專利名稱：測(cè)試探測(cè)結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及半導(dǎo)體，更具體而言，涉及用于測(cè)試形成在半導(dǎo)體晶圓上的集成電路器件的探測(cè)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)代半導(dǎo)體制造涉及多個(gè)步驟，包括光刻、材料沉積、蝕刻以在單個(gè)半導(dǎo)體硅晶圓上形成多個(gè)單獨(dú)的半導(dǎo)體器件或集成電路芯片(管芯或晶片)。然而，由于在復(fù)雜的半導(dǎo)體制造過程中產(chǎn)生的各種差異和問題，一些形成在晶圓上的單獨(dú)的芯片可能會(huì)有缺陷。在切割晶圓之前，即，將單獨(dú)的集成電路芯片從半導(dǎo)體晶圓分離之前，通過對(duì)多個(gè)芯片通電一段預(yù)定的時(shí)間，同時(shí)對(duì)該多個(gè)芯片進(jìn)行電氣性能和可靠性測(cè)試(即，晶圓級(jí)老化測(cè)試)。這些測(cè)試通常包括LVS (版圖與原理圖)校對(duì)、IDDq測(cè)試等。從每個(gè)芯片或DUT (被測(cè)器件)生成的最終電信號(hào)被具有測(cè)試電路的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)捕獲和分析，以確定芯片是否有缺陷。為了便于晶圓級(jí)老化測(cè)試和同時(shí)從晶圓上的眾多芯片捕獲電氣信號(hào)的進(jìn)行，使用本領(lǐng)域常用的DUT板或探測(cè)卡。探測(cè)卡基本上是包含多個(gè)金屬電探測(cè)器的印刷電路板(PCB)，該多個(gè)金屬電探測(cè)器與相應(yīng)的多個(gè)形成在半導(dǎo)體芯片的晶圓上的電接觸件或終端相匹配。每個(gè)芯片或管芯本身具有多個(gè)接觸件或終端，每個(gè)接觸件或終端都必須被訪問測(cè)試。因此，典型的晶圓級(jí)測(cè)試將要求在1000個(gè)以上的芯片接觸件或終端和ATE測(cè)試電路之間建立電連接。因此，對(duì)于進(jìn)行準(zhǔn)確的晶圓級(jí)測(cè)試來說，將多個(gè)探測(cè)卡接觸件與晶圓上的芯片接觸件精確地對(duì)齊并且形成良好的電連接是非常重要的。探測(cè)卡通常被安裝在ATE中作為芯片(管芯)或DUT與ATE的測(cè)試頭之間的界面。隨著對(duì)半導(dǎo)體制造技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，形成在半導(dǎo)體晶圓上的單獨(dú)芯片(芯片或管芯)上的電氣測(cè)試接觸焊盤和凸塊之間的關(guān)鍵尺寸或者間隔(即，“間距”)持續(xù)減小。這使得適當(dāng)?shù)卦L問這些觸點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試越來越難。目前，半導(dǎo)體制造的主要趨勢(shì)在于集成具有垂直堆疊的芯片的3DIC芯片封裝件，并利用直接的電氣芯片間連接件，以代替其他互連技術(shù)，例如，引線接合和芯片邊緣互連件。這種3D IC芯片封裝件中的管芯可以包括直接電連接至相鄰堆疊芯片的細(xì)(小)間距穿透襯底或硅通孔(TSV)。TSV提供了的較高密度的互連件和較短的信號(hào)路徑，其可以導(dǎo)致形成具有較小的印記的芯片封裝件的可能性。芯片中的TSV可以在背面上終止，具有非常細(xì)的間距的微凸塊陣列以互連至相鄰的堆疊的芯片。在將芯片裝配至半導(dǎo)體器件封裝件中的載具襯底之前，頂部芯片上的微凸塊陣列也可以被訪問以進(jìn)行晶圓級(jí)測(cè)試。在這些微凸塊陣列中，微凸塊之間的間距(間隔)可以是50微米(μπι)或更小，其必須被訪問以進(jìn)行芯片測(cè)試。當(dāng)現(xiàn)有的測(cè)試探測(cè)卡設(shè)計(jì)和探測(cè)技術(shù)不能穩(wěn)定地支持測(cè)試可能應(yīng)用在3D IC芯片封裝件中的管芯上的這種細(xì)間距微凸塊陣列時(shí)，產(chǎn)生了技術(shù)瓶頸。如圖1所示，在某些情況下，由于物理接觸壓力和/或高電流，測(cè)試卡探測(cè)尖端對(duì)微凸塊的直接探測(cè)可以導(dǎo)致微凸塊坍塌或“崩潰”。這可能會(huì)導(dǎo)致微凸塊永久性損壞，對(duì)凸塊互連接合的完整性產(chǎn)生不利的影響，從而導(dǎo)致低凸塊接合產(chǎn)量和潛在的芯片不合格。此外，如圖2所示，適當(dāng)?shù)卦L問用以測(cè)試的細(xì)間距微凸塊的能力受到傳統(tǒng)測(cè)試卡探測(cè)尖端或針的較大的間距間隔的限制。因此，所有的芯片微凸塊無(wú)法被適當(dāng)?shù)卦L問以進(jìn)行測(cè)試和信號(hào)傳輸，這也導(dǎo)致低凸塊接合產(chǎn)量和芯片不合格。因此需要一種經(jīng)過改進(jìn)的探測(cè)結(jié)構(gòu)及其制造方法，以探測(cè)具有微凸塊陣列的管

