專利名稱：包括功率噪聲降低的電壓生成電路的半導(dǎo)體芯片封裝件的制作方法
包括功率噪聲降低的電壓生成電路的半導(dǎo)體芯片封裝件
本申請要求于2011年10月10日提交的第10-2011-0103018號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán),該申請的全部內(nèi)容通過弓I用包含于此。技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明總體構(gòu)思在這里涉及一種去除集成電路芯片中的功率噪聲的設(shè)備，更具體地講，涉及一種降低電路中的功率噪聲的半導(dǎo)體芯片封裝件，所述電路接收外部電源電壓以提供用于內(nèi)部電路的電源電壓。
背景技術(shù)：
包括諸如動態(tài)隨機存取存儲器(以下稱為DRAM)的半導(dǎo)體存儲器的集成電路芯片在被封裝之后通過從外部電源接收電源來進行操作。通過外部電壓源端子施加的外部電壓的電平可根據(jù)外部環(huán)境或集成電路芯片操作時產(chǎn)生的功率噪聲而改變。然而，難以在需要時自由地改變外部電壓的電平。
集成電路芯片可包括諸如內(nèi)部電壓轉(zhuǎn)換器(IVC)的電壓生成電路，以將外部電壓轉(zhuǎn)換為用于集成電路芯片內(nèi)部的電源電壓。
IVC可使電壓適合于半導(dǎo)體器件。即使當(dāng)外部電壓改變時，IVC也可以通過負(fù)反饋來保持內(nèi)部電壓。如果使用IVC，則半導(dǎo)體器件的操作參數(shù)可以被控制。
諸如IVC的電壓生成電路可應(yīng)對具有各種電源電壓的產(chǎn)品，并且可降低功耗。然而，IVC難以應(yīng)對由于連接到電壓生成電路的內(nèi)部電路的高速化而引起的功率噪聲。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明總體構(gòu)思提供一種半導(dǎo)體芯片封裝件，當(dāng)一電路從外部源接收電源電壓以提供用于內(nèi)部電路的電壓時，所述半導(dǎo)體芯片封裝件降低所述電路中的功率噪聲。本發(fā)明總體構(gòu)思的實施例提供一種半導(dǎo)體芯片封裝件，所述半導(dǎo)體芯片封裝件包括集成電路芯片，包括電壓生成電路和連接端子，其中，所述電壓生成電路接收外部電壓以生成用于內(nèi)部電路的電源電壓，所述連接端子連接到所述電壓生成電路的輸出節(jié)點；安裝基底，包括電連接到所述連接端子以降低電源電壓的功率噪聲的噪聲消除器，并且用于安 裝所述集成電路芯片以將所述集成電路芯片封裝為半導(dǎo)體芯片封裝件。
本發(fā)明總體構(gòu)思的另外的特點和效用將在以下描述中被部分地闡明，并且部分地通過描述將是明顯的，或者可通過實施本發(fā)明總體構(gòu)思而被了解。
可通過提供一種半導(dǎo)體芯片封裝件來基本上實現(xiàn)本發(fā)明構(gòu)思的上述和/或其他特點和效用，所述半導(dǎo)體芯片封裝件包括集成電路芯片，包括接收外部電壓以分配外部電壓的外部電壓源電路；電壓生成電路，接收由所述外部電壓源電路分配的外部電壓以生成用于內(nèi)部電路的電源電壓；第一連接端子和第二連接端子，其中，所述第一連接端子連接到所述外部電壓源電路的輸入節(jié)點，所述第二連接端子連接到所述電壓生成電路的輸出端子；安裝基底，包括連接到所述第一連接端子以降低外部電壓的功率噪聲的第一噪聲消除器和連接到所述第二連接端子以降低電源電壓的功率噪聲的第二噪聲消除器，并且用于安裝所述集成電路芯片以將所述集成電路芯片封裝為半導(dǎo)體芯片封裝件。
