專利名稱：一種金屬氧化物有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種金屬氧化物有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
圖I為現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的電路結(jié)構(gòu)示意圖，圖中，第一 TFT3的源極32連接信號線1，第一 TFT3的柵極31連接掃描線10，第一 TFT3的漏極33連接第二 TFT4的柵極41，第二 TFT4的源極42連接電流供應(yīng)線2，漏極43連接有機(jī)發(fā)光層6，用信號線I不同電平的電壓通過第一 TFT3的漏極33控制第二 TFT4的柵極41的開度大小，從而控制第二 TFT4的漏極43的電流大小，實現(xiàn)不同亮度的顯示。圖2為現(xiàn)有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的底發(fā)射典型結(jié)構(gòu)示意圖，圖I中從下到上依次為玻璃基板90、柵電極91、柵極絕緣層92、TFT金屬氧化物溝道93、源漏電極94、源漏絕 緣層95、IT0透明陰極96、有機(jī)發(fā)光層97、金屬陽極98。由于下方TFT(薄膜晶體管)等遮擋，會有開口率不足的情況此種架構(gòu)會限制OLED的發(fā)光效率。如為頂發(fā)光架構(gòu)，則須以厚度極薄的金屬作為共通電極，會有因阻值較高導(dǎo)致電流不足的現(xiàn)象，兩種架構(gòu)都會限制OLED的發(fā)光效率

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種氧化物有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法，解決底發(fā)光開口率不足。本發(fā)明采用的第一種技術(shù)方案為一種金屬氧化物有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括掃描線；數(shù)據(jù)線，與掃描線交叉；電流供應(yīng)線，與所述數(shù)據(jù)線平行；由掃描線、數(shù)據(jù)線和電流供應(yīng)線交叉限定的若干的像素單元，每個像素單元包括共通電極、位于共通電極之上的發(fā)光層、第一 TFT和第二 TFT，其中，第一 TFT包括第一 TFT半導(dǎo)體層、第一 TFT柵極、第
一TFT源極和第一 TFT漏極，第二 TFT包括第二 TFT半導(dǎo)體層、第二 TFT柵極、第二 TFT源極和第二 TFT漏極，所述第二 TFT漏極與發(fā)光層連接。本發(fā)明采用的第二種技術(shù)方案為一種制造金屬氧化物有機(jī)發(fā)光二極管的顯示裝置方法，包括如下步驟A、形成掃描線、數(shù)據(jù)線、電流供應(yīng)線、第二 TFT柵極連接線、以及共通電極、與掃描線連接的第一 TFT柵極、以及與第二 TFT柵極連接線連接的第二 TFT柵極的圖案；B、在形成上述圖案的基礎(chǔ)上形成一絕緣層，然后在掃描線、數(shù)據(jù)線、第二 TFT柵極連接線、共通電極、電流供應(yīng)線相應(yīng)位置開設(shè)接觸孔；C :在所述共通電極上的形成有機(jī)發(fā)光層；D :在上述圖形的基礎(chǔ)上覆蓋一層金屬氧化物IGZO透明電極層；E :分別在第一、第二柵極上方的IGZO層區(qū)域上形成第一、第二保護(hù)層；F :在形成上述圖案的基礎(chǔ)上，通過化學(xué)方法在IGZO透明電極層上注入化學(xué)物質(zhì)。有益效果本發(fā)明以金屬氧化物作為OLED之TFT，提出一個以底層金屬之共通電極作為陰極，在共通電極上形成OLED發(fā)光層，最后以透明電極覆蓋發(fā)光層作為陽極，構(gòu)成一個頂發(fā)光之OLED結(jié)構(gòu)，該方法可以改善底發(fā)光開口率不足的問題。


