專(zhuān)利名稱(chēng)：光電轉(zhuǎn)換設(shè)備和制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施例的一個(gè)公開(kāi)方面涉及光電轉(zhuǎn)換設(shè)備和制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法。
背景技術(shù)：
具有焦點(diǎn)檢測(cè)功能的數(shù)碼攝像機(jī)和數(shù)字照相機(jī)在通常使用中已變得普及。在這些照相機(jī)中采用CCD類(lèi)型和CMOS類(lèi)型的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備。提出了以下光電轉(zhuǎn)換設(shè)備在其中結(jié)合用以根據(jù)作為一個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)方法的光瞳分割相位差方法來(lái)執(zhí)行焦點(diǎn)檢測(cè)的像素。日本專(zhuān)利公開(kāi)No. 2009-109965公開(kāi)了以下光電轉(zhuǎn)換設(shè)備其中結(jié)合用于焦點(diǎn)檢測(cè)的像素，其中每個(gè)像素都是通過(guò)使用遮光膜相對(duì)于光來(lái)屏蔽光電轉(zhuǎn)換元件的一部分而被提供的。然而，日本專(zhuān)利公開(kāi)No. 2009-109965不包括關(guān)于確定用于焦點(diǎn)檢測(cè)的像素的特征的遮光膜布置的討論。遮光膜的布置從準(zhǔn)確執(zhí)行焦點(diǎn)檢測(cè)的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)是重要的
發(fā)明內(nèi)容
·實(shí)施例的一個(gè)公開(kāi)方面提供一種遮光膜的布置，以準(zhǔn)確執(zhí)行焦點(diǎn)檢測(cè)，以及提供制造遮光膜的方法。根據(jù)實(shí)施例，提供了光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，包括多個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)像素，每個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)像素都包括光電轉(zhuǎn)換元件，光電轉(zhuǎn)換元件具有光接收表面；以及多個(gè)布線層，用以讀取由光電轉(zhuǎn)換元件提供的信號(hào)，其中，光電轉(zhuǎn)換設(shè)備進(jìn)一步包括遮光膜，該遮光膜覆蓋光電轉(zhuǎn)換元件的一部分并具有被放置得比多個(gè)布線層中的最下方布線層的下表面更接近以下平面的下表面該平面包括光電轉(zhuǎn)換元件的光接收表面并與光接收表面平行。根據(jù)另一實(shí)施例，提供了制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法，所述光電轉(zhuǎn)換設(shè)備包括多個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)像素，每個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)像素都包括光電轉(zhuǎn)換元件；以及多個(gè)布線層，用以讀取由光電轉(zhuǎn)換元件提供的信號(hào)，所述方法包括以下步驟形成覆蓋光電轉(zhuǎn)換元件的絕緣膜；在絕緣膜中形成接觸孔；在接觸孔中形成接觸插頭；在絕緣膜中形成槽，槽覆蓋光電轉(zhuǎn)換元件的一部分；以及在槽中形成不透明膜。根據(jù)又一實(shí)施例，提供了制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法，所述光電轉(zhuǎn)換設(shè)備包括多個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)像素，每個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)像素都包括光電轉(zhuǎn)換元件；以及多個(gè)布線層，用以讀取由光電轉(zhuǎn)換元件提供的信號(hào)，所述方法包括以下步驟形成覆蓋光電轉(zhuǎn)換元件的第一絕緣膜；形成覆蓋第一絕緣膜的不透明膜；對(duì)不透明膜進(jìn)行圖案化以形成覆蓋光電轉(zhuǎn)換元件的一部分的遮光膜；形成覆蓋遮光膜的第二絕緣膜；以及在第二絕緣膜上形成多個(gè)布線層中的最下方布線層。本公開(kāi)內(nèi)容的更多特征將會(huì)根據(jù)參照附圖對(duì)示范性實(shí)施例的以下描述而變得清
/E. o


圖I是用以說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的剖視圖。
圖2A是用以說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法的剖視圖。圖2B是用以說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法的剖視圖。圖2C是用以說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法的剖視圖。圖2D是用以說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法的剖視圖。圖2E是用以說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法的剖視圖。圖2F是用以說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法的剖視圖。圖3A是用以說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的電路圖。圖3B是用以說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的平面圖。
