專利名稱：倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管及其制備方法。
背景技術(shù)：
LED (Light Emitting Diode,發(fā)光二極管)作為第四代綠色照明光源，目前已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，隨著LED芯片集成度的提高及對(duì)功率型LED的需求，大功率LED散熱成為亟待解決的問(wèn)題。因LED芯片的節(jié)溫對(duì)溫度比較敏感，若熱量不能及時(shí)散出，不僅會(huì)加速光衰，同時(shí)會(huì)降低其使用壽命。選用傳統(tǒng)LED芯片的正裝結(jié)構(gòu)，一方面會(huì)由于金屬電極的存在減小發(fā)光面積，而·且金屬電極具有一定的吸光作用，從而減小LED芯片出光量；另一方面，由于藍(lán)寶石(Al2O3)晶片本身導(dǎo)熱能力較差，使得有源層熱量不能及時(shí)向熱沉散出，導(dǎo)致PN結(jié)溫度升高，從而使得正裝結(jié)構(gòu)不能滿足大功率LED的封裝要求。而選用LED芯片的倒裝結(jié)構(gòu)，一般采用倒裝焊工藝，即一般通過(guò)倒裝焊將晶片電極通過(guò)焊料或焊膏直接與熱沉或?qū)峄逑嘟Y(jié)合，從而提高了晶片的發(fā)光面積，且縮短了導(dǎo)熱通路。主要形式有以下幾種I)焊料共晶焊接，LED晶片電極底部和高導(dǎo)熱襯底之間通過(guò)焊料形成共晶焊接接頭，通常是在晶片金電極表面通過(guò)蒸鍍或其它方法形成金屬層，晶片倒裝時(shí)，晶片金電極表面的金屬層在熱和壓力的作用下熔化，在晶片和熱襯底或基板中間形成共晶合金。共晶層起到連接、導(dǎo)熱和導(dǎo)電的作用。2)焊膏共晶焊接，倒裝晶片在與導(dǎo)熱襯底或基板鍵合時(shí)，中間粘結(jié)材料采用具有一定金屬成分的焊膏，焊膏點(diǎn)涂在襯底或基板表面，鍵合時(shí)晶片電極與焊膏相接觸，在加熱過(guò)程中，焊膏中的混合金屬熔化形成合金，從而將熱量從金屬電極傳導(dǎo)到熱沉。3)銀膠，銀膠固晶通常應(yīng)用于正裝工藝中，由于其操作工藝簡(jiǎn)單，也會(huì)應(yīng)用于倒裝焊中，方法與2 )相同，將銀膠取代焊膏涂覆于襯底或基板之上，晶片電極與銀膠結(jié)合后進(jìn)行加熱固化即可。而采用上述倒裝焊工藝，通常會(huì)帶來(lái)如下兩種問(wèn)題I、倒裝焊通常使用Au-Sn (金-錫)焊料，該焊料存在熔點(diǎn)高、價(jià)格較貴、性能較脆、不易加工等缺陷。由于金錫合金的共晶溫度在300°C左右，且合金熔點(diǎn)在共晶溫度附近對(duì)成分非常敏感，故對(duì)電極和基板鍍層的厚度及成分要求非常嚴(yán)格；Au-Sn合金的熱導(dǎo)率在常用焊料中較高，通常其熱導(dǎo)率范圍也僅為50 60W/mK ;整體上該工藝對(duì)機(jī)臺(tái)性能、工藝參數(shù)、環(huán)境狀況及人員技能都要求很高，可控性較差。2、而使用無(wú)鉛焊膏和銀膠進(jìn)行倒裝固晶時(shí)，由于焊膏和銀膠中都含有一定的有機(jī)高分子成分，焊膏在回流焊后形成的合金會(huì)出現(xiàn)有機(jī)殘留物，且有較多的微觀空洞產(chǎn)生，導(dǎo)致其導(dǎo)熱、導(dǎo)電性能均會(huì)降低；通常使用的銀膠導(dǎo)熱率也較低，固化后的膠體由于其中有機(jī)高分子的阻隔，膠體中銀顆粒之間不能形成很好的熱電導(dǎo)路，難以很好滿足倒裝工藝中對(duì)導(dǎo)熱導(dǎo)電材料的性能要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管及其制備方法，能夠提聞導(dǎo)熱率、導(dǎo)電率，并且能夠提聞晶片與基板的結(jié)合強(qiáng)度。