專利名稱：半導體器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體器件、其制造方法、使用該半導體器件的信號傳送/接收方法以及測試器裝置。
背景技術：
近年來，通過無線通信來進行數(shù)據(jù)通信的半導體器件是公知的。日本專利申請?zhí)亻_No. 2007-134694公開了通過電磁感應系統(tǒng)用于通信數(shù)據(jù)的半 導體器件。該半導體器件具有線圈天線及連接到該線圈天線的半導體集成電路。當將連接到讀取器/寫入器的線圈天線接近半導體器件時，連接到讀取器/寫入器的線圈天線產(chǎn)生AC磁場。該AC磁場穿過半導體器件中的線圈天線。通過電磁感應，在天線的端子之間產(chǎn)生電動勢，并且使半導體器件中的半導體集成電路工作。日本專利申請?zhí)亻_No. 2005-311331公開了以下結構，在所述結構中，集成電路和天線形成在同一基板上，并且包括在天線中的導電線或導電膜形成在兩個層中，以將在其上形成有集成電路的基板夾在中間。在其中，描述了以下示例，在所述示例中，兩層導電線分別是用于給集成電路供電的天線和用于傳送/接收信號的天線。日本專利申請?zhí)亻_No. 2005-228785公開了以下結構，在所述結構中，在半導體芯片的電路的外圍之外的區(qū)域中設置線圈天線。日本專利申請?zhí)亻_No. 2005-30877公開了以下技術，在所述技術中，在半導體集成電路器件中安裝內置測試電路和無線通信電路，并且該內置測試電路由無線電信號控制以進行測試。另一方面，日本專利譯文公布No. 2006-504274公開了其中提供導電結構作為無源組件的結構，該無源組件用于抵抗在鍵合導電鍵合焊盤層時的機械力，以機械地穩(wěn)定絕緣層。在此，在鍵合焊盤層下提供包括在模擬電路中的無源組件，并且在無源組件和鍵合焊盤層之間提供用于阻止無源組件和鍵合焊盤層耦合的屏蔽層。本發(fā)明人已經(jīng)意識到以下問題。傳統(tǒng)地，為了以半導體器件的晶片級對內部電路進行測試，通過利用探針的探測，對半導體器件的芯片表面上的用于電源的焊盤供電，并且，利用經(jīng)由探針的用于信號的焊盤來傳送/接收信號，以測試內部電路的操作。然而，在探針測試期間，探針的針會劃傷焊盤，這將導致在之后的焊盤鍵合中的不良連接，或者，導致由于焊盤的削屑而產(chǎn)生的污染。此外，隨著芯片尺寸減小以及隨著每個芯片的焊盤數(shù)的增加，焊盤尺寸和在焊盤之間的間隔變小，并且因此，相應地，變得難以在多個焊盤與相應的多個探針之間實現(xiàn)符合要求的電連接。為了避免這些問題，優(yōu)選地以非接觸方式，來相對于內部電路執(zhí)行供電以及信號的傳送/接收。然而，為了使用，例如，電磁感應來從/向內部電路執(zhí)行各種信號的傳送/接收，以代替多個焊盤，以便對應于向/從多個焊盤輸入/輸出信號，需要多個電感器，并且因此，電感器需要較大的覆蓋區(qū)。如日本專利申請?zhí)亻_No. 2007-134694、No. 2005-311331以及No. 2005-228785中所公開的，在芯片的外圍上設置用于信號傳送/接收的線圈天線的結構中，不能設置多個天線。此外，在日本專利申請?zhí)亻_No. 2005-30877公開的技術中，僅僅在假設相對于一個芯片設置用于天線的一個線圈的情況下，而且使用從外部輸入的無線電信號的載波來產(chǎn)生功率。此外，在日本專利譯文公布No. 2006-504274中公開的無源組件中，不采取將無線電信號從/向外部輸入/輸出，并且在無源組件和鍵合焊盤層之間提供屏蔽層使得信號不能從/向外部輸入/輸出。

發(fā)明內容