圖I為現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的電路示意圖；圖2為現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3 (A)為本發(fā)明金屬氧化物有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的示意圖；圖3 (B)為圖3 (A)的A-A’剖面圖；圖4 (A)為本發(fā)明在基板上以底層金屬形成信號線、電流源與共通電極的圖案的示意圖；
圖4 (B)為圖4 (A)的A-A’剖面圖；圖5 (A)為發(fā)發(fā)明形成絕緣層和接觸孔示意圖；圖5 (B)為圖5 (A)的A-A’剖面圖；圖6 (A)為本發(fā)明形成有機(jī)發(fā)光層示意圖，圖6 (B)為圖6 (A)的A-A’剖面圖；圖I (A)為本發(fā)明形成金屬氧化物IGZO透明電極層示意圖；圖7 (B)為圖7 (A)的A-A’剖面圖；圖8 (A)為本發(fā)明形成保護(hù)層示意圖；圖8 (B)為圖8 (A)的A-A’剖面圖；圖9為本發(fā)明陽離子注入示意圖.圖中I、信號線，2、電源供應(yīng)線，31、第一 TFT柵極，41、第二 TFT柵極，40、第二 TFT柵極連接線，5、共通電極，7、IGZO透明電極層，50、共通電極引線，501、共通電極引線接觸孔，51、共通電極接觸孔，101、信號線接觸孔，401、第二 TFT柵極連接線接觸孔，201、電流供應(yīng)線接觸孔，33、第一 TFT漏極，32、第一 TFT源極，42、第二 TFT源極，43、第二 TFT漏極，5、共通電極，6、有機(jī)發(fā)光層，37、第一 IGZO層，47、第二 IGZO層，38、第一 TFT保護(hù)層，10、掃面線，48、第二 TFT保護(hù)層，12、絕緣層，110、端子孔，111、端子，320、信號線連接線。520、共通電極連接線，420、電流供應(yīng)線連接線。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和具體實施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對本發(fā)明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。 本發(fā)明一種金屬氧化物有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，如圖3A至圖3B所示，本發(fā)明包括玻璃基板(未圖示)、位于玻璃基板上掃描線10、與掃描線10垂直交叉的數(shù)據(jù)線I、共通電極5、第二 TFT柵極連接線40、與掃描線10垂直交叉的電流供應(yīng)線2、有機(jī)發(fā)光層6、絕緣層12、、由掃描線10、數(shù)據(jù)線I和電流供應(yīng)線2交叉限定的若干的像素單元，每個像素單元包括金屬氧化物IGZO透明電極層7、第一 TFT和第二 TFT。所述共通電極5位于數(shù)據(jù)線I和電流供應(yīng)線2之間，有機(jī)發(fā)光層6設(shè)于共通電極5上，在所述共通電極5上連接有共通電極引線50，該共通電極引線50用于將共通電極5與下一個像素單元的共通電極連接。所述第一 TFT包括第一 TFT半導(dǎo)體層37、與掃描線10連接的第一 TFT柵極31、與數(shù)據(jù)線I連接的第一 TFT源極32、以及與第二 TFT的柵極連接線40相連接的第一 TFT漏極33 ;其中第一 TFT半導(dǎo)體層37位于第一 TFT源極32與第一 TFT漏極33之間，并位于相對第一 TFT柵極31的上方，且實際上第一 TFT半導(dǎo)體層37、第一 TFT源極32與第一 TFT漏極33均由金屬氧化物IGZO制成的一體結(jié)構(gòu)，只是在第一 TFT源極32與第一 TFT漏極33上附有陽離子，這樣使得第一 TFT源極32與第一 TFT漏極33具有導(dǎo)電性能，并使得第一 IGZO層37兩側(cè)第一 TFT源極32與第一 TFT漏極33之間在電學(xué)上的形成斷路。。所述第二 TFT包括第二 TFT半導(dǎo)體層47、與有機(jī)發(fā)光層6連接的第二 TFT柵極41、與電流供應(yīng)線2連接的第二 TFT源極42、以及與第二 TFT的柵極連接線40相連接的第