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是提供一種倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，包括至少一表面形成有電極層的晶片，以及至少鄰近晶片一側(cè)的表面為·金屬表面的基板；其中，電極層包括相互絕緣設(shè)置的晶片正極和晶片負(fù)極，基板的金屬表面包括相應(yīng)晶片正極和晶片負(fù)極絕緣設(shè)置的正極金屬區(qū)和負(fù)極金屬區(qū)；晶片正極與正極金屬區(qū)之間、以及晶片負(fù)極與負(fù)極金屬區(qū)之間分別設(shè)置有納米銀層。其中，晶片正極和晶片負(fù)極與納米銀層之間分別設(shè)置有第一過(guò)渡層。其中，基板與納米銀層之間設(shè)置有第一金屬鍍層，第一金屬鍍層的外表面即為基板的金屬表面。其中，基板與第一金屬鍍層之間設(shè)置有用以提高其與第一金屬鍍層結(jié)合強(qiáng)度的第
二過(guò)渡層。其中，基板為陶瓷基板。其中，基板是金屬基板；發(fā)光二極管包括絕緣粘結(jié)層；其中，金屬基板包括相互獨(dú)立的正極金屬基板和負(fù)極金屬基板，正極金屬基板對(duì)應(yīng)正極金屬區(qū)，負(fù)極金屬基板對(duì)應(yīng)負(fù)極金屬區(qū)，并且，正極金屬基板和負(fù)極金屬基板通過(guò)絕緣粘結(jié)層連接固定。其中，基板是金屬基板；發(fā)光二極管包括導(dǎo)熱絕緣層；導(dǎo)熱絕緣層設(shè)置于金屬基板和第一金屬鍍層之間。其中，納米銀層中納米銀所占比重不低于95. 0%。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是提供一種倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制備方法，包括如下步驟準(zhǔn)備底部形成有電極層的晶片和至少鄰近晶片一側(cè)的表面為金屬表面的基板，其中，電極層包括相互絕緣設(shè)置的晶片正極和晶片負(fù)極，基板的金屬表面包括相應(yīng)晶片正極和晶片負(fù)極絕緣設(shè)置的正極金屬區(qū)和負(fù)極金屬區(qū)；在晶片正極和晶片負(fù)極上，或者在基板的金屬表面上涂覆納米銀漿；將晶片正極、晶片負(fù)極通過(guò)納米銀漿與金屬基板層結(jié)合；烘烤固化，其中，晶片正極和晶片負(fù)極分別通過(guò)由納米銀漿烘烤固化后形成的納米銀層連接金屬表面的正極金屬區(qū)和負(fù)極金屬區(qū)。其中，在晶片正極和晶片負(fù)極上，或者在基板的金屬表面上涂覆納米銀漿的步驟之前，包括在基板鄰近晶片一側(cè)的表面形成第一金屬鍍層。其中，在基板鄰近晶片一側(cè)的表面形成第一金屬鍍層的步驟之前，包括在晶片正極和晶片負(fù)極鄰近基板一側(cè)的表面形成第一過(guò)渡層，以及在基板鄰近晶片一側(cè)的表面形成第二過(guò)渡層；其中，第一過(guò)渡層用以提高晶片正極和晶片負(fù)極分別與納米銀層的結(jié)合強(qiáng)度，第二過(guò)渡層用以提高基板與第一金屬鍍層的結(jié)合強(qiáng)度。其中，在晶片正極和晶片負(fù)極上，或者在基板的金屬表面上涂覆納米銀漿的步驟中，通過(guò)點(diǎn)膠或者超精細(xì)印刷方式涂覆納米銀漿。其中，在烘烤固化的步驟之中，烘烤溫度為140 °C "200 °C，烘烤時(shí)間為20min 60mino
其中，烘烤溫度為170°C，烘烤時(shí)間為40min。本發(fā)明的有益效果是區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明通過(guò)納米銀漿烘烤固化后將晶片正極、晶片負(fù)極與基板的金屬表面進(jìn)行粘結(jié)，由于采用納米銀漿進(jìn)行烘烤固化的溫度和時(shí)間易于控制，工藝難度較低，且因?yàn)榧{米銀漿本身價(jià)格較為低廉，因此能夠降低生產(chǎn)成本，并且烘烤固化后形成的納米銀含所占比重高，因此能夠較大程度地提高導(dǎo)熱率和導(dǎo)電率，以及能夠提聞晶片與基板的結(jié)合強(qiáng)度。


圖I是本發(fā)明倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管第三實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；·