圖4A是用以說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的平面圖。圖4B是用以說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的平面圖。圖5A是用以說(shuō)明根據(jù)第二實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的剖視圖。圖5B是用以說(shuō)明根據(jù)第二實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的修改的剖視圖。圖6是用以說(shuō)明根據(jù)第三實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的剖視圖。圖7A是用以說(shuō)明根據(jù)第三實(shí)施例的制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法的剖視圖。圖7B是用以說(shuō)明根據(jù)第三實(shí)施例的制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法的剖視圖。圖7C是用以說(shuō)明根據(jù)第三實(shí)施例的制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法的剖視圖。圖7D是用以說(shuō)明根據(jù)第三實(shí)施例的制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法的剖視圖。圖7E是用以說(shuō)明根據(jù)第三實(shí)施例的制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法的剖視圖。圖8A是用以說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的剖視圖。圖SB是用以說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的剖視圖。
具體實(shí)施例方式根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備包括多個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)像素和布置在所述焦點(diǎn)檢測(cè)像素上方的多個(gè)布線層，每個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)像素都包括光電轉(zhuǎn)換元件。光電轉(zhuǎn)換設(shè)備還包括遮光膜，遮光膜覆蓋光電轉(zhuǎn)換元件的一部分并且具有比多個(gè)布線層中的最下方布線層的下表面更接近光電轉(zhuǎn)換元件的表面的下表面。在存在如此布置的遮光膜的情況下，在接近光電轉(zhuǎn)換元件表面的位置處進(jìn)行光瞳分割，從而可以增加焦點(diǎn)檢測(cè)的準(zhǔn)確性。根據(jù)其它實(shí)施例，提供了制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法，光電轉(zhuǎn)換設(shè)備包括每個(gè)都包括光電轉(zhuǎn)換元件的多個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)像素、以及多個(gè)布線層。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的制造方法包括以下步驟形成覆蓋光電轉(zhuǎn)換元件的絕緣膜；在絕緣膜中形成接觸孔；在接觸孔中形成接觸插頭；在絕緣膜中形成槽，槽覆蓋光電轉(zhuǎn)換元件的一部分；以及在槽中形成不透明膜。根據(jù)其它實(shí)施例的制造方法包括以下步驟形成覆蓋光電轉(zhuǎn)換元件的第一絕緣膜，形成覆蓋第一絕緣膜的不透明膜，對(duì)不透明膜進(jìn)行圖案化以形成覆蓋光電轉(zhuǎn)換元件的一部分的遮光膜，形成覆蓋遮光膜的第二絕緣膜，以及在第二絕緣膜上形成多個(gè)布線層中的最下方布線層。通過(guò)這些制造方法，可以容易地形成使得能夠高度準(zhǔn)確地執(zhí)行焦點(diǎn)檢測(cè)的遮光膜。在實(shí)施例的以下描述中，把從半導(dǎo)體襯底的表面朝向半導(dǎo)體襯底內(nèi)部的方向定義成向下方向，把與該方向相反的方向定義成向上方向。進(jìn)一步地，布線層包括多個(gè)布線圖案。因此，也可以把布線層的上表面和下表面分別稱(chēng)為布線圖案的上表面和下表面。第一實(shí)施例
下面將參照?qǐng)DI至4B描述根據(jù)第一實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備。首先，參照?qǐng)D3A和3B描述根據(jù)第一實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備中的圖像拾取區(qū)域和像素電路。圖3A是一個(gè)像素的電路圖。根據(jù)第一實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備中的用于圖像拾取的像素和用于焦點(diǎn)檢測(cè)的像素中的每個(gè)像素具有圖3A中示出的電路配置。以下描述是在圖3A中晶體管是N型MOSFET并且信號(hào)載流子(電荷載流子)是電子的情況下進(jìn)行的。參照?qǐng)D3A，像素301包括作為光電轉(zhuǎn)換元件的光電二極管(在下文中稱(chēng)作“PD”)302以及多個(gè)晶體管。多個(gè)晶體管包括傳送晶體管303、復(fù)位晶體管304、放大晶體管305、以及選擇晶體管306。傳送晶體管303把來(lái)自32 (PD 32連接到傳送晶體管303的源極)的信號(hào)載流子傳送給連接到傳送晶體管303的漏極的浮置擴(kuò)散部分(在下文中稱(chēng)作“FD部分”)。圖3A中的節(jié)點(diǎn)308是FD部分的節(jié)點(diǎn)。節(jié)點(diǎn)308包括傳送晶體管303的漏極、放大晶體管305的柵極電極、以及復(fù)位晶體管304的源極。放大晶體管305輸出取決于FD部分的電勢(shì)的信號(hào)，即，取決于信號(hào)載流子的信號(hào)。選擇晶體管306連接到信號(hào)線307，選擇晶體管306控制輸出來(lái)自放大晶體管305的信號(hào)的時(shí)刻。復(fù)位晶體管304把FD部分的電勢(shì)復(fù)位。換言之，復(fù) 位晶體管304排出已經(jīng)傳送到FD部分的信號(hào)載流子。在此實(shí)施例中，信號(hào)拾取像素和焦點(diǎn)檢測(cè)像素中的每個(gè)具有上述像素電路。光電轉(zhuǎn)換元件不限于光電二極管，它可以是例如光門(mén)(photogate)。進(jìn)一步地，多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件可以共用多個(gè)晶體管。因此，電路配置可以可選地改變?yōu)槔缡褂貌话ㄟx擇晶體管的像素電路、或者使用P型MOSFET作為放大晶體管。圖3B是包括用于圖像拾取的像素和用于焦點(diǎn)檢測(cè)的像素的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的示意性平面圖。圖像拾取區(qū)域320包括以二維圖案布置的每個(gè)都具有圖3A中示出的電路的像素301。在圖像拾取區(qū)域320中，圖像拾取像素301a和焦點(diǎn)檢測(cè)像素301b布置在XY方向上。在一行(X方向)中和一列(Y方向)中布置焦點(diǎn)檢測(cè)像素301b,該一行和一列在圖像拾取區(qū)域320的中心處交叉。換言之，焦點(diǎn)檢測(cè)像素301b布置為十字形。然而，可以可選地改變焦點(diǎn)檢測(cè)像素301b的布置。