專利名稱：用于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)接觸的隔離件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地來說，涉及用于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)接觸的隔離件
背景技術(shù)：
由于集成電路(IC)的發(fā)展，半導(dǎo)體工業(yè)一直在追求改進(jìn)IC的性能或尺寸。許多改進(jìn)集中在更小特征尺寸以便能夠提高IC的速度。隨著特征尺寸的減小，增加了 IC上的器件(例如，晶體管、二級管、電阻器、電容器等)的密度。隨著密度的增加，通常減少了器件之間的距離，這允許在器件之間有更小的電阻和電容。因此，能夠減少阻容(Re)時間常數(shù)。其他改進(jìn)集中在 用不同材料去實現(xiàn)有益效果。襯底上的不同材料的外延生長被用于獲得有益效果。例如，襯底上不同材料的生長能夠有助于引入材料的應(yīng)力和應(yīng)變以增加電荷載流子的遷移率。而且，外延生長材料(如材料中的摻雜物)的電電氣特性能夠用于更好地獲得較好的晶體結(jié)構(gòu)，同時具有摻雜物離子以減少電阻或者增加遷移率。然而，材料的外延生長可以生成小平面(faceting)。當(dāng)對所述材料蝕刻開口，從而在開口中形成接觸件時，小平面可能是個問題。如果開口稍微未對準(zhǔn)，例如位于小平面上方，開口有可能不能蝕刻到外延材料。如果開口沒有被蝕刻到所述小平面，則接觸件的導(dǎo)電材料將不能與小平面物理接觸。因此，接觸件不能接觸到導(dǎo)致開路接觸的小平面。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括外延區(qū)域，位于襯底中，所述外延區(qū)域的頂面高于所述襯底的頂面，所述外延區(qū)域具有在所述襯底的所述頂面和所述外延區(qū)域的所述頂面之間的小平面；柵極結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上方；接觸隔離件，所述接觸隔離件橫向位于所述外延區(qū)域的小平面和所述柵極結(jié)構(gòu)之間；以及，蝕刻停止層，所述蝕刻停止層位于所述接觸隔離件以及所述外延區(qū)域的所述頂面中的每個上方并且鄰接所述接觸隔離件和所述外延區(qū)域的所述頂面中的每個，所述接觸隔離件的蝕刻選擇性與所述蝕刻停止層的蝕刻選擇性的比率等于或小于3 I。在該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述蝕刻停止層的材料與所述接觸隔離件的材料相同。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括層間介電層，位于所述蝕刻停止層上方；以及接觸件，穿過所述層間介電層，所述接觸件電連接到所述外延區(qū)域。在該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述蝕刻停止層和所述接觸隔離件均為氮化硅。在該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極介電層，位于所述襯底上方；柵電極，位于所述柵極介電層上方；和柵極隔離件，沿著所述柵電極的側(cè)壁和所述柵極介電層的側(cè)壁，所述柵極隔離件的側(cè)壁鄰接所述接觸隔離件，所述接觸隔離件鄰接所述小平面。在該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述接觸隔離件沒有位于所述外延區(qū)域的頂面上方。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括在襯底中形成外延區(qū)域，所述外延區(qū)域具有在所述襯底的頂面和所述外延區(qū)域的頂面之間的小平面，所述襯底具有在所述襯底的頂面上方的柵極結(jié)構(gòu)；隔離件材料橫向沉積在所述小平面和所述柵極結(jié)構(gòu)之間；以及在所述隔離件材料和所述外延區(qū)域上方沉積蝕刻停止層，所述蝕刻停止層鄰接所述隔離件材料和所述外延區(qū)域中的每個，所述隔離件材料的蝕刻選擇性與所述蝕刻停止層的蝕刻選擇性的比率等于或小于3 I。