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種半導體器件，包括基板；焊盤，其提供在基板上方；以及 第一信號傳送/接收部，其提供在基板上方并且在鍵合焊盤下方，用于通過電磁感應，以非接觸方式向/從外部執(zhí)行信號傳送/接收。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種信號傳送/接收的方法，包括以非接觸方式使外部器件接近半導體器件，該半導體器件包括基板、提供在基板上方的鍵合焊盤以及第一信號傳送/接收部，所述第一信號傳送/接收部提供在基板上方并且在鍵合焊盤下方，用于通過電磁感應，以非接觸方式向/從外部執(zhí)行信號傳送/接收，該外部器件包括第一外部信號傳送/接收部，所述第一外部信號傳送/接收部提供在與第一信號傳送/接收部相對應的位置處，用于通過電磁感應，以非接觸方式向/從第一信號傳送/接收部執(zhí)行信號傳送/接收；以及在第一外部信號傳送/接收部和第一信號傳送/接收部之間，執(zhí)行信號傳送/接收。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種半導體器件的制造方法，包括以非接觸方式使外部器件接近半導體器件，該半導體器件包括基板、提供在基板上方的鍵合焊盤以及第一信號傳送/接收部，所述基板具有芯片形成區(qū)域以及提供在芯片形成區(qū)域外圍上的劃線區(qū)域，所述第一信號傳送/接收部提供在基板上方并且在鍵合焊盤下方，用于通過電磁感應，以非接觸方式向/從外部執(zhí)行信號傳送/接收，該外部器件包括第一外部信號傳送/接收部，所述第一外部信號傳送/接收部提供在與第一信號傳送/接收部相對應的位置處，用于通過電磁感應，以非接觸方式向/從第一信號傳送/接收部執(zhí)行信號傳送/接收；在第一外部信號傳送/接收部和第一信號傳送/接收部之間，執(zhí)行信號傳送/接收；沿著劃線區(qū)域將半導體器件切割成芯片；以及 在通過切割半導體器件而形成的每個芯片中，經(jīng)由鍵合引線將鍵合焊盤連接到外部端子。 利用該結構，不需要增加芯片尺寸以便提供信號傳送/接收部。此外，可以有效地設置信號傳送/接收部以及鍵合焊盤，并且可以抑制芯片尺寸的增加。在此，當以晶片級對半導體器件的內部電路進行測試時，可以提供信號傳送/接收部代替用于利用探針的探測的焊盤。傳統(tǒng)地，需要在鍵合焊盤中提供用于探針的區(qū)域和用于引線鍵合的區(qū)域，這就增加了鍵合焊盤的尺寸。然而，根據(jù)本發(fā)明的結構，因為不需要提供用于探針的區(qū)域，所以可以減小鍵合焊盤的面積，并且，整體地，可以極大地抑制芯片尺寸的增加。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種用于測試半導體器件的測試器裝置，該半導體器件包括基板、提供在該基板上方的鍵合焊盤以及第一信號傳送/接收部，所述第一信號傳送/接收部提供在基板上方并且在鍵合焊盤下方，用于通過電磁感應，以非接觸方式向/從外部執(zhí)行信號傳送/接收，該測試器裝置包括第一外部信號傳送/接收部，所述第一外部信號傳送/接收部提供在與第一信號傳送/接收部相對應的位置處，用于通過電磁感應，以非接觸方式向/從第一信號傳送/接收部執(zhí)行信號傳送/接收。通過使用具有此結構的測試器，當以晶片級進行內部電路測試時，可以使用提供的信號傳送/接收部代替用于利用探針的探測的焊盤，以非接觸方式進行半導體器件的測
試。 注意，上述組件的任意組合，以及以方法、裝置等形式的本發(fā)明的實現(xiàn)作為本發(fā)明的實施例也是有效的。根據(jù)本發(fā)明，當以非接觸方式向/從外部執(zhí)行信號傳送/接收時，可以抑制芯片尺寸的增加。


結合附圖，根據(jù)某些優(yōu)選實施例的以下描述，本發(fā)明的以上和其他目的、優(yōu)點和特征將更加明顯，其中圖I是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的半導體器件的示例性結構的截面圖；圖2是在圖I中所示的半導體器件的平面圖；圖3是在圖I中所示的半導體器件的另一個平面圖；圖4是示出在圖I中所示的半導體器件和用于向/從該半導體器件傳送/接收信號的測試器的結構的截面圖；圖5是示出半導體器件和測試器的示例性結構的框圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導體器件的示例性結構的截面圖；圖7是示出在圖6中所示的