專利名稱：面板及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種面板及其制法，特別是涉及一種于制程中保護(hù)走線的制法及制得的面板。
背景技術(shù)：
于顯示器的制作中，因中小尺寸薄膜晶體管(TFT)的應(yīng)用已朝高分辨率及窄邊框(slim border)發(fā)展，因此增加光刻暨蝕刻制程(photolithography-and-etching process,PEP)次數(shù)，以改善TFT顯示面板象素的開口率及窄邊框特性。但當(dāng)大量制造時又面臨光刻暨蝕刻制程次數(shù)較多，造成生產(chǎn)瓶頸問題。更甚而，制程次數(shù)過多會造成缺陷產(chǎn)生，導(dǎo)致良率下降。因此，對于新穎的面板與其制程仍有需求，以能夠減少掩模制程次數(shù)以使生產(chǎn)便利以及降低缺陷產(chǎn)生率使得良率上升。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種新穎的面板與其制程，以能夠減少掩模制程次數(shù)以使生產(chǎn)便利以及降低缺陷產(chǎn)生率使得良率上升。依據(jù)本發(fā)明的目的所提出的一實施例的面板包含一基板、一第一圖案化導(dǎo)電層、 一第一絕緣層、一第二圖案化導(dǎo)電層、一第二絕緣層、一圖案化半導(dǎo)體層、一第三圖案化導(dǎo)電層、一保護(hù)層、及一圖案化導(dǎo)電膜?；宥x有一象素區(qū)與一走線區(qū)。走線區(qū)位于象素區(qū)的至少一側(cè)。第一圖案化導(dǎo)電層設(shè)置于基板上。第一圖案化導(dǎo)電層包含一第一電極線、一第一電極、及一走線。第一電極與第一電極線連接且皆位于象素區(qū)。走線位于走線區(qū)。第一絕緣層設(shè)置且覆蓋于象素區(qū)、走線區(qū)及第一圖案化導(dǎo)電層之上。第二圖案化導(dǎo)電層設(shè)置于第一絕緣層之上。第二圖案化導(dǎo)電層具有一第二電極位于象素區(qū)的第一絕緣層之上。第二絕緣層設(shè)置且覆蓋于位于象素區(qū)的第二電極、走線區(qū)、與位于走線上方的第一絕緣層之上。 圖案化半導(dǎo)體層設(shè)置于第二絕緣層之上。圖案化半導(dǎo)體層包含一第一部份對應(yīng)于第一電極以及一第二部份對應(yīng)于走線。第三圖案化導(dǎo)電層設(shè)置于第二絕緣層之上。第三圖案化導(dǎo)電層包含一第二電極線、與第二電極線連接的一第三電極、及一第四電極。第三電極、第二電極線、及第四電極皆位于象素區(qū)。第一電極、圖案化半導(dǎo)體層的第一部份與第三電極形成一晶體管。第四電極對應(yīng)于第二電極且形成一儲存電容。保護(hù)層設(shè)置且覆蓋位于象素區(qū)的第三圖案化導(dǎo)電層與第二絕緣層之上。圖案化導(dǎo)電膜設(shè)置于位在象素區(qū)的保護(hù)層之上，且圖案化導(dǎo)電膜包含一象素電極連接晶體管與儲存電容。依據(jù)本發(fā)明的目的所提出的另一實施例的制造面板的方法包含下列步驟。首先， 提供一基板?；宥x有一象素區(qū)與一位于象素區(qū)的至少一側(cè)的走線區(qū)。然后，形成一第一圖案化導(dǎo)電層于基板上。第一圖案化導(dǎo)電層包含一第一電極線、與第一電極線連接的一第一電極、以及一第一走線。第一電極與第一電極線皆位于象素區(qū)。第一走線位于走線區(qū)。 形成且覆蓋一第一絕緣層于象素區(qū)、走線區(qū)及第一圖案化導(dǎo)電層之上。形成一第二圖案化導(dǎo)電層于第一絕緣層之上。第二圖案化導(dǎo)電層具有一第二電極位于象素區(qū)的第一絕緣層之上以及一第二走線位于走線區(qū)。形成且覆蓋一第二絕緣層于位于象素區(qū)的第二電極、走線區(qū)、位于第一走線上方的第一絕緣層、及第二走線之上。形成一圖案化半導(dǎo)體層于第二絕緣層之上。圖案化半導(dǎo)體層包含一第一部份對應(yīng)于第一電極以及一第二部份對應(yīng)于第二走線。形成一第三圖案化導(dǎo)電層于第二絕緣層之上。第三圖案化導(dǎo)電層包含一第二電極線、 與第二電極線連接的一第三電極、及一第四電極。第三電極、第二電極線、第四電極皆位于象素區(qū)。第一電極、圖案化半導(dǎo)體層的第一部份與第三電極形成一晶體管。第四電極對于第二電極形成一儲存電容。形成且覆蓋一保護(hù)層于位于象素區(qū)的第三圖案化導(dǎo)電層與第二絕緣層之上。形成一圖案化導(dǎo)電膜于位在象素區(qū)的保護(hù)層之上。圖案化導(dǎo)電膜包含一象素電極連接晶體管與儲存電容。本發(fā)明的面板及其制法是于絕緣層上形成一圖案化半導(dǎo)體層；圖案化半導(dǎo)體層包含一部份對應(yīng)于一電極以及另一部份對應(yīng)于走線；對應(yīng)于一電極的部份可做為例如通道， 而對應(yīng)于走線的部份可在制程及結(jié)構(gòu)中保護(hù)走線，使走線減少刮傷及腐蝕的風(fēng)險；本發(fā)明能夠減少掩模制程次數(shù)以使生產(chǎn)便利以及降低缺陷產(chǎn)生率使得良率上升。



16,17走線18,19接墊
20第一絕緣層22第二電極
24第二絕緣層26、28、30部份
26a半導(dǎo)體通道層26b重?fù)诫s半導(dǎo)體層
32,33開口34第三電極
36第四電極38,39接墊
40保護(hù)層42鈍化層
44感旋光性有機(jī)層46接觸窗
48象素電極50,51部份
52,53環(huán)狀結(jié)構(gòu)101,201象素區(qū)
102,202走線區(qū)103,203,204接觸墊區(qū)。