在圖3B中，分別與圖像拾取像素301a和焦點(diǎn)檢測(cè)像素301b對(duì)應(yīng)地布置用于向光電轉(zhuǎn)換元件聚集光的光學(xué)元件，即，此實(shí)施例中的微透鏡324a和微透鏡324b。圖像拾取像素301a中的光電轉(zhuǎn)換元件具有光接收表面323。焦點(diǎn)檢測(cè)像素301b具有具有開(kāi)口 321的遮光膜322。把遮光膜322標(biāo)注成陰影線區(qū)域。焦點(diǎn)檢測(cè)像素301b中的光電轉(zhuǎn)換元件也具有與圖像拾取像素301a中的光電轉(zhuǎn)換元件的光接收表面323類(lèi)似的光接收表面，但是焦點(diǎn)檢測(cè)像素301b中的光接收表面部分地覆蓋有遮光膜322。通過(guò)使用如上所述布置的焦點(diǎn)檢測(cè)像素301b獲得用于相位差測(cè)量的光瞳分割圖像信號(hào)來(lái)執(zhí)行焦點(diǎn)檢測(cè)。通過(guò)使用除了焦點(diǎn)檢測(cè)像素301b以外的圖像拾取像素301a獲得用于在創(chuàng)建圖像時(shí)使用的信號(hào)。下面將參照?qǐng)DI描述焦點(diǎn)檢測(cè)像素301b中的遮光膜。圖I是根據(jù)第一實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的一部分的示意性剖視圖，該部分包括焦點(diǎn)檢測(cè)像素30ib中的傳送晶體管和ro。光電轉(zhuǎn)換設(shè)備包括其中布置有ro和傳送晶體管的半導(dǎo)體襯底103。半導(dǎo)體襯底103具有表面S，它可以包括N型硅半導(dǎo)體襯底的基體材料部分101和在基體材料部分101上形成的半導(dǎo)體區(qū)域102。半導(dǎo)體襯底可以進(jìn)一步包括外延層。半導(dǎo)體區(qū)域102可以是基體材料部分101的一部分或通過(guò)離子注入形成的N型半導(dǎo)體區(qū)域。在此實(shí)施例中，半導(dǎo)體區(qū)域102是通過(guò)離子注入形成的P型半導(dǎo)體區(qū)域。ro包括用于累積信號(hào)載流子的N型半導(dǎo)體區(qū)域105、以及在N型半導(dǎo)體區(qū)域105上布置的P型半導(dǎo)體區(qū)域106。PD的表面(即，其光接收表面)與半導(dǎo)體襯底103的表面S平行并包括在表面S中。傳送晶體管具有在柵極絕緣膜109上布置的柵極電極108。傳送晶體管的源極與半導(dǎo)體區(qū)域105成為整體，傳送晶體管的漏極與N型半導(dǎo)體區(qū)域107成為整體。N型半導(dǎo)體區(qū)域107作為所謂的FD部分。在半導(dǎo)體區(qū)域107的較接近半導(dǎo)體襯底103的表面S的那一側(cè)上，布置雜質(zhì)濃度比半導(dǎo)體區(qū)域107高的半導(dǎo)體區(qū)域110以便導(dǎo)通到接觸插頭115。通過(guò)元件隔離區(qū)域104把每個(gè)都包括和FD部分的各元件彼此隔離。通過(guò)STI (淺槽隔離)方法或LOCOS (硅局部氧化)方法形成元件隔離區(qū)域104?？梢栽诤虵D部分上(SP，在表面S上)布置與柵極絕緣膜109成為整體的絕緣膜或單獨(dú)絕緣膜。柵極絕緣膜109或單獨(dú)絕緣膜由例如二氧化硅制成。在上述元件上方，從半導(dǎo)體襯底103的表面S開(kāi)始依次設(shè)置絕緣膜111至114。絕緣膜ill由氮化硅制成，圍繞接觸插頭115設(shè)置，以及布置成覆蓋ro的光接收表面。絕緣膜112至114由二氧化硅制成和充當(dāng)所謂的層間絕緣膜。絕緣膜112至114被布置在半導(dǎo)體襯底103與最下方布線層之間、在相鄰布線層之間、以及在最上方布線層上。在絕緣膜 114上方，例如，從半導(dǎo)體襯底103的表面S看，依次設(shè)置由氮氧化硅制成的防反射膜130和由氮化硅制成的保護(hù)膜131。在保護(hù)膜131上方，從半導(dǎo)體襯底103的表面S看，依次布置由有機(jī)樹(shù)脂制成的平坦化膜132、濾色器133、由有機(jī)樹(shù)脂制成的平坦化膜134、以及微透鏡135。還可以在保護(hù)膜131與平坦化膜132之間布置另一防反射膜。在絕緣膜111至114中的相鄰兩個(gè)之間布置多個(gè)布線層、接觸插頭以及通孔插頭。連接到半導(dǎo)體襯底103中的元件的接觸插頭115在其側(cè)向表面處被絕緣膜111和絕緣膜112環(huán)繞。接觸插頭115的上表面在與絕緣膜112的上表面相同的高度。此處，術(shù)語(yǔ)“高度”意味著自半導(dǎo)體襯底103的表面S起的高度(S卩，距離)。把連接到接觸插頭115的第一布線層118設(shè)置在接觸插頭115和絕緣膜112上。第一布線層118的下表面124在與絕緣膜112的上表面相同的高度。表述“相同的高度”包括基本上相同高度的情形，例如，高度彼此不同的量對(duì)應(yīng)于制造半導(dǎo)體設(shè)備(即，光電轉(zhuǎn)換設(shè)備)時(shí)的誤差的情形。把連接到第一布線層118的通孔插頭116布置在絕緣膜113中。進(jìn)一步地，連接到通孔插頭116的第二布線層119被設(shè)置在絕緣膜113上并覆蓋有絕緣膜114。在多個(gè)布線層之中把第一布線層118設(shè)置得最接近半導(dǎo)體襯底103的表面S。換言之，布線層118是多個(gè)布線層之中的最下方布線層。在如此構(gòu)建的焦點(diǎn)檢測(cè)像素30ib中，在ro上設(shè)置覆蓋ro的一部分的遮光膜120。遮光膜120由不透明膜形成并由例如有機(jī)材料(比如黑樹(shù)脂)、無(wú)機(jī)材料(比如碳化硅)、或者金屬材料(比如鎢)制成。不透明膜只要透射率低可以是任何類(lèi)型的膜，它可以是并非完全不透明的。此實(shí)施例表示不透明膜由作為金屬材料的一個(gè)示例的鎢制成的情形。在遮光膜120中形成開(kāi)口 121，在開(kāi)口 121中未阻擋進(jìn)入ro的光。遮光膜120具有較接近ro側(cè)的下表面122和在與ro遠(yuǎn)離的那一側(cè)上的上表面123。把遮光膜120放置得比多個(gè)布線層之中放置得最接近半導(dǎo)體襯底103的表面S的布線層118更接近半導(dǎo)體襯底103的表面S。因而，把遮光膜120布置在比布置得最接近半導(dǎo)體襯底103表面S的布線層118低的位置處。更具體地，遮光膜120的下表面122比布線層118的下表面124更接近半導(dǎo)體襯底103的表面S。在提供如此布置的遮光膜120的情況下，在接近光電轉(zhuǎn)換元件的表面的位置處進(jìn)行光瞳分割，從而可以增加焦點(diǎn)檢測(cè)的準(zhǔn)確性。此處，表述“高”和“低”意味著把半導(dǎo)體襯底103的表面S定義成基礎(chǔ)時(shí)的相對(duì)高度(在向上方向上更高)。下面將參照?qǐng)D8A和8B描述遮光膜120的高度。圖8A和8B是示例了作為光電轉(zhuǎn)換元件的PD、遮光膜120、微透鏡801和802、以及焦點(diǎn)檢測(cè)像素301b中的入射光束803至808的示意性剖視圖。