發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法。此發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法包含下列步驟。提供一透明基板，其中此透明基板包含相對的一第一表面與一第二表面。形成一發(fā)光結(jié)構(gòu)于第一表面上。對透明基板的第二表面進(jìn)行一薄化處理，以減少透明基板的厚度。在薄化處理后，對第二表面進(jìn)行一平坦化處理。形成一金屬反射鏡覆蓋在經(jīng)平坦化處理后的第二表面上。
【專利說明】發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件，且特別是涉及一種發(fā)光二極管(LED)結(jié)構(gòu)及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]請參照圖1，其是繪示一種傳統(tǒng)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖視圖。此傳統(tǒng)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100包含透明基板102、發(fā)光結(jié)構(gòu)114與金屬反射鏡122。透明基板102的相對兩側(cè)分別具有表面104與106。發(fā)光結(jié)構(gòu)114設(shè)置在透明基板102的表面104上。發(fā)光結(jié)構(gòu)114包含依序堆疊在透明基板102的表面104上的η型半導(dǎo)體層108、有源層110、ρ型半導(dǎo)體層112、透明導(dǎo)電層116、η型電極墊118與ρ型電極墊120。其中，η型電極墊118設(shè)置在η型半導(dǎo)體層108的暴露部分，而ρ型電極墊120則設(shè)置在透明導(dǎo)電層116上。金屬反射鏡122則覆蓋在透明基板102的表面106上。
[0003]在制作發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100時，需通過研磨透明基板102的表面106的方式，來縮減透明基板102的厚度。金屬反射鏡122則覆蓋在透明基板102經(jīng)研磨后的表面106上。然而，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100雖有金屬反射鏡122的設(shè)置，然其光取出效率仍舊不佳。
[0004]目前，為了提升發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的光取出效率，提出了一種利用不同的反射鏡結(jié)構(gòu)的技術(shù)。請參照圖2，其是繪示另一種傳統(tǒng)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖視圖。此發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)IOOa大致與上述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的架構(gòu)相同，二者的差異在于，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)IOOa 還包含分散式布拉格反射鏡(Distributed Bragg Reflector ;DBR) 124。
[0005]在制作發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)IOOa時，在通過研磨透明基板102的表面106來縮減透明基板102的厚度后，先在透明基板102的經(jīng)研磨的表面106上形成由多層介電材料堆疊而成的分散式布拉格反射鏡124。接著，再形成金屬反射鏡122覆蓋在分散式布拉格反射鏡124 上。
[0006]發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)IOOa的光取出效率雖較發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100佳,但分散式布拉格反射鏡124的制作工藝繁復(fù)困難，不僅制作工藝時間長，導(dǎo)致所需人力與制作工藝成本高，產(chǎn)能不佳，而且也會造成制作工藝良率下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]因此，本發(fā)明的一目的在于提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法，其是于透明基板薄化后，再對經(jīng)薄化后的表面進(jìn)行平坦化處理，以平整化經(jīng)薄化的基板表面的微刮痕，并同時移除薄化處理后所殘留的研磨介質(zhì)。如此一來，僅需在透明基板經(jīng)平坦化處理的表面設(shè)置單層金屬反射鏡，即較現(xiàn)有技術(shù)中使用分散式布拉格反射鏡加上金屬反射鏡結(jié)構(gòu)更可有效提升發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率。