具體實施例方式為使熟悉本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的通常知識者能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的數(shù)個較佳實施例，并配合所附附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的功效。應(yīng)注意到本文中各圖式的尺寸大小并未按其真實比例制作，而僅為示意的參考，且于各實施例中相同的元件可能使用相同的符號標(biāo)記。請參考圖I至圖7，其繪示了依據(jù)本發(fā)明的一實施例的制造面板的方法示意圖。另外，本發(fā)明的較佳實施例是以顯示面板的象素結(jié)構(gòu)、走線及外引腳接合墊為例說明本發(fā)明的應(yīng)用，但本發(fā)明的面板并不以此為限而可應(yīng)用于其它類型的顯示面板或面板中。如圖I 所示，首先提供基板12，其材料包含玻璃、陶瓷、晶圓、金屬、聚合物、可撓性材料、或其它合適的材料。于基板12定義有象素區(qū)101、位于象素區(qū)101的至少一側(cè)的走線區(qū)102、及接觸墊區(qū)103。其中，“至少一側(cè)”意指一側(cè)、二側(cè)、三側(cè)、四側(cè)或更多側(cè)，并且走線區(qū)102及接觸墊區(qū)103皆位于象素區(qū)之外，且上述二區(qū)102、103非為象素區(qū)內(nèi)的線路，例如數(shù)據(jù)線、掃描線、儲存電容線、電源線。于基板12上形成第一導(dǎo)電層，其可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且第一導(dǎo)電層的材料可為反射材料(例如鑰、鋁、鈦、銅、銀、金、釹、鉭、鎢、或其它合適的材料、或上述的合金、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物)、透明材料(例如銦錫氧化物、銦鎵氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的材料)。接著，利用第一道光刻暨蝕刻制程(photolithography-and-etching process,PEP)圖案化第一導(dǎo)電層，以于基板12上形成第一圖案化導(dǎo)電層,其可包含第一電極14、與第一電極14連接的第一電極線、 以及至少一走線16。當(dāng)然，于其它實施例中，第一圖案化導(dǎo)電層可利用網(wǎng)版印刷法、噴墨法或其它合適的形成方法。第一電極14與第一電極線皆位于象素區(qū)101，走線16位于走線區(qū)102。第一圖案化導(dǎo)電層可更包含接墊18設(shè)置于接觸墊區(qū)103上，接墊18可與一走線 16連接。第一電極14可為例如柵極。第一電極線可為例如柵極線(但不限于此)而與柵極連接。走線16可用來連接接觸墊與象素區(qū)101的元件或裝置，例如第一電極線(其可為柵極線或稱為掃描線)、源極線、儲存電容線、電源線、共通電極等等，以傳遞信號，若有需要時，可進(jìn)一步通過橋接的方式達(dá)到連接的目的。然后，如圖2所示，形成第一絕緣層20，其設(shè)置且覆蓋于象素區(qū)101、走線區(qū)102、及第一圖案化導(dǎo)電層(即，第一電極14與走線16)上，并可覆蓋接觸墊區(qū)103上，且一并覆蓋第一圖案化導(dǎo)電層的接墊18。其中，第一絕緣層20可為單層或多層結(jié)構(gòu)，其材料包含無機(jī)材料(例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、或其它合適的材料)、有機(jī)材料(例如 聚丙烯酸酯類、聚酰亞胺類(PD、聚碳酸酯類(PC)、環(huán)苯丁烷類(BCB)、聚醚類(PES)、或其它合適的材料、或上述的衍生物)、或上述的組合。圖式為示意圖，所示接觸墊區(qū)103上的第一絕緣層20的表面為平坦，但實際上其表面可能為平坦、大致平坦或起伏形狀。第一絕緣層 20厚度可為例如約2400埃，但依不同的設(shè)計而不限于此數(shù)值。然后，于第一絕緣層20之上形成第二導(dǎo)電層，其可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且第二導(dǎo)電層的材料可為反射材料(例如鑰、 鋁、鈦、銅、銀、金、釹、鉭、鎢、或其它合適的材料、或上述的合金、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物)、透明材料(例如銦錫氧化物、銦鎵氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的材料)。利用第二道光刻暨蝕刻制程圖案化第二導(dǎo)電層，獲得第二圖案化導(dǎo)電層，其包括第二電極22位于象素區(qū)101的第一絕緣層20之上。當(dāng)然，于其它實施例中，第二圖案化導(dǎo)電層可利用網(wǎng)版印刷法、噴墨法或其它合適的形成方法。第二電極22 可為例如儲存電容線的一部份(或稱為共享電極線、儲存電容下電極)。然后，如圖3所示，形成第二絕緣層24以覆蓋位于象素區(qū)101的第二電極22、走線區(qū)102、與位于走線16上方的第一絕緣層20之上，并可與第一絕緣層20 —起覆蓋接觸墊區(qū)103上。然后，于第二絕緣層24上形成半導(dǎo)體層。接著，利用第三道光刻暨蝕刻制程移除部分半導(dǎo)體層，形成圖案化半導(dǎo)體層，使其一部份26對應(yīng)于第一電極14及另至少一部份 28對應(yīng)于走線16，即，使其一部份26位于第一電極14正上方，而可做為通道，以及至少一部份28位于走線16的正上方，而可于后續(xù)制程中保護(hù)下方的走線16。其中，圖案化半導(dǎo)體層其可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料包含非晶硅、單晶硅、多晶硅、微晶硅、氧化物半導(dǎo)體材料、或其它合適的材料、或上述的有機(jī)半導(dǎo)體材料。此外，于其它實施例中，圖案化半導(dǎo)體層可利用網(wǎng)版印刷法、噴墨法或其它合適的形成方法。于本實施例中，圖案化半導(dǎo)體層的表面可進(jìn)一步包括重?fù)诫s層，于其表面再予以進(jìn)行重?fù)诫s的植入、或是沉積半導(dǎo)體材料至表面之時同時加入摻質(zhì)一起沉積。故其部份26可包含有半導(dǎo)體通道層26a與重?fù)诫s半導(dǎo)體層 (或稱為奧姆接觸層)26b。圖案化半導(dǎo)體層可另有一部份30覆蓋于第二電極22的靠近第一電極14方向的邊緣上方，亦具有于后續(xù)制程中的保護(hù)功能。于其它實施例中，圖案化半導(dǎo)體層可包含通道區(qū)及摻雜區(qū)、其中，通道區(qū)為本征區(qū)對應(yīng)于第一電極14，而摻雜區(qū)為重?fù)诫s區(qū)、輕摻雜區(qū)、或者是同時包含重、輕摻雜區(qū)。 然后，如圖4所示，利用第四道光刻暨蝕刻制程蝕刻第二絕緣層24，以于第二絕緣層24中形成一孔洞，然后經(jīng)由此孔洞蝕刻第一絕緣層20，以形成至少一開口 32，露出部分接墊18。