低成本的太陽能組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種低成本的太陽能組件，具有依次層疊的負(fù)極層、N型硅層、P型硅層和正極層；所述正極層為氧化鋁層，正極層上均布有若干小孔；所述各小孔內(nèi)置有銀層。本發(fā)明的正極層為氧化鋁層，正極層上均布有若干小孔；所述各小孔內(nèi)置有銀層；采用氧化鋁為正極層，并在征集層上均布置銀的小孔，不僅提高了導(dǎo)電性，同時(shí)節(jié)約了銀漿的使用，降低了制作成本。
【專利說明】低成本的太陽能組件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種低成本的太陽能組件。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽能電池組件，也叫太陽能電池板，是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的核心部分，也是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中最重要的部分。太陽能電池是通過光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。太陽能電池作為綠色能源，越來越受到人們的關(guān)注。傳統(tǒng)的太陽能電池組件的正電極采用銀或鋁印制柵線，成本較高，而使用氧化鋁的導(dǎo)電性能不佳。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種制作簡(jiǎn)便的低成本的太陽能組件。
[0004]實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是:一種低成本的太陽能組件，具有依次層疊的負(fù)極層、N型硅層、P型硅層和正極層；所述正極層為氧化鋁層，正極層上均布有若干小孔；所述各小孔內(nèi)置有銀層。
[0005]上述技術(shù)方案所述負(fù)極層和N型硅層之間還設(shè)有第一氮化硅減反射膜層。
[0006]上述技術(shù)方案所述氮化硅減反射膜層和N型硅層之間還設(shè)有二氧化硅鈍化膜層。
[0007]上述技術(shù)方案所述P型硅層和正極層之間還設(shè)有第二二氧化硅鈍化膜層。
[0008]上述技術(shù)方案所述負(fù)極層為銀層。
[0009]上述技術(shù)方案所述負(fù)極層的表面上設(shè)有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵以及與主柵垂直且等間距分布的副柵。
[0010]上述技術(shù)方案所述正極層上具有背電極和背電場(chǎng)。
[0011]采用上述技術(shù)方案后，本發(fā)明具有以下積極的效果:
[0012]( I)本發(fā)明的正極層為氧化鋁層，正極層上均布有若干小孔；所述各小孔內(nèi)置有銀層；采用氧化鋁為正極層，并在征集層上均布置銀的小孔，不僅提高了導(dǎo)電性，同時(shí)節(jié)約了銀漿的使用，降低了制作成本。
[0013](2)本發(fā)明采用PECVD沉積氮化硅膜作為太陽能組件的減反射膜層，主要作用是減少光的反射，而且氮化娃膜含有大量的氫，可以很好的鈍化娃中的表面懸掛鍵，從而提高了載流子遷移率；同時(shí)，在氮化硅膜與N型硅之間沉積二氧化硅膜，可以更有效的減少入射光在太陽能電池表面的反射損失，提高太陽能組件吸收陽光的量，并能讓太陽能組件吸收來自各個(gè)角度的全部陽光光譜，從而使太陽能電站的經(jīng)濟(jì)效益大為改善。
[0014](3)本發(fā)明的正極層和P型硅層之間設(shè)有第二二氧化硅鈍化膜層；二氧化硅具有吸雜、鈍化的作用，可以提高反射效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中
[0016]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖中1.負(fù)極層，11.主柵，12.副柵,2.N型娃層,3.P型娃層,4.正極層,41.背電極，42.背電場(chǎng)，5.氮化硅減反射膜層，6.第一二氧化硅鈍化膜層，7.第二二氧化硅鈍化膜層。
【具體實(shí)施方式】
[0018](實(shí)施例1)
[0019]見圖1,本發(fā)明具有依次層疊的負(fù)極層1、N型娃層2、P型娃層3和正極層4 ;負(fù)極層I為銀層，負(fù)極層I的表面上設(shè)有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵11以及與主柵11垂直且等間距分布的副柵12 ;負(fù)極層I和N型硅層2之間還設(shè)有氮化硅減反射膜層5 ;氮化硅減反射膜層5和N型硅層2之間設(shè)有第一二氧化硅鈍化膜層6 ;正極層I為氧化鋁層，正極層4上具有背電極41和背電場(chǎng)42 ;正極層I上均布有若干小孔；各小孔內(nèi)置有銀層；P型硅層3和正極層4之間設(shè)有第二二氧化硅鈍化膜層7。
[0020]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種低成本的太陽能組件，具有依次層疊的負(fù)極層(I)、N型硅層(2)、P型硅層(3)和正極層(4);其特征在于:所述正極層(I)為氧化鋁層，正極層(I)上均布有若干小孔；所述各小孔內(nèi)置有銀層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低成本的太陽能組件，其特征在于:所述負(fù)極層(I)和N型硅層(2 )之間還設(shè)有氮化硅減反射膜層(5 )。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低成本的太陽能組件，其特征在于:所述氮化硅減反射膜層(5 )和N型硅層(2 )之間還設(shè)有第一二氧化硅鈍化膜層(6 )。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低成本的太陽能組件，其特征在于:所述P型硅層(3)和正極層(4)之間還設(shè)有第二二氧化硅鈍化膜層(J)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的低成本的太陽能組件，其特征在于:所述負(fù)極層(I)為銀層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低成本的太陽能組件，其特征在于:所述負(fù)極層(I)的表面上設(shè)有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵(11)以及與主柵(11)垂直且等間距分布的副柵(12)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低成本的太陽能組件，其特征在于:所述正極層(4)上具有背電極(41)和背電場(chǎng)(42)。
【文檔編號(hào)】H01L31/0224GK103633161SQ201210296680
【公開日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2012年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月20日
【發(fā)明者】金劉 申請(qǐng)人:江蘇格林保爾光伏有限公司