半導體器件和用于向/從該半導體器件傳送/接收信號的測試器的結構的截面圖；圖8A和圖SB示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導體器件的示例性結構；圖9A和圖9B示出了根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導體器件的示例性結構；圖10是示出根據(jù)本發(fā)明第五實施例的半導體器件的示例性結構的平面圖；圖IIA和圖IlB是沿著圖10的線B-B’截取的截面圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參考附圖，描述本發(fā)明的實施例。注意，整個附圖中，相似或相同的組成元件由相似的附圖標號來表示，并且適當?shù)厥÷云涞拿枋?。在本發(fā)明的實施例中，當以晶片級對半導體器件的內部電路進行測試時，將其中提供信號傳送/接收部代替出于利用探針進行探測的目的而提供焊盤的情況描述為示例。當以晶片級對半導體器件的內部電路進行測試時，以非接觸方式，通過短距離通信，信號傳送/接收部向/從外部測試器傳送/接收各種測試信號。在本發(fā)明的實施例中，信號傳送/接收部可以是電感器。圖I到圖3示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導體器件100的示例性結構。圖I是半導體器件100的截面圖，并且圖2和圖3是半導體器件100的平面圖。圖I是沿著圖2和圖3中的線A-A’截取的截面圖。如圖I所示，半導體器件100包括半導體基板102(基板)和提供在半導體基板102上的絕緣膜104。半導體器件100還包括提供在半導體基板102上的絕緣膜104中的電感器112 (第一信號傳送/接收部)以及提供在半導體基板102上方的鍵合焊盤110，以便疊置在電感器112上。在此，半導體器件100可以處于在將半導體基板102分割成芯片之前的狀態(tài)。半導體基板102可以是，例如，諸如硅晶片的半導體晶片。
通過電磁感應，以非接觸方式，電感器112向/從外部執(zhí)行信號傳送/接收。當以晶片級對內部電路進行測試時，可以提供電感器112代替?zhèn)鹘y(tǒng)半導體器件中出于利用探針進行探測的目的而提供的焊盤。傳統(tǒng)地，當利用探針進行探測時，焊盤被劃傷，并且，當在劃傷位置處執(zhí)行鍵合時，可以導致不良的鍵合連接。因此，需要提供用于探針的區(qū)域和用于引線鍵合的區(qū)域，這增加了焊盤的尺寸。另一方面，根據(jù)該實施例，鍵合焊盤110僅僅需要包括用于引線鍵合的區(qū)域，并且因此焊盤的尺寸可以小于傳統(tǒng)焊盤的尺寸。此外，在平面圖中，形成的電感器112小于鍵合焊盤110，并且因此，不需要將芯片尺寸變得更大以便提供電感器112。注意，根據(jù)該實施例，電感器112可以由單層形成的導體形成。這能夠減少電感器112的尺寸。在半導體器件100的表面上提供鍵合焊盤110，來為隨后執(zhí)行的引線鍵合做準備。在將半導體基板102切割成芯片之后，鍵合焊盤110被安裝在諸如主板的另一種基板上，并且經(jīng)由鍵合引線(未示出)連接到基板的端子。經(jīng)由鍵合引線，來自外部的信號被輸入到鍵合焊盤110。在該實施例中，鍵合焊盤110被提供在絕緣膜104上，并且暴露在半導體器件100的表面上。圖2是示意性示出半導體器件100表面的平面圖。注意，在此僅僅示出了一個芯片形成區(qū)域，但是半導體器件100可以包括由劃線圍繞的多個相似的芯片形成區(qū)域。半導體器件100進一步包括形成在半導體基板102上的內部電路124和供電電路120。內部電路124包括多個輸入/輸出端子124a。在該實施例中，電感器112以及在電感器112上疊置的相應鍵合焊盤110可以適于連接到內部電路124的相同的輸入/輸出端子124a。此外，供電電路120連接到內部電路124的輸入/輸出端子124a中的任何一個。在此，通過實線示出電感器112，以便在平面圖中明確鍵合焊盤110和電感器112之間的關系。然而，實際上，電感器112提供在與其中提供鍵合焊盤110的層不同的層中。