也就是說，開口 32會貫穿位于接墊區(qū)103的第一絕緣層20及第二絕緣層24，而暴露出接墊區(qū)103的部分接墊18。 然后，如圖5所示，于第二絕緣層24與圖案化半導(dǎo)體層上形成第三導(dǎo)電層，且填入開口 32以與接墊18接觸。第三導(dǎo)電層可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且第三導(dǎo)電層的材料可為反射材料(例如鑰、鋁、鈦、銅、銀、金、釹、鉭、鎢、或其它合適的材料、或上述的合金、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物)、透明材料(例如銦錫氧化物、銦鎵氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的材料)。接著，利用第五道光刻暨蝕刻制程圖案化第三導(dǎo)電層，以形成第三圖案化導(dǎo)電層，其包含第二電極線(未示出)、與第二電極線連接的第三電極34、以及第四電極36，且第三電極34、第二電極線、第四電極36皆位于象素區(qū) 101。第一電極14、圖案化半導(dǎo)體層的一部份26與第三電極34構(gòu)成晶體管。第四電極36 對于第二電極22(例如儲存電容線的一部份)可上下重迭配置，其之間設(shè)置有第二絕緣層 24而可形成儲存電容。于第5圖所示的實施例中，第三電極34可包括彼此分開的源極與漏極。而此漏極可與第四電極36相連或不相連，換言之，第三電極34與第四電極36可相連或不相連。第二電極線可與第三電極34，例如源極，連接，因此，第二電極線可為數(shù)據(jù)線。 第三圖案化導(dǎo)電層可更包含接墊38設(shè)置于位于接觸墊區(qū)103的第二絕緣層24上，且經(jīng)由位于第二絕緣層24中的開口(B卩，開口 32)連接接墊18。此外，于其它實施例中，第三圖案化導(dǎo)電層可利用網(wǎng)版印刷法、噴墨法或其它合適的形成方法。然后，如圖6所示，于第二絕緣層24、圖案化半導(dǎo)體層(包括露出的部份26及部份 28)、第三電極34以及第四電極36上形成保護(hù)層40。保護(hù)層40的形成可包括下列步驟。首先，形成鈍化層42，其即覆蓋于第三圖案化導(dǎo)電層之上，或是整片覆蓋于象素區(qū)101、走線區(qū)102及接觸墊區(qū)103上。然后，形成感旋光性有機(jī)層44，即覆蓋于鈍化層42之上，可用于作為平坦層。鈍化層42是由例如氮化硅、 氮氧化硅或氧化硅的絕緣材料所構(gòu)成，厚度可為例如約2000至約3000埃；感旋光性有機(jī)層 44是由例如光阻材料的有機(jī)材料所構(gòu)成，厚度可為例如約4. 2至約4. 8微米。鈍化層42與感旋光性有機(jī)層44的堆棧結(jié)構(gòu)形成保護(hù)層40。然后，利用第六道光刻制程圖案化感旋光性有機(jī)層44，以于感旋光性有機(jī)層44中形成開口，以分別暴露出位于晶體管及儲存電容的部份鈍化層42，并且移除位于走線區(qū)102及接觸墊區(qū)103的感旋光性有機(jī)層44。然后，施行蝕刻制程，移除未被感旋光性有機(jī)層44所覆蓋的鈍化層42，以形成接觸窗46暴露部份儲存電容。于蝕刻時，圖案化半導(dǎo)體層的部份28即可保護(hù)下方的走線16。于一實施例中，保護(hù)層40最后只覆蓋位于象素區(qū)101的第三圖案化導(dǎo)電層與第二絕緣層24之上，而不殘留于走線區(qū)102。于其它實施例，保護(hù)層40亦可僅包含感旋光性有機(jī)層44或是鈍化層42。然后，如圖7所示，形成一導(dǎo)電膜于象素區(qū)101、走線區(qū)102及接觸墊區(qū)103上。 導(dǎo)電膜可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料可包括透明材料(例如氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)、氧化銦鋒(indium zinc oxide, IZO)、氧化鎘錫(cadmium tin oxide, CTO)、氧化招鋒(aluminum zinc oxide, ΑΖ0)以及氧化銦鋒錫(indium tin zinc oxide, ΙΤΖ0)、或其它合適的材料)、反射材料(例如鑰、鋁、鈦、銅、銀、金、釹、鉭、鎢、或其它合適的材料、或上述的合金、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物)、或上述的組合。導(dǎo)電膜的厚度可為例如約750埃。對導(dǎo)電膜進(jìn)行第七道光刻暨蝕刻制程，以形成圖案化導(dǎo)電膜， 其可包括位于保護(hù)層40上的象素電極48，且可于接觸墊區(qū)103形成一與象素電極48分離的部份50，部份50設(shè)置且覆蓋于接墊38之上，可保護(hù)接墊38。于圖7中，圖案化導(dǎo)電膜， 并未設(shè)置于走線16之上。象素電極48亦形成于接觸窗46的側(cè)壁與底部而與第四電極36 接觸而電性連接；因而當(dāng)?shù)谒碾姌O36為儲存電容的構(gòu)件時，象素電極48即與儲存電容電性連接；而當(dāng)?shù)谒碾姌O36又與第三電極34的一部(例如漏極)連接時，象素電極48即亦與例如以此第三電極34的一部為構(gòu)件的晶體管電性連接。當(dāng)?shù)谒碾姌O36與第三電極34不相連接時，若有需要，可于保護(hù)層40形成另一個接觸窗以使象素電極48與此第三電極34 的一部電性連接。于其它實施例中，圖案化導(dǎo)電膜可利用網(wǎng)版印刷法、噴墨法或其它合適的形成方法。請參考圖8至圖14，其繪示了依據(jù)本發(fā)明的另一實施例的制造面板的方法示意圖。于此實施例中，首先提供基板12，于基板12定義有象素區(qū)201、位于象素區(qū)201的至少一側(cè)的走線區(qū)202、及接觸墊區(qū)203與204。于象素區(qū)201的元件(例如薄膜晶體管)的制作是與上述實施例的象素區(qū)101相同或類似。于走線區(qū)202，則利用如上述的第一金屬層與第二金屬層分別形成走線而為上下交替錯開的雙層配置，如此可更節(jié)省走線區(qū)的寬度，即可減少顯示面板邊框?qū)挾取６诖朔N上層走線的上方也設(shè)置有圖案化半導(dǎo)體層的保護(hù)。于接墊區(qū)，則由于二種走在線下交替錯開配置而會有二種接墊的配置構(gòu)形，其中接觸墊區(qū)203 的接觸墊的制作與接觸墊區(qū)103的接觸墊的制作相同或類似。