二TFT漏極43 ;其中第二 TFT半導(dǎo)體層47位于第二 TFT源極41與第二 TFT漏極43之間， 并位于相對第二 TFT柵極41的上方，且實際上第二 TFT半導(dǎo)體層47、第二 TFT源極42、以及第二 TFT漏極43均由金屬氧化物IGZO制成的一體結(jié)構(gòu)，只是在第二 TFT源極42與第二TFT漏極43上附有陽離子，這樣使得第一 TFT源極32與第一 TFT漏極33具有導(dǎo)電性能，并使得第二 IGZO層47與兩側(cè)第二 TFT源極42與為第二 TFT漏極43之間在電學(xué)上的形成斷路。實際所述絕緣層12是鋪設(shè)在整個數(shù)據(jù)線I、柵線10、共通電極5、第二 TFT柵極連接線40、電流供應(yīng)線2上的，故第一 TFT與第二 TFT共用一個絕緣層12。有機(jī)發(fā)光層6上的第二 TFT漏極43作為發(fā)光OLED的陽極,共通電極金屬層作為陰極就構(gòu)成一個頂發(fā)光之OLED結(jié)構(gòu)，可以改善底發(fā)光開口率不足的問題。下面為本金屬氧化物的制造過程的具體描述第一步如圖4 (A)和圖4 (B)所示，在玻璃基板(圖未示)上形成掃描線10、數(shù)據(jù)線I、與掃描線10連接的第一 TFT柵極31、共通電極5、共通電極引線50、第二 TFT柵極連接線40、第二 TFT柵極41和電流供應(yīng)線2。數(shù)據(jù)線I和相應(yīng)的電流供應(yīng)線2平行相鄰，掃描線10位于相鄰兩像素單元的數(shù)據(jù)線I和電流供應(yīng)線2之間。所述共通電極引線50連接在共通電極5上，該共通電極引線50用于連接下一個像素單元的共通電極。數(shù)據(jù)線I、電流供應(yīng)線2、、共通電極5、共通電極引線50圍設(shè)形成一個像素單元。所述共通電極5和共通電極引線50位于信號線I和電流供應(yīng)線2之間。這里信號線I、電流供應(yīng)線2和共通電極5都是利用金屬形成的，厚度為3500-4500埃左右，且厚度最好為4000埃。且共通電極5作為本金屬氧化物有機(jī)發(fā)光二極管的陰極。第二步如圖5 (A)和圖5 (B)所示，在形成上述圖案的基礎(chǔ)上，用絕緣材料為SiNx或二氧化硅形成絕緣層12，接著在掃描線10、數(shù)據(jù)線I、共通電極引線50、第二 TFT柵極連接線40、共通電極5、電流供應(yīng)線2相應(yīng)位置開接觸孔，分別形成端子孔110、數(shù)據(jù)線接觸孔101、共通電極引線接觸孔501、第二 TFT柵極連接線極接觸孔401、共通電極接觸孔51、以及電流供應(yīng)線接觸孔201。所述絕緣層厚度為1500-2500埃，且最好是2000埃。第三步如圖6 (A)和圖6 (B)所示，通過噴墨涂布或掩模曝光刻蝕的方法在共通電極接觸孔51上形成有機(jī)發(fā)光層6。所述有機(jī)發(fā)光層6厚度為4500-5500埃，且最好為5000 埃。
第四步如圖7 (A)和圖7 (B)所示，在形成上述圖案的基礎(chǔ)上，濺射金屬氧化物IGZO薄膜形成金屬氧化物IGZO透明電極層7。該IGZO電極層在端子孔110上形成端子111。IGZO電極層在數(shù)據(jù)線接觸孔101與下一像素的數(shù)據(jù)線接觸孔之間形成數(shù)據(jù)線連接線320 ；IGZ 0電極層在數(shù)據(jù)線接觸孔101與第二 TFT柵極連接線極接觸孔401之間形成第一 IGZO層37，由于第一 IGZO層37位于第一 TFT柵極31上方區(qū)域，故該第一 IGZO層37實際是第一 TFT半導(dǎo)體層37。該IGZO電極層在共通電極引線接觸孔501與下一像素的共通電極接觸孔之間形成共通電極連接線520。IGZO電極層在有機(jī)發(fā)光層6上與電流供應(yīng)線接觸孔201之間形成第二 IGZO層47，由于第二 IGZO層位于第二 TFT柵極41上方區(qū)域，故該第二 IGZO層47實際也是第二 TFT半導(dǎo)體層。該IGZO電極層在電流供應(yīng)線接觸孔201與下一像素的電流供應(yīng)線接觸孔之間形成電流供應(yīng)連接線420。所述IGZO電極層厚度為450-550埃，最好為500埃。第五步圖8 (A)和圖8 (B)所示，在形成上述圖案的基礎(chǔ)上，分別在位于第一 TFT柵極31上方區(qū)域的第一 IGZO層37、位于第二 TFT柵極41上方區(qū)域的第二 IGZO層47上形成第一保護(hù)層38與第二保護(hù)層48。