此處，通過(guò)相同的附圖標(biāo)記標(biāo)注與圖I相同的組件，略去這些組件的描述。首先參照兩個(gè)微透鏡801和802描述適用于焦點(diǎn)檢測(cè)像素的焦點(diǎn)位置。微透鏡以與像素的一對(duì)一關(guān)系不僅布置在焦點(diǎn)檢測(cè)像素301b中，而且布置在圖像拾取像素301a中。圖8A中的微透鏡801的焦點(diǎn)Fl位于遮光膜120附近，圖8B中的微透鏡802的焦點(diǎn)F2放置得比圖8A中的微透鏡801的焦點(diǎn)更遠(yuǎn)離遮光膜120。在圖8A和8B中，示例了來(lái)自兩個(gè)分割射出光瞳區(qū)域中一個(gè)分割射出光瞳區(qū)域的光束803、805和807(形成圖像A)、以及來(lái)自兩個(gè)分割射出光瞳區(qū)域中另一分割射出光瞳區(qū)域的光束804、806和808 (形成圖像B)。通過(guò)比較圖像A和圖像B，可以獲得用于在焦點(diǎn)檢測(cè)中使用的信號(hào)。在光束803至808中，通過(guò)陰影線表示的光束804至806入射在上，而未通過(guò)陰影線表示的光束803、807和808 未入射在上。如從圖8A和SB所見(jiàn)，可以阻擋形成圖像A的光束，可以允許形成圖像B的光束進(jìn)入圖8A (其中微透鏡的聚焦點(diǎn)更接近遮光膜120)中的H)。此處，當(dāng)遮光膜120遠(yuǎn)離半導(dǎo)體襯底103的表面S時(shí)，導(dǎo)致期望的光通過(guò)衍射展開(kāi)，減少入射到ro上的光的量。進(jìn)一步地，通常，多個(gè)布線層中的布線圖案或多個(gè)布線層中的一個(gè)限定入射到光電轉(zhuǎn)換元件上的光。如果把遮光膜120放置在限定用于入射光的開(kāi)口的布線層上方，即，如果把遮光膜120放置得遠(yuǎn)離半導(dǎo)體襯底103的表面S，則在把光束分開(kāi)時(shí)或在把光束分開(kāi)之后來(lái)自相鄰像素的雜散光更容易混合到相關(guān)像素中。相應(yīng)地，由于無(wú)用信息的混合，減少了對(duì)于焦點(diǎn)檢測(cè)必需的信息，或者焦點(diǎn)檢測(cè)的準(zhǔn)確性惡化。通過(guò)如圖I中所示把遮光膜120布置得比最下方布線層118更接近半導(dǎo)體襯底103的表面S，可以在最下方布線層118工作用來(lái)減少來(lái)自相鄰像素的雜散光的情況下把光束分開(kāi)。換言之，衍射光未被最下方布線層118遮蔽并且避免成為到相鄰像素中的雜散光。如從圖8A與8B之間的比較所見(jiàn)，當(dāng)遮光膜120遠(yuǎn)離半導(dǎo)體襯底103的表面S時(shí)，微透鏡的焦點(diǎn)位置也將要遠(yuǎn)離半導(dǎo)體襯底103的表面S。換言之，必需增加微透鏡的曲率。然而，制造微透鏡的通常方法難以增加微透鏡的曲率。為此，如圖I中所示，要把遮光膜120放置得接近半導(dǎo)體襯底103的表面S，S卩，比作為最接近半導(dǎo)體襯底103的布線層的布線層118更接近半導(dǎo)體襯底103的表面S。進(jìn)一步地，圖像拾取像素的微透鏡可被設(shè)計(jì)成使得微透鏡的焦點(diǎn)位于的光接收表面上。因而，通過(guò)把遮光膜120布置得比最接近半導(dǎo)體襯底103的布線層118更接近半導(dǎo)體襯底103的表面S，與圖像拾取像素的微透鏡相同的微透鏡也可用于焦點(diǎn)檢測(cè)像素，而不使焦點(diǎn)檢測(cè)的準(zhǔn)確性惡化。要注意，在圖I中，遮光膜120的上表面123基本上位于與布線層118的下表面、接觸插頭115的上表面、以及絕緣膜112的上表面相同的高度。在此實(shí)施例中，表述“基本上相同的高度”包括高度之間相差的量對(duì)應(yīng)于制造中的誤差的情形。下面將參照?qǐng)D2A至2F描述制造圖I中示出的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的一部分的方法，該部分包括焦點(diǎn)檢測(cè)像素301b。圖2A至2F各自是圖I中示出的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備中的焦點(diǎn)檢測(cè)像素301b的剖視圖。通過(guò)相同的附圖標(biāo)記標(biāo)注圖2A至2F中的與圖I對(duì)應(yīng)的組件，略去這些組件的描述。首先，如圖2A中所示，準(zhǔn)備包括在其中形成的各種元件的半導(dǎo)體襯底。雖然此處在半導(dǎo)體襯底103中只形成ro和傳送晶體管，但還在半導(dǎo)體襯底103中形成像素晶體管、構(gòu)成除了像素區(qū)域中以外電路的晶體管等(雖然未示出)。在圖2A中示出的半導(dǎo)體襯底103上形成都覆蓋元件的絕緣膜201和絕緣膜202。絕緣膜201由氮化硅制成，它后來(lái)成為絕緣膜111。絕緣膜201是通過(guò)例如等離子體CVD(化學(xué)氣相沉積)方法或低壓等離子體CVD方法形成的。絕緣膜201具有遵照柵極電極108等的形狀的表面。絕緣膜202由氮化硅或BPSG (硼磷硅玻璃)制成，它后來(lái)成為絕緣膜112。此處，通過(guò)例如等離子體CVD方法形成絕緣膜202。通過(guò)例如CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)方法使絕緣膜202的表面平坦化(圖2B)。接下來(lái)，如圖2C中所示，在絕緣膜202上形成光阻材料圖案203。光阻材料圖案203是通過(guò)把光阻材料膜圖案化成預(yù)定圖案而形成的。光阻材料圖案203具有開(kāi)口 204。在這種狀態(tài)中，在光阻材料圖案203用作掩模的情況下在絕緣膜202上進(jìn)行蝕刻。在絕緣膜201上進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻以形成用于圖I中示出的接觸插頭115的接觸孔。因而，絕緣膜·202成為具有圖2D中示出的接觸孔207的絕緣膜206。絕緣膜201可以在蝕刻絕緣膜202時(shí)充當(dāng)蝕刻停止物。在蝕刻的完成之后，去除光阻材料圖案203。在圖2C的步驟之后，在絕緣膜206上形成光阻材料圖案208。光阻材料圖案208具有開(kāi)口 209以形成圖I中示出的遮光膜120。進(jìn)一步地，光阻材料圖案208填充用于圖I中示出的接觸插頭115的接觸孔207。在使用光阻材料圖案208作為掩模的情況下在絕緣膜206上進(jìn)行蝕刻，從而形成槽210，如圖2E中所示，在槽210中要形成遮光膜120。絕緣膜206成為具有圖2E中示出的槽210的絕緣膜112。在此實(shí)施例中，控制用以形成槽210的蝕刻以使得通過(guò)蝕刻形成的槽210比接觸孔207淺。換言之，稍后形成的接觸插頭115的上表面與下表面之間的距離比遮光膜120的上表面與下表面之間的距離長(zhǎng)。在蝕刻的完成之后,去除光阻材料圖案208。在圖2E中，在半導(dǎo)體襯底103的表面S通過(guò)接觸孔207暴露的區(qū)域中形成用于與接觸插頭115相連的半導(dǎo)體區(qū)域110。