如圖8所不,于基板12上形成第一導(dǎo)電層,其可為單層或多層結(jié)構(gòu),且第一導(dǎo)電層的材料可為反射材料(例如鑰、鋁、鈦、銅、銀、金、釹、鉭、鎢、或其它合適的材料、或上述的合金、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物)、透明材料(例如銦錫氧化物、銦鎵氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的材料)。接著，利用第一道光刻暨蝕刻制程圖案化第一導(dǎo)電層，以于基板12上形成第一圖案化導(dǎo)電層，其可包含位于象素區(qū) 201的第一電極14、與第一電極14連接的第一電極線、位于走線區(qū)202的多個走線16。第一圖案化導(dǎo)電層可更包含接墊18設(shè)置于接觸墊區(qū)203上。接墊18可與走線16銜接，但不限于此。當(dāng)然，于其它實施例中，第一圖案化導(dǎo)電層可利用網(wǎng)版印刷法、噴墨法或其它合適的形成方法。
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然后，如圖9所示，形成第一絕緣層20，其設(shè)置且覆蓋于象素區(qū)201、走線區(qū)202、及第一圖案化導(dǎo)電層(即，第一電極14與走線16)上，并可覆蓋接觸墊區(qū)203上，且一并覆蓋接墊18。其中，第一絕緣層20可為單層或多層結(jié)構(gòu)，其材料包含無機(jī)材料(例如氮化硅、 氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、或其它合適的材料)、有機(jī)材料(例如聚丙烯酸酯類、聚酰亞胺類(PD、聚碳酸酯類(PC)、環(huán)苯丁烷類(BCB)、聚醚類(PES)、或其它合適的材料、或上述的衍生物)、或上述的組合。然后，于第一絕緣層20之上形成第二導(dǎo)電層，其可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且第二導(dǎo)電層的材料可為反射材料(例如鑰、鋁、鈦、銅、銀、金、釹、鉭、鎢、或其它合適的材料、或上述的合金、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物)、透明材料(例如銦錫氧化物、銦鎵氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的材料)。利用第二道光刻暨蝕刻制程圖案化第二導(dǎo)電層，獲得第二圖案化導(dǎo)電層，其可包括位于象素區(qū)201 的第一絕緣層20之上的第二電極22及位于走線區(qū)202的第二絕緣層20之上的多個走線 17。當(dāng)然，于其它實施例中，第二圖案化導(dǎo)電層可利用網(wǎng)版印刷法、噴墨法或其它合適的形成方法。此外，第二圖案化導(dǎo)電層可進(jìn)一步包括位于接觸墊區(qū)204的第一絕緣層20之上的接墊19。接墊19可與走線17銜接，但不限于此。走線16及17可用來連接接觸墊與象素區(qū)201的元件或裝置例如第一電極線(例如柵極線)或第二電極線(例如源極線)，儲存電容線、電源線、共通電極等等，以傳遞信號，若有需要時，可進(jìn)一步通過橋接的方式達(dá)到連接的目的。然后，如圖10所示，形成第二絕緣層24以覆蓋位于象素區(qū)201的第二電極22、走線區(qū)202的第一絕緣層20及走線17之上，并可與第一絕緣層20 —起覆蓋接觸墊區(qū)203上、 以及可覆蓋于接墊區(qū)204之上，即覆蓋于接墊19之上。然后，于第二絕緣層24上形成半導(dǎo)體層。利用第三道光刻暨蝕刻制程移除部分半導(dǎo)體層，形成圖案化半導(dǎo)體層，使其一部份26 對應(yīng)于第一電極14及多個部份28對應(yīng)于多個走線17，例如，使其一部份26位于第一電極 14正上方，而可做為通道，以及多個部份28分別位于多個走線17的正上方，而可于后續(xù)制程中保護(hù)下方的走線17。其中，圖案化半導(dǎo)體層其可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料包含非晶硅、單晶硅、多晶硅、微晶硅、氧化物半導(dǎo)體材料、或其它合適的材料、或上述的有機(jī)半導(dǎo)體材料。此外，于其它實施例中，圖案化半導(dǎo)體層可利用網(wǎng)版印刷法、噴墨法或其它合適的形成方法。于本實施例中，圖案化半導(dǎo)體層部份26可包含有半導(dǎo)體通道層26a與重?fù)诫s半導(dǎo)體層(或稱為奧姆接觸層)26b。圖案化半導(dǎo)體層可另有一部份30覆蓋于第二電極22的靠近第一電極14方向的邊緣上方。于其它實施例中，圖案化半導(dǎo)體層可包含通道區(qū)及摻雜區(qū)、其中，通道區(qū)為本征區(qū)對應(yīng)于第一電極14，而摻雜區(qū)為重?fù)诫s區(qū)、輕摻雜區(qū)、或者是同時包含重、輕摻雜區(qū)。然后，如圖11所示，利用第四道光刻暨蝕刻制程蝕刻第二絕緣層24，以于接觸墊區(qū)203的第二絕緣層24及第一絕緣層20中形成一開口 32，露出部分的接墊18，及于接觸墊區(qū)204的第二絕緣層24中形成一開口 33，露出部分的接墊19。然后，如圖12所示，于第二絕緣層24與圖案化半導(dǎo)體層上形成第三導(dǎo)電層，且填入開口 32以與接墊18接觸及填入開口 33以與接墊19接觸。其中，第三導(dǎo)電層可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且第三導(dǎo)電層的材料可為反射材料(例如鑰、鋁、鈦、銅、銀、金、釹、鉭、鎢、或其它合適的材料、或上述的合金、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物)、透明材料(例如銦錫氧化物、銦鎵氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的材料)。接著，利用第五道光刻暨蝕刻制程圖案化第三導(dǎo)電層，以形成第三圖案化導(dǎo)電層，其包含位于象素區(qū)201的第二電極線(未示出)、與第二電極線連接的第三電極34、以及第四電極36， 且第三電極34、第二電極線、第四電極36皆位于象素區(qū)101。第一電極14、圖案化半導(dǎo)體層的一部份26與第三電極34構(gòu)成晶體管。