[0008]本發(fā)明的另一目的在于提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法，其可省去分散式布拉格反射鏡的設(shè)置。因此，不僅可降低制作工藝復(fù)雜度，更可大幅縮短發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作工藝時間。[0009]根據(jù)本發(fā)明的上述目的，提出一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。此發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包含一透明基板、一發(fā)光結(jié)構(gòu)以及一金屬反射鏡。透明基板包含相對的一第一表面與一第二表面。其中，第二表面的一中心線平均粗糙度(Ra)小于0.01 μ m。發(fā)光外延結(jié)構(gòu)設(shè)于第一表面上。金屬反射鏡覆蓋在第二表面上。
[0010]依據(jù)本發(fā)明的一實施例，上述的中心線平均粗糙度從0.0007 μ m至0.001 μ m。
[0011]依據(jù)本發(fā)明的另一實施例，上述的金屬反射鏡的材料包含鋁、銀或鉬。
[0012]依據(jù)本發(fā)明的再一實施例，上述的發(fā)光結(jié)構(gòu)包含一第一電性半導(dǎo)體層設(shè)于透明基板的第一表面上、一有源層設(shè)于部分的第一電性半導(dǎo)體層上、一第二電性半導(dǎo)體層設(shè)于有源層上、一第一電性電極墊設(shè)于另一部分的第一電性半導(dǎo)體層上以及一第二電性電極墊設(shè)于部分的第二電性半導(dǎo)體層上。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的上述目的，另提出一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，包含下列步驟。提供一透明基板，其中此透明基板包含相對的一第一表面與一第二表面。形成一發(fā)光結(jié)構(gòu)于第一表面上。對透明基板的第二表面進(jìn)行一薄化處理，以減少透明基板的厚度。在薄化處理后，對第二表面進(jìn)行一平坦化處理。形成一金屬反射鏡覆蓋在經(jīng)平坦化處理后的第二表面上。
[0014]依據(jù)本發(fā)明的一實施例，上述進(jìn)行薄化處理時利用一銅研磨盤、以及一研磨介質(zhì)，此研磨介質(zhì)包含鉆石液。
[0015]依據(jù)本發(fā)明的另一實施例，上述進(jìn)行平坦化處理時是利用一絨布研磨盤。
[0016]依據(jù)本發(fā)明的又一實施例，上述進(jìn)行平坦化處理時利用一研磨介質(zhì)，此研磨介質(zhì)包含三氧化二招(Al2O3)。
[0017]依據(jù)本發(fā)明的再一實施例，上述研磨介質(zhì)的粒徑等于或小于2μπι。
[0018]依據(jù)本發(fā)明的再一實施例,上述研磨介質(zhì)的粒徑等于或小于Ιμπι。
[0019]依據(jù)本發(fā)明的再一實施例，上述經(jīng)平坦化處理后的第二表面的一中心線平均粗糙度小于0.01 μ m。依據(jù)一示范實施例,前述的中心線平均粗糙度從0.0007 μ m至0.001 μ m。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的上述目的，更提出一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，包含下列步驟。提供一透明基板。此透明基板包含相對的第一表面與第二表面。形成一發(fā)光結(jié)構(gòu)于第一表面上。對透明基板的第二表面進(jìn)行一平坦化處理，以使經(jīng)平坦化處理后的第二表面的中心線平均粗糙度小于0.01 μ m。形成一金屬反射鏡覆蓋在經(jīng)平坦化處理后的第二表面上。
[0021]依據(jù)本發(fā)明的一實施例，進(jìn)行上述的平坦化處理時是利用一絨布研磨盤。
[0022]依據(jù)本發(fā)明的另一實施例，進(jìn)行上述的平坦化處理時利用一研磨介質(zhì)，此研磨介質(zhì)包含二氧化二招。
[0023]依據(jù)本發(fā)明的又一實施例，上述的研磨介質(zhì)的粒徑等于或小于2μπι。
[0024]依據(jù)本發(fā)明的再一實施例,上述的中心線平均粗糙度從0.0007 μ m至0.001 μ m。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，所附附圖的說明如下:
[0026]圖1是一種傳統(tǒng)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0027]圖2是另一種傳統(tǒng)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖視圖；[0028]圖3A至圖3C是本發(fā)明的一實施方式的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作工藝剖視圖；
[0029]圖4是本發(fā)明的一實施方式的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的透明基板經(jīng)平坦化處理后的表面粗糙度曲線圖。
[0030]主要元件符號說明
[0031]100:發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100a:發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)
[0032]102:透明基板104:表面
[0033]106:表面108:n型半導(dǎo)體層
[0034]110:有源層112:p型半導(dǎo)體層
[0035]114:發(fā)光結(jié)構(gòu)116:透明導(dǎo)電層