該方法進(jìn)一步包括在所述蝕刻停止層上方沉積層間介電層；形成開口，所述開口穿過所述層間介電層到達(dá)所述外延區(qū)域；以及在所述開口中沉積導(dǎo)電材料。在該方法中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵電極和沿著所述柵電極的側(cè)壁的柵極隔離件，硬掩模位于所述柵電極上方，所述隔離件材料沿著所述柵極隔離件的外側(cè)壁沉積，去除所述硬掩模而所述隔離件材料沿著所述柵極隔離件的所述外側(cè)壁。該方法進(jìn)一步包括去除所述隔離件材料的一部分，所述隔離件材料的頂面與所述外延區(qū)域的頂面大體上共面。在該方法中，所述隔離件材料和所述蝕刻停止層均為氮化硅。在該方法中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵電極和沿著所述柵電極的側(cè)壁的柵極隔離件，所述隔離件材料鄰接所述柵極隔離件的外側(cè)壁并且鄰接所述小平面。在該方法中，所述蝕刻停止層進(jìn)一步沿著所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成并且形成在所述柵極結(jié)構(gòu)上方。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括提供襯底，柵極位于所述襯底上方，硬掩模位于所述柵極上方，柵極隔離件沿著所述柵極的側(cè)壁；沿著所述柵極隔離件的外側(cè)壁以及位于所述襯底中的從所述柵極橫向設(shè)置的源極區(qū)域/漏極區(qū)域上方共形形成隔離件材料；去除所述硬掩模而所述隔離件材料沿著所述柵極隔離件的所述外側(cè)壁；以及去除所述隔離件材料的第一部分以暴露出所述源極區(qū)域/漏極區(qū)域，所述隔離件材料的第二部分保持橫向設(shè)置在所述柵極隔離件和所述源極區(qū)域/漏極區(qū)域之間。該方法進(jìn)一步包括在所述源極區(qū)域/漏極區(qū)域、所述隔離件材料的所述第二部分、以及所述柵極上方沉積蝕刻停止層。該方法進(jìn)一步包括在所述蝕刻停止層上方沉積層間介電層；蝕刻開口，所述開口穿過所述層間介電層到達(dá)所述源極區(qū)域/漏極區(qū)域；以及在所述開口內(nèi)沉積導(dǎo)電材料。該方法進(jìn)一步包括在所述源極區(qū)域/漏極區(qū)域中外延生長外延區(qū)域，將所述外延區(qū)域的頂面設(shè)置為高于所述襯底的頂面，所述外延區(qū)域的小平面位于所述襯底的所述頂面和所述外延區(qū)域的所述頂面之間。在該方法中，所述隔離件材料的第二部分鄰接所述小平面并且鄰接所述柵極隔離件的側(cè)壁。該方法進(jìn)一步包括在所述隔離件材料的所述第二部分以及所述外延區(qū)域的所述頂面上方形成蝕刻停止層，并且所述蝕刻停止層鄰接所述隔離件材料的所述第二部分以及所述外延區(qū)域的所述頂面，所述隔離件材料和所述蝕刻停止層是同一材料。在該方法中，所述隔離件材料和所述蝕刻停止層均為氮化硅。


為更完整的理解實施例及其優(yōu)點，現(xiàn)將結(jié)合附圖所進(jìn)行的以下描述作為參考，其中圖1是根據(jù)一實施方式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的橫截面；以及圖2至圖9是根據(jù)實施例的在進(jìn)行處理以形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)期間的橫截面。