第四電極36對于第二電極22 (例如儲存電容線的一部份)可上下重迭配置，其之間設(shè)置有第二絕緣層24而可形成儲存電容。于圖12所示的實施例中，第三電極34可包括彼此分開的源極與漏極。而此漏極可與第四電極36相連或不相連，換言之，第三電極34與第四電極36可相連或不相連。第二電極線可與第三電極34，例如源極，連接，因此，第二電極線可為數(shù)據(jù)線。第三圖案化導(dǎo)電層可更包含設(shè)置于接觸墊區(qū)203的第二絕緣層24上的接墊38及設(shè)置于接觸墊區(qū)204的第二絕緣層24上的接墊39。接墊38及39分別經(jīng)由開口 32及33連接接墊18及19。此外，于其它實施例中，第三圖案化導(dǎo)電層可利用網(wǎng)版印刷法、噴墨法或其它合適的形成方法。然后，如圖13所示，于第二絕緣層24、圖案化半導(dǎo)體層(包括露出的部份26及部份28)、第三電極34以及第四電極36上形成保護(hù)層40。保護(hù)層40的形成可包括下列步驟。首先，形成鈍化層42，其即覆蓋于第三圖案化導(dǎo)電層之上，或是整片覆蓋于象素區(qū)101、 走線區(qū)102及接觸墊區(qū)103上。然后，形成感旋光性有機(jī)層44，即覆蓋于鈍化層42之上，可用于作為平坦層。鈍化層42是由例如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅的絕緣材料所構(gòu)成，厚度可為例如約2000至約3000埃；感旋光性有機(jī)層44是由例如光阻材料的有機(jī)材料所構(gòu)成， 厚度可為例如約4. 2至約4. 8微米。鈍化層42與感旋光性有機(jī)層44的堆棧結(jié)構(gòu)形成保護(hù)層40。然后，于制作至少一接觸窗46時，利用光刻制程圖案化感旋光性有機(jī)層44，以于感旋光性有機(jī)層44中形成開口，以分別暴露出位于晶體管及儲存電容的部份鈍化層42，并移除位于走線區(qū)202及接觸墊區(qū)203及204的感旋光性有機(jī)層44。然后，于蝕刻時，將象素區(qū) 201、走線區(qū)202、及接觸墊區(qū)203與204的未被感旋光性有機(jī)層44所覆蓋的鈍化層42移除，于象素區(qū)201形成接觸窗46，而圖案化半導(dǎo)體層的部份28于蝕刻時可保護(hù)其下方的走線17及第二絕緣層24。于此實施例中，保護(hù)層40最后只覆蓋位于象素區(qū)201的第三圖案化導(dǎo)電層與第二絕緣層24之上，而不殘留于走線區(qū)202。于其它實施例，保護(hù)層40亦可僅包含平坦感旋光性有機(jī)層44或是鈍化層42。然后，如圖14所示，形成一導(dǎo)電膜于象素區(qū)201、走線區(qū)202及接觸墊區(qū)203及204 上導(dǎo)電膜可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料可包括透明材料(例如氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)、氧化銦鋒(indium zinc oxide, IZO)、氧化鎘錫(cadmium tin oxide, CTO)、 氧化招鋅(aluminum zinc oxide, ΑΖ0)以及氧化銦鋒錫(indium tin zinc oxide, ΙΤΖ0)、 或其它合適的材料)、反射材料(例如鑰、鋁、鈦、銅、銀、金、釹、鉭、鎢、或其它合適的材料、 或上述的合金、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物)、或上述的組合。導(dǎo)電膜的厚度可為例如約750埃。對導(dǎo)電膜進(jìn)行第七道光刻暨蝕刻制程，形成圖案化導(dǎo)電膜， 其包括位于保護(hù)層40上的象素電極48，且可于接觸墊區(qū)203形成一與象素電極48分離的部份50，使部份50設(shè)置且覆蓋于接墊38之上，可保護(hù)接墊38。于圖14中，圖案化導(dǎo)電膜， 并未設(shè)置于走線16、17之上。另可于接觸墊區(qū)204形成一與象素電極48及部份50分離的部份51，使部份51設(shè)置且覆蓋于接墊39之上，可保護(hù)接墊39。象素電極48亦形成于接觸窗46的側(cè)壁與底部而與第四電極36接觸而電性連接。于其它實施例中，圖案化導(dǎo)電膜可利用網(wǎng)版印刷法、噴墨法或其它合適的形成方法。
圖15顯示如圖8至圖14所示的實施例其中于走線區(qū)202至接觸墊區(qū)203及204 的平面示意圖。圖8至圖14的走線區(qū)202的截面示意圖顯示如圖15中沿線段AA’的截面。 圖8至圖14的接觸墊區(qū)203及204的截面示意圖分別顯示如圖15中沿線段BB’及CC’的截面。圖16的平面示意圖及其圖17的截面示意圖顯示依據(jù)本發(fā)明的又一實施例的制造面板的方法示意圖。圖17顯示如圖16所示的沿線段AA’、BB’、及CC’的截面圖,但圖16 顯示各接觸墊具有多個開口，例如3個，但不限于此，而于圖17的BB’、及CC’的截面圖中為了簡潔易看的緣故均僅顯示具有一個開口。于此實施例中，與上述圖8至圖14繪示的實施例類似，但走線區(qū)202的保護(hù)層40并不予以完全移除，留下厚度較象素區(qū)201薄的保護(hù)層40，例如利用半調(diào)(halftone)曝光方法留下此區(qū)的感旋光性有機(jī)層44，并使其厚度較薄，如此可于后續(xù)的蝕刻制程中，除了有圖案化半導(dǎo)體層保護(hù)走線17之外，更加保護(hù)下方的雙層的上下交替錯開配置的走線16與17。再者，于此實施例中，亦進(jìn)一步于半導(dǎo)體層圖案化時，除了制得第三電極、第四電極、多個部分28之外，尚可于接觸墊區(qū)203及204對應(yīng)接墊38及39的外圍圖形而形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)52及53，于此實施例中其為長方形的環(huán)狀結(jié)構(gòu)， 再于環(huán)狀結(jié)構(gòu)52及53的開口及開口 32及33填滿第三導(dǎo)電層至覆蓋或部分覆蓋環(huán)狀結(jié)構(gòu)52及53，當(dāng)對第三導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻以供形成接墊38及39時，此圖案化半導(dǎo)體層的環(huán)狀結(jié)構(gòu)52及53即可保護(hù)第三導(dǎo)電層與下方絕緣層相鄰之處，減少走線與絕緣層間發(fā)生底切 (undercut) 0其中，環(huán)狀結(jié)構(gòu)并不限于長方形，亦可為多邊形、曲線形、或其它合適的形狀。