[0036]118:n型電極墊120:p型電極墊
[0037]122:金屬反射鏡124:分散式布拉格反射鏡
[0038]200:透明基板202:表面
[0039]204:表面206:第一電性半導(dǎo)體層
[0040]208:有源層210:第二電性半導(dǎo)體層
[0041]212:透明導(dǎo)電層214:第一電性電極墊
[0042]216:第二電性電極墊218:發(fā)光結(jié)構(gòu)
[0043]220:金屬反射鏡222:發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)
[0044]224:暴露部分226:平臺結(jié)構(gòu)
【具體實施方式】
[0045]請參照圖3A至圖3C，其是繪示依照本發(fā)明的一實施方式的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作工藝剖視圖。在本實施方式中，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)222主要包含透明基板200、發(fā)光結(jié)構(gòu)218與金屬反射鏡220,如圖3C所不。發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)222僅包含單一金屬反射鏡220,但并沒有傳統(tǒng)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的分散式布拉格反射鏡。
[0046]如圖3A所示，制作發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)222時，先提供透明基板200。透明基板200包含表面202與204，其中表面202與204分別位于透明基板200的相對二側(cè)。透明基板200可例如為藍(lán)寶石基板。
[0047]接著，在透明基板200的表面202上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)218。制作發(fā)光結(jié)構(gòu)218時，先利用利用外延成長方式，例如有機金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方式,在透明基板200的表面202上依序形成第一電性半導(dǎo)體層206、有源層208與第二電性半導(dǎo)體層210。在本發(fā)明中，第一電性與第二電性為不同的電性。例如，第一電性與第二電性的其中一者為η型，另一者則為P型。有源層208可例如為多組相互交替堆疊的量子講層(quantum well layer)和阻障層(barrier layer)所組成的多重量子講(Multiple Quantum Well ；MQff)結(jié)構(gòu)。在一例子中，第一電性半導(dǎo)體層206、有源層208與第二電性半導(dǎo)體層210的材料可例如為氮化鎵(GaN)系列材料。
[0048]接下來，利用光刻與蝕刻制作工藝，例如感應(yīng)耦合式等離子體蝕刻制作工藝，來進(jìn)行發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)222的平臺定義。在此平臺定義中，移除部分的第二電性半導(dǎo)體層210、與部分的有源層208，甚至移除一部分的第一電性半導(dǎo)體層206，以暴露出部分的第一電性半導(dǎo)體層206,而形成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)222的平臺結(jié)構(gòu)226與第一電性半導(dǎo)體層206的暴露部分224。在一些實施例中，接下來可根據(jù)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)222的電性需求，選擇性地利用例如蒸鍍或濺鍍方式，并配合光刻與蝕刻技術(shù)或浮離(lift-off)技術(shù)，形成透明導(dǎo)電層212覆蓋在第二電性半導(dǎo)體層210上。透明導(dǎo)電層212的材料可例如為氧化銦錫(ITO)。[0049]接著，利用例如蒸鍍或濺鍍方式，并配合光刻與蝕刻技術(shù)或浮離(lift-off)技術(shù)，分別在第一電性半導(dǎo)體層206的暴露部分224、平臺結(jié)構(gòu)226的透明導(dǎo)電層212的一部分上，形成第一電性電極墊214與第二電性電極墊216，而完成發(fā)光結(jié)構(gòu)218的制作。第一電性電極墊214與第二電性電極墊216的材料可例如為金屬。在一實施例中，第一電性電極墊214與第二電性電極墊216可為依序堆疊的鉻層、鉬層與金層所構(gòu)成的鉻/鉬/金堆疊結(jié)構(gòu)。
[0050]在一實施例中，在形成透明導(dǎo)電層212、第一電性電極墊214與第二電性電極墊216前，可先選擇性地在第二電性電極墊216預(yù)定設(shè)置的位置上，即平臺結(jié)構(gòu)226的透明導(dǎo)電層212與第二電性半導(dǎo)體層210之間，設(shè)置電流阻障層(未繪示)。接著，再形成透明導(dǎo)電層212、第一電性電極墊214與第二電性電極墊216，使透明導(dǎo)電層212與第二電性電極墊216覆蓋在這些電流阻障層上。通過這些電流阻障層，可加強發(fā)光結(jié)構(gòu)218的電流分散效果，進(jìn)而可提升發(fā)光結(jié)構(gòu)218的發(fā)光效率。