可通過提供一種電子設(shè)備來基本上實現(xiàn)本發(fā)明構(gòu)思的上述和/或其他特點和效用，所述電子設(shè)備包括接口單元，從外部電源接收外部電壓；半導(dǎo)體芯片封裝件；控制單元，控制所述半導(dǎo)體芯片封裝件處理所述電子設(shè)備的與半導(dǎo)體芯片封裝件的數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)的功能，其中，所述半導(dǎo)體芯片封裝件可包括集成電路芯片，包括電壓生成電路和連接端子，其中，所述電壓生成電路從外部電源接收外部電壓以生成用于內(nèi)部電路的電源電壓，所述連接端子連接到所述電壓生成電路的輸出節(jié)點；安裝基底，包括電連接到所述連接端子以降低電源電壓的功率噪聲的噪聲消除器，并且用于安裝所述集成電路芯片以將所述集成電路芯片封裝為半導(dǎo)體芯片封裝件。
所述噪聲消除器可形成在所述集成電路芯片的外部，并且可降低從外部電源提供的外部電壓的功率噪聲。
所述控制單元可控制輸入單元發(fā)送用戶命令，并且控制所述接口單元從外部裝置接收音頻和視頻圖像數(shù)據(jù)。
所述噪聲消除器可以使所述輸入單元在外部電壓和電源電壓的功率噪聲降低的情況下輸入用戶命令，并且使所述接口單元在外部電壓和電源電壓的功率噪聲降低的情況下從外部裝置接收音頻和視頻圖像數(shù)據(jù)。
所述電子設(shè)備還可包括功能單元，處理用戶命令以及音頻和視頻圖像數(shù)據(jù)，并且控制單元可控制顯示單元在外部電壓和電源電壓的功率噪聲降低的情況下顯示音頻和視頻圖像數(shù)據(jù)。


通過以下結(jié)合附圖對實施例的描述，本發(fā)明總體構(gòu)思的這些和/或其他特點和效用將變得清楚和更容易理解，其中
圖1是本發(fā)明總體構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體芯片封裝件的電路連接圖2是圖1的電路連接圖3是示出圖1的半導(dǎo)體芯片封裝件的剖面結(jié)構(gòu)的示圖4是示出圖3的半導(dǎo)體芯片封裝件的功能電路圖5是在圖3的半導(dǎo)體芯片封裝件中的解耦電容器和集成電路芯片的電路之間的電連接的電路圖示；
面圖6是圖5的等效電路連接圖；圖7是圖5中示出的IVC的詳細(xì)電路；圖8是示出圖7的電壓波形的曲線圖；圖9是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的實施例的易失性存儲器件的封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖10是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的實施例的非易失性存儲器件的封裝結(jié)構(gòu)的剖圖11是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的實施例的電子設(shè)備的電路圖。
具體實施方式
以下將參照附圖更全面地描述本發(fā)明總體構(gòu)思的實施例，在附圖中示出本發(fā)明的實施例。然而，本發(fā)明總體構(gòu)思可以以許多不同形式來實施，并且不應(yīng)該被解釋為限于這里闡述的實施例。相反，提供這些實施例以使本公開是徹底的和完整的，并且向本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地傳達本發(fā)明總體構(gòu)思的范圍。在附圖中，為了清晰，可夸大層和區(qū)域的大小和相對大小。相同的標(biāo)號始終表示相同的元件。
將理解的是，當(dāng)元件被稱為“連接”或“結(jié)合”到另一元件時，元件可直接連接或結(jié)合到另一元件，或者可存在中間元件。
圖1是根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體芯片封裝件的電路連接圖。參照圖1，半導(dǎo)體芯片封裝件包括集成電路芯片200和安裝基底100。
集成電路芯片200包括電壓生成電路230和連接端子232，電壓生成電路230接收外部電壓以生成用于內(nèi)部電路250的電源電壓，連接端子232連接到電壓生成電路230的電源電壓的輸出節(jié)點NDl。
安裝基底100包括電連接到連接端子232以降低電源電壓的功率噪聲的噪聲消除器120，并且還安裝集成電路芯片200以將集成電路芯片200封裝為半導(dǎo)體芯片封裝件。
