專利名稱：半導體電阻器制造方法、半導體電阻器以及電子設備的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及半導體制造領域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種半導體電阻器制造方法、通過該半導體電阻器制造方法制成的半導體電阻器、以及配置了該半導體電阻器的電子設備。
背景技術(shù)：
在諸如存儲器之類的半導體芯片中，為了制造一些電阻器，有時候會利用襯底中的形成的阱區(qū)或者襯底上的多晶硅層來形成集成電路中的電阻器(稱為半導體電阻器)。圖I示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的利用襯底中的形成的阱區(qū)而形成的半導體電阻器的截面結(jié)構(gòu)。如圖I所示，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導體電阻器包括形成在襯底SUBl中的阱區(qū)NWl (例如，N型摻雜的阱區(qū)NWl)、形成在阱區(qū)NWl中的第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2 ;第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2與阱區(qū)NWl的摻雜類型相同，并且第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2的摻雜濃度遠大于阱區(qū)NWl的摻雜濃度。并且，第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2作為半導體電阻器的兩個連接端，例如分別通過各自的導電線路(第一導電線路LI和第二導電線路L2)連接至各自的金屬布線(第一金屬布線Ml以及第二金屬布線M2)。其中，在第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2的表面上形成金屬化的硅化物(如圖I中的黑框所示)；從而確保導電線路與作為半導體電阻器的兩個連接端的第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2的電連接性。并且，在某些情況下，阱區(qū)NWl的外周布置了隔離區(qū)(例如淺溝槽隔離區(qū))，以使得半導體電阻器的性能不受到旁邊電路器件的影響，例如，阱區(qū)NWl的四周布置了淺溝槽隔離區(qū)S。但是，對于圖I所示的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的利用襯底中的形成的阱區(qū)而形成的半導體電阻器的截面結(jié)構(gòu)，為了在第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2的表面上形成金屬化的硅化物，以確保導電線路與作為半導體電阻器的兩個連接端的第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2的電連接性，同時為了不降低半導體電阻器的電阻值大小而需要確保第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2之間的表面區(qū)域不被金屬化(即，不形成金屬性的硅化物)，需要一個金屬化阻擋物掩膜來執(zhí)行對第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2的表面的金屬化步驟。但是，金屬化阻擋物掩膜的增加會極大地增加半導體制造成本，并且增大工藝復雜性。因此，如何確保半導體電阻器的連接性能而無需增加金屬化阻擋物掩膜已成為業(yè)界亟待解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠確保半導體電阻器的連接性能而無需增加金屬化阻擋物掩膜的半導體電阻器制造方法、通過該半導體電阻器制造方法制成的半導體電阻器、以及配置了該半導體電阻器的電子設備。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種半導體電阻器制造方法，其包括提供半導體襯底；在半導體襯底中形成阱區(qū)；在阱區(qū)上部區(qū)域中形成第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)；在阱區(qū)表面上的除了第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)之外的區(qū)域上布置掩膜多晶硅層；利用掩膜多晶硅部分作為金屬化阻擋層，在所述第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)表面分別形成第一金屬化硅化物和第二金屬化硅化物。優(yōu)選地，在所述的半導體電阻器制造方法中，第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)與阱區(qū)的摻雜類型相同，并且第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)的摻雜濃度大于阱區(qū)的摻雜濃度。優(yōu)選地，所述的半導體電阻器制造方法還包括在阱區(qū)的周圍形成淺溝槽隔離區(qū)。優(yōu)選地，所述的半導體電阻器制造方法還包括將第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)作為半導體電阻器的兩個連接端，分別通過第一導電線路和第二導電線路連接至第一金屬布線以及第二金屬布線。優(yōu)選地，在所述的半導體電阻器制造方法中，第一導電線路和第二導電線路是填充了導電材料的通孔。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種通過根據(jù)所述的半導體電阻器方法制成的半導體電阻器，其包括形成在襯底中的阱區(qū)、形成在阱區(qū)中的第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)、以及布置在阱區(qū)表面上的除了第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)之外的區(qū)域上的掩膜多晶硅層；其中，在第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)的表面上形成有第一金屬化硅化物和第二金屬化硅化物。優(yōu)選地，在所述的半導體電阻器中，第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)作為半導體電阻器的兩個連接端分別通過第一導電線路和第二導電線路連接至第一金屬布線以及第二金屬布線。優(yōu)選地，在所述的半導體電阻器中，第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)與阱區(qū)的摻雜類型相同，并且第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)的摻雜濃度大于阱區(qū)的摻雜濃度。優(yōu)選地，所述的半導體電阻器還包括布置在阱區(qū)的周圍的淺溝槽隔離區(qū)。