圖4是圖I所示基板為金屬基板時(shí)發(fā)光二極管的一結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是圖I所不基板為金屬基板時(shí)發(fā)光_■極管的另一結(jié)構(gòu)不意圖；圖6是本發(fā)明倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制備方法第一實(shí)施方式的流程圖；圖7是本發(fā)明倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制備方法第二實(shí)施方式的流程圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。參閱圖1，圖I是本發(fā)明倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實(shí)施方式的發(fā)光二極管包括晶片10、基板11以及納米銀層12。其中，晶片10的至少一表面形成有電極層101,基板11至少鄰近晶片10 —側(cè)的表面為金屬表面111。電極層101包括相互絕緣設(shè)置的晶片正極1011和晶片負(fù)極1012，通常，電極層101由晶片10的P電極(圖未示)、N電極(圖未示)分別鍍金屬膜形成，進(jìn)一步地，P電極鍍金屬膜作為晶片正極1011，N電極鍍金屬膜作為晶片負(fù)極1012，舉例而言，該金屬膜材料一般選用金?；?1的金屬表面111包括相應(yīng)晶片正極1011和晶片負(fù)極1012絕緣設(shè)置的正極金屬區(qū)1111和負(fù)極金屬區(qū)1112。晶片正極1011和晶片負(fù)極1012分別通過(guò)納米銀層12連接金屬表面111的正極金屬區(qū)1111和負(fù)極金屬區(qū)1112。納米銀層12主要由納米銀形成，納米銀具有較為優(yōu)良的導(dǎo)電、導(dǎo)熱、結(jié)合效果，納米銀在納米銀層12中的比重設(shè)計(jì)為95%以上，在一定工藝條件下甚至可以使得納米銀在納米銀層12中的比重不低于99. 9%。在發(fā)光二極管封裝技術(shù)領(lǐng)域，現(xiàn)有技術(shù)中，通常采用焊膏或銀膠的方式將電極層與基板的金屬表面進(jìn)行固定，而焊膏或銀膠中的介質(zhì)通常粒徑較大且含有一定量的有機(jī)高分子成分，焊膏在回流焊后形成的合金會(huì)出現(xiàn)有機(jī)殘留物，有微觀空洞產(chǎn)生，其導(dǎo)熱、導(dǎo)電性會(huì)降低；而銀膠在固化后形成的膠體由于其中有有機(jī)高分子成分的阻隔，膠體中銀顆粒之間不能形成很好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱路徑，導(dǎo)熱、導(dǎo)電性也會(huì)降低，所以銀膠通常僅用于正裝結(jié)構(gòu)中。然而焊膏或銀膠的市場(chǎng)成熟，在市場(chǎng)上容易取得，并且雖然使用焊膏或銀膠存在上述缺陷，但仍可滿足用戶基本需求，因此本領(lǐng)域研發(fā)人員在早前研發(fā)發(fā)光二極管時(shí)，一直采用焊膏或銀膠，在慣性技術(shù)思維下，本領(lǐng)域技術(shù)人員并未考慮輕易棄用容易得到焊膏或銀膠，而犧牲大量人力、物力地研究如何將納米銀漿應(yīng)用到倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管中。
而本發(fā)明實(shí)施方式，通過(guò)納米銀層12連接晶片10的電極層101與基板11的金屬表面111，由于納米銀層12中納米銀所占比重高，其致密性高，因此能夠增強(qiáng)晶片10與基板11的結(jié)合強(qiáng)度，并且具有非常好的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性。參閱圖2，圖2是本發(fā)明倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實(shí)施方式的發(fā)光二極管不僅包括與第一實(shí)施方式結(jié)構(gòu)相同或相近的晶片20、基板21以及納米銀層22，還包括第一過(guò)渡層23。 