在集成電路芯片200是諸如DRAM的半導(dǎo)體存儲器件的情況下，集成電路芯片200 可包括存儲單元陣列、核心電路和外圍電路。
電壓生成電路230是用于生成外圍電路或存儲單元陣列的內(nèi)部電壓的內(nèi)部電壓轉(zhuǎn)換器(IVC)。電壓生成電路230可以是生成高于外部電壓的高電壓VPP的高電壓生成電路，或者可以是用于生成反饋偏置電壓的反饋偏置電壓生成電路。
噪聲消除器120可以是用于消除功率噪聲的作為解耦器件的解耦電容器。
解耦器件可以形成在安裝基底100的上部、內(nèi)部、下部或側(cè)部。解耦器件可具有暴露到安裝基底100的外部的部分。解耦器件不會從安裝基底100的外部被看到。
解耦電容器可以通過引線鍵合或倒裝芯片鍵合連接到連接端子232。
解耦電容器可以通過使用表面安裝技術(shù)(SMT)安裝方法或嵌入式安裝方法安裝到安裝基底100上。解耦器件可以是薄膜型電容器或硅電容器。
如圖1所示，如果電壓生成電路230通過線LI接收外部電壓(EVCC)，然后通過輸出線LlO輸出用于內(nèi)部電路250的電源電壓(例如，IVCC)，則內(nèi)部電路250通過連接到輸出節(jié)點NDl的線Lll接收內(nèi)部電壓(IVCC)。如果負(fù)載通過電壓生成電路230的操作或內(nèi)部電路250的高速操作而改變，則功率噪聲被產(chǎn)生，并且輸出節(jié)點NDl受到產(chǎn)生的功率噪聲的影響。
功率噪聲通過經(jīng)由線L12連接到輸出節(jié)點NDl的焊盤在連接端子232被產(chǎn)生。在本發(fā)明構(gòu)思的實施例中，通過經(jīng)由互連線12將連接端子232電連接到噪聲消除器120，來消除或最小化電壓生成電路230的功率噪聲。通過線L13連接到電壓生成電路230的連接端子234可用作接地焊盤，并且可通過接地互連線14連接到噪聲消除器120。
噪聲消除器120形成在位于集成電路芯片200外部的安裝基底100上。因此，由于噪聲消除器120可形成為具有比位于集成電路芯片200內(nèi)部的噪聲消除器相對高的容量， 因此其結(jié)果是可以更好地去除功率噪聲。作為噪聲消除器的解耦電容器可安裝在系統(tǒng)基底上、半導(dǎo)體封裝件的安裝基底上或集成電路芯片的內(nèi)部。如果解耦電容器位于集成電路芯片的內(nèi)部，則效率相對較好，但是電容器的容量由于集成電路芯片的有限面積而相當(dāng)?shù)?。因此，使用在芯片封裝件的安裝基底100上形成解耦電容器的方法。
在該方法中，在集成電路芯片中的電壓生成電路230中產(chǎn)生的功率噪聲通過噪聲消除器120被有效地消除或最小化。在圖1的方案被應(yīng)用于諸如DRAM的半導(dǎo)體存儲器件的內(nèi)部電壓轉(zhuǎn)換器(IVC)的情況下，電壓生成電路230的電源和地的波動被抑制，從而內(nèi)部電路250可接收消除了功率噪聲的更可靠的內(nèi)部電壓。因此，諸如DRAM的半導(dǎo)體存儲器件對于功率噪聲的免疫力被提高，從而數(shù)據(jù)存取操作的可靠性也被提高。
圖2是圖1的修改的實施例的電路連接圖。
參照圖2，與圖1的噪聲消除器120對應(yīng)的解耦器件121形成在絕緣區(qū)域300中。 絕緣區(qū)域可以是形成在集成電路芯片200上部的區(qū)域。絕緣區(qū)域300還可以是形成在圖1 的安裝基底100上的區(qū)域。
如果IVC231通過線LI接收外部電壓EVCC，以通過輸出線LlO輸出用于內(nèi)部電路 250的電源電壓IVCC，則內(nèi)部電路250通過連接到輸出節(jié)點NDl的線Lll接收內(nèi)部電壓。如果功率噪聲由IVC231或內(nèi)部電路250產(chǎn)生，則輸出節(jié)點NDl受到產(chǎn)生的功率噪聲的影響。與圖1中示出的實施例相似，在諸如通過線L12連接到輸出節(jié)點NDl的焊盤的連接端子232中產(chǎn)生功率噪聲。在本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例中，通過經(jīng)由互連線12將連接端子232電連接到解耦器件121，來消除或最小化IVC231的功率噪聲。連接到IVC231的連接端子234可用作接地焊盤，并且可通過接地互連線14連接到解耦器件121。