半導(dǎo)體區(qū)域110是通過(guò)在使用絕緣膜112作為掩模的情況下進(jìn)行離子注入形成的。此處，通過(guò)使用可以形成n型半導(dǎo)體區(qū)域的砷或磷進(jìn)行離子注入?？梢栽趫D2C中形成接觸孔之后通過(guò)使用光阻材料圖案203進(jìn)行該離子注入。在圖2E的步驟之后，形成構(gòu)建接觸插頭115和遮光膜120的金屬膜。更具體地，例如通過(guò)CVD形成由鎢制成的金屬膜以覆蓋絕緣膜112的上表面并填充接觸孔207和槽210。隨后，通過(guò)CMP方法或蝕刻方法去除覆蓋絕緣膜112的上表面的額外金屬膜，從而形成接觸插頭115和遮光膜120。在此狀態(tài)中，接觸插頭115、遮光膜120、以及絕緣膜112的各上表面包括在基本上相同的平面中。此后，通過(guò)通用半導(dǎo)體工藝形成布線層、絕緣膜、以及插頭，從而形成圖I中示出的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備。當(dāng)然，在上述制造方法中，金屬膜、接觸插頭、以及布線層中的每個(gè)除了主要構(gòu)成它的金屬層之外還包括屏障金屬。進(jìn)一步地，雖然在此實(shí)施例中在同一步驟中(在同樣時(shí)刻)執(zhí)行形成接觸插頭115的步驟和形成遮光膜120的步驟，但可以在不同時(shí)刻執(zhí)行這些步驟。如上所述，根據(jù)此實(shí)施例的制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法可以形成使得能夠高度準(zhǔn)確地執(zhí)行焦點(diǎn)檢測(cè)的遮光膜。下面將參照?qǐng)D4A和4B描述遮光膜120的平面布局。圖4A是圖I中示出的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的示意性平面圖。圖4A的示意性平面圖是投影到當(dāng)從與表面S垂直的上部看半導(dǎo)體襯底103的表面S時(shí)的任意平面的視圖。圖4A示例了形成I3D的半導(dǎo)體區(qū)域105、柵極電極108、遮光膜120、形成FD的半導(dǎo)體區(qū)域107、以及布線層119。把柵極電極108布置在半導(dǎo)體區(qū)域105與半導(dǎo)體區(qū)域107之間，以與半導(dǎo)體區(qū)域107重疊的關(guān)系布置布線層119。以與半導(dǎo)體區(qū)域105重疊的關(guān)系布置遮光膜120。進(jìn)一步地，以與柵極電極108的至少一部分重疊的關(guān)系布置遮光膜120。此外，以與半導(dǎo)體區(qū)域107的至少一部分重疊的關(guān)系布置遮光膜120。事實(shí)上，遮光膜120布置在半導(dǎo)體區(qū)域105、柵極電極108、以及半導(dǎo)體區(qū)域107的一部分上方。換言之，把遮光膜120布置成從半導(dǎo)體區(qū)域105上方的位置延伸以便在柵極電極108和半導(dǎo)體區(qū)域107的一部分之上。上述布置可以減少除了預(yù)定光以外的光(雜散光)向光電轉(zhuǎn)換元件和半導(dǎo)體區(qū)域107中的混合。把接觸插頭115布置在半導(dǎo)體區(qū)域107中。為此，要把遮光膜120不布置成在半導(dǎo)體區(qū)域107的整個(gè)表面上方延伸。更有益地，要把遮光膜120不布置在半導(dǎo)體區(qū)域107上方。這是為了避免接觸插頭115與遮光膜120之間的電連接。如表面S中所查看的，由遮光膜120的外邊緣限定的區(qū)域的面積大于由構(gòu)成ro的 半導(dǎo)體區(qū)域105的四個(gè)側(cè)401至404限定的區(qū)域的面積。通過(guò)把遮光膜120這樣布置成大于半導(dǎo)體區(qū)域105，可以減少除了預(yù)定光以外的光(雜散光)混合到光電轉(zhuǎn)換元件中。進(jìn)一步地，使遮光膜120和布線層119彼此重疊。這種布置可以進(jìn)一步避免無(wú)用光進(jìn)入半導(dǎo)體區(qū)域107。在圖4A中，遮光膜120中的開(kāi)口 121的中心從半導(dǎo)體區(qū)域105的中心偏移。在圖4A中，通過(guò)至少三個(gè)側(cè)邊401至403限定半導(dǎo)體區(qū)域105。如上可見(jiàn),半導(dǎo)體區(qū)域105的外邊緣是由也是柵極電極108的一個(gè)側(cè)邊的側(cè)邊404、以及三個(gè)側(cè)邊401至403限定。此處，通過(guò)位置0標(biāo)注這四個(gè)側(cè)邊環(huán)繞的區(qū)域的中心，S卩，半導(dǎo)體襯底103的表面S中的半導(dǎo)體區(qū)域105的中心。進(jìn)一步地，在圖4A中，位置A標(biāo)注遮光膜120的開(kāi)口 121的中心。位置0和位置A彼此偏移。通過(guò)距離Xl標(biāo)注偏移的量。此外，相對(duì)于限定表面S中的半導(dǎo)體區(qū)域105的一個(gè)側(cè)邊，例如，側(cè)邊401，位置A與側(cè)邊401之間的距離比位置0與側(cè)邊401之間的距離短。當(dāng)光電轉(zhuǎn)換元件ro是矩形時(shí)，例如，把位置A布置成使得在矩形的四個(gè)側(cè)邊中的相對(duì)兩個(gè)側(cè)邊之間，位置A與兩個(gè)側(cè)邊中的一個(gè)側(cè)邊之間的距離比位置0與該一個(gè)側(cè)邊之間的距離短。換句話說(shuō)，位置0以與距離Xl和距離X2之和對(duì)應(yīng)的距離遠(yuǎn)離側(cè)邊401，位置A以距離X2遠(yuǎn)離側(cè)邊401。通過(guò)這種布置，可以使得光瞳分割圖像入射在光電轉(zhuǎn)換元件上。此處，術(shù)語(yǔ)“距離”意味著通過(guò)最短路線把位置0或位置A和某一個(gè)側(cè)邊互連的線段的長(zhǎng)度。此外，在限定開(kāi)口 121的側(cè)邊中，把限定開(kāi)口 121的較接近位置0的邊緣的側(cè)邊405布置在位置0處或比位置0更接近側(cè)邊401。此布置使得光瞳分割圖像能夠入射在光電轉(zhuǎn)換元件上。在成對(duì)的焦點(diǎn)檢測(cè)像素中，以相對(duì)于與柵極電極108的溝道寬度方向平行的線段呈線對(duì)稱(chēng)關(guān)系布置每個(gè)都具有圖4A中示出的布置的那些像素。可替選地，在圖4A中示出的布置中，把開(kāi)口 121布置成使得位置A與側(cè)邊404之間的距離比位置0與側(cè)邊404之間的距離短。下面將參照?qǐng)D4B描述圖4A中示出的遮光膜的修改。圖4B是與圖4A對(duì)應(yīng)的示意性平面圖。通過(guò)同樣附圖標(biāo)記標(biāo)注與圖4A中的組件相同的圖4B中的組件，略去這些組件的描述。圖4B在遮光膜和其中開(kāi)口的形狀方面與圖4A不同。在圖4B中，遮光膜406具有開(kāi)口 407。不同于圖4A中的開(kāi)口 121，開(kāi)口 407并非被遮光膜120完全環(huán)繞?？