上述實施例，是以一個第一電極14當(dāng)作柵極、二個第三電極34當(dāng)作源與漏極以及圖案化半導(dǎo)體層的部份26所構(gòu)成的底柵型晶體管為范例。但是，于其它實施例中，以二個第一電極14當(dāng)作源與漏極、一個第三電極34當(dāng)作柵極以及圖案化半導(dǎo)體層的部份26所構(gòu)成的頂柵型晶體管、或者是，圖案化半導(dǎo)體層的部份26形成于二個第三電極(當(dāng)作源與漏極)34之上的變形底柵型晶體管亦可適用。再者，上述的實施例中，保護(hù)層40，較佳地，不存在于該接觸墊區(qū)中，以方便于接觸墊區(qū)103、203及204的接墊18、19可與其它元件(例如芯片、電路板、或其它合適的元件)接合。本發(fā)明的面板依據(jù)顯示介質(zhì)的種類可應(yīng)用于非自發(fā)光面板(例如高分子穩(wěn)定配向型(PSA)顯示面板、電子紙(EPD)、藍(lán)相顯示面板(blue phase display)、 雙視角型(dual-view)顯示面板、三視角型(triple-view)顯示面板、三維顯示面板 (three-dimensional)、邊緣場切換顯不面板 Fringe Field Switching, FFS)、水平電場切換(In Plane Switching, IPS)顯不面板、電潤濕(Electrowetting Display, EffD)顯不面板、多域垂直配向(MVA)顯示面板、圖案化垂直配向(Pattern Vertical Alignment, PVA) 顯示面板、或上述類型的彩色濾光片于矩陣上(Color filter On Array,C0A)的顯示面板、 或上述類型的矩陣于彩色濾光片上(Array On Color filter,A0C)的顯示面板或其它合適的面板)、自發(fā)光面板(例如有機(jī)電激發(fā)光面板、無機(jī)電激發(fā)光面板、或上述的組合、或其它合適的面板)、或其它合適的面板、或上述的組合。而上述的顯示面板亦可依運用與至少一種功能配合，例如觸控功能、太陽能電池、光偵測功能等等。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種面板，包含一基板，其定義有一象素區(qū)與位于所述象素區(qū)的至少一側(cè)的一走線區(qū)；一第一圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于所述基板上，所述第一圖案化導(dǎo)電層包含至少一第一電極線、至少一第一電極、及至少一走線，所述第一電極與第一電極線連接且皆位于所述象素區(qū)，所述走線位于所述走線區(qū)；一第一絕緣層，設(shè)置且覆蓋于所述象素區(qū)、走線區(qū)及第一圖案化導(dǎo)電層之上；一第二圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于所述第一絕緣層之上，所述第二圖案化導(dǎo)電層具有至少一第二電極位于所述象素區(qū)的第一絕緣層之上；一第二絕緣層，設(shè)置且覆蓋于位于所述象素區(qū)的第二電極、走線區(qū)、與位于走線上方的第一絕緣層之上；一圖案化半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第二絕緣層之上，所述圖案化半導(dǎo)體層包含至少一第一部份對應(yīng)于所述第一電極以及至少一第二部份對應(yīng)于所述走線；一第三圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于所述第二絕緣層之上，所述第三圖案化導(dǎo)電層包含至少一第二電極線、至少一與第二電極線連接的第三電極、至少一第四電極，且所述第三電極、 第二電極線、及第四電極皆位于所述象素區(qū)，其中，所述第一電極、圖案化半導(dǎo)體層的第一部份與所述第三電極形成一晶體管，所述第四電極對應(yīng)于所述第二電極且形成一儲存電容；一保護(hù)層，設(shè)置且覆蓋位于所述象素區(qū)的第三圖案化導(dǎo)電層與第二絕緣層之上；以及一圖案化導(dǎo)電膜，設(shè)置于位在所述象素區(qū)的保護(hù)層之上，且所述圖案化導(dǎo)電膜包含至少一象素電極連接所述晶體管與儲存電容。
2.如權(quán)利要求I所述的面板，其中，所述走線連接第一電極線或第二電極線。
3 如權(quán)利要求I所述的面板，其中，所述基板更包含一接觸墊區(qū)；所述第一圖案化導(dǎo)電層更包含至少一第一接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上，所述第一接墊與所述走線連接；所述第二絕緣層更設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上；所述第三圖案化導(dǎo)電層更包含至少一第二接墊設(shè)置于位于所述接觸墊區(qū)的第二絕緣層上，且其經(jīng)由位于所述第二絕緣層中的開口連接所述第一接墊；以及所述圖案化導(dǎo)電膜更包含至少一與所述象素電極分離的第三部份，所述第三部份設(shè)置且覆蓋于所述第二接墊之上，其中，所述圖案化半導(dǎo)體層不位于所述接觸墊區(qū)。
4.一種面板,包含一基板，其定義有一象素區(qū)與位于所述象素區(qū)的至少一側(cè)的一走線區(qū)；一第一圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于所述基板上，所述第一圖案化導(dǎo)電層包含至少一第一電極線、至少一與所述第一電極線連接的第一電極，且所述第一電極與第一電極線皆位于所述象素區(qū)，以及至少一第一走線位于所述走線區(qū)；一第一絕緣層，設(shè)置且覆蓋于所述象素區(qū)、走線區(qū)及第一圖案化導(dǎo)電層之上；一第二圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于所述第一絕緣層之上，所述第二圖案化導(dǎo)電層具有至少一第二電極位于所述象素區(qū)的第一絕緣層之上以及至少一第二走線位于所述走線區(qū)； 