在圖2的半導(dǎo)體芯片封裝件的結(jié)構(gòu)中，在集成電路芯片的IVC231或高電壓生成器中產(chǎn)生的功率噪聲可通過形成在絕緣區(qū)域300中的解耦器件121被有效地消除或最小化。
圖3是示出圖1的半導(dǎo)體芯片封裝件的剖面結(jié)構(gòu)的示圖。
參照圖3，集成電路芯片200形成在安裝基底100的上部上。可用于消除功率噪聲的解耦器件Cl和C2形成在安裝基底100的上部上，并且可連接到集成電路芯片200中的電壓生成電路230。
可用于消除功率噪聲的解耦器件C3和C4形成在安裝基底100的下部上，并且可連接到成電路芯片200中的電壓生成電路230。
可用于消除功率噪聲的解耦器件C5和C6形成在安裝基底100的內(nèi)部，并且可連接到成電路芯片200中的電壓生成電路230。
可用于消除功率噪聲的解耦器件C7和CS形成在安裝基底100的側(cè)部上，并且可連接到成電路芯片200中的電壓生成電路230。
半導(dǎo)體芯片封裝件可具有形成在安裝基底100上的接觸凸塊BI至B6，以電接觸諸如控制器或微處理器的外部器件。
在圖3中，從集成電路芯片200的內(nèi)部產(chǎn)生的功率噪聲可通過解耦器件Cl至C8 中的至少一個被有效地消除或最小化。
圖4是圖3的半導(dǎo)體芯片封裝件的功能電路圖。
參照圖4，第一解耦電容器123和第二解耦電容器121是形成在安裝基底100上的噪聲消除器。外部電壓源電路(EVSC) 210、內(nèi)部電壓轉(zhuǎn)換器(IVC) 231、數(shù)據(jù)輸出緩沖器241、 外圍電路252和單元陣列電路254形成在集成電路芯片200中。
外部電壓源電路(EVSC) 210接收并分配外部電壓EVCC。
IVC231通過外部電壓源電路(EVSC) 210接收外部電壓EVCC，以生成用于內(nèi)部電路 250的電源電壓。
外圍電路252和單元陣列電路254包括在內(nèi)部電路250中。外圍電路252從IVC231 接收外圍內(nèi)部電壓VINTP。單元陣列電路254從IVC231接收陣列內(nèi)部電壓VINTA。
數(shù)據(jù)輸出緩沖器241輸出存儲在存儲單元中的數(shù)據(jù)，并且可通過外部電壓源電路 (EVSC) 210接收外部電壓EVCC。
從外部電壓源電路210產(chǎn)生的功率噪聲通過第一解耦電容器123被消除或最小化。此外，來自IVC231的功率噪聲通過第二解耦電容器121被消除或最小化。
圖5是在圖3的半導(dǎo)體芯片封裝件中的解耦電容器和集成電路芯片的電路之間的電連接的電路圖示。
參照圖5，外部電壓源電路210從外部電源接收外部電壓EVCC。因此，外部電壓 EVCC被施加在連接到外部電壓源電路210的輸入端子的焊盤236和238之間。
內(nèi)部電壓轉(zhuǎn)換器(IVC) 231通過線LI從外部電壓源電路210接收外部電壓EVCC， 以生成用于內(nèi)部電路250的電源電壓。內(nèi)部電壓IVCC被施加在連接到內(nèi)部電壓轉(zhuǎn)換器231 的輸出端子的焊盤232和234之間。內(nèi)部電壓IVCC可以是外圍內(nèi)部電壓VINTP或陣列內(nèi)部電壓VINTA。
從外部電壓源電路210產(chǎn)生的功率噪聲可通過形成在安裝基底100上并且電連接到焊盤236和238的第一解耦電容器123被消除或最小化。
從內(nèi)部電壓轉(zhuǎn)換器231產(chǎn)生的功率噪聲可通過形成在安裝基底100上并且電連接到焊盤232和234的第二解耦電容器121被消除或最小化。
由于第一解耦電容器123和第二解耦電容器121不是形成在集成電路芯片200 中，而是直接形成在安裝基底100上，因此其結(jié)果是噪聲去除性能優(yōu)良。