此外，供電電路120和內部電路124也通過實線示出，但是，實際上，供電電路120和內部電路124也可以提供在與其中提供了鍵合焊盤110的層不同的層中。內部電路124可以適于包括，例如，晶體管。圖3是示意性示出了其中提供半導體器件100的電感器112的層的結構的平面圖。電感器112可以是線圈狀的。在此，為了在平面圖中明確鍵合焊盤110和電感器112之間的關系，通過虛線來示出鍵合焊盤110。此外，通過實線來示出供電電路120和內部電路124，但是，實際上，供電電路120和內部電路124可以提供在與其中提供電感器112的層不同的層中。例如，在圖2和圖3示出的示例中，在半導體器件110的表面上提供了九個鍵合焊盤，并且在每個鍵合焊盤Iio下提供一個電感器112。內部電路124的輸入/輸出端子124a分別連接鍵合焊盤110和電感器112的對。在平面圖中，電感器112的尺寸可以基本上與鍵合焊盤110的尺寸相同。具體地，可以提供電感器112使得其尺寸相對于鍵合焊盤110的尺寸而言不過分的大。這可以抑制由于提供電感器112而引起的芯片尺寸的增加。在該實施例中，由每個電感器112占據(jù)的面積小于由每個鍵合焊盤110占據(jù)的面積。注意，鍵合焊盤110僅僅需要包括用于引線鍵合的區(qū)域，并且因此鍵合焊盤110的尺寸可以小于傳統(tǒng)鍵合焊盤的尺寸。以上描述的該結構使得可以有效地設置鍵合焊盤110和電感器112，并且可以抑制芯片尺寸的增加。
圖4是示出了半導體器件100和用于給半導體器件100提供信號的測試器200的結構的截面圖。測試器200包括在測試器側的基板202以及在測試器側的多個電感器210。分別在與半導體器件100的多個電感器112相對應的位置處，提供在測試器200側的多個電感器 210。圖5是示出半導體器件100和測試器200的示例性結構的框圖。內部電路124可以包括與多個電感器112相對應的多個晶體管126。晶體管126的柵極分別被連接到鍵合焊盤110和電感器112的對。在此，可以提供鍵合焊盤110以便被疊置在電感器112上，電感器112由圍繞鍵合焊盤110的同一虛線圍繞。晶體管126的柵極分別對應于輸入/輸出端子124a。每個晶體管126的源極和漏極中的一個接地，并且另一個經(jīng)由電源線128連接到供電電路120?？梢詫雽w基板102的后表面接地使得每個晶體管126的源極和漏極中的一個通過連接到半導體基板102的后表面而接地。接下來，參考圖4和圖5，描述在該實施例中當以晶片級對半導體器件100的內部電路124進行測試時的操作。首先，以非接觸方式使測試器200接近半導體器件100的一個芯片，使得在測試器200側的電感器210分別與半導體器件100的電感器112相對。然后，將具有預定頻率的無線電波分別從在測試器200的測試器側上的電感器210輸出到半導體器件100。在此，從測試器側上的電感器210輸出測試信號，以及將電源電壓從供電電路120提供給內部電路124。半導體器件100的電感器112將從測試器側上的電感器210輸出的信號轉換為AC電信號。雖然在圖4和圖5中未不出，但是半導體器件100可以適于包括分別與電感器112相對應的轉換電路。在該情況下，電感器112可以適于經(jīng)由轉換電路分別連接到輸入/輸出端子124a。轉換電路解調由電感器112轉換的AC電信號以及將所解調的信號提供給內部電路124。當將信號從半導體器件100輸出到測試器200時，由內部電路124提供的電信號通過轉換電路調制并被提供到電感器112。電感器112將所調制的信號作為無線電波分別輸出到測試器200的測試器側上的相應的電感器210。以此方式，在半導體器件100和測試器200之間傳送/接收數(shù)據(jù)。當如上所述，以晶片級進行內部電路124的測試之后，沿著劃線區(qū)域將半導體器件100切割為芯片。在通過切割半導體器件100所形成的每個芯片中，通過將鍵合焊盤110經(jīng)由鍵合引線連接到外部端子，形成半導體封裝。在那之后，分別經(jīng)由鍵合引線從外部輸入信號，以及將信號輸入內部電路124。