梢园验_(kāi)口407稱(chēng)為遮光膜406的兩個(gè)部分之間的縫隙或間隔。在此修改中，通過(guò)作為以下區(qū)域的中心的位置B標(biāo)注開(kāi)口 407的中心該區(qū)域被作為遮光膜120的兩個(gè)部分的外邊緣的兩個(gè)側(cè)邊408和409以及半導(dǎo)體區(qū)域105的兩個(gè)側(cè)邊402和403環(huán)繞。與圖4A中的位置A類(lèi)似地，位置B也相對(duì)于位置O偏移，通過(guò)距離Xl標(biāo)注偏移的量。其它關(guān)系與圖4A中的關(guān)系類(lèi)似。因而，在如在此修改中的縫隙狀開(kāi)口 407的情形中，可以把由半導(dǎo)體區(qū)域105和遮光膜406這二者的外邊緣環(huán)繞的區(qū)域的中心作為開(kāi)口的中心。換言之，開(kāi)口可以不被遮光膜完全環(huán)繞。在圖4A和4B中，遮光膜可以按每個(gè)像素設(shè)置，或者可以形成為在相鄰像素上方延伸，即，它可以與相鄰像素中的遮光膜成為整體。在后者情形中，可以提供具有較高遮光性能的遮光膜。用于實(shí)踐實(shí)施例的制造方法不限于第一實(shí)施例中描述的制造方法。例如，可以在 接觸孔207之前形成槽210，或者可以在接觸孔207中形成插頭之后形成槽210。雖然以上在第一實(shí)施例中描述了焦點(diǎn)檢測(cè)像素，但在圖像拾取像素中不包括遮光膜。制造圖像拾取像素的方法也可以按照通用半導(dǎo)體工藝進(jìn)行。第二實(shí)施例下面將參照?qǐng)D5A和5B描述根據(jù)第二實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備。圖5A是根據(jù)第二實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的示意性剖視圖，該視圖對(duì)應(yīng)于圖I。通過(guò)同樣附圖標(biāo)記標(biāo)注與圖I中的組件相同的圖5A中的組件，略去這些組件的描述。圖5A在遮光膜的結(jié)構(gòu)方面與圖I不同。雖然在圖I中把遮光膜120設(shè)置在絕緣膜112的上部中，但圖5A中的遮光膜501形成為穿透絕緣膜505的狀態(tài)。因而，遮光膜501的一部分的底表面503存在于包括絕緣膜111的上表面的平面中。進(jìn)一步地，遮光膜501的上表面504存在于包括絕緣膜505的上表面和布線層118的下表面124的平面中。使用把遮光膜501放置得比圖I的結(jié)構(gòu)更接近的光接收表面的這種布置，可以減少除了預(yù)定光以外的光的混合。進(jìn)一步地，使用該布置，遮光膜501的側(cè)向表面506可以反射光，可以更容易引導(dǎo)經(jīng)過(guò)遮光膜501中的開(kāi)口 502的光以進(jìn)入PD?？梢酝ㄟ^(guò)部分地修改第一實(shí)施例中的上述制造方法形成圖5A的結(jié)構(gòu)。更具體地，在圖2D的步驟中，絕緣膜206被蝕刻到比第一實(shí)施例中的上述制造方法中的深度更大的深度。例如，蝕刻絕緣膜206直到絕緣膜111實(shí)際上充當(dāng)蝕刻停止物。因而，在絕緣膜206中形成開(kāi)口而非圖2E中示出的槽210。在圖2E的步驟之后，以與第一實(shí)施例中的類(lèi)似的方式執(zhí)行制造方法。作為結(jié)果，可以獲得圖5A的結(jié)構(gòu)。因?yàn)榘ǔ洚?dāng)蝕刻停止物的絕緣膜111，所以可以準(zhǔn)確控制蝕刻的深度。進(jìn)一步地，充當(dāng)蝕刻停止物的絕緣膜111的存在可以減少對(duì)ro施加的蝕刻損壞。圖5B示例了圖5A的結(jié)構(gòu)的修改。圖5B是與圖5A對(duì)應(yīng)的示意性剖視圖。通過(guò)同樣附圖標(biāo)記標(biāo)注與圖5A中的組件相同的圖5B中的組件，略去這些組件的描述。圖5B與圖5A的不同之處在于前者包括絕緣膜515。把絕緣膜515設(shè)置在遮光膜511與絕緣膜505之間。絕緣膜515由例如氮化硅制成，它可以確保柵極電極108與遮光膜511之間和與遮光膜515之間的絕緣。進(jìn)一步地，絕緣膜515可以抑制遮光膜511的金屬向半導(dǎo)體襯底103中的擴(kuò)散。可以以與圖5A的結(jié)構(gòu)的制造方法類(lèi)似的方式形成圖5B的結(jié)構(gòu)，除了以下點(diǎn)之外。在(替代圖2E中示出的槽210)形成的開(kāi)口的內(nèi)表面上方形成氮化硅膜之后，如圖2F中所示出的那樣執(zhí)行形成金屬膜的步驟。作為結(jié)果，可以形成圖5B的結(jié)構(gòu)?；蛘?，可以在開(kāi)口和氮化硅膜之后形成接觸孔?？梢钥蛇x地選擇制造方法的步驟的次序。第三實(shí)施例下面將參照?qǐng)D6描述根據(jù)第三實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備。圖6是根據(jù)第三實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的示意性剖視圖，該視圖對(duì)應(yīng)于圖I。通過(guò)同樣附圖標(biāo)記標(biāo)注與圖I中的組件相同的圖6中的組件，略去這些組件的描述。圖6在絕緣膜和遮光膜的結(jié)構(gòu)方面與圖I不同。在圖6中，遮光膜603具有開(kāi)口 604。遮光膜603具有遵照下面的結(jié)構(gòu)的形狀(SP， 此處柵極電極108的形狀)的下表面605和上表面606。遮光膜603的上表面606覆蓋有絕緣膜607。遮光膜603的下表面605比放置得最接近表面S的布線層118的下表面124更接近半導(dǎo)體襯底103的表面S。進(jìn)一步地，遮光膜603的上表面606未存在于包括接觸插頭115的上表面或布線層118的下表面124的平面中，把它放置得比該平面更接近表面S。使用這種布置，遮光膜603可以通過(guò)良好控制性能使光瞳分割圖像的預(yù)定光入射到ro上。下面將參照?qǐng)D7A至7E描述用于制造圖6中示出的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的一部分的方法，該部分包括焦點(diǎn)檢測(cè)像素。圖7A至7E各自是圖6中示出的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備中的焦點(diǎn)檢測(cè)像素的剖視圖。通過(guò)同樣附圖標(biāo)記標(biāo)注與圖6中的組件對(duì)應(yīng)的圖7A至7E中的組件，略去這些組件的描述。也略去與圖2A至2F中的步驟相同的步驟的描述。首先，如圖7A中所示，制備包括其中形成的各種元件的半導(dǎo)體襯底。圖7A的步驟與圖2A的步驟類(lèi)似。隨后，如圖7A中所示，通過(guò)例如CVD方法形成由氮化硅制成并且覆蓋表面S和柵極電極108的絕緣膜701。如在其它實(shí)施例中那樣，可以在表面S上設(shè)置由二氧化娃制成的絕緣膜(未示例),該絕緣膜與柵極絕緣膜109成為整體或與其分開(kāi)。