一第二絕緣層，設(shè)置且覆蓋位于所述象素區(qū)的第二電極、走線區(qū)、第一走線上方的第絕緣層、與第二走線之上；一圖案化半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第二絕緣層之上，所述圖案化半導(dǎo)體層包含至少一第一部份對應(yīng)于所述第一電極以及至少一第二部份對應(yīng)于所述第二走線；一第三圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于所述第二絕緣層之上，所述第三圖案化導(dǎo)電層包含至少一第二電極線、至少一與第二電極線連接的第三電極、與至少一第四電極，且所述第三電極、第二電極線、第四電極皆位于所述象素區(qū)，其中，所述第一電極、所述圖案化半導(dǎo)體層的第一部份與所述第三電極形成一晶體管，所述第四電極對于所述第二電極形成一儲存電容；一保護(hù)層，設(shè)置且覆蓋位于所述象素區(qū)的第三圖案化導(dǎo)電層與第二絕緣層之上；以及一圖案化導(dǎo)電膜，設(shè)置于位在所述象素區(qū)的保護(hù)層之上，且所述圖案化導(dǎo)電膜包含至少一象素電極連接所述晶體管與所述儲存電容。
5.如權(quán)利要求4所述的面板，其中，所述保護(hù)層更設(shè)置且覆蓋位于所述走線區(qū)的圖案化半導(dǎo)體層的第二部份及位于所述走線區(qū)的第二絕緣層之上，其中位于所述象素區(qū)的保護(hù)層厚度實質(zhì)上大于位于所述走線區(qū)的保護(hù)層厚度。
6.如權(quán)利要求4所述的面板，其中，所述圖案化半導(dǎo)體層更包含至少一第三部份，設(shè)置于所述第二絕緣層之上且對應(yīng)于所述第一走線。
7.如權(quán)利要求4所述的面板，其中，所述基板更包含一接觸墊區(qū)；所述第一圖案化導(dǎo)電層更包含至少一第一接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上；所述第二圖案化導(dǎo)電層更包含至少一第二接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上；所述第二絕緣層更設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上；所述第三圖案化導(dǎo)電層更包含至少一第三接墊及至少一第四接墊，所述第三接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上，且其經(jīng)由位于所述第二絕緣層中的一第一開口連接所述第一接墊，以及所述第四接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上，且其經(jīng)由位于所述第二絕緣層中的一第二開口連接所述第二接墊；以及所述圖案化導(dǎo)電膜更包含至少一第三部份與至少一第四部份，且所述第三部份設(shè)置且覆蓋于所述第三接墊之上，所述第四部份設(shè)置且覆蓋于所述第四接墊之上，其中，所述象素電極、第三部份與第四部份相互分離。
8.如權(quán)利要求5所述的面板，其中，所述基板更包含一接觸墊區(qū)；所述第一圖案化導(dǎo)電層更包含至少一第一接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上；所述第二圖案化導(dǎo)電層更包含至少一第二接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上；所述第二絕緣層更設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上；所述圖案化半導(dǎo)體層更設(shè)置于所述接觸墊區(qū)的第二絕緣層上而為一第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)及一第二環(huán)狀結(jié)構(gòu)；所述第三圖案化導(dǎo)電層更包含至少一第三接墊及至少一第四接墊，所述第三接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上，且其經(jīng)由位于所述第二絕緣層與第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)中的一第一開口連接所述第一接墊，所述第四接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上，且其經(jīng)由位于所述第二絕緣層與第二環(huán)狀結(jié)構(gòu)中的一第二開口連接所述第二接墊；以及所述圖案化導(dǎo)電膜更包含至少一第三部份與至少一第四部份，且所述第三部份設(shè)置且覆蓋于所述第三接墊之上，所述第四部份設(shè)置且覆蓋于所述第四接墊之上，其中，所述象素電極、第三部份與第四部份相互分離。
9.一種制造面板的方法，包含提供一基板，其定義有一象素區(qū)與一位于所述象素區(qū)的至少一側(cè)的走線區(qū)；形成一第一圖案化導(dǎo)電層于所述基板上，所述第一圖案化導(dǎo)電層包含至少一第一電極線、與至少一第一電極線連接的第一電極、以及至少一走線，所述第一電極與第一電極線位于所述象素區(qū)，所述走線位于所述走線區(qū)；形成且覆蓋一第一絕緣層于所述象素區(qū)、走線區(qū)及第一圖案化導(dǎo)電層之上；形成一第二圖案化導(dǎo)電層于所述第一絕緣層之上，所述第二圖案化導(dǎo)電層具有至少一第二電極位于所述象素區(qū)的第一絕緣層之上；形成一第二絕緣層以覆蓋位于所述象素區(qū)的第二電極、走線區(qū)、與位于所述走線上方的第一絕緣層之上；形成一圖案化半導(dǎo)體層，于所述第二絕緣層之上，所述圖案化半導(dǎo)體層包含至少一第一部份對應(yīng)于所述第一電極以及至少一第二部份對應(yīng)于所述走線；形成一第三圖案化導(dǎo)電層于所述第二絕緣層之上，所述第三圖案化導(dǎo)電層包含至少一第二電極線、至少一與第二電極線連接的第三電極、及至少一第四電極，且所述第三電極、 第二電極線、第四電極皆位于所述象素區(qū)，其中，所述第一電極、圖案化半導(dǎo)體層的第一部份與第三電極構(gòu)成一晶體管，所述第四電極對于所述第二電極形成一儲存電容；形成且覆蓋一保護(hù)層于位于所述象素區(qū)的第三圖案化導(dǎo)電層及第二絕緣層之上；以及形成一圖案化導(dǎo)電膜位在所述象素區(qū)的保護(hù)層之上，且所述圖案化導(dǎo)電膜包含至少一象素電極連接所述晶體管與儲存電容。