在該實施例中，電感器112和在電感器112上疊置的相應的鍵合焊盤110連接到內部電路124的相同的輸入/輸出端子124a。因此，當以晶片級進行內部電路124的測試時，信號可以適于經(jīng)由電感器112分別向/從輸入/輸出端子124a輸入/輸出，并且，在形成芯片形成之后，信號可以適于經(jīng)由鍵合焊盤110分別向/從輸入/輸出端子124a輸入/輸出。這使得可以當以晶片級進行內部電路的測試時，使用電感器112代替出于利用探針進行探測的目的而傳統(tǒng)地提供的焊盤。如上所述，根據(jù)該實施例，當以晶片級進行內部電路124的測試時，不同于其中探針用于探測鍵合焊盤110的傳統(tǒng)情況，包括在測試器側上的電感器210的測試器200被用于以非接觸方式，向/從半導體器件100的電感器112傳送/接收信號。將在測試器200和 半導體器件100的電感器112之間傳送/接收的信號經(jīng)由電感器112向/從內部電路124輸入/輸出。在測試完成并且將半導體器件100切割成芯片之后，經(jīng)由鍵合引線，將鍵合焊盤110分別連接到外部端子。向/從外部端子傳送/接收的信號經(jīng)由鍵合引線和鍵合焊盤110分別向/從內部電路124輸入/輸出。具體地，在該實施例中，出于將向/從諸如測試器200的外部器件傳送/接收的信號向/從內部電路124輸入/輸出的目的，提供電感器112。因此，使電感器112適于以非接觸方式向/從外部器件傳送/接收信號。更具體地，在該實施例中，中斷向/從電感器112進行信號傳送/接收的構件不能適于提供在鍵合焊盤110和電感器112之間。接下來，描述根據(jù)該實施例的半導體器件100的效果。根據(jù)該實施例的半導體器件100的結構，可以有效地設置電感器112和鍵合焊盤110，其可以抑制芯片尺寸的增加。具體地，不需要將芯片尺寸做更大以便設置用作端子的電感器，該端子僅僅用于晶片級的非接觸測試。此外，鍵合焊盤110的尺寸也可以做得更小，并且，整體上，可以極大地抑制芯片尺寸的增加。此外，根據(jù)該實施例的電感器112可以由單層形成的導體形成，這就使得能夠緊密。在該實施例中，將電感器112用于短距離通信，并且因此不需要非常高的Q值，并且因此，即使電感器112由單層形成的導體形成，也能夠毫無任何問題地傳送/接收信號。接下來，將描述根據(jù)本發(fā)明的半導體器件100的其他實施例。圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導體器件100的示例性結構的截面圖。該實施例與參考圖I至圖5描述的實施例的不同之處在于多個電感器被提供在每個鍵合焊盤110下。電感器112c、電感器112b以及電感器112a在半導體基板102上方以該次序堆疊。電感器112c、電感器112b以及電感器112a可以是相互獨立的電感器，使得由各個電感器檢測到的信號的相位相互不同。在此，在每個鍵合焊盤110下類似地提供多個電感器(電感器112c、電感器112b以及電感器112a)。圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導體器件100和用于將信號提供給半導體器件100的測試器200的結構的截面圖。當半導體器件100具有如圖6中所示的結構時，測試器200也包括所提供的多個電感器，以便在與半導體器件100的堆疊電感器相對應的位置處堆疊。具體地，測試器200包括多個電感器，S卩，在測試器側上的電感器210 c、在測試器側上的電感器210b以及在測試器側上的電感器210a，其以該次序堆疊在基板202中，以便在平面圖中彼此疊置。在此，在測試器側上的電感器210c、在測試器側上的電感器210b以及在測試器側上的電感器210a可以適于分別與半導體器件100的電感器112c、電感器112b以及電感器112a相對應。更具體地，在測試器側上的電感器210c和電感器112c可以適于傳送/接收具有相同相位的信號，在測試器側上的電感器210b和電感器112b可以適于傳送/接收具有相同相位的信號，以及在測試器側上的電感器210a和電感器112a可以適于傳送/接收具有相同相位的信號。