具體實施例方式下面，詳細(xì)討論本發(fā)明實施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本發(fā)明提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實現(xiàn)的可應(yīng)用的創(chuàng)造性概念。所討論的具體實施例僅僅示出了制造和使用所公開的主題的具體方式，而不用于限制本發(fā)明的范圍。將結(jié)合上下文描述實施例，S卩，具有外延生長區(qū)域和外延區(qū)域的接觸件的半導(dǎo)體器件和結(jié)構(gòu)。其他實施例可以應(yīng)用于具有相似幾何尺寸區(qū)域且接觸形成到所述區(qū)域的結(jié)構(gòu)，但是該區(qū)域可能不包括外延生長。圖1示出了根據(jù)實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10。該結(jié)構(gòu)包括襯底12，外延區(qū)域14，在相應(yīng)柵極介電層18上方的柵極16，沿著柵極16和柵極介電層18的側(cè)壁的柵極隔離件20，接觸隔離件22，接觸蝕刻停止層(CESL) 24，層間介電(ILD)層26，和接觸件28。在該實施例中，襯底12是硅，在其它的實施例中，襯底12包括硅鍺、碳化硅、砷化鎵(GaA)、磷化鎵(GaP)、硫化鎘(CdS)等，或者它們的組合。柵極介電層18和柵極16的一個組合位于襯底12的溝道區(qū)域上方，柵極介電層18和柵極16的另一個組合位于襯底12的另一溝道區(qū)域或者隔離區(qū)域(例如氧化物)上方。外延區(qū)域14形成在襯底12的源極/漏極區(qū)域內(nèi)，并且外延區(qū)域14包括小平面30，該小平面與襯底12的頂面不平行且不垂直。由于小平面30的角度，小平面30中之一的平面、柵極隔離件20與柵極16相對的外表面，沿著外延區(qū)域14的頂面的平面，以及可能的襯底12的頂面形成一個非立方體體積(non-cuboid volume)。在該實施例中，外延生長區(qū)域14是硅鍺(SiGe)、或者磷化硅(SiP)，以及在其他實施例中，外延生長區(qū)域14是碳化硅(SiC)、砷化銦(InAs)等，或者它們的組合。接觸隔離件22設(shè)置在外延區(qū)域14的相應(yīng)小平面30和柵極隔離件20的外表面之間的非立方體體積內(nèi)。CESL 24共形地位于柵極16、接觸隔離件22和外延區(qū)域14上方。在該實施例中，接觸隔離件22和CESL 24具有相同的材料，例如氮化硅。其他實施例預(yù)期其他的材料，例如氮碳化硅等，或者它們的組合。在另一實施例中，接觸隔離件22和CESL 24包括不同的相應(yīng)材料，例如接觸隔離件22的蝕刻選擇性與CESL 24的蝕刻選擇性的比率等于或小于3 I的材料。ILD層26形成在CESL 24上方，形成穿過ILD層26和CESL 24到達(dá)外延區(qū)域14的接觸件28。在該實施例中，ILD層26是二氧化硅，并且其他實施例1LD層26預(yù)期其它材料，例如，硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、磷硅酸鹽玻璃(PSG)等，或者它們的組合。在該實施例中，ILD層26是與CESL 24不同的材料以具有蝕刻選擇性。接觸件28包括例如金屬的導(dǎo)電材料，例如，鋁、銅、鎢等，或者它們的組合；并且包括設(shè)置在導(dǎo)電材料和ILD層26之間的勢壘層，例如氮化鈦、氮化鉭等，或者它們的組合。圖2-9示出了根據(jù)實施例形成半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu)的過程。雖然在此討論的實施例的步驟以特定順序?qū)嵤?，但是步驟也可以以任何邏輯順序來實施。
圖2示出了處理期間某點處的結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)包括在柵極介電層18上方的圖案化柵極16，和在襯底12上方的柵極介電層18。柵極隔離件20沿著柵極介電層18和柵極16的側(cè)壁。硬掩模40，例如二氧化硅，位于每個柵極16的頂面上方，并且柵極隔離件20進(jìn)一步地沿著硬掩模40的側(cè)壁。在圖2中，源極/漏極區(qū)域被蝕刻，從而在襯底12上形成凹槽。蝕刻可以利用各向異性蝕刻。圖3示出了襯底12上的凹槽42中的外延區(qū)域14的外延生長。外延生長能夠?qū)е戮哂行∑矫?0作為外延區(qū)域14的上表面的外延區(qū)域14。例如，外延生長可以是通過選擇性外延生長(SEG)、分子束外延(MBE)等，或者它們的組合。