晶片20的電極層201分別包括晶片正極2011與晶片負(fù)極2012，該晶片正極2011與晶片負(fù)極2012與納米銀層22之間分別設(shè)置有第一過(guò)渡層23。第一過(guò)渡層23 —般可選用銀或銀合金材料，因?yàn)殂y或銀合金與納米銀的物理性質(zhì)相近，能夠有效提高晶片正極2011、晶片負(fù)極2012分別與納米銀層22之間的結(jié)合強(qiáng)度。當(dāng)然，第一過(guò)渡層23還可以選用兼具較強(qiáng)反光性能的材料，以增強(qiáng)晶片正極2011和晶片負(fù)極2012的反光能力，提高光線的利用效率。
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參閱圖3，圖3是本發(fā)明本發(fā)明倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管第三實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實(shí)施方式的發(fā)光二極管不僅包括與第二實(shí)施方式結(jié)構(gòu)相同或相近的晶片30、基板31、納米銀層32以及第一過(guò)渡層33，還包括第一金屬鍍層34和第二過(guò)渡層35。第一金屬鍍層34設(shè)置于基板31與納米銀層32之間,第一金屬鍍層34的外表面(與納米銀層32接觸的一面)即為基板31的金屬表面341，金屬表面341上形成正極金屬區(qū)3411和負(fù)極金屬區(qū)3412，晶片正極3011與正極金屬區(qū)3411導(dǎo)通，晶片負(fù)極3012與負(fù)極金屬區(qū)3412導(dǎo)通。該第一金屬鍍層34是設(shè)置于基板31上的，且一般可通過(guò)印刷或者鍍膜等方式設(shè)置于基板31上。并且，第一金屬鍍層34通常亦選用銀或銀合金材料，因?yàn)殂y或銀合金與納米銀的物理性質(zhì)相近，能夠有效提高納米銀層32與第一金屬鍍層34之間的結(jié)合強(qiáng)度，并能夠提高導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性。當(dāng)然，還可以在基板31與第一金屬鍍層34之間設(shè)置第二過(guò)渡層35。第二過(guò)渡層35通常選用具有較好金屬粘合性的材料制得，使得第二過(guò)渡層35能提高基板31與第一金屬鍍層34的結(jié)合強(qiáng)度。舉例而言，基板31為銅基板時(shí)，第二過(guò)渡層34可以是鎳層，可先對(duì)銅基板的表面進(jìn)行簡(jiǎn)單處理后，鍍第二過(guò)渡層35，然后在第二過(guò)渡層35鍍上第一金屬鍍層34，在基板31上設(shè)置第二過(guò)渡層3僅能夠有效提高基板31與第一金屬鍍層34的結(jié)合強(qiáng)度；另外，如果直接在基板31上設(shè)置第一金屬鍍層31，以第一金屬鍍層34為銀材料為例，需要較多銀，而采用第二過(guò)渡層35進(jìn)行過(guò)渡，所需銀的使用量可以降低，能夠降低生產(chǎn)成本。本發(fā)明實(shí)施方式，在基板31與納米銀層32之間增設(shè)第一金屬鍍層34，能夠增強(qiáng)晶片30與基板31的結(jié)合強(qiáng)度。另外，在基板31與第一金屬鍍層34之間增設(shè)第二過(guò)渡層35，能夠進(jìn)一步提高晶片30與基板31的結(jié)合強(qiáng)度，并且能降低生產(chǎn)成本。上述各實(shí)施方式中，基板可以是陶瓷基板；當(dāng)然，基板還可以是金屬基板。請(qǐng)參閱圖3和圖4,圖4和圖5分別是圖I所不基板為金屬基板時(shí)發(fā)光_■極管的一結(jié)構(gòu)不意圖和另一結(jié)構(gòu)示意圖。發(fā)光二極管在一種結(jié)構(gòu)中，如圖4所示，基板41為金屬基板時(shí)，發(fā)光二極管包括絕緣粘結(jié)層46，其中，金屬基板41包括相互間隔設(shè)置的正極金屬基板4101和負(fù)極金屬基板4102，正極金屬基板4101對(duì)應(yīng)金屬表面441的正極金屬區(qū)4411，負(fù)極金屬基板4102對(duì)應(yīng)金屬表面441的負(fù)極金屬區(qū)4412，并且，正極金屬基板4101和負(fù)極金屬基板4102通過(guò)絕緣粘結(jié)層46連接固定。