圖6是圖5的等效電路連接圖。
在圖6中，連接在負(fù)載端子Pl和P2之間的解耦電容器DC對應(yīng)于圖5中的第二解耦電容器121。連接在外部電源和負(fù)載端子Pl之間的電阻器Rl和R2可以是寄生電阻器， 或者是可在必要時插入的電阻器。以如圖6的結(jié)構(gòu)形成的RC濾波器消除功率噪聲。
圖7是圖5中示出的IVC的詳細(xì)電路。
參照圖7，示出IVC231可以以電流鏡類型被形成。IVC231還可通過p_型MOS晶體管MP1、MP2和MP3、η-型MOS晶體管MNl和ΜΝ2以及電阻器Rl來實現(xiàn)。
在圖7中，如果參考電壓Vref被施加到η-型MOS晶體管麗I的柵極，并且外部電壓EVCC被施加到P型MOS晶體管MPl、ΜΡ2和MP3的 源極，則在ρ-型MOS晶體管MP3的漏極生成內(nèi)部電壓IVCC。通過圖8中示出的曲線圖顯示內(nèi)部電壓IVCC的波形。內(nèi)部電壓 IVCC的電平可以等于或小于外部電壓EVCC。圖7的IVC僅是可用于本發(fā)明構(gòu)思的實施例的各種不同類型的內(nèi)部電壓轉(zhuǎn)換器的示例。
圖8是示出圖7中示出的外部電壓EVCC和IVC電路的內(nèi)部電壓VINT的波形的曲線圖。
在曲線圖中，橫軸表示時間，縱軸表示電壓。從IVC231生成的內(nèi)部電壓VINT的功率噪聲通過形成在安裝基底100上的解耦電容器121被消除或最小化。因此，從IVC231生成的內(nèi)部電壓VINT以穩(wěn)定狀態(tài)被提供給內(nèi)部電路250。
圖9是示出應(yīng)用本發(fā)明構(gòu)思的易失性存儲器件的封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖10是示出應(yīng)用本發(fā)明構(gòu)思的非易失性存儲器件的封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。
參照圖9，易失性存儲芯片封裝件500包括安裝基底100、諸如DRAM的易失性存儲芯片200和保護層300。
形成在安裝基底100上的解耦電容器121有效地消除或降低位于易失性存儲芯片 200內(nèi)部的電壓生成電路的功率噪聲。其結(jié)果是，可提高易失性存儲芯片200的操作可靠性。
易失性存儲芯片封裝件500可以是這樣的封裝件，諸如PoP(層疊封裝件)、球柵陣列(BGA)、芯片級封裝件(CSP)、塑料引線芯片載體(PLCC)、塑料雙列直插式封裝件(PDIP)、 裸片格柵封裝(die in waffle pack)、裸片級晶片形式(die in wafer form)、板上芯片 (COB)、陶瓷雙列直插式封裝件(CERDIP)、塑料方形扁平封裝(公制)(MQFP)、薄型方形扁平封裝(TQEP)、小外形封裝(SOIC)、窄間距小外形封裝件(SSOP)、薄型小外形封裝(TSOP)、 薄型方形扁平封裝(TQEP)、系統(tǒng)級封裝件(SIP)、多芯片封裝件(MCP)、晶片級制造封裝件 (WFP)和晶片級加工的堆疊式封裝件(WSP)。
參照圖10，非易失性存儲芯片封裝件510包括安裝基底100、非易失性存儲芯片 220和保護層300。
形成在安裝基底100上的解耦電容器121和123有效地消除或降低位于非易失性存儲芯片220內(nèi)部的電壓生成電路的功率噪聲。其結(jié)果是，可提高非易失性存儲芯片220 的操作可靠性。
非易失性存儲器可以是EEPR0M、閃存、MRAM、自旋轉(zhuǎn)移矩MRAM、導(dǎo)電橋接RAM、 FeRAMj^Mt OUM的PRAM、電阻性RAM、納米管PRAM、聚合物RAM、納米浮柵存儲器、全息存儲器、分子電子存儲器件或絕緣體電阻改變存儲器。
以這種方式，當(dāng)解耦電容器連接到集成電路芯片的外部時，集成電路芯片可有效地應(yīng)對功率噪聲和電壓下降。
圖11是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的電子設(shè)備1100的電路圖。