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于管芯測(cè)試的半導(dǎo)體探測(cè)結(jié)構(gòu)，包括:襯底，所述襯底具有第一表面和第二表面；多個(gè)襯底通孔，所述多個(gè)襯底通孔在所述第一表面和所述第二表面之間延伸；多個(gè)凸塊，所述多個(gè)凸塊形成在所述襯底的所述第一表面上，用于接合測(cè)試探頭針或尖端；多個(gè)探測(cè)單元，所述多個(gè)探測(cè)單元設(shè)置在所述襯底的所述第二表面上，所述探測(cè)單元包括與至少一個(gè)所述通孔導(dǎo)電連接的探測(cè)焊盤、圍繞所述焊盤并且與所述焊盤可操作地相關(guān)聯(lián)的至少一個(gè)微凸塊、以及將所述微凸塊電連接至所述焊盤的至少一個(gè)互連件。在上述探測(cè)結(jié)構(gòu)中，其中，進(jìn)一步包括圍繞所述焊盤并且與所述焊盤可操作地相關(guān)聯(lián)的第二微凸塊、以及將所述第二微凸塊電連接至所述焊盤的第二互連件。在上述探測(cè)結(jié)構(gòu)中，其中，進(jìn)一步包括圍繞所述焊盤并且與所述焊盤可操作地相關(guān)聯(lián)的第二微凸塊、以及 將所述第二微凸塊電連接至所述焊盤的第二互連件，其中，第一微凸塊和所述第二微凸塊設(shè)置在所述焊盤的相對(duì)側(cè)上。 在上述探測(cè)結(jié)構(gòu)中，其中，每個(gè)所述探測(cè)焊盤導(dǎo)電連接至至少兩個(gè)通孔。在上述探測(cè)結(jié)構(gòu)中，其中，每個(gè)所述探測(cè)焊盤導(dǎo)電連接至至少兩個(gè)通孔，其中，所述兩個(gè)通孔導(dǎo)電連接至所述襯底的所述第一表面上的單個(gè)凸塊，以在所述凸塊和所述焊盤之間提供多余的導(dǎo)電路徑。在上述探測(cè)結(jié)構(gòu)中，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述襯底的第二側(cè)面上的多個(gè)探測(cè)單元，每個(gè)探測(cè)單元包括導(dǎo)電連接至一個(gè)所述通孔的探測(cè)焊盤、圍繞所述焊盤并且與所述焊盤可操作地相關(guān)聯(lián)的至少一個(gè)微凸塊、以及將所述微凸塊電連接至所述焊盤的至少一個(gè)互連件。在上述探測(cè)結(jié)構(gòu)中，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述襯底的第二側(cè)面上的多個(gè)探測(cè)單元，每個(gè)探測(cè)單元包括導(dǎo)電連接至一個(gè)所述通孔的探測(cè)焊盤、圍繞所述焊盤并且與所述焊盤可操作地相關(guān)聯(lián)的至少一個(gè)微凸塊、以及將所述微凸塊電連接至所述焊盤的至少一個(gè)互連件，其中，至少一個(gè)第一探測(cè)單元通過探測(cè)單元互連件導(dǎo)電連接至另一個(gè)第二探測(cè)單元。在上述探測(cè)結(jié)構(gòu)中，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述襯底的第二側(cè)面上的多個(gè)探測(cè)單元，每個(gè)探測(cè)單元包括導(dǎo)電連接至一個(gè)所述通孔的探測(cè)焊盤、圍繞所述焊盤并且與所述焊盤可操作地相關(guān)聯(lián)的至少一個(gè)微凸塊、以及將所述微凸塊電連接至所述焊盤的至少一個(gè)互連件，其中，至少一個(gè)第一探測(cè)單元通過探測(cè)單元互連件導(dǎo)電連接至另一個(gè)第二探測(cè)單元，其中，所述探測(cè)單元連接件具有與所述第一探測(cè)單元相關(guān)聯(lián)的微凸塊連接的一個(gè)端部、以及與所述第二探測(cè)單元相關(guān)聯(lián)的微凸塊連接的第二端部。
在上述探測(cè)結(jié)構(gòu)中，其中，所述探測(cè)單元包括一組微凸塊，所述一組微凸塊包括與所述探測(cè)焊盤相關(guān)聯(lián)并且圍繞所述探測(cè)焊盤的多個(gè)微凸塊。在上述探測(cè)結(jié)構(gòu)中，其中，所述探測(cè)單元包括一組微凸塊，所述一組微凸塊包括與所述探測(cè)焊盤相關(guān)聯(lián)并且圍繞所述探測(cè)焊盤的多個(gè)微凸塊，其中，所述組包括導(dǎo)電連接至所述焊盤的至少一個(gè)微凸塊，從而限定出激活微凸塊和與所述焊盤導(dǎo)電隔離的至少一個(gè)額外微凸塊，并限定出失效微凸塊。在上述探測(cè)結(jié)構(gòu)中，其中，所述探測(cè)單元包括一組微凸塊，所述一組微凸塊包括與所述探測(cè)焊盤相關(guān)聯(lián)并且圍繞所述探測(cè)焊盤的多個(gè)微凸塊，其中，所述組包括至少4個(gè)微凸塊。在上述探測(cè)結(jié)構(gòu)中，其中，所述探測(cè)單元包括一組微凸塊，所述一組微凸塊包括與所述探測(cè)焊盤相關(guān)聯(lián)并且圍繞所述探測(cè)焊盤的多個(gè)微凸塊，其中，所述組形成具有圍繞所述焊盤的四邊形或六邊形的微凸塊圖案。在上述探測(cè)結(jié)構(gòu)中，其中，所述探測(cè)單元包括一組微凸塊，所述一組微凸塊包括與所述探測(cè)焊盤相關(guān)聯(lián)并且圍繞所述探測(cè)焊盤的多個(gè)微凸塊，其中，至少兩個(gè)微凸塊通過互連件導(dǎo)電連接至所述焊盤。在上述探測(cè)結(jié)構(gòu)中，其中，所述探測(cè)單元包括一組微凸塊，所述一組微凸塊包括與所述探測(cè)焊盤相關(guān)聯(lián)并且圍繞所述探測(cè)焊盤的多個(gè)微凸塊，其中，所述微凸塊圍繞和接近所述焊盤同心地排列。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種用于實(shí)施管芯測(cè)試的半導(dǎo)體探測(cè)結(jié)構(gòu)，包括:襯底，所述襯底具有第一表面和第二表面；多個(gè)襯底通孔，所述多個(gè)襯底通孔在所述第一表面和所述第二表面之間延伸；多個(gè)凸塊，所述多個(gè)凸塊形成在所述襯底的所述第一表面上，每個(gè)凸塊導(dǎo)電連接至至少一個(gè)所述通孔；以及多個(gè)探測(cè)單元，所述多個(gè)探測(cè)單元設(shè)置在所述襯底的所述第二表面上，每個(gè)測(cè)試單元包括導(dǎo)電連接至至少一個(gè)所述通孔的探測(cè)焊盤、以及與所述焊盤可操作地相關(guān)聯(lián)并且相對(duì)接近地圍繞所述焊盤排列的多個(gè)微凸塊，至少一個(gè)所述微凸塊導(dǎo)電連接至所述焊盤并且是電激活的，所述多個(gè)微凸塊被排列為與相應(yīng)的管芯微凸塊陣列匹配。