該絕緣粘結(jié)層46有多種選擇，舉例而言，如絕緣鋁聚乙烯粘結(jié)層。發(fā)光二極管在另一種結(jié)構(gòu)中，如圖5所不,基板51為金屬基板時(shí),發(fā)光二極管包括導(dǎo)熱絕緣層56，導(dǎo)熱絕緣層56設(shè)置于金屬基板51和用以形成金屬表面541的第一金屬鍍層54之間。本發(fā)明還提供一種倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制備方法。參閱圖6，圖6是本發(fā)明倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制備方法第一實(shí)施方式的流程圖。本發(fā)明實(shí)施方式包括如下步驟步驟S 11，準(zhǔn)備底部形成有電極層的晶片和至少鄰近晶片一側(cè)的表面為金屬表面的基板。其中，電極層包括相互絕緣設(shè)置的晶片正極和晶片負(fù)極，基板的金屬表面包括相應(yīng)晶片正極和晶片負(fù)極絕緣設(shè)置的正極金屬區(qū)和負(fù)極金屬區(qū)。步驟S12，在晶片正極和晶片負(fù)極上，或者在基板的金屬表面上涂覆納米銀漿。在步驟S12中，一般通過(guò)點(diǎn)膠或者超精細(xì)印刷方式涂覆納米銀漿。步驟S13，將晶片正極、晶片負(fù)極通過(guò)納米銀漿與基板結(jié)合。通常，采用傳統(tǒng)固晶技術(shù)并通過(guò)納米銀漿將晶片正極、晶片負(fù)極與基板相結(jié)合。晶片正極和晶片負(fù)極分別通過(guò)納米銀漿連接金屬表面的正極金屬區(qū)和負(fù)極金屬區(qū)。步驟S14，烘烤固化。本發(fā)明實(shí)施方式中，納米銀漿可以選擇低溫?zé)Y(jié)納米銀漿，其組分與重量百分比如下表所示
權(quán)利要求
1.一種倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，其特征在于，包括 至少一表面形成有電極層的晶片，以及至少鄰近所述晶片一側(cè)的表面為金屬表面的基板； 其中，所述電極層包括相互絕緣設(shè)置的晶片正極和晶片負(fù)極，所述基板的金屬表面包括相應(yīng)晶片正極和晶片負(fù)極絕緣設(shè)置的正極金屬區(qū)和負(fù)極金屬區(qū)； 所述晶片正極與正極金屬區(qū)之間、以及所述晶片負(fù)極與負(fù)極金屬區(qū)之間分別設(shè)置有納米銀層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管，其特征在于， 所述晶片正極和晶片負(fù)極與納米銀層之間分別設(shè)置有第一過(guò)渡層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管，其特征在于， 所述基板與納米銀層之間設(shè)置有第一金屬鍍層，所述第一金屬鍍層的外表面即為基板的金屬表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于， 所述基板與第一金屬鍍層之間設(shè)置有用以提高其與第一金屬鍍層結(jié)合強(qiáng)度的第二過(guò)渡層。
5.根據(jù)權(quán)利要去1-4任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管，其特征在于， 所述基板為陶瓷基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于， 所述基板是金屬基板； 所述發(fā)光二極管包括絕緣粘結(jié)層； 其中，所述金屬基板包括相互獨(dú)立的正極金屬基板和負(fù)極金屬基板，所述正極金屬基板對(duì)應(yīng)正極金屬區(qū)，所述負(fù)極金屬基板對(duì)應(yīng)負(fù)極金屬區(qū)，并且，所述正極金屬基板和負(fù)極金屬基板通過(guò)絕緣粘結(jié)層連接固定。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于， 所述基板是金屬基板； 所述發(fā)光二極管包括導(dǎo)熱絕緣層； 所述導(dǎo)熱絕緣層設(shè)置于金屬基板和第一金屬鍍層之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管，其特征在于， 所述納米銀層中納米銀所占比重不低于95. 0%。