在該情形中，把絕緣膜(未示例)布置在絕緣膜701與表面S之間。進(jìn)一步地，通過(guò)CVD方法形成由二氧化硅制成并且覆蓋絕緣膜701的絕緣膜702。此處，絕緣膜701的折射率在半導(dǎo)體區(qū)域105與絕緣膜702的折射率之間以使得它可以以后充當(dāng)防反射膜。隨后形成由鎢制成并覆蓋絕緣膜702的金屬膜703。此處，絕緣膜701、絕緣膜702和金屬膜703的相應(yīng)上表面具有遵照結(jié)構(gòu)比如柵極電極108的形狀。絕緣膜701、絕緣膜702和金屬膜703的相應(yīng)上表面的不均勻性依次逐漸減小。換言之，絕緣膜702的上表面具有較小的不均勻性，這歸因于例如柵極電極108的水平差，以及具有比絕緣膜701的上表面更緩和的形狀。接下來(lái)，在金屬膜703上形成圖7B中示出的光阻材料圖案704。光阻材料圖案704具有開(kāi)口 705。與要形成開(kāi)口的遮光膜的區(qū)域(即，要去除遮光膜的區(qū)域)對(duì)應(yīng)地放置開(kāi)口705。在使用光阻材料圖案704作為用于金屬膜703的圖案化的掩模的情況下在金屬膜703上進(jìn)行蝕刻，從而形成遮光膜603。此處，因?yàn)榘呀^緣膜702設(shè)置在金屬膜703的下方，所以緩和了歸因于柵極電極108的不均勻性。因此，在圖7B的步驟中，絕緣膜702的上表面變得相對(duì)較緩和并且可以輕松去除金屬膜703。如果不存在絕緣膜702，則存在以下可能性在絕緣膜701的覆蓋柵極電極108的側(cè)向壁的側(cè)向壁上可能無(wú)法完全去除無(wú)用金屬膜703。無(wú)用金屬膜703的存在會(huì)引起泄漏等，以及會(huì)減小產(chǎn)量。換言之，可以通過(guò)如在此實(shí)施例中那樣形成絕緣膜702來(lái)抑制由無(wú)用金屬膜703的存在引起的產(chǎn)量減小。此外，絕緣膜702 (第二絕緣膜)可以在執(zhí)行金屬膜703的圖案化時(shí)充當(dāng)蝕刻停止物。因此，絕緣膜702的存在可以減小對(duì)ro和絕緣膜701施加的蝕刻損壞。當(dāng)絕緣膜701經(jīng)受蝕刻時(shí)，絕緣膜701的厚度改變。絕緣膜701后來(lái)成為絕緣膜111以能夠充當(dāng)ro的光接收表面上的防反射膜。雖然防反射膜的厚度是在考慮光學(xué)特性的情況下設(shè)置的，但如果通過(guò)蝕刻改變了膜厚度則光學(xué)特性降級(jí)。因而，絕緣膜702的存在可以有助于維持預(yù)定光學(xué)特性。接下來(lái)，如圖7C中所示出的，形成絕緣膜708 (第一絕緣膜)以覆蓋絕緣膜702和遮光膜603。絕緣膜708例如由二氧化硅制成并通過(guò)CVD方法形成。在絕緣膜708上形成光阻材料圖案(未示出)，在使用該光阻材料圖案作為掩模的情況下蝕刻絕緣膜708和絕緣膜702。此后，暴露出的絕緣膜701通過(guò)蝕刻被去除。隨后去除光阻材料圖案。通過(guò)上述步驟，形成絕緣膜607、絕緣膜602、以及絕緣膜111，這些膜包括穿透它們的接觸孔710，如圖7D中所示。 進(jìn)一步地，在接觸孔710下面形成半導(dǎo)體區(qū)域110并向接觸孔710中填充金屬，從而形成接觸插頭115。這些步驟可以根據(jù)與圖2D和2F中示出的半導(dǎo)體工藝類(lèi)似的半導(dǎo)體工藝執(zhí)行，因此略去這些步驟的詳細(xì)描述。隨后通過(guò)通用半導(dǎo)體工藝形成布線層、絕緣膜以及插頭，從而形成圖6中示出的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備。雖然在此實(shí)施例中形成絕緣膜701和絕緣膜702這二者，即，絕緣膜111和絕緣膜602這二者，但可以在不形成絕緣膜702的情況下以較大厚度形成絕緣膜701。在這種情形中，絕緣膜701也充當(dāng)蝕刻停止物以減小對(duì)ro施加的蝕刻損壞。作為替選方案，可以在不形成絕緣膜701的情況下以較大厚度形成絕緣膜702。作為根據(jù)以上實(shí)施例中的任何實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備到圖像拾取系統(tǒng)的應(yīng)用實(shí)例，下面將描述結(jié)合相關(guān)的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的照相機(jī)。此處，照相機(jī)的概念不僅包括主要用于拍攝的裝置，而且還包括具有拍攝功能作為輔助功能的裝置(如，個(gè)人計(jì)算機(jī)或便攜式終端)。照相機(jī)包括根據(jù)以上實(shí)施例中的一個(gè)實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備、以及用于處理從光電轉(zhuǎn)換設(shè)備輸出的信號(hào)的信號(hào)處理單元。信號(hào)處理單元可以包括例如A/D轉(zhuǎn)換器和用于處理從A/D轉(zhuǎn)換器輸出的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的處理器。雖然根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備可以只包括焦點(diǎn)檢測(cè)像素301b，但更有益的是光電轉(zhuǎn)換設(shè)備額外地還包括圖像拾取像素。通過(guò)根據(jù)實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，由于在接近光電轉(zhuǎn)換元件的表面的位置處進(jìn)行光瞳分割，所以可以增加焦點(diǎn)檢測(cè)的準(zhǔn)確性。此外，通過(guò)根據(jù)實(shí)施例的制造方法，可以形成使得能夠高度準(zhǔn)確地執(zhí)行焦點(diǎn)檢測(cè)的遮光膜。雖然參照示范性實(shí)施例描述了本公開(kāi)內(nèi)容，但要理解，本公開(kāi)內(nèi)容不限于公開(kāi)的示范性實(shí)施例。所附權(quán)利要求的范圍要被賦予最廣泛的解釋以涵蓋所有這種修改以及等同結(jié)構(gòu)和功能。
權(quán)利要求
1.一種光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，包括多個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)像素，每個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)像素都包括光電轉(zhuǎn)換元件，所述光電轉(zhuǎn)換元件具有光接收表面；以及多個(gè)布線層，用以讀取由所述光電轉(zhuǎn)換元件提供的信號(hào)， 其中，所述光電轉(zhuǎn)換設(shè)備還包括遮光膜，所述遮光膜覆蓋所述光電轉(zhuǎn)換元件的一部分并且具有放置為比所述多個(gè)布線層的最下方布線層的下表面更接近以下平面的下表面該平面包括所述光電轉(zhuǎn)換元件的光接收表面并與所述光接收表面平行。