電子設(shè)備1100可包括(但不限于)計算系統(tǒng)、蜂窩電話、膝上型/臺式計算機或能夠從存儲和顯示音頻和/或視頻圖像數(shù)據(jù)的外部裝置接收音頻和/或視頻圖像數(shù)據(jù)的任何其他裝置等。
參照圖11，電子設(shè)備1100包括電源單元1110、半導(dǎo)體芯片封裝件1120、功能單元 1125、控制單元1130、顯示單元1135、輸入單元1140、接口單元1150，其中，接口單元1150 通過有線或無線通信從位于電子設(shè)備1100外部的外部裝置1160接收音頻和視頻數(shù)據(jù)。
半導(dǎo)體芯片封裝件1120通過電源單元1110接收外部電壓，以生成用于半導(dǎo)體芯片封裝件1120的電源電壓。半導(dǎo)體芯片封裝件1120可以是圖1至圖10中示出的半導(dǎo)體芯片封裝件。半導(dǎo)體芯片封裝件1120可具有用于存儲數(shù)據(jù)的存儲單元，電子設(shè)備可將數(shù)據(jù)存儲在半導(dǎo)體芯片封裝件1120中或者從半導(dǎo)體芯片封裝件1120讀取數(shù)據(jù)，從而數(shù)據(jù)可被處理以執(zhí)行電子設(shè)備1100的功能。
噪聲消除器1124連接`到電源單元1110以降低外部電壓的功率噪聲，并且還連接到半導(dǎo)體芯片封裝件1120以降低內(nèi)部電壓的功率噪聲。噪聲消除器1124形成在半導(dǎo)體芯片封裝件1120的外部，從而以比形成在半導(dǎo)體芯片封裝件1120內(nèi)部的噪聲消除器高的效率消除或最小化來自外部電壓和電源電壓的功率噪聲。噪聲消除器1124可以使電子設(shè)備 1100的輸入單元1140在外部電壓和電源電壓的功率噪聲降低的情況下輸入用戶命令，并且可以使接口單元1150在外部電壓和電源電壓的功率噪聲降低的情況下從外部裝置1160 接收音頻和視頻圖像數(shù)據(jù)。
接口單元1150接收通過半導(dǎo)體芯片封裝件1120生成的功率噪聲水平降低的電源電壓，并且還從諸如移動電話、臺式計算機或電視機等的外部裝置1160接收音頻和/或視頻圖像數(shù)據(jù)。此外，接口單元1150將接收的音頻和/或視頻圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到控制單元1130。 控制單元1130還可接收電子設(shè)備1100的用戶通過輸入單元1140輸入的用戶命令，并且/ 或者從半導(dǎo)體芯片封裝件1120的存儲器接收數(shù)據(jù)，以執(zhí)行電子設(shè)備1100的功能。輸入單元1140可以由(但不限于)計算機或移動電話上的鍵盤或者電視顯示器或電視遙控器上的多個頻道號等來表現(xiàn)。輸入單元1140和顯示單元1135可形成為單個單元(例如，觸摸板)，以顯示圖像并輸入用戶命令或用戶輸入數(shù)據(jù)。
功能單元1125可用作在控制單元1130中處理與半導(dǎo)體芯片封裝件1120相關(guān)的數(shù)據(jù)和/或處理音頻和/或視頻圖像數(shù)據(jù)的處理單元，以允許控制單元1130將音頻和/或視頻圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到顯示單元1135。功能單元可安裝在半導(dǎo)體芯片封裝件1120中以執(zhí)行其功能。
控制單元1130可將通過功能單元1125處理的音頻和/或視頻圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到顯示單元1135，以允許顯示單元1135在外部電壓和電源電壓的功率噪聲降低的情況下顯示電子設(shè)備1100的音頻和視頻圖像數(shù)據(jù)。