在上述探測(cè)結(jié)構(gòu)中，其中，當(dāng)所述微凸塊與管芯微凸塊接合時(shí)，施加到一個(gè)所述凸塊的電測(cè)試信號(hào)通過在所述襯底上的電激活微凸塊傳輸至管芯上的相應(yīng)微凸塊。在上述探測(cè)結(jié)構(gòu)中，其中，至少一個(gè)焊盤導(dǎo)電連接至至少兩個(gè)通孔，所述至少兩個(gè)通孔導(dǎo)電連接至凸塊。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供了一種用于實(shí)施管芯測(cè)試的半導(dǎo)體探測(cè)結(jié)構(gòu)，包括:插件，所述插件包括具有第一表面和第二表面的襯底；多個(gè)襯底通孔，所述多個(gè)襯底通孔在所述第一表面和所述第二表面之間延伸；多個(gè)凸塊，所述多個(gè)凸塊形成在所述襯底的所述第一表面上，每個(gè)凸塊導(dǎo)電連接至至少一個(gè)所述通孔；以及多個(gè)探測(cè)單元，所述多個(gè)探測(cè)單元設(shè)置在所述襯底的所述第二表面上，每個(gè)探測(cè)單元包括導(dǎo)電連接至至少一個(gè)所述通孔的探測(cè)焊盤、以及與所述焊盤可操作地相關(guān)聯(lián)并且相對(duì)接近地圍繞所述焊盤排列的一組多個(gè)微凸塊，至少一個(gè)所述微凸塊導(dǎo)電連接至所述焊盤并且是電激活的，多個(gè)微凸塊被排列為與相應(yīng)的管芯微凸塊陣列匹配；其中，每個(gè)所述凸塊和所述微凸塊都具有間距間隔，所述微凸塊的間距間隔小于所述凸塊的間距間隔。
在上述探測(cè)結(jié)構(gòu)中，其中，所述凸塊是C4凸塊。在上述探測(cè)結(jié)構(gòu)中，其中，所述凸塊是C4凸塊，其中，至少一個(gè)焊盤導(dǎo)電連接至至少兩個(gè)通孔，所述至少兩個(gè)通孔導(dǎo)電連接至凸塊。


參考以下附圖描述實(shí)施例的特征，其中對(duì)相同的元件做以相似的標(biāo)記，其中:圖1和2示出的是現(xiàn)有的管芯微凸塊探測(cè)的限制；圖3是根據(jù)本發(fā)明的芯片測(cè)試探測(cè)插件的一個(gè)實(shí)施例的局部橫截面?zhèn)纫晥D；圖4是根據(jù)圖3所示的插件的探測(cè)單元的頂視圖；圖5和6是圖3所示的探測(cè)插件結(jié)合兩個(gè)用于性能測(cè)試的IC器件的可能實(shí)施例的局部橫截面?zhèn)纫晥D；以及圖7-12是具有不同的可能的配置或圖案的一組微凸塊的探測(cè)單元的頂視圖。所有的圖示只是示例性的，并沒有按比例繪制。
具體實(shí)施例方式結(jié)合附圖閱讀示例性實(shí)施例的描述，其是整個(gè)的書面說明的一部分。在本文公開的實(shí)施例的描述中，任何方位或方向的引用只是為了描述方便，并不以任何方式限制本發(fā)明的范圍。相關(guān)術(shù)語(yǔ)，例如，“下部”、“上部”、“水平”、“垂直”、“之上”、“之下”、“上”、“下”、“頂部”和“底部”以及其派生詞(例如，“水平地”、“向下地”、“向上地”等)，應(yīng)被看作在被討論的附圖中將要描述或示出的方向。這些相關(guān)術(shù)語(yǔ)僅僅為了描述方便，并不需要裝置以特定的方向構(gòu)造或操作。術(shù)語(yǔ)，例如“連接的”、“固定的”、“連接的”和“互連的”指代的是一種結(jié)構(gòu)直接地或間接地通過中間結(jié)構(gòu)被固定或者被連接至另一個(gè)結(jié)構(gòu)的關(guān)系，以及動(dòng)態(tài)或靜態(tài)的連接或關(guān)系，除非另有明確說明。此外，參考實(shí)施例對(duì)本公開的特征和優(yōu)勢(shì)進(jìn)行描述。因此，本發(fā)明明顯地不應(yīng)該只限于這些實(shí)施例，這些實(shí)施例示出可能單獨(dú)存在的或與其他特征組合存在的特征的一些可能的非限制組合；本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求限定。圖3示出根據(jù)本發(fā)明的原理的用于導(dǎo)電晶圓級(jí)芯片測(cè)試的半導(dǎo)體探測(cè)結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例的橫截面圖。這個(gè)實(shí)施例被配置和調(diào)整為對(duì)用于3D IC芯片封裝件的管芯上的細(xì)間距微凸塊陣列強(qiáng)化探測(cè)。有利的是，探測(cè)結(jié)構(gòu)減少或消除微凸塊崩潰/坍塌，并且消除探測(cè)卡的制造/物理限制，以產(chǎn)生可以與越來越小的3D IC芯片封裝件管芯的微凸塊的細(xì)間距相匹配的探測(cè)尖端或針。在一個(gè)實(shí)施例中，探測(cè)結(jié)構(gòu)可以是具有襯底22的插件20，襯底22具有頂側(cè)或頂面21和相對(duì)的底側(cè)或底面23。在一些實(shí)施例中，襯底22可以由硅、硅玻璃或其他合適的半導(dǎo)體工藝中常用的襯底材料制成。在一個(gè)實(shí)施例中，所使用的襯底22材料是硅。襯底22為滿足所需的特定的應(yīng)用的要求，襯底22可以具有任何合適的厚度。在一個(gè)有代表性的示例中，但不限于此示例，襯底22的厚度可以是大約并且包括100微米，或者更小。襯底22的底面23包括多個(gè)導(dǎo)電金屬焊料凸塊24，以與相應(yīng)的被提供在用于后端線(BEOL)晶圓級(jí)管芯測(cè)試的傳統(tǒng)的探測(cè)卡(未顯示)上的導(dǎo)電接觸件相匹配。