在圖4中，接觸間隔層44沉積在結(jié)構(gòu)上。接觸間隔層44通過以下方式沉積，例如化學(xué)汽相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、熔爐沉積(furnacedeposition)等,或者它們的組合。沉積是共形的，使得接觸間隔層44從每個小平面30的底部部分到該小平面的頂部部分(例如外延區(qū)域14的頂面)沿著小平面30填充體積，以及填充在每個小平面30和相應(yīng)的柵極隔離件20之間。在圖5中，例如通過各向異性蝕刻去除硬掩模40，隔離件20的上部和接觸間隔層44的上部。在該蝕刻以后，留下沿著柵極隔離件20的側(cè)壁和位于外延區(qū)域14上方的中間接觸間隔層46。圖6中，通過蝕刻去除中間接觸間隔層46的部分，從而形成填充在外延區(qū)域14的小平面30和相應(yīng)的柵極隔離件20之間的體積的接觸隔離件22。所述蝕刻暴露出外延區(qū)域14的頂面。在該實施例中，使用濕蝕刻，例如通過使用磷酸H3PO4實施該蝕刻。其他的實施例預(yù)期其它的蝕刻技術(shù)，例如采用具有不同蝕刻劑的濕蝕刻或者干蝕刻。雖然將接觸隔離件22示出為具有與外延區(qū)域14的頂面共平面的頂部平面，但是接觸隔離件22可以大體上與外延區(qū)域14的頂面共平面，例 如具有由于濕蝕刻的凹陷頂面。圖7示出了接觸蝕刻停止層(CESL) 24形成在外延區(qū)域14的頂面上方、接觸隔離件22的頂面上方、沿著柵極隔離件20的側(cè)壁以及柵極16上方。在該實施例中，CESL 24的材料與接觸隔離件22的材料相同。在其他實施例中，CESL 24和接觸隔離件22的材料可以是不同的材料，例如接觸隔離件22的材料的蝕刻選擇性與CESL 24的材料的蝕刻選擇性的比率小于或等于3 I?？梢酝ㄟ^CVD等或者它們的組合形成CESL 24。在圖8中，沉積層間介電(ILD)層26?？梢圆捎美绺呙芏鹊入x子體(HDP)沉積、CVD、可流動沉積等，或者它們的組合來沉積ILD層26。雖然圖8和隨后的圖中沒有具體示出，但是ILD層26可以具有更高的高度使得ILD層26位于柵極16上方。此外，在沉積ILD層26以后，可以平坦化ILD層26，例如通過采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。蝕刻開口 48，該開口穿過ILD層26到達(dá)襯底12中的源極/漏極區(qū)域的外延區(qū)域14?？梢圆捎每山邮艿墓饪碳夹g(shù)，例如單鑲嵌工藝或者雙鑲嵌工藝蝕刻開口 48。應(yīng)該注意，可接受的光刻技術(shù)可以使用第一蝕刻劑進(jìn)行蝕刻穿過ILD層26以及使用第二蝕刻劑進(jìn)行蝕刻穿過CESL 24。在一些實施例中，CESL 24和接觸隔離件26的材料是不同的，接觸隔離件22的蝕刻選擇性與關(guān)于使用第二蝕刻劑的CESL 24的蝕刻選擇性的比率等于或小于3 I。在圖9中，接觸件28形成在開口 48內(nèi)。形成接觸件包括例如在開口 48中沉積勢壘層，然后沉積諸如金屬的導(dǎo)電材料。沉積可以是通過例如CVD，原子層沉積(ALD)，物理汽相沉積(PVD)等，或者它們的組合。例如通過CMP去除過量的勢壘層材料和/或?qū)щ姴牧?。本發(fā)明的實施例可實現(xiàn)優(yōu)點。首先，如果接觸隔離件的材料與CESL的材料相同或者接觸隔離件具有適當(dāng)?shù)奈g刻選擇性的比率，則蝕刻用于接觸件的開口穿過CESL到達(dá)外延區(qū)域可以繼續(xù)穿過接觸隔離件到達(dá)例如外延區(qū)域的小平面，而不是由于蝕刻選擇性停止在接觸隔離件的頂面處。因此，即使在蝕刻用于接觸件的開口時發(fā)生光掩膜未對準(zhǔn)的情況下，接觸件也可以充分接觸外延區(qū)域。而且，當(dāng)去除掩膜時，實施例能夠減少柵極損壞。在實施例中，當(dāng)去除柵極結(jié)構(gòu)上方的硬掩膜時，接觸間隔層可以覆蓋的柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，從而提供進(jìn)一步的保護(hù)，從而減少在掩膜去除期間的損壞。