為62(T760nm的光的反射率在90%以上的導電材料制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的OLED顯示裝置，其特征在于，所述導電材料為金屬銅。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的OLED顯示裝置，其特征在于，還包括位于所述第一電極層和所述有機功能層之間的第二透明電極層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED顯示裝置，其特征在于，所述第二透明電極層采用ITO材料制成。
5.—種OLED顯示裝置的制作方法，其特征在于，包括 提供一基板； 在所述基板之上制作第一電極層； 在所述第一電極層之上制作有機功能層； 在所述有機功能層之上制作第一透明電極層； 將所述基板貼合在封裝片上； 其中，所述第一電極層米用對波長為62(T760nm的光的反射率在90%以上的導電材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述導電材料為金屬銅。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在所述基板上制作第一電極層之后且所述在所述第一電極層上制作有機功能層之前，還包括在所述第一電極層上制作第二透明電極層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第二透明電極層采用ITO材料制成。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種OLED顯示裝置及其制作方法，所述OLED顯示裝置包括基板、位于所述基板之上的第一電極層、位于所述第一電極層之上的有機功能層、位于所述有機功能層之上的第一透明電極層、與所述基板貼合的封裝片，其中，所述第一電極層采用對波長為620~760nm的光的反射率在90%以上的導電材料制成。這樣在透明的導電材料制作的陽極和透明陰極之間形成微腔效應，通過微腔效應使有機功能層產(chǎn)生的紅光發(fā)生紅移，使CIE的x值達到0.68以上，進而獲得深紅色OLED顯示裝置。
文檔編號H01L51/56GK102956677SQ20121050897
公開日2013年3月6日 申請日期2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月30日
發(fā)明者張雪峰, 柯賢軍, 蘇君海, 何基強, 李建華 申請人:信利半導體有限公司