這種探測(cè)卡一般包括測(cè)試印刷電路板(PCB)，其包含本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的傳統(tǒng)DUT (被測(cè)器件)測(cè)試電路和激活器件。測(cè)試PCB被調(diào)整為安裝在自動(dòng)測(cè)試器件(ATE)上，以進(jìn)行晶圓級(jí)DUT測(cè)試。操作晶圓測(cè)試電路，以通過凸塊24和插件20(見圖5)將電力負(fù)荷施加到晶圓上的DUT,并且接收和處理從DUT返回的電氣信號(hào)，在一些實(shí)施中，該電氣信號(hào)可能與晶圓級(jí)DUT老化性能和可靠性測(cè)試相關(guān)。測(cè)試探測(cè)卡在同時(shí)持有的美國(guó)專利8033012中有進(jìn)一步的說明，在此引用其全部?jī)?nèi)容作為參考。參考圖3,在一些實(shí)施例中，凸塊24可以是具有不限于約100-200um的代表性直徑的C4凸塊。凸塊24可以由任何常用于C4凸塊的合適的材料制成，并且可以由本領(lǐng)域所公知的用于制造倒裝芯片連接件(即，坍塌可控坍塌芯片連接件)的任何合適的傳統(tǒng)工藝制成。在一些實(shí)施例中，凸塊24可以由銅或其他合適的導(dǎo)電金屬或金屬合金制成，例如，錫和鋅。多個(gè)凸塊24形成導(dǎo)電接觸件陣列，其以間距間隔P24被排列和配置在底面23上，間距間隔P24被選擇用以與相應(yīng)的被提供在傳統(tǒng)的測(cè)試探測(cè)卡(未顯示)上的具有類似的間距間隔的導(dǎo)電接觸焊盤陣列匹配和接觸。在一些實(shí)施例中，凸塊24可以具有代表性的非限制的間距間隔P24，其在凸塊之間的間距是大約100-200um微米或更大。有利的是，凸塊24的間距間隔P24不受相應(yīng)的較小的形成在插件20的相對(duì)側(cè)上的微凸塊42的間距間隔P42的限制，以下將進(jìn)一步說明。參考圖3-5，插件20的頂面21包括至少一個(gè)或一個(gè)以上的導(dǎo)電探測(cè)單元40，以探測(cè)和測(cè)試半導(dǎo)體晶圓上的管芯100。每個(gè)探測(cè)單元40包括中央導(dǎo)電金屬探測(cè)焊盤30、至少一個(gè)可以與焊盤相連接的導(dǎo)電金屬微凸塊42、以及用以將至少一個(gè)微凸塊電連接到焊盤的至少一個(gè)導(dǎo)電互連件60。如圖所示，在一些實(shí)施例中，探測(cè)焊盤30可以被可以與焊盤相連接并且與焊盤極為接近地以各種圖案和配置排列的一組微凸塊42環(huán)繞(最好參考圖4，其中示出了圖3中的探測(cè)單元40的頂視圖)。微凸塊42與探測(cè)焊盤30間隔開，并且通過本身具有電氣絕緣材料性能的襯底22與焊盤電隔離。在一個(gè)實(shí)施例中，微凸塊42可以以大約20微米的水平距離與焊盤30分隔?；ミB件60將一個(gè)或多個(gè)微凸塊42電連接至探測(cè)焊盤30。微凸塊42形成測(cè)試微凸塊陣列，其被配置和排列為匹配和訪問相應(yīng)的形成在管芯100上的管芯微凸塊110的陣列，以用于本發(fā)明將進(jìn)一步說明的BEOL晶圓級(jí)測(cè)試(參見，例如，圖5)。探測(cè)焊盤30可以被設(shè)置在插件20的頂面21上或者部分地嵌入頂面；圖5示出了每個(gè)可能的實(shí)施例的示例。探測(cè)焊盤30可以具有任意合適的形狀，包括但不限于正方形(如圖所示)、長(zhǎng)方形、圓形或其他形狀。探測(cè)焊盤30可以具有任意合適的厚度，只要焊盤足夠厚，可以通過互連件60與微凸塊42形成高質(zhì)量的導(dǎo)電路徑。在一個(gè)有代表性的實(shí)施例中，但不限于本實(shí)施例，焊盤30的厚度可以是大約3-5um。互連件60可以以配置合適的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電金屬跡線或?qū)Ь€的形式形成在插件20的頂面21中或者附近，從而將微凸塊42連接至探測(cè)焊盤30。所使用的互連件60的數(shù)量和配置取決于微凸塊42的數(shù)量以及微凸塊與焊盤30之間的所需要的電連接件的數(shù)量，本發(fā)明將進(jìn)一步對(duì)其進(jìn)行描述。探測(cè)焊盤30和互連件60可以通過任何合適的在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中常用的形成導(dǎo)電接合焊盤和再分布層(RDL)導(dǎo)線或路徑的方法工藝形成，例如，但不僅限于，傳統(tǒng)鑲嵌工藝，包括使用圖案化的光刻膠的光刻、蝕刻、和金屬沉積或電鍍步驟的組合。在一些有代表性的實(shí)施例中，但不限于這些實(shí)施例，探測(cè)焊盤30可以由銅或其他合適的導(dǎo)電金屬制成，例如，鋁?；ミB件60同樣可以由銅或其他合適的導(dǎo)電金屬制成，例如，鋁。參考圖3和4，微凸塊42可以是任何合適的凸塊類型，包括，但不限于，焊料凸塊、柱狀凸塊、螺柱凸塊(stud bump)等。在一些實(shí)施例中，微凸塊42可以具有，但不限于，大約20微米的具有代表性的直徑和大約50微米或更小的間距間隔P42。在一些實(shí)施例中，間距間隔P42可以是大約40微米。根據(jù)需要，微凸塊42的間距P42與相應(yīng)的管芯100上的微凸塊110的間距相匹配(如圖5所示)，從而使其被訪問并且用于實(shí)施管芯測(cè)試。微凸塊42可以形成在互連件60上，或者通過金屬粘合進(jìn)行表面處理以直接形成在襯底22上。微凸塊42可以由任意合適的常用于焊料凸塊的導(dǎo)電金屬或金屬合金制成。在一些實(shí)施例中，微凸塊40可以由Cu、CuSruSnZn等制成，也可以由與C4凸塊24相同的材料制成。