即使在上述的其中設置多個電感器以便將其堆疊的情況下，通過移動要被傳送/接收的信號的相位，也可以防止電感器之間的干擾。注意，如在該實施例中所示，當多個電感器112a到112c適于被堆疊在每個鍵合焊盤110下時，不需要將所有的堆疊電感器112a到112c分別與連接到相應鍵合焊盤110的內部電路124的輸入/輸出端子124a連接。當經(jīng)由與形成在其上方的鍵合焊盤110連接的輸入/輸出端子124a來進行內部電路124的測試時，可以僅僅使用堆疊的多個電感器112a到112c的一部分，同時剩余的電感器可以用于向/從其他端子輸入/輸出信號。還是在該實施例中，電感器112a到112c中的每個可以由單層形成的導體形成。堆疊的電感器112a到112c沒有相互電連接。在該實施例中，電感器112a到112c用于短距離通信，并且因此不需要非常高的Q值。因此，即使電感器由單層形成的導體形成，也能夠毫無任何問題地傳送/接收信號。圖8A是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導體器件100的示例性結構的截面圖。在該實施例中，類似于圖6中所示的情況，在每個鍵合焊盤110下方提供多個電感器，但是該實施例與參考圖6描述的實施例的不同在于，在平面圖中，在相互移位的位置處提供電感器。圖SB是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的用于將信號提供給半導體器件100的測試器200的結構的截面圖。當半導體器件100具有如圖8A中所示的結構時，在與半導體器件100的電感器112a、電感器112b以及電感器112c相對應的位置處，提供測試器200的電感器，在平面圖中，其被相互移位。在此，在測試器側上的電感器210c、在測試器側上的電感器210b以及在測試器側上的電感器210a可以適于分別向/從半導體器件100的電感器112c、電感器112b以及電感器112a輸入/輸出信號。上述的此種結構可以更容易地在半導體器件100的電感器與測試器200的電感器之間進行通信，其傳送/接收具有相同相位的信號。圖9A是示出根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導體器件100的示例性結構的平面圖。在該實施例中，類似于在圖8A和圖8B中所示的實施例，在平面圖中相互移位的位置處提供多個電感器，但是該實施例與參考圖8A和圖SB描述的實施例的不同在于，電感器被提供使得在平面圖中其不相互重疊。此外，在平面圖中，部分電感器與每個鍵合焊盤的外邊緣保持距離。圖9B也是示出根據(jù)本發(fā)明第四實施例的用于將信號提供給半導體器件100的測試器200的結構的截面圖。當半導體器件100具有如圖9A中所示的結構時，在與半導體器件100的電感器112a、電感器112b以及電感器112c相對應的位置處提供測試器200的電感器。在此，在測試器側上的電感器210c、在測試器側上的電感器210b以及在測試器側上的電感器210a可以適于分別向/從半導體器件100的電感器112c、電感器112b以及電感器112a輸入/輸出信號。上述的此種結構可以更容易地在半導體器件100的電感器與測試器200的電感器之間進行通信，其傳送/接收具有相同相位的信號。此外，還是在該情況下，因為將電感器提供為疊置在半導體器件100中的每個鍵合焊盤110上，所以還能夠抑制芯片尺寸的增加。圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明第五實施例的半導體器件100的示例性結構的平面圖。圖IlA和圖IlB是沿著圖10中的線B-B’截取的截面圖。在該實施例中，在每個鍵合焊盤110下形成多個(四個)電感器，S卩，電感器112d、電感器112e、電感器112f以及電感器112g。在同一層中形成電感器112d、電感器112e、電 感器112f以及電感器112g。圖IlB也是示出了根據(jù)本發(fā)明第五實施例的用于將信號提供給半導體器件100的測試器200的結構的截面圖。