實施例是半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括外延區(qū)域，柵極結(jié)構(gòu)，接觸隔離件和蝕刻停止層。外延區(qū)域位于襯底中。外延區(qū)域的頂面高于襯底的頂面，并且外延區(qū)域具有在襯底的頂面和外延區(qū)域的頂面之間的小平面。柵極結(jié)構(gòu)位于襯底上方。接觸隔離件橫向位于外延區(qū)域的小平面和柵極結(jié)構(gòu)之間。蝕刻停止層位于接觸隔離件的每個上方和外延區(qū)域的頂面上方并且鄰接接觸隔離件的每個和外延區(qū)域的頂面。接觸隔離件的蝕刻選擇性與蝕刻停止層的蝕刻選擇性的比率等于或小于3 I。另一實施例是用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。方法包括在襯底上形成外延區(qū)域。該外延區(qū)域在襯底的頂面和外延區(qū)域的頂面之間具有小平面。該襯底具有在襯底的頂面上方的柵極結(jié)構(gòu)。該方法進(jìn)一步包括在小平面和柵極結(jié)構(gòu)之間橫向沉積隔離件材料，并且在隔離件材料和外延區(qū)域上方沉積蝕刻停止層。蝕刻停止層鄰接每個隔離件材料和外延區(qū)域，隔離件材料的蝕刻選擇性與蝕刻停止層材料的蝕刻選擇性的比率等于或小于3 I。

又一實施例是用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。所述方法包括提供襯底。柵極位于所述襯底上方，硬掩模位于所述柵極上，以及柵極隔離件沿著柵極的側(cè)壁。該方法進(jìn)一步包括沿著柵極隔離件的外側(cè)壁以及在位于襯底中的從柵極橫向設(shè)置的源極/漏極區(qū)域上方共形形成隔離件材料；去除硬掩模而隔離件材料沿著柵極隔離件的外側(cè)壁；以及去除所述隔離件材料的第一部分從而暴露出源極/漏極區(qū)域。隔離件材料的第二部分保持橫向設(shè)置在柵極隔離件和源極/漏極區(qū)域之間。盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明及其優(yōu)點，但應(yīng)該理解，在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明主旨和范圍的情況下，可以做各種不同的改變、替換和更改。而且，本申請的范圍并不旨在僅限于本說明書中描述的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，通過本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本發(fā)明所采用的所述相應(yīng)實施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造，材料組分、裝置、方法或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權(quán)利要求應(yīng)該包括在這樣的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括 外延區(qū)域，位于襯底中，所述外延區(qū)域的頂面高于所述襯底的頂面，所述外延區(qū)域具有在所述襯底的所述頂面和所述外延區(qū)域的所述頂面之間的小平面； 柵極結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上方； 接觸隔離件，所述接觸隔離件橫向位于所述外延區(qū)域的小平面和所述柵極結(jié)構(gòu)之間；以及， 蝕刻停止層，所述蝕刻停止層位于所述接觸隔離件以及所述外延區(qū)域的所述頂面中的每個上方并且鄰接所述接觸隔離件和所述外延區(qū)域的所述頂面中的每個，所述接觸隔離件的蝕刻選擇性與所述蝕刻停止層的蝕刻選擇性的比率等于或小于3 I。