微凸塊42和C4凸塊24可以由任意合適的本領(lǐng)域公知的用于形成焊料微凸塊和凸塊的傳統(tǒng)的MEM或半導(dǎo)體制造工藝形成。這種工藝可以包括，例如，但不限于，蒸發(fā)、電鍍、印刷、螺柱凸點(diǎn)技術(shù)(stud bumping)。在一些實(shí)施例中，探測(cè)單元40可以包括電激活微凸塊42和失效微凸塊44的組合。激活微凸塊42通過互連件60電連接至探測(cè)焊盤30，并且可操作地發(fā)送和接收電測(cè)試信號(hào)。電失效微凸塊44與焊盤30或插件20提供的任何其他導(dǎo)電結(jié)構(gòu)不連接，因此，電絕緣微凸塊44是電隔離和失效的，從而不會(huì)形成激活管芯測(cè)試電路的一部分。失效微凸塊44有助于微凸塊接合工藝，其中，激活微凸塊42被放置成與管芯100上的激活微凸塊110相接合，以進(jìn)行測(cè)試。失效微凸塊44有助于將接觸壓力分布到微凸塊的更大的表面積上，從而降低插件20和芯片100上的相接微凸塊之間的接觸壓力。每個(gè)電失效微凸塊44與設(shè)置在管芯100上的失效微凸塊112進(jìn)行相應(yīng)的匹配，也可以不與形成在管芯中的任何電激活導(dǎo)電路徑相連接，而僅對(duì)接合提供幫助。失效微凸塊44和112之間的接合保護(hù)激活微凸塊42和110完整，以防止或減少對(duì)激活微凸塊的損害。參考圖3和4，襯底通孔或TSV 50垂直延伸穿透插件20的襯底22，并且將鄰近插件20的頂面21的探測(cè)焊盤30電連接至底面23上的凸塊24。在一些實(shí)施例中，TSV 50可以是其中采用硅襯底材料的穿透硅通孔。TSV50可以由本領(lǐng)域常用的任何合適的導(dǎo)電材料制成，包括，但不限于，鎢、銅、鎳或其合金。在一些有代表性的實(shí)施例中，取決于設(shè)計(jì)需要和形成TSV的工藝，TSV 50可以是，但不僅限于，大約5至12微米的具有代表性的直徑。在一些實(shí)施例中，如圖3示出的實(shí)施例中的左側(cè)的探測(cè)單元40所示，提供至少一個(gè)TSV 50給每個(gè)凸塊24和相應(yīng)的探測(cè)焊盤30。在其他實(shí)施例中，提供兩個(gè)或更多的TSV50給圖3所示的實(shí)施例中的中心和右側(cè)的探測(cè)單元40。后者提供了多余的TSV 50和導(dǎo)電信號(hào)路徑，這增強(qiáng)了通過插件20的電測(cè)試信號(hào)傳輸，也增加了當(dāng)一個(gè)TSV50在晶圓級(jí)芯片測(cè)試中可能被損壞或不合格時(shí)，3D IC應(yīng)用中的凸塊接合的產(chǎn)量。應(yīng)當(dāng)理解，每個(gè)探測(cè)單元40的探測(cè)焊盤30、互連件60，和微凸塊42的組合將原用于與測(cè)試探測(cè)卡上的傳統(tǒng)的較大間距的接觸相匹配的插件20的底面23上的較大/較寬的間距P24轉(zhuǎn)換成用于與相應(yīng)的待訪問測(cè)試的管芯100上的微凸塊110、112的較小的間距間隔相匹配的插件的頂面21上的較小/較細(xì)的間距P24。有利的是，這消除了探測(cè)卡本身的制造和實(shí)際限制，以產(chǎn)生具有極細(xì)的間距(例如，50微米或更小)的探測(cè)尖端或針的探測(cè)卡，該極細(xì)的間距對(duì)于訪問相應(yīng)的用于3D IC芯片封裝件的細(xì)間距微凸塊陣列是必要的，這在實(shí)踐中這是很難實(shí)現(xiàn)的。通過一個(gè)或多個(gè)互連件60，可將任何數(shù)量的激活微凸塊42電連接至探測(cè)焊盤30，以符合對(duì)探測(cè)管芯100或120 (如圖5和6所示)所預(yù)期的測(cè)試用途和要求。在本領(lǐng)域中，管芯100被稱為具有TSV的3D堆疊芯片，以進(jìn)一步向上堆疊更多的管芯，而管芯120被稱為不具有TSV的2.5D堆疊芯片。所使用的互連件60的數(shù)量可以部分地由既定用途的測(cè)試信號(hào)電路的容量決定。例如，每個(gè)微凸塊42可以具有IOOmA(毫安)的額定電流。由于電測(cè)試信號(hào)傳輸要求最大電流容量為200mA的電路，需要兩個(gè)具有額定IOOmA的微凸塊42與圖4所示的信號(hào)型探測(cè)單元40配置所示出的探測(cè)焊盤30互連。對(duì)于電源域測(cè)試電路，需要能夠傳輸800mA的電路。因此，需要8個(gè)每個(gè)具有額定IOOmA的微凸塊42，以產(chǎn)生如圖9所示的可能的電源類型探測(cè)單元40配置。因此，應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將探測(cè)單元40配置為提供任何合適數(shù)量的激活微凸塊42和互連件60的圖案，以實(shí)現(xiàn)所需的電路電流容量和布局。探測(cè)單元40的數(shù)個(gè)示例性實(shí)施例示出了一些可能性，但并不僅限于圖7-12所示的示例中可能使用的互連件60和一組微凸塊42、44的圖案。每個(gè)探測(cè)單元40包括焊盤30和相關(guān)的環(huán)繞并且相對(duì)接近焊盤的同心圍繞焊盤排列的一組微凸塊42、44，和設(shè)置在插件的襯底22的相反一側(cè)23上的導(dǎo)電凸塊24 (虛線所示)。微凸塊42、44的組可以形成無(wú)數(shù)不同的圖案，包括四邊形、六角形、八角形，以及特定應(yīng)用所需的其他形狀。在所示的實(shí)施例中，不通過互連件60與探測(cè)焊盤30相連接的微凸塊44是在本文的其他處描述的失效微凸塊，其將插件微凸塊和管芯微凸塊110、112之間的接觸壓力分布在較大的面積上，從而防止插件20在與管芯100接合進(jìn)行測(cè)試時(shí)對(duì)管芯微凸塊的損壞。