第一、第二保護(hù)層38、48的厚度為500-1500埃，且最好是1000埃。且第一、第二保護(hù)層38、48由SiO2或SiNx材料制成的。該第一、第二保護(hù)層38、48可以保護(hù)作為半導(dǎo)體層的IGZO層。第六步圖9所示，在形成上述圖案的基礎(chǔ)上，通過化學(xué)方法注入化學(xué)物體在IGZO透明電極層7上，并使具有第一保護(hù)層38和第二保護(hù)層48保護(hù)圖形以外的IGZO成為具有導(dǎo)體特性的透明電極。該化學(xué)方法為注入方法，且化學(xué)物體為陽離子。通過陽離子的注入方式使得位于第一保護(hù)層38 —側(cè)且靠近數(shù)據(jù)線I側(cè)的第一IGZO層37成為第一 TFT源極32、位于第一保護(hù)層38另一側(cè)的第一 IGZO層37成為第一 TFT漏極33，且該第一 TFT漏極與共通電極5接觸；位于第二保護(hù)層48 —側(cè)且靠近電流供應(yīng)線2側(cè)的第二 IGZO層47成為第二 TFT源極42、位于第二保護(hù)層48另一側(cè)的第二 IGZO層47成為第二 TFT漏極43,且該第二 TFT漏極位于有機(jī)發(fā)光層6上。由于第一 IGZO層37由第一保護(hù)層38的保護(hù)，使得位于第一保護(hù)層38下方的第一 IGZO層37仍然保持半導(dǎo)體的屬性，而第一 IGZO層37兩側(cè)第一 TFT源極32與第一 TFT漏極33之間在電學(xué)上的形成斷路。由于第二 IGZO層47由第二保護(hù)層48的保護(hù)，使得位于第二保護(hù)層48下方的第二IGZO層47仍然保持半導(dǎo)體的屬性，而第二 IGZO層47兩側(cè)第二 TFT源極42與為第二 TFT漏極43之間在電學(xué)上的形成斷路。
權(quán)利要求
1.ー種金屬氧化物有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于包括 掃描線； 數(shù)據(jù)線，與掃描線交叉； 電流供應(yīng)線，與所述數(shù)據(jù)線平行； 由掃描線、數(shù)據(jù)線和電流供應(yīng)線交叉限定的若干的像素単元，每個像素単元包括共通電極、位于共通電極之上的發(fā)光層、第一 TFT和第二 TFT，其中，第一 TFT包括 第一 TFT半導(dǎo)體層、第一 TFT柵極、第一 TFT源極和第一 TFT漏極，第二 TFT包括第二 TFT半導(dǎo)體層、第二 TFT柵極、第二 TFT源極和第二 TFT漏極，所述第二 TFT漏極與發(fā)光層連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述ー種金屬氧化物有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于第一TFT半導(dǎo)體層、第一 TFT源極、與第一 TFT漏極、均由金屬氧化物IGZO制成的一體結(jié)構(gòu)，且第一 TFT源極與第一 TFT漏極是具有導(dǎo)體特性的透明電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述ー種金屬氧化物有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于第二TFT半導(dǎo)體層、第二 TFT源極、與第二 TFT漏極、均由金屬氧化物IGZO制成的一體結(jié)構(gòu)，且第ニ TFT源極與第二 TFT漏極是具有導(dǎo)體特性的透明電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述ー種金屬氧化物有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于還包括與第二柵極連接的第二 TFT的柵極連接線，且第一 TFT柵極與掃描線連接，第一 TFT源極與數(shù)據(jù)線連接，第二源極與電流供應(yīng)線連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述ー種金屬氧化物有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于 在第一、第二 TFT半導(dǎo)體層上方均設(shè)有保護(hù)層。