2.如權(quán)利要求I所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，其中，所述遮光膜具有開(kāi)口，以及 所述開(kāi)口的中心相對(duì)于所述光電轉(zhuǎn)換兀件的光接收表面的中心偏移。
3.如權(quán)利要求I所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，其中，把所述最下方布線層的下表面和所述遮光膜的上表面放置在相同高度。
4.如權(quán)利要求I所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，其中，所述光電轉(zhuǎn)換設(shè)備包括用于與所述最下方布線層相連的接觸插頭，以及 把所述接觸插頭的上表面和所述遮光膜的上表面放置在相同高度。
5.如權(quán)利要求4所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，其中，所述接觸插頭的上表面與下表面之間的距離比所述遮光膜的上表面與下表面之間的距離長(zhǎng)。
6.如權(quán)利要求I所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，其中，所述焦點(diǎn)檢測(cè)像素包括被配置成讀取輸出信號(hào)的傳送晶體管，以及 所述遮光膜從所述光電轉(zhuǎn)換元件的一部分上方的位置延伸到所述傳送晶體管的柵極電極的至少一部分上方的位置。
7.如權(quán)利要求6所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，其中，在所述傳送晶體管的漏極上方不存在遮光膜。
8.如權(quán)利要求I所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，其中，所述光電轉(zhuǎn)換設(shè)備還包括多個(gè)圖像拾取像素，每個(gè)圖像拾取像素都具有光接收表面。
9.如權(quán)利要求8所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，其中，所述光電轉(zhuǎn)換設(shè)備還包括設(shè)置在所述多個(gè)圖像拾取像素和所述多個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)像素中的微透鏡。
10.一種圖像拾取系統(tǒng)，包括 如權(quán)利要求I至9中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，以及 至少一個(gè)信號(hào)處理單元，被配置成處理由所述光電轉(zhuǎn)換元件提供的相應(yīng)輸出信號(hào)以執(zhí)行所述光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的焦點(diǎn)檢測(cè)，并且被配置成處理由圖像拾取像素提供的相應(yīng)輸出信號(hào)以生成圖像信號(hào)。
11.一種制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法，所述光電轉(zhuǎn)換設(shè)備包括多個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)像素，每個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)像素都包括光電轉(zhuǎn)換元件；以及多個(gè)布線層，用以讀取由所述光電轉(zhuǎn)換元件提供的輸出信號(hào)，所述方法包括以下步驟 形成覆蓋所述光電轉(zhuǎn)換元件的絕緣膜； 在所述絕緣膜中形成接觸孔； 在所述接觸孔中形成接觸插頭； 在所述絕緣膜中形成槽，所述槽覆蓋所述光電轉(zhuǎn)換元件的一部分；以及 在所述槽中形成不透明膜。
12.如權(quán)利要求11所述的制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法，進(jìn)一步包括在所述絕緣膜上形成所述多個(gè)布線層中的最下方布線層的步驟。
13.如權(quán)利要求11所述的制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法，其中，在所述接觸孔中形成接觸插頭的步驟和在所述絕緣膜中形成槽的步驟是在同一步驟中執(zhí)行的。
14.一種制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法，所述光電轉(zhuǎn)換設(shè)備包括多個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)像素，每個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)像素都包括光電轉(zhuǎn)換元件；以及多個(gè)布線層，用以讀取由所述光電轉(zhuǎn)換元件提供的信號(hào)，所述方法包括以下步驟 形成覆蓋所述光電轉(zhuǎn)換元件的第一絕緣膜； 形成覆蓋所述第一絕緣膜的不透明膜； 對(duì)所述不透明膜進(jìn)行圖案化以形成覆蓋所述光電轉(zhuǎn)換元件的一部分的遮光膜； 形成覆蓋所述遮光膜的第二絕緣膜；以及 在所述第二絕緣膜上形成所述多個(gè)布線層中的最下方布線層。
15.如權(quán)利要求14所述的制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法，其中，所述第一絕緣膜在形成所述遮光膜的步驟中充當(dāng)蝕刻停止物。
全文摘要
一種光電轉(zhuǎn)換設(shè)備和制造光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的方法，該光電轉(zhuǎn)換設(shè)備包括多個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)像素，每個(gè)焦點(diǎn)檢測(cè)像素都包括光電轉(zhuǎn)換元件，光電轉(zhuǎn)換元件具有光接收表面；以及多個(gè)布線層，用以讀取由光電轉(zhuǎn)換元件提供的信號(hào)，光電轉(zhuǎn)換設(shè)備還包括遮光膜，該遮光膜覆蓋光電轉(zhuǎn)換元件的一部分并且具有放置為比多個(gè)布線層的最下方布線層的下表面更接近以下平面的下表面該平面包括光電轉(zhuǎn)換元件的光接收表面并與光接收表面平行。
文檔編號(hào)H01L27/146GK102800683SQ201210159758
公開(kāi)日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2012年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月27日
發(fā)明者田村清一, 石川麻由, 加藤愛(ài)子, 板橋政次, 橋本浩平 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社