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種配置了該半導體電阻器的電子設備。根據(jù)本發(fā)明，布置掩膜多晶硅層的步驟可以集成至集成電路的例如MOS晶體管的多晶硅柵極的沉積步驟中，從而無需增加附加的掩膜和工藝步驟。并且，在第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)的表面上形成金屬性硅化物的步驟中，所布置的掩膜多晶硅層可以替代現(xiàn)有技術(shù)中的金屬化阻擋層掩膜的作用，用來確保第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)之間的表面區(qū)域不被金屬化化(即，確保第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)之間的表面區(qū)域不形成金屬性的硅化物，由此確保半導體電阻器的電阻性能不受影響)，從而省去了對單獨的金屬化阻擋層掩膜的需要；相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實施例的半導體電阻器制造方法省略了一個金屬化阻擋層掩膜，大大節(jié)省了工藝成本。


結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中圖I示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的利用襯底中形成的阱區(qū)而形成的半導體電阻器的截面結(jié)構(gòu)。圖2至圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的利用襯底中的形成的阱區(qū)而形成的半導體電阻器的方法的示圖。圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的利用襯底中的形成的阱區(qū)而形成的半導體電阻器的截面結(jié)構(gòu)。需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進行詳細描述。<第一實施例>現(xiàn)在結(jié)合圖2至圖6來描述根據(jù)本發(fā)明實施例的利用襯底中的形成的阱區(qū)而形成的半導體電阻器的方法，即，根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體電阻器制造方法。如圖2至圖6所示，本發(fā)明實施例的半導體電阻器制造方法包括如下步驟首先，提供半導體襯底SUBl ;隨后，在半導體襯底SUBl中形成阱區(qū)NWl ;例如，所述阱區(qū)NWl為N型摻雜的阱區(qū) NWl ;并且，優(yōu)選地，在阱區(qū)NWl的周圍形成隔離區(qū)；例如，可以在阱區(qū)NWl的周圍形成淺溝槽隔離區(qū)SI ;所得到的結(jié)構(gòu)如圖2所示。其次，在阱區(qū)NWl上部區(qū)域中形成第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2 ;第一接觸區(qū)Cl 和第二接觸區(qū)C2與阱區(qū)NWl的摻雜類型相同，并且第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2的摻雜濃度遠大于阱區(qū)NWl的摻雜濃度；所得到的結(jié)構(gòu)如圖3所示。例如，阱區(qū)NWl是N型摻雜的，而且第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2也是N型摻雜的。此后，在阱區(qū)NWl表面上的除了第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2之外的區(qū)域上布置掩膜多晶硅層P ;所得到的結(jié)構(gòu)如圖4所示。然后，利用掩膜多晶硅部分作為金屬化阻擋層，在所述第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2表面分別形成第一金屬化硅化物BI和第二金屬化硅化物B2 ;所得到的結(jié)構(gòu)如圖5所
/Jn o此后，優(yōu)選地，將第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2作為半導體電阻器的兩個連接端，例如分別通過各自的導電線路(第一導電線路LI和第二導電線路L2)連接至各自的金屬布線(第一金屬布線Ml以及第二金屬布線M2);所得到的結(jié)構(gòu)如圖6所示。其中，在之前步驟中形成的第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2的表面上形成金屬化的硅化物(第一金屬化硅化物BI和第二金屬化硅化物B2)確保了導電線路與作為半導體電阻器的兩個連接端的第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2的電連接性。并且，具體地說，布置掩膜多晶硅層P的步驟可以集成至集成電路的例如MOS晶體管的多晶硅柵極的沉積步驟中，從而無需增加附加的掩膜和エ藝步驟，并且所布置的掩膜多晶硅層P可以替代現(xiàn)有技術(shù)中的金屬化阻擋層掩膜來確保第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū) C2之間的表面區(qū)域不被金屬化(即，不形成金屬性的硅化物)，從而省去了對單獨的金屬化阻擋層掩膜的需要；相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實施例的半導體電阻器制造方法省略了ー個金屬化阻擋層掩膜，大大節(jié)省了エ藝成本。<第二實施例>圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的利用襯底中的形成的阱區(qū)而形成的半導體電阻器的截面結(jié)構(gòu)。如圖6所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的利用襯底中的形成的阱區(qū)而形成的半導體電阻器包括形成在襯底SUBl中的阱區(qū)NWl (例如，N型摻雜的阱區(qū)NWl)、形成在阱區(qū)NWl中的第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2 ;第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2與阱區(qū)NWl的摻雜類型相同，并且第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2的摻雜濃度大于阱區(qū)NWl的摻雜濃度。優(yōu)選地， 第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2的摻雜濃度遠大于阱區(qū)NWl的摻雜濃度。其中，在第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2的表面上形成金屬化的第一金屬化硅化物BI和第二金屬化硅化物B2 ;從而確保導電線路與作為半導體電阻器的兩個連接端的第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2的電連接性。