6.一種制造金屬氧化物有機(jī)發(fā)光二極管的顯示裝置方法，其特征在于包括如下步驟 A、形成掃描線、數(shù)據(jù)線、電流供應(yīng)線、第二TFT柵極連接線、以及共通電極、與掃描線連接的第一 TFT柵極、以及與第二 TFT柵極連接線連接的第二 TFT柵極的圖案； B、在形成上述圖案的基礎(chǔ)上形成一絕緣層，然后在掃描線、數(shù)據(jù)線、第二TFT柵極連接線、共通電極、電流供應(yīng)線相應(yīng)位置開設(shè)接觸孔； C :在所述共通電極上的形成有機(jī)發(fā)光層； D :在上述圖形的基礎(chǔ)上覆蓋ー層金屬氧化物IGZO透明電極層； E :分別在第一、第二柵極上方的IGZO層區(qū)域上形成第一、第二保護(hù)層； F :在形成上述圖案的基礎(chǔ)上，通過化學(xué)方法在IGZO透明電極層上注入化學(xué)物質(zhì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于所述步驟(B)形成的接觸孔有在掃描線開設(shè)的端子孔、在信號線上開設(shè)的第一 TFT信號線接觸孔、在第二 TFT柵極連接線上開設(shè)的第二 TFT柵極連接線極接觸孔、在共通電極上開設(shè)的共通電極接觸孔、在電流供應(yīng)線上開設(shè)的第二 TFT源極接觸孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述ー種制造金屬氧化物有機(jī)發(fā)光二極管的顯示裝置方法，其特征在于所述步驟(F)中位于第一保護(hù)層ー側(cè)且靠近數(shù)據(jù)線側(cè)的IGZO層成為第一 TFT源扱，位于第一保護(hù)層另ー側(cè)的IGZO層成為第一TFT漏極；位于第二保護(hù)層ー側(cè)且靠近電流供應(yīng)線側(cè)的IGZO層成為第二 TFT源極，位于第二保護(hù)層另ー側(cè)的IGZO層成為第二 TFT漏極，且第二 TFT漏極位于有機(jī)發(fā)光層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述ー種制造金屬氧化物有機(jī)發(fā)光二極管的顯示裝置方法，其特征在于所述信號線、電流源與共通電極的厚度為3500-4500埃。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述ー種制造金屬氧化物有機(jī)發(fā)光二極管的顯示裝置方法，其特征在于所述步驟(F)中化學(xué)物體為陽離子。
全文摘要
本發(fā)明提出一種金屬氧化物有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法，該裝置是包括數(shù)據(jù)線、電流供應(yīng)線，與所述信號線平行；掃描線與所述信號線交叉；共通電極，位于信號線和電流供應(yīng)線之間，并在所述共通電極上設(shè)有有機(jī)發(fā)光層；第一TFT和第二TFT；絕緣層，是鋪設(shè)在整個信號線、共通電極、第二TFT柵極連接線、電流供應(yīng)線上；有機(jī)發(fā)光層，位于共通電極之上；金屬氧化物IGZO透明電極層，位于絕緣層和有機(jī)發(fā)光層之上。其中有機(jī)發(fā)光層上的金屬氧化物IGZO透明電極層作為頂發(fā)光OLED的陽極使用，共通電極金屬層作為陰極使用。本發(fā)明還公開了一種制造金屬氧化物有機(jī)發(fā)光二極管裝置的方法，解決現(xiàn)有技術(shù)底發(fā)光開口率不足以及頂發(fā)光共通電極導(dǎo)電性差的問題。
文檔編號H01L27/32GK102760755SQ20121026463
公開日2012年10月31日 申請日期2012年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月27日
發(fā)明者焦峰 申請人:南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司