在圖11中描述的示例性實施例中，從外部電壓和電源電壓產(chǎn)生的功率噪聲通過位于半導(dǎo)體芯片封裝件1120外部的噪聲消除器1124被有效地消除或最小化。因此，顯示單元1135可以在外部電壓和電源電壓的功率噪聲降低的情況下顯示從外部裝置1160接收的音頻和視頻圖像·數(shù)據(jù)。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例，從集成電路芯片中的電壓生成電路產(chǎn)生的功率噪聲通過形成在安裝基底上的噪聲消除器被有效地消除或最小化。在本發(fā)明構(gòu)思被應(yīng)用于諸如 DRAM的半導(dǎo)體存儲器件的內(nèi)部電壓轉(zhuǎn)換器的情況下，內(nèi)部電路可接收更可靠的內(nèi)部電壓。 因此，可以提高對于半導(dǎo)體存儲器件的數(shù)據(jù)存取操作的可靠性。
以上公開的主題將被考慮為說明性的，而非限制性的，權(quán)利要求旨在覆蓋落入本發(fā)明構(gòu)思的真實精神和范圍內(nèi)的所有這樣的修改、增強和其他實施例。雖然已經(jīng)顯示和描述了本發(fā)明總體構(gòu)思的一些特征和效用，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在不脫離本發(fā)明總體構(gòu)思的原理和精神的情況下，可以對這些實施例進行改變，本發(fā)明總體構(gòu)思的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體芯片封裝件，包括 集成電路芯片，包括電壓生成電路和連接端子，其中，所述電壓生成電路接收外部電壓以生成用于內(nèi)部電路的電源電壓，所述連接端子連接到所述電壓生成電路的輸出節(jié)點； 安裝基底，包括電連接到所述連接端子以降低電源電壓的功率噪聲的噪聲消除器，并且用于安裝所述集成電路芯片以將所述集成電路芯片封裝為半導(dǎo)體芯片封裝件。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝件，其中，所述電壓生成電路是生成用于外圍電路或單元陣列的電源電壓的內(nèi)部電壓轉(zhuǎn)換器。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝件，其中，所述電壓生成電路是生成高于外部電壓的高電壓的高電壓生成電路。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝件，其中，所述電壓生成電路是生成反饋偏置電壓的反饋偏置電壓生成電路。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝件，其中，所述噪聲消除器是用于消除功率噪聲的解耦器件。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片封裝件，其中，所述解耦器件是形成在所述安裝基底的上部上的解耦電容器。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片封裝件，其中，所述解耦器件是形成在所述安裝基底的內(nèi)部的解耦電容器。
8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片封裝件，其中，所述解耦器件是形成在所述安裝基底的下部上的解耦電容器。
9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體芯片封裝件，其中，所述解耦電容器通過使用引線鍵合連接到所述連接端子。
10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體芯片封裝件，其中，所述解耦電容器通過使用倒裝芯片鍵合連接到所述連接端子。
11.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片封裝件，其中，所述解耦器件通過使用SMT安裝方法或嵌入式安裝方法被安裝。
12.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片封裝件，其中，所述解耦器件是薄膜型電容器或硅電容器。
