一種新的腐蝕工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種新的腐蝕工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下：刻蝕：將待刻蝕晶片放入刻蝕機中刻蝕；去膠：刻蝕完的晶片按照順序裝入花籃中，將花籃放入正膠剝離液3368中，去膠后鏡檢，進行氧離子體打膠；臺階儀測試：去膠結(jié)束后，使用臺階儀測量刻蝕臺階；ITO退火：將刻蝕符合要求的晶片，進行ITO退火處理；PECVD：ITO退火后的晶片，在其表面淀積一層二氧化硅保護膜；用氧化氟膜厚分析儀測量陪片（Si片）上的二氧化硅厚度和折射率。本發(fā)明通過對腐蝕工藝進行改進，能夠有效提高芯片的穩(wěn)定性與可靠性，提高ITO薄膜的透過率，降低方阻。
【專利說明】一種新的腐蝕工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種新的腐蝕工藝，屬于LED生產(chǎn)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]LED照明為當(dāng)今節(jié)能照明的重點領(lǐng)域之一，在LED生產(chǎn)中，腐蝕工藝的優(yōu)劣直接能影響著芯片的穩(wěn)定性與可靠性，因此LED的腐蝕工藝在LED生產(chǎn)中起著至關(guān)重要的作用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明針對不足，提供一種新的腐蝕工藝。
[0004]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:本發(fā)明涉及一種新的腐蝕工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下:
(1)刻蝕:將待刻蝕晶片放入刻蝕機中刻蝕；
(2)去膠:刻蝕完的晶片按照順序裝入花籃中，將花籃放入正膠剝離液3368中，去膠后鏡檢，進行氧離子體打膠；
(3)臺階儀測試:去膠結(jié)束后，使用臺階儀測量刻蝕臺階；
(4)ITO退火:將刻蝕符合要求的晶片，進行ITO退火處理；
(5)PECVD:ΙΤ0退火后的晶片，在其表面淀積一層二氧化硅保護膜；用氧化氟膜厚分析儀測量陪片(Si片)上的二氧化硅厚度和折射率。
[0005]本發(fā)明的有益效果是:通過對腐蝕工藝進行改進，能夠有效提高芯片的穩(wěn)定性與可靠性，提高ITO薄膜的透過率，降低方阻。
【具體實施方式】
[0006]以下對本發(fā)明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0007]本發(fā)明涉及一種新的腐蝕工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下:
(1)刻蝕:將待刻蝕晶片放入刻蝕機中刻蝕；
(2)去膠:刻蝕完的晶片按照順序裝入花籃中，將花籃放入正膠剝離液3368中，去膠后鏡檢，進行氧離子體打膠；
(3)臺階儀測試:去膠結(jié)束后，使用臺階儀測量刻蝕臺階；
(4)ITO退火:將刻蝕符合要求的晶片，進行ITO退火處理；
(5)PECVD =ITO退火后的晶片，在其表面淀積一層二氧化硅保護膜；用氧化氟膜厚分析儀測量陪片(Si片)上的二氧化硅厚度和折射率。
[0008]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種新的腐蝕工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下: (1)刻蝕:將待刻蝕晶片放入刻蝕機中刻蝕； (2)去膠:刻蝕完的晶片按照順序裝入花籃中，將花籃放入正膠剝離液3368中，去膠后鏡檢，進行氧離子體打膠； 臺階儀測試:去膠結(jié)束后，使用臺階儀測量刻蝕臺階； ITO退火:將刻蝕符合要求的晶片，進行ITO退火處理； (5)PECVD =ITO退火后的晶片，在其表面淀積一層二氧化硅保護膜；用氧化氟膜厚分析儀測量陪片(Si片)上的二氧化硅厚度和折射率。
【文檔編號】H01L33/00GK103794681SQ201210423749
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2012年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月30日
【發(fā)明者】王紅亞 申請人:王紅亞