與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，圖6所示的本發(fā)明實施例的半導體電阻器還包括布置在阱區(qū)NWl表面上的除了第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2之外的區(qū)域上的掩膜多晶硅層P。并且，第一接觸區(qū)Cl和第二接觸區(qū)C2作為半導體電阻器的兩個連接端，例如分別通過各自的導電線路(第一導電線路LI和第二導電線路L2)連接至各自的金屬布線(第一金屬布線Ml以及第二金屬布線M2)。并且，在某些情況下，阱區(qū)NWl的外周布置了隔離區(qū)(例如淺溝槽隔離區(qū))，以使得半導體電阻器的性能不受到旁邊電路器件的影響，例如，阱區(qū)NWl的周圍布置了淺溝槽隔離區(qū)SI。具體地說，第一導電線路LI和第二導電線路L2例如是填充了導電材料的通孔。具體地說，第一金屬布線Ml和第二金屬布線M2例如是同一層或者不同層的金屬布線層中的金屬線。本領域的普通技術(shù)人員可以理解的是，雖然以N型阱區(qū)為例說明了半導體電阻器的制造方法和結(jié)構(gòu)，但是在其它應用中，同樣也可以使用N型摻雜的阱區(qū)的半導體電阻器。根據(jù)本發(fā)明的另ー優(yōu)選實施例，本發(fā)明還提供了ー種配置了上述半導體電阻器的電子設備?？梢岳斫獾氖牵m然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下， 都可利用上述掲示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導體電阻器制造方法，其特征在于包括提供半導體襯底；在半導體襯底中形成阱區(qū)；在阱區(qū)上部區(qū)域中形成第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)；在阱區(qū)表面上的除了第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)之外的區(qū)域上布置掩膜多晶硅層；利用掩膜多晶硅部分作為金屬化阻擋層，在所述第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)表面分別形成第一金屬化硅化物和第二金屬化硅化物。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導體電阻器制造方法，其特征在于，第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)與阱區(qū)的摻雜類型相同，并且第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)的摻雜濃度大于阱區(qū)的摻雜濃度。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的半導體電阻器制造方法，其特征在于還包括在阱區(qū)的周圍形成淺溝槽隔離區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的半導體電阻器制造方法，其特征在于還包括將第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)作為半導體電阻器的兩個連接端，分別通過第一導電線路和第二導電線路連接至第一金屬布線以及第二金屬布線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體電阻器制造方法，其特征在于，第一導電線路和第二導電線路是填充了導電材料的通孔。
6.一種通過根據(jù)權(quán)利要求I至5之一所述的半導體電阻器方法制成的半導體電阻器， 其特征在于包括形成在襯底中的阱區(qū)、形成在阱區(qū)中的第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)、以及布置在阱區(qū)表面上的除了第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)之外的區(qū)域上的掩膜多晶硅層；其中，在第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)的表面上形成有第一金屬化娃化物和第二金屬化娃化物。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體電阻器，其特征在干，第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)作為半導體電阻器的兩個連接端分別通過第一導電線路和第二導電線路連接至第一金屬布線以及第二金屬布線。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的半導體電阻器，其特征在于，第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)與阱區(qū)的摻雜類型相同，并且第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)的摻雜濃度大于阱區(qū)的摻雜濃度。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的半導體電阻器，其特征在于還包括布置在阱區(qū)的周圍的淺溝槽隔離區(qū)。
10.ー種配置了根據(jù)權(quán)利要求6至9之一所述的半導體電阻器的電子設備。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種半導體電阻器制造方法、半導體電阻器以及電子設備。根據(jù)本發(fā)明的半導體電阻器制造方法包括提供半導體襯底；在半導體襯底中形成阱區(qū)；在阱區(qū)上部區(qū)域中形成第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)；在阱區(qū)表面上的除了第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)之外的區(qū)域上布置掩膜多晶硅層；利用掩膜多晶硅部分作為金屬化硅化物阻擋層，在所述第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)表面分別形成第一金屬化硅化物和第二金屬化硅化物。根據(jù)本發(fā)明，布置掩膜多晶硅層的步驟可以集成至集成電路的多晶硅柵極的沉積步驟中，從而無需增加附加的掩膜。并且，所布置的掩膜多晶硅層可以替代現(xiàn)有技術(shù)中的金屬化阻擋層掩膜的作用，用來確保第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)之間的表面區(qū)域不被金屬化。
文檔編號H01L21/02GK102610495SQ201210093710
公開日2012年7月25日 申請日期2012年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月31日
發(fā)明者張昊 申請人:上海宏力半導體制造有限公司