13.一種半導(dǎo)體芯片封裝件，包括 集成電路芯片，包括接收外部電壓以分配外部電壓的外部電壓源電路； 電壓生成電路，接收由所述外部電壓源電路分配的外部電壓，以生成用于內(nèi)部電路的電源電壓； 第一連接端子和第二連接端子，其中，所述第一連接端子連接到所述外部電壓源電路的輸入節(jié)點，所述第二連接端子連接到所述電壓生成電路的輸出端子； 安裝基底，包括連接到所述第一連接端子以降低外部電壓的功率噪聲的第一噪聲消除器和連接到所述第二連接端子以降低電源電壓的功率噪聲的第二噪聲消除器，并且用于安裝所述集成電路芯片以將所述集成電路芯片封裝為半導(dǎo)體芯片封裝件。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體芯片封裝件，其中，所述電壓生成電路是生成半導(dǎo)體存儲器的外圍電路或存儲單元陣列所需的內(nèi)部電壓的內(nèi)部電壓轉(zhuǎn)換器。
15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體芯片封裝件，其中，所述第一噪聲消除器是形成在安裝基底內(nèi)部或外部的第一解耦電容器，所述第二噪聲消除器是形成在安裝基底內(nèi)部或外部的第二解耦電容器。
16.—種電子設(shè)備,包括 接口單元，從外部源接收外部電壓； 半導(dǎo)體芯片封裝件； 控制單元，控制所述半導(dǎo)體芯片封裝件處理所述電子設(shè)備的與半導(dǎo)體芯片封裝件的數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)的功能， 其中，所述半導(dǎo)體芯片封裝件包括 集成電路芯片，包括電壓生成電路和連接端子，其中，所述電壓生成電路從外部源接收外部電壓以生成用于內(nèi)部電路的電源電壓，所述連接端子連接到所述電壓生成電路的輸出節(jié)點； 安裝基底，包括電連接到所述連接端子以降低電源電壓的功率噪聲的噪聲消除器，并且用于安裝所述集成電路芯片以將所述集成電路芯片封裝為半導(dǎo)體芯片封裝件。
17.如權(quán)利要求16所述的電子設(shè)備，其中，所述噪聲消除器形成在所述集成電路芯片的外部，并且降低從外部源提供的外部電壓的功率噪聲。
18.如權(quán)利要求17所述的電子設(shè)備，其中，所述控制單元控制輸入單元發(fā)送用戶命令，并且控制所述接口單元從外部裝置接收音頻和視頻圖像數(shù)據(jù)。
19.如權(quán)利要求18所述的電子設(shè)備，其中，所述噪聲消除器使所述輸入單元在外部電壓和電源電壓的功率噪聲降低的情況下輸入用戶命令，并且使所述接口單元在外部電壓和電源電壓的功率噪聲降低的情況下從外部裝置接收音頻和視頻圖像數(shù)據(jù)。
20.如權(quán)利要求19所述的電子設(shè)備,還包括 功能單元，處理用戶命令以及音頻和視頻圖像數(shù)據(jù)，并且控制單元控制顯示單元在外部電壓和電源電壓的功率噪聲降低的情況下顯示音頻和視頻圖像數(shù)據(jù)。
全文摘要
提供一種包括功率噪聲降低的電壓生成電路的半導(dǎo)體芯片封裝件。所述半導(dǎo)體芯片封裝件消除和最小化從半導(dǎo)體芯片封裝件中的電壓生成電路產(chǎn)生的功率噪聲，所述半導(dǎo)體芯片封裝件包括集成電路芯片，具有電壓生成電路和連接端子，其中，所述電壓生成電路接收外部電壓以生成用于內(nèi)部電路的電源電壓，所述連接端子連接到所述電壓生成電路的輸出節(jié)點；安裝基底，包括電連接到所述連接端子以降低電源電壓的功率噪聲的噪聲消除器，所述安裝基底用于安裝所述集成電路芯片以將所述集成電路芯片封裝為半導(dǎo)體芯片封裝件。
文檔編號H01L23/58GK103035622SQ201210380798
公開日2013年4月10日 申請日期2012年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月10日
發(fā)明者姜善遠, 金致旭, 禹賢貞, 黃祥俊 申請人:三星電子株式會社