在此，僅僅示出了分別與電感器112f和112d相對應的測試器側上的電感器210f和測試器側上的電感器210d，但是測試器200包括在分別與半導體器件100的電感器112d、電感器112e、電感器112f以及電感器112g相對應的位置處提供多個(四個)電感器。當電感器的尺寸小于鍵合焊盤110的尺寸時，上述的這種設置可以進一步抑制芯片尺寸的增加。以上已經(jīng)參考附圖描述了根據(jù)本發(fā)明的實施例，但是那些實施例僅僅用于示例本發(fā)明，并且還可以采用除了上述之外的各種結構。此外，在上述的實施例中，描述了以下情況，在該情況中，當以晶片級進行半導體器件的內部電路測試時，使用諸如電感器的信號傳送/接收部，以非接觸方式從/向外部測試器接收/傳送不同的測試信號，但是也可以在形成芯片之后使用本發(fā)明，以非接觸方式傳送/接收各種信號。此外，不需要在半導體器件100中包括的所有鍵合焊盤110下提供信號傳送/接收部。此外，可以僅僅在部分鍵合焊盤110下提供多個堆疊或重疊的信號傳送/接收部。此夕卜，不需要將在鍵合焊盤110下提供的諸如電感器的所有信號傳送/接收部用于與諸如測試器200的外部器件進行無線通信。在該情況下，理所當然地，測試器200也不包括在測試器側上的與信號傳送/接收部相對應的電感器，該信號傳送/接收部不用于無線通信。顯然，本發(fā)明不限于以上的實施例，而是可以在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下進行修訂和修改。
權利要求
1.一種半導體器件，包括 基板； 鍵合焊盤，提供在所述基板上方； 第一信號傳送/接收部，提供在所述基板上方并且在所述鍵合焊盤下方； 內部電路，提供在所述基板上；其中 所述內部電路連接到所述第一信號傳送/接收部。
2.根據(jù)權利要求I所述的半導體器件，其中所述第一信號傳送/接收部通過電磁感應，以非接觸方式向/從外部執(zhí)行信號傳送/接收。
3.根據(jù)權利要求I所述的半導體器件，其中所述鍵合焊盤連接到所述第一信號傳送/接收部。
4.根據(jù)權利要求I所述的半導體器件，進一步包括第二信號傳送/接收部，所述第二信號傳送/接收部提供在所述基板上方并且在所述鍵合焊盤下方，用于通過電磁感應，以非接觸方式向/從外部執(zhí)行信號傳送/接收。
5.根據(jù)權利要求4所述的半導體器件，其中，在同一層中提供所述第一信號傳送/接收部和所述第二信號傳送/接收部。
6.根據(jù)權利要求4所述的半導體器件，其中，在不同層中提供所述第一信號傳送/接收部和所述第二信號傳送/接收部。
7.根據(jù)權利要求6所述的半導體器件，其中，以一個處于另一個上方地提供所述第一信號傳送/接收部和所述第二信號傳送/接收部。
8.根據(jù)權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第一信號傳送/接收部和所述第二信號傳送/接收部檢測不同相位的信號。
9.根據(jù)權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第一信號傳送/接收部和所述第二信號傳送/接收部中的每個由單層形成的導體形成。
10.根據(jù)權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第一信號傳送/接收部和所述第二 信號傳送/接收部包括電感器。
11.根據(jù)權利要求I所述的半導體器件，其中，所述第一信號傳送/接收部由單層形成的導體形成。
12.根據(jù)權利要求I所述的半導體器件，其中，所述第一信號傳送/接收部包括電感器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導體器件，包括基板；鍵合焊盤，提供在所述基板上方；第一信號傳送/接收部，提供在所述基板上方并且在所述鍵合焊盤下方；內部電路，提供在所述基板上；其中所述內部電路連接到所述第一信號傳送/接收部。
文檔編號H01L23/64GK102790031SQ20121025131
公開日2012年11月21日 申請日期2009年2月1日 優(yōu)先權日2008年1月29日
發(fā)明者中柴康隆 申請人:瑞薩電子株式會社