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述蝕刻停止層的材料與所述接觸隔離件的材料相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，進(jìn)一歩包括 層間介電層，位于所述蝕刻停止層上方；以及 接觸件，穿過所述層間介電層，所述接觸件電連接到所述外延區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述蝕刻停止層和所述接觸隔離件均為氮化硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極介電層，位于所述襯底上方；柵電極，位于所述柵極介電層上方；和柵極隔離件，沿著所述柵電極的側(cè)壁和所述柵極介電層的側(cè)壁，所述柵極隔離件的側(cè)壁鄰接所述接觸隔離件，所述接觸隔離件鄰接所述小平面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述接觸隔離件沒有位于所述外延區(qū)域的頂面上方。
7.一種用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括 在襯底中形成外延區(qū)域，所述外延區(qū)域具有在所述襯底的頂面和所述外延區(qū)域的頂面之間的小平面，所述襯底具有在所述襯底的頂面上方的柵極結(jié)構(gòu)； 隔離件材料橫向沉積在所述小平面和所述柵極結(jié)構(gòu)之間；以及 在所述隔離件材料和所述外延區(qū)域上方沉積蝕刻停止層，所述蝕刻停止層鄰接所述隔離件材料和所述外延區(qū)域中的每個，所述隔離件材料的蝕刻選擇性與所述蝕刻停止層的蝕刻選擇性的比率等于或小于3 I。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)ー步包括 在所述蝕刻停止層上方沉積層間介電層； 形成開ロ，所述開ロ穿過所述層間介電層到達(dá)所述外延區(qū)域；以及 在所述開ロ中沉積導(dǎo)電材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵電極和沿著所述柵電極的側(cè)壁的柵極隔離件，硬掩模位于所述柵電極上方，所述隔離件材料沿著所述柵極隔離件的外側(cè)壁沉積，去除所述硬掩模而所述隔離件材料沿著所述柵極隔離件的所述外側(cè)壁。
10.. 一種用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括 提供襯底，柵極位于所述襯底上方，硬掩模位于所述柵極上方，柵極隔離件沿著所述柵極的側(cè)壁；沿著所述柵極隔離件的外側(cè)壁以及位于所述襯底中的從所述柵極橫向設(shè)置的源極區(qū)域/漏極區(qū)域上方共形形成隔離件材料； 去除所述硬掩模而所述隔離件材料沿著所述柵極隔離件的所述外側(cè)壁；以及去除所述隔離件材料的第一部分以暴露出所述源極區(qū)域/漏極區(qū)域，所述隔離件材料的第二部分保持橫向設(shè)置在所述柵極隔離件和所述源極區(qū)域/漏極區(qū)域之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括外延區(qū)域、柵極結(jié)構(gòu)、接觸隔離件、和蝕刻停止層。外延區(qū)域位于襯底中。外延區(qū)域的頂面高于襯底的頂面，并且外延區(qū)域具有在襯底的頂面和外延區(qū)域的頂面之間的小平面。柵極結(jié)構(gòu)位于襯底上方。接觸隔離件橫向位于外延區(qū)域的小平面和柵極結(jié)構(gòu)之間。蝕刻停止層位于接觸隔離件的每個和外延區(qū)域的頂面上方并且鄰接接觸隔離件的每個和外延區(qū)域的頂面。接觸隔離件的蝕刻選擇性與蝕刻停止層的蝕刻選擇性的比率等于或小于3∶1。本發(fā)明還提供了用于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)接觸的隔離件。
文檔編號H01L21/768GK103050457SQ201210067310
公開日2013年4月17日 申請日期2012年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月13日
發(fā)明者柯俊宏, 陳志輝, 黃明杰 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司