如圖5所示，利用TSV 104和激活焊料微凸塊110，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的插件20可以被用于接合和測(cè)試管芯100。在一些實(shí)施例中，TSV 104和激活焊料微凸塊110可以形成在傳統(tǒng)UBM(凸塊底部金屬化)焊盤102上。微凸塊110可以通過UBM焊盤102與傳統(tǒng)的頂部金屬層鋁RDL導(dǎo)線(未顯示)電連接。管芯100代表IC芯片封裝件中的頂部管芯。如圖所示6，插件20也可以被用來測(cè)試沒有TSV的芯片120，以及利用其他傳統(tǒng)金屬互連結(jié)構(gòu)諸如圖6中示出的通孔和溝槽。在一些實(shí)施例中，插件20包括多個(gè)具有微凸塊42、44的探測(cè)單元40的陣列，其被配置和排列為與相應(yīng)的形成在被測(cè)器件(DUT)(例如，管芯100)上的微凸塊110、112的陣列相匹配。探測(cè)單元可以包括探測(cè)單元40的組合，探測(cè)單元40具有微凸塊42、互連件60和TSV50如圖3和5-6所示的多個(gè)不同配置。這可以包括圖4和7_12中所示的任何可能的探測(cè)單元40圖案，以及其他所需圖案，以適應(yīng)所預(yù)期的特定應(yīng)用的要求和管芯100上的微凸塊110、112的配置。此外，如圖3和5-6所示，可以提供額外的導(dǎo)電金屬跡線62，以將一個(gè)探測(cè)單元40與一個(gè)或多個(gè)其他探測(cè)單元40電互連，例如，通過一個(gè)微凸塊42與另一個(gè)微凸塊42互連，通過焊盤30與微凸塊42互連，和/或通過焊盤30直接與另一個(gè)焊盤30互連。如圖5和6所示，為了測(cè)試芯片100或120，首先，移動(dòng)插件20使其與管芯相接合。如圖所示，插件20上的微凸塊42、44與相應(yīng)的管芯100或120上的微凸塊110、112相匹配并且鄰接。探測(cè)焊盤30與管芯100、120上的導(dǎo)電微凸塊、焊盤或其他電激活導(dǎo)電結(jié)構(gòu)間隔分離，從而使與管芯中的電路相連接的激活微凸塊110不能直接訪問測(cè)試，而是通過從每個(gè)測(cè)試單元40的激活微凸塊42傳輸至相應(yīng)的激活管芯微凸塊110的測(cè)試信號(hào)訪問，以防止崩潰或損壞管芯微凸塊?，F(xiàn)在可以通過應(yīng)用電測(cè)試信號(hào)至凸塊24(見電箭頭)進(jìn)行傳統(tǒng)的BEOL測(cè)試。測(cè)試信號(hào)以連續(xù)路徑傳輸，(按順序)通過全都設(shè)置在插件20上的凸塊24、TSV50、互連件60和激活微凸塊24，然后到管芯100或120上的激活微凸塊110。如圖5和6所示，在一些實(shí)施例中，插件20可以通過傳統(tǒng)微凸塊到微凸塊接合點(diǎn)與管芯100或120永久地接合，從而使插件并入最終的芯片封裝件中?？梢允褂脗鹘y(tǒng)的焊料回流、超聲波或其他合適的本領(lǐng)域中常用的制造微凸塊接合點(diǎn)的方法將微凸塊接合在一起。應(yīng)該指出的是，在微凸塊接合步驟完成之前或之后可以實(shí)施一些探測(cè)步驟。此外，在頂部管芯堆疊到插件上之后的一些實(shí)施例中，管芯可以只占據(jù)插件的總面積的一部分。如圖5和6所示，在一些實(shí)施例中，在探測(cè)焊盤30和管芯100或120上的任何導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間沒有直接接觸。如圖所示，當(dāng)處于測(cè)試位置時(shí)，焊盤30與管芯100、120的匹配表面間隔分離。因此，焊盤30充當(dāng)導(dǎo)電樞紐，用于接收和分配流向和來自微凸塊42的電流，微凸塊42通過互連件60與焊盤電連接。通過與插件20上的微凸塊42的凸塊對(duì)凸塊接觸，，從而對(duì)管芯100或120上的匹配微凸塊110進(jìn)行探測(cè)和測(cè)試。因此，焊盤30并不直接與管芯100、120或者其上的微凸塊110電連接，而是通過微凸塊42間接地連接。有利的是，這種方法使電流被更加仔細(xì)地控制至管芯上的微凸塊，從而最大限度地減少微凸塊的崩潰/坍塌和損壞，從而增加凸塊接合的產(chǎn)量?，F(xiàn)在將參考圖3和4描述一種形成探測(cè)插件20的方法。在一個(gè)實(shí)施例中，方法或工藝包括提供襯底22，穿過襯底形成多個(gè)TSV50，使用導(dǎo)電材料填充TSV，以及在第一側(cè)面23上形成凸塊24的陣列，其中凸塊設(shè)置在TSV的底部并且與TSV電連接。在一些實(shí)施例中，凸塊24可以設(shè)置在首先形成在TSV 50上的導(dǎo)電焊盤上。在一些實(shí)施例中，凸塊24可以是具有第一間距間隔P24的C4凸塊。通過在襯底22的第二側(cè)面21上形成至少一個(gè)探測(cè)單元40，繼續(xù)進(jìn)行該方法或工藝。這包括以任意順序在TSV50的頂部形成探測(cè)焊盤30以及在襯底22的第二側(cè)面21上形成互連件60。每個(gè)焊盤30可以形成在與相應(yīng)的凸塊24依次導(dǎo)電連接的單個(gè)的TSV50上，或者在一些實(shí)施例中，焊盤30可以與至少兩個(gè)與相應(yīng)的凸塊24依次導(dǎo)電連接的TSV50連接，以提供多余的從凸塊到焊盤的測(cè)試信號(hào)路徑。接著激活微凸塊42和失效微凸塊44的陣列形成在第二側(cè)面21上。每個(gè)探測(cè)單元40中的至少一個(gè)微凸塊42被設(shè)置為與相應(yīng)的互連件60相接觸并且電連接，互連件60依次與相應(yīng)的探測(cè)焊盤30相連接。