[0051 ] 在另一實施例中，可在第一電性電極墊214與第二電性電極墊216形成后，選擇性地形成鈍化層(passivation layer)(未繪示)，覆蓋在發(fā)光結(jié)構(gòu)218的表面上,但并不完全覆蓋住第一電性電極墊214與第二電性電極墊216，以保護(hù)第一電性電極墊214與第二電性電極墊216以外的發(fā)光結(jié)構(gòu)218。
[0052]接著，對透明基板200進(jìn)行薄化處理。在此薄化處理中，通過研磨透明基板200的表面204的方式，移除透明基板200的部分厚度，用于縮減透明基板200的厚度。在一實施例中，對透明基板200進(jìn)行薄化處理時，可利用銅研磨盤，并以鉆石液作為研磨介質(zhì)。在一示范例中，鉆石液的粒徑可為3 μ m-6 μ m。經(jīng)研磨薄化后，透明基板200的表面204會有許多刮痕，而使表面204具有凹凸不平的結(jié)構(gòu)，如圖3A所示。透明基板200經(jīng)研磨薄化后的表面204的中心線平均粗糙度(Ra)約從0.013 μ m至0.017 μ m。
[0053]如圖3B所示，在透明基板200的薄化處理后，對透明基板200的薄化后的表面204進(jìn)行平坦化處理。此平坦化處理可為軟性的研磨處理，用于將薄化表面204上的刮痕予以平整化，并同時移除薄化處理后殘留在表面204的刮痕中的研磨介質(zhì)。在一示范實施例中，此平坦化處理可利用絨布研磨盤，意即以絨布取代薄化處理所使用的銅盤。然而，由于平坦化處理時,對透明基板200的表面204產(chǎn)生研磨作用的主要是研磨介質(zhì)，因此平坦化處理的研磨盤并不限于絨布研磨盤，而也可為銅盤或錫盤。
[0054]此外，平坦化處理時所使用的研磨介質(zhì)可例如采用三氧化二鋁。在一示范例子中，研磨介質(zhì)，即三氧化二鋁的粒徑可例如等于或小于2 μ m。而為了得到更為平整的表面，在另一示范例子中，研磨介質(zhì)的粒徑可例如等于或小于I μ m。請參照圖4，其是繪示依照本發(fā)明的一實施方式的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的透明基板經(jīng)平坦化處理后的表面粗糙度曲線。從圖4可知，經(jīng)平坦化處理后，透明基板200的表面204的粗糙度明顯下降。在一實施例中，經(jīng)平坦化處理后，透明基板200的表面204的中心線平均粗糙度可小于0.01 μ m。在一示范實施例中，透明基板200經(jīng)平整化處理的表面204的中心線平均粗糙度可約從0.0007 μ m至
0.001 μ mD[0055]如圖3C所示，完成透明基板200的表面204的平坦化處理后，可利用鍍膜技術(shù)，例如濺鍍或蒸鍍技術(shù)，形成金屬反射鏡220覆蓋在透明基板200的表面204上，而完成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)222的制作。在一實施例中，金屬反射鏡220的材料可例如包含鋁、銀或鉬。
[0056]由于，平坦化處理不僅可將透明基板200的經(jīng)薄化表面204上的刮痕予以平整化，還可同時移除薄化處理后殘留在表面204的刮痕中的研磨介質(zhì)。因此，可避免薄化處理后殘留在透明基板200的研磨介質(zhì)降低金屬反射鏡220的反射效率，進(jìn)而可大幅提升發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)222的光取出效率，達(dá)到提升發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)222的發(fā)光效率的目的。
[0057]在本發(fā)明的另一實施方式中，也可以一平坦化處理來取代上述發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法中的薄化處理與平坦化處理。也就是說，本實施方式與上述實施方式的差異在于，本實施方式可直接利用一道平坦化制作工藝，來同時使透明基板200達(dá)到所需的厚度、以及使透明基板200的表面204具有所需的粗糙度。
[0058]在本實施方式中，可在發(fā)光結(jié)構(gòu)218形成后，直接利用軟性的研磨處理來對透明基板200的表面204進(jìn)行平坦化處理，以同時薄化透明基板200、以及平整化透明基板200的表面。同樣地，在一示范實施例中，此平坦化處理可利用絨布研磨盤。然而，由于平坦化處理時,對透明基板200的表面204產(chǎn)生研磨作用的主要是研磨介質(zhì)，因此平坦化處理的研磨盤并不限于絨布研磨盤，而也可為銅盤或錫盤。
[0059]在本實施方式中，平坦化處理時所使用的研磨介質(zhì)同樣可例如采用三氧化二鋁。在一示范例子中，研磨介質(zhì)的粒徑可例如等于或小于2 μ m。在另一示范例子中,研磨介質(zhì)的粒徑較佳可例如等于或小于Ιμπι。在一實施例中，經(jīng)平坦化處理后，透明基板200的表面204的中心線平均粗糙度可小于0.01 μ m。在一示范實施例中，透明基板200經(jīng)平整化處理的表面204的中心線平均粗糙度可約從0.0007 μ m至0.001 μ m。
[0060]由上述的實施方式可知，本發(fā)明的一優(yōu)點就是因為本發(fā)明于透明基板薄化后，再對經(jīng)薄化后的表面進(jìn)行平坦化處理，以平整化經(jīng)薄化的基板表面的微刮痕，并同時移除薄化處理后所殘留的研磨介質(zhì)。因此，僅需在透明基板經(jīng)平坦化處理的表面設(shè)置單層金屬反射鏡，即較現(xiàn)有技術(shù)中使用分散式布拉格反射鏡加上金屬反射鏡結(jié)構(gòu)還可有效地提升發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率。