9.一種倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括如下步驟 準(zhǔn)備底部形成有電極層的晶片和至少鄰近所述晶片一側(cè)的表面為金屬表面的基板，其中，所述電極層包括相互絕緣設(shè)置的晶片正極和晶片負(fù)極，所述基板的金屬表面包括相應(yīng)晶片正極和晶片負(fù)極絕緣設(shè)置的正極金屬區(qū)和負(fù)極金屬區(qū)； 在所述晶片正極和晶片負(fù)極上，或者在所述基板的金屬表面上涂覆納米銀漿； 將所述晶片正極、晶片負(fù)極通過(guò)納米銀漿與基板結(jié)合； 烘烤固化，其中，所述晶片正極和晶片負(fù)極分別通過(guò)由烘烤固化后形成的納米銀層連接金屬表面的正極金屬區(qū)和負(fù)極金屬區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述在晶片正極和晶片負(fù)極上，或者在基板的金屬表面上涂覆納米銀漿的步驟之前，包括在所述基板鄰近晶片一側(cè)的表面形成第一金屬鍍層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述在基板鄰近晶片一側(cè)的表面形成第一金屬鍍層的步驟之前，包括 在所述晶片正極和晶片負(fù)極鄰近基板一側(cè)的表面形成第一過(guò)渡層，以及在所述基板鄰近晶片一側(cè)的表面形成第二過(guò)渡層；其中，所述第一過(guò)渡層用以提高晶片正極和晶片負(fù)極分別與納米銀層的結(jié)合強(qiáng)度，所述第二過(guò)渡層用以提高基板與第一金屬鍍層的結(jié)合強(qiáng)度。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述在晶片正極和晶片負(fù)極上，或者在基板的金屬表面上涂覆納米銀漿的步驟中，通過(guò)點(diǎn)膠或者超精細(xì)印刷方式涂覆納米銀漿。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，在所述烘烤固化的步驟之中，烘烤溫度為140°C 200°C，烘烤時(shí)間為20mirT60min。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制備方法，其特征在于，在所述烘烤固化的步驟之中，烘烤溫度為170°C，烘烤時(shí)間為40min。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管。發(fā)光二極管包括至少一表面形成有電極層的晶片，以及至少鄰近晶片一側(cè)的表面為金屬表面的基板；其中，電極層包括相互絕緣設(shè)置的晶片正極和晶片負(fù)極，基板的金屬表面包括相應(yīng)晶片正極和晶片負(fù)極絕緣設(shè)置的正極金屬區(qū)和負(fù)極金屬區(qū)；晶片正極與正極金屬區(qū)之間、以及晶片負(fù)極與負(fù)極金屬區(qū)之間分別設(shè)置有納米銀層。本發(fā)明還公開(kāi)了一種倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制備方法。通過(guò)上述方式，本發(fā)明能夠提高導(dǎo)熱率、導(dǎo)電率，并且能夠提高晶片與基板的結(jié)合強(qiáng)度。
文檔編號(hào)H01L33/62GK102891240SQ20121034935
公開(kāi)日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2012年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月18日
發(fā)明者李漫鐵, 屠孟龍, 李揚(yáng)林 申請(qǐng)人:惠州雷曼光電科技有限公司