應(yīng)該理解，插件20可以包括超出圖中所示導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)的其他各種導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)，或者，在一些可能的實(shí)施例中，插件20也可以是激活的，并且包括一個(gè)或多個(gè)激活電器件。在一個(gè)實(shí)施例中，用于實(shí)施晶圓級(jí)管芯測(cè)試的半導(dǎo)體探測(cè)結(jié)構(gòu)包括:具有第一表面和第二表面的襯底；在第一表面和第二表面之間延伸的多個(gè)襯底通孔；形成在襯底的第一表面上的多個(gè)凸塊，每個(gè)凸塊與其中一個(gè)通孔導(dǎo)電連接；以及設(shè)置在襯底的第二表面上的多個(gè)探測(cè)單元，每個(gè)探測(cè)單元包括與其中一個(gè)通孔導(dǎo)電連接的探測(cè)焊盤，至少一個(gè)與焊盤可操作地相關(guān)聯(lián)的微凸塊，以及至少一個(gè)將微凸塊與焊盤導(dǎo)電連接的導(dǎo)電互連件，微凸塊被排列為與被測(cè)器件上的相應(yīng)微凸塊相匹配。從探測(cè)卡應(yīng)用至凸塊的測(cè)試信號(hào)通過微凸塊被傳輸至管芯微凸塊，從而間接地探測(cè)管芯微凸塊。在一個(gè)實(shí)施例中，凸塊是C4凸塊，其間距間隔大于微凸塊的間距間隔。在另一個(gè)實(shí)施中，用于實(shí)施管芯測(cè)試的半導(dǎo)體探測(cè)結(jié)構(gòu)包括:具有第一表面和第二表面的襯底；在第一表面和第二表面之間延伸的多個(gè)襯底通孔；形成在襯底的第一表面上的多個(gè)凸塊，每個(gè)凸塊與其中一個(gè)通孔導(dǎo)電連接；以及設(shè)置在襯底的第二表面上的多個(gè)探測(cè)單元，每個(gè)探測(cè)單元包括與至少一個(gè)通孔和多個(gè)與焊盤可操作地相關(guān)聯(lián)并且相對(duì)接近地環(huán)繞焊盤排列的微凸塊導(dǎo)電連接的探測(cè)焊盤，至少一個(gè)微凸塊與焊盤電連接并且電激活，多個(gè)微凸塊被排列成與被測(cè)器件上的相應(yīng)管芯微凸塊陣列相匹配。在其他實(shí)施例中用于實(shí)施管芯測(cè)試的半導(dǎo)體探測(cè)結(jié)構(gòu)包括:包括具有第一表面和第二表面的襯底的插件；在第一表面和第二表面之間延伸的多個(gè)襯底通孔；形成在襯底的第一表面上的多個(gè)凸塊，每個(gè)凸塊與至少其中一個(gè)通孔導(dǎo)電連接；以及設(shè)置在襯底的第二表面上的多個(gè)探測(cè)單元，每個(gè)探測(cè)單元包括與至少其中一個(gè)通孔和可操作地與焊盤相關(guān)聯(lián)并且相對(duì)鄰近地環(huán)繞焊盤排列的多個(gè)微凸塊的組導(dǎo)電連接的探測(cè)焊盤,至少其中一個(gè)微凸塊與焊盤導(dǎo)電連接并且是電激活的，多個(gè)微凸塊被排列成與被測(cè)器件上的相應(yīng)管芯微凸塊陣列相匹配。每個(gè)凸塊和微凸塊具有各自的間距間隔，微凸塊的間距間隔小于凸塊的間距間隔。在一些實(shí)施例中，在上述任何實(shí)施例中的至少一個(gè)探測(cè)焊盤可以通過至少兩個(gè)通孔與相應(yīng)的凸塊導(dǎo)電連接，以提供多余的測(cè)試信號(hào)路徑。在一些實(shí)施中，凸塊可以是C4凸塊。雖然以上說明書和附圖詳細(xì)描述了本發(fā)明可能的示例性實(shí)施例，然而應(yīng)該理解，在不背離本公開的主旨、范圍和相應(yīng)的附圖范圍的情況下，可以做各種補(bǔ)充、修改和替換。尤其是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該清楚，在不背離本公開的主旨或重要特征的情況下，本發(fā)明可以以其他形式、結(jié)構(gòu)、布置、比例、尺寸以及使用其他元件、材料和組件實(shí)現(xiàn)。此外，在不背離本公開主旨的情況下，可以對(duì)本發(fā)明所述的可應(yīng)用的方法/工藝和/或控制邏輯進(jìn)行各種改變。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該進(jìn)一步地理解，在本發(fā)明的實(shí)際應(yīng)用中，在不背離本發(fā)明的原則的情況下，可以對(duì)本發(fā)明中的結(jié)構(gòu)、布置、比例、尺寸、材料和元件等進(jìn)行許多修改，尤其是為了適應(yīng)特定情況和操作要求，對(duì)其進(jìn)行修改。因此，對(duì)本發(fā)明描述的實(shí)施例，應(yīng)該從各個(gè)方面考慮但并不限制，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其同類限定，但并不僅限于上述說明或?qū)嵤├．?dāng)然，所附權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)廣泛限定，以包括本領(lǐng)域技術(shù)人員在不背離本發(fā)明的范圍和等效范圍的情況下根據(jù)本發(fā)明的做出的其他的變形和實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種用于管芯測(cè)試的半導(dǎo)體探測(cè)結(jié)構(gòu)，包括: 襯底，所述襯底具有第一表面和第二表面； 多個(gè)襯底通孔，所述多個(gè)襯底通孔在所述第一表面和所述第二表面之間延伸； 多個(gè)凸塊，所述多個(gè)凸塊形成在所述襯底的所述第一表面上，用于接合測(cè)試探頭針或尖立而; 