[0061 ] 由上述的實施方式可知,本發(fā)明的另一優(yōu)點為本發(fā)明可省去分散式布拉格反射鏡的設(shè)置。因此，不僅可降低制作工藝復(fù)雜度，更可大幅縮短發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作工藝時間。
[0062] 雖然結(jié)合以上實施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何在此【技術(shù)領(lǐng)域】中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包含: 透明基板，包含相對的第一表面與第二表面，其中該第二表面的一中心線平均粗糙度小于 0.01 μ m ； 發(fā)光結(jié)構(gòu)，設(shè)于該第一表面上；以及 金屬反射鏡，覆蓋在該第二表面上。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該中心線平均粗糙度從0.0007μπι至0.001 μ m。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該金屬反射鏡的材料包含鋁、銀或鉬。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該發(fā)光結(jié)構(gòu)包含: 第一電性半導(dǎo)體層，設(shè)于該透明基板的該第一表面上； 有源層，設(shè)于部分的該第一電性半導(dǎo)體層上； 第二電性半導(dǎo)體層，設(shè)于該有源層上； 第一電性電極墊，設(shè)于另一部分的該第一電性半導(dǎo)體層上；以及 第二電性電極墊，設(shè)于部分的該第二電性半導(dǎo)體層上。
5.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，包含: 提供一透明基板，其中該透明基板包含相對的第一表面與第二表面； 形成一發(fā)光結(jié)構(gòu)于該第一表面上； 對該透明基板的該第二表面進(jìn)行一薄化處理，以減少該透明基板的厚度； 在該薄化處理后，對該第二表面進(jìn)行一平坦化處理；以及 形成一金屬反射鏡覆蓋在經(jīng)該平坦化處理后的該第二表面上。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中進(jìn)行該薄化處理時利用一銅研磨盤以及一研磨介質(zhì)，該研磨介質(zhì)包含鉆石液。
7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中進(jìn)行該平坦化處理時是利用一絨布研磨盤。
8.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中進(jìn)行該平坦化處理時利用一研磨介質(zhì)，該研磨介質(zhì)包含三氧化二鋁。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該研磨介質(zhì)的粒徑等于或小于 2 μ m0
10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該研磨介質(zhì)的粒徑等于或小于I μ m0
11.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中經(jīng)該平坦化處理后的該第二表面的一中心線平均粗糙度小于0.01 μ m。
12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該中心線平均粗糙度從0.0007 μ m 至 0.001 μ m。
13.—種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法,包含: 提供一透明基板，其中該透明基板包含相對的一第一表面與一第二表面； 形成一發(fā)光結(jié)構(gòu)于該第一表面上； 對該透明基板的該第二表面進(jìn)行一平坦化處理，以使經(jīng)該平坦化處理后的該第二表面的一中心線平均粗糙度小于0.01 μ m ;以及形成一金屬反射鏡覆蓋在經(jīng)該平坦化處理后的該第二表面上。
14.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中進(jìn)行該平坦化處理時是利用一絨布研磨盤。
15.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中進(jìn)行該平坦化處理時利用一研磨介質(zhì)，該研磨介質(zhì)包含三氧化二鋁。
16.如權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該研磨介質(zhì)的粒徑等于或小于2 μ m0
17.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該中心線平均粗糙度從`0.0007 μ m 至 0.001 μ m。`
【文檔編號】H01L33/00GK103515498SQ201210325405
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年9月5日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月28日
【發(fā)明者】江宗儒 申請人:奇力光電科技股份有限公司, 佛山市奇明光電有限公司