多個(gè)探測(cè)單元，所述多個(gè)探測(cè)單元設(shè)置在所述襯底的所述第二表面上，所述探測(cè)單元包括與至少一個(gè)所述通孔導(dǎo)電連接的探測(cè)焊盤、圍繞所述焊盤并且與所述焊盤可操作地相關(guān)聯(lián)的至少一個(gè)微凸塊、以及將所述微凸塊電連接至所述焊盤的至少一個(gè)互連件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探測(cè)結(jié)構(gòu)，其中，進(jìn)一步包括圍繞所述焊盤并且與所述焊盤可操作地相關(guān)聯(lián)的第二微凸塊、以及將所述第二微凸塊電連接至所述焊盤的第二互連件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的探測(cè)結(jié)構(gòu)，其中，第一微凸塊和所述第二微凸塊設(shè)置在所述焊盤的相對(duì)側(cè)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探測(cè)結(jié)構(gòu)，其中，每個(gè)所述探測(cè)焊盤導(dǎo)電連接至至少兩個(gè)通孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的探測(cè)結(jié)構(gòu)，其中，所述兩個(gè)通孔導(dǎo)電連接至所述襯底的所述第一表面上的單個(gè)凸塊，以在所述凸塊和所述焊盤之間提供多余的導(dǎo)電路徑。
6.一種用于實(shí)施管芯測(cè)試的半導(dǎo)體探測(cè)結(jié)構(gòu)，包括: 襯底，所述襯底具有第一表面和第二`表面； 多個(gè)襯底通孔，所述多個(gè)襯底通孔在所述第一表面和所述第二表面之間延伸； 多個(gè)凸塊，所述多個(gè)凸塊形成在所述襯底的所述第一表面上，每個(gè)凸塊導(dǎo)電連接至至少一個(gè)所述通孔；以及 多個(gè)探測(cè)單元，所述多個(gè)探測(cè)單元設(shè)置在所述襯底的所述第二表面上，每個(gè)測(cè)試單元包括導(dǎo)電連接至至少一個(gè)所述通孔的探測(cè)焊盤、以及與所述焊盤可操作地相關(guān)聯(lián)并且相對(duì)接近地圍繞所述焊盤排列的多個(gè)微凸塊，至少一個(gè)所述微凸塊導(dǎo)電連接至所述焊盤并且是電激活的，所述多個(gè)微凸塊被排列為與相應(yīng)的管芯微凸塊陣列匹配。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的探測(cè)結(jié)構(gòu)，其中，當(dāng)所述微凸塊與管芯微凸塊接合時(shí)，施加到一個(gè)所述凸塊的電測(cè)試信號(hào)通過在所述襯底上的電激活微凸塊傳輸至管芯上的相應(yīng)微凸塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的探測(cè)結(jié)構(gòu)，其中，至少一個(gè)焊盤導(dǎo)電連接至至少兩個(gè)通孔，所述至少兩個(gè)通孔導(dǎo)電連接至凸塊。
9.一種用于實(shí)施管芯測(cè)試的半導(dǎo)體探測(cè)結(jié)構(gòu)，包括: 插件，所述插件包括具有第一表面和第二表面的襯底； 多個(gè)襯底通孔，所述多個(gè)襯底通孔在所述第一表面和所述第二表面之間延伸； 多個(gè)凸塊，所述多個(gè)凸塊形成在所述襯底的所述第一表面上，每個(gè)凸塊導(dǎo)電連接至至少一個(gè)所述通孔；以及 多個(gè)探測(cè)單元，所述多個(gè)探測(cè)單元設(shè)置在所述襯底的所述第二表面上，每個(gè)探測(cè)單元包括導(dǎo)電連接至至少一個(gè)所述通孔的探測(cè)焊盤、以及與所述焊盤可操作地相關(guān)聯(lián)并且相對(duì)接近地圍繞所述焊盤排列的一組多個(gè)微凸塊，至少一個(gè)所述微凸塊導(dǎo)電連接至所述焊盤并且是電激活的，多個(gè)微凸塊被排列為與相應(yīng)的管芯微凸塊陣列匹配；其中，每個(gè)所述凸塊和所述微凸塊都具有間距間隔，所述微凸塊的間距間隔小于所述凸塊的間距間隔。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述 的探測(cè)結(jié)構(gòu)，其中，所述凸塊是C4凸塊。
全文摘要
一種用于晶圓級(jí)測(cè)試半導(dǎo)體IC封裝的被測(cè)器件(DUT)的測(cè)試探測(cè)結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括襯底、襯底通孔、形成在襯底的第一表面以接合探測(cè)卡的凸塊陣列以及在襯底的第二表面上的至少一個(gè)探測(cè)單元。該探測(cè)單元包括形成在襯底的一個(gè)表面上的導(dǎo)電探測(cè)焊盤以及與該焊盤互連的至少一個(gè)微凸塊。該焊盤通過通孔電連接到凸塊陣列。一些實(shí)施例包括多個(gè)與焊盤相連接的微凸塊，該焊盤被配置為與DUT上的微凸塊匹配陣列相接合。在一些實(shí)施例中，DUT可以通過從探測(cè)卡通過凸塊和微凸塊陣列施加測(cè)試信號(hào)進(jìn)行探測(cè)，而不直接探測(cè)DUT微凸塊。
文檔編號(hào)H01L23/544GK103151337SQ20121007689
公開日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2012年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月7日
發(fā)明者王敏哲, 陳卿芳, 桑迪.庫(kù)馬.戈埃爾, 袁忠盛, 葉朝陽(yáng), 劉欽洲, 李云漢, 林鴻志 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司