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述基板更包含一接觸墊區(qū)；所述第一圖案化導(dǎo)電層更包含至少一第一接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上；所述第三圖案化導(dǎo)電層更包含至少一第二接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上，且其經(jīng)由位于所述第二絕緣層中的一開口連接所述第一接墊；以及所述圖案化導(dǎo)電膜更包含至少一與所述象素電極分離的第三部份，設(shè)置且覆蓋于所述第二接墊之上，其中，所述圖案化半導(dǎo)體層不位于所述接觸墊區(qū)。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述走線連接所述第一電極線或第二電極線。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，形成且覆蓋所述保護(hù)層于位于所述象素區(qū)的第三圖案化導(dǎo)電層與所述第二絕緣層之上；以及形成所述圖案化導(dǎo)電膜位在所述象素區(qū)的保護(hù)層之上，且所述圖案化導(dǎo)電膜包含所述象素電極，其連接所述晶體管與儲存電容的方法包含覆蓋一鈍化層于所述第三圖案化導(dǎo)電層之上；覆蓋一感旋光性有機(jī)層于所述鈍化層之上，其中，所述鈍化層與所述感旋光性有機(jī)層的堆棧結(jié)構(gòu)形成所述保護(hù)層；對所述感旋光性有機(jī)層施行一光刻制程，以分別暴露出位于所述晶體管及儲存電容的部份鈍化層；施行一蝕刻制程，移除未被所述感旋光性有機(jī)層所覆蓋的鈍化層，以形成一接觸窗分別暴露出部份儲存電容，并使得所述保護(hù)層只設(shè)置且覆蓋位于所述象素區(qū)的第三圖案化導(dǎo)電層與第二絕緣層之上；以及形成所述圖案化導(dǎo)電膜于位在所述象素區(qū)的保護(hù)層之上，且所述圖案化導(dǎo)電膜包含所述象素電極，其經(jīng)由一接觸窗連接所述儲存電容。
13.一種制造面板的方法，包含提供一基板，其定義有一象素區(qū)與一位于所述象素區(qū)的至少一側(cè)的走線區(qū)；形成一第一圖案化導(dǎo)電層于所述基板上，所述第一圖案化導(dǎo)電層包含至少一第一電極線、至少一與第一電極線連接的第一電極、以及至少一第一走線，且所述第一電極與第一電極線皆位于所述象素區(qū)，所述第一走線位于所述走線區(qū)；形成且覆蓋一第一絕緣層于所述象素區(qū)、走線區(qū)及第一圖案化導(dǎo)電層之上；形成一第二圖案化導(dǎo)電層于所述第一絕緣層之上，所述第二圖案化導(dǎo)電層具有至少一第二電極位于所述象素區(qū)的第一絕緣層之上以及至少一第二走線位于所述走線區(qū)；形成且覆蓋一第二絕緣層于位于所述象素區(qū)的第二電極、走線區(qū)、位于所述第一走線上方的第一絕緣層、及所述第二走線之上；形成一圖案化半導(dǎo)體層于所述第二絕緣層之上，所述圖案化半導(dǎo)體層包含至少一第一部份對應(yīng)于所述第一電極以及至少一第二部份對應(yīng)于所述第二走線；形成一第三圖案化導(dǎo)電層于所述第二絕緣層之上，所述第三圖案化導(dǎo)電層包含至少一第二電極線、至少一與第二電極線連接的第三電極、及至少一第四電極，且所述第三電極、 第二電極線、第四電極皆位于所述象素區(qū)，其中，所述第一電極、圖案化半導(dǎo)體層的第一部份與所述第三電極形成一晶體管，所述第四電極對于所述第二電極形成一儲存電容；形成且覆蓋一保護(hù)層于位于所述象素區(qū)的第三圖案化導(dǎo)電層與第二絕緣層之上；以及形成一圖案化導(dǎo)電膜于位在所述象素區(qū)的保護(hù)層之上，且所述圖案化導(dǎo)電膜包含至少一象素電極連接所述晶體管與儲存電容。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述保護(hù)層更設(shè)置且覆蓋位于所述走線區(qū)的圖案化半導(dǎo)體層的第二部份及位于所述走線區(qū)的第二絕緣層之上，其中位于所述象素區(qū)的保護(hù)層厚度實質(zhì)上大于位于所述走線區(qū)的保護(hù)層厚度。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述圖案化導(dǎo)體層更包含至少一第三部份，設(shè)置于所述第二絕緣層之上且對應(yīng)于所述第一走線。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述基板更包含一接觸墊區(qū)；所述第一圖案化導(dǎo)電層更包含一第一接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上；所述第二圖案化導(dǎo)電層更包含一第二接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上；所述第三圖案化導(dǎo)電層更包含一第三接墊及一第四接墊，所述第三接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上，且其經(jīng)由位于所述第二絕緣層中的一第一開口連接所述第一接墊，所述第四接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上，且其經(jīng)由位于所述第二絕緣層中的一第二開口連接所述第二接墊；以及所述圖案化導(dǎo)電膜更包含一第三部份與一第四部份，且所述第三部份設(shè)置且覆蓋于所述第三接墊之上，所述第四部份設(shè)置且覆蓋于所述第四接墊之上，其中，所述象素電極、第三部份與第四部份相互分離。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述基板更包含一接觸墊區(qū)；所述第一圖案化導(dǎo)電層更包含至少一第一接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上；所述第二圖案化導(dǎo)電層更包含至少一第二接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上；所述第二絕緣層更設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上；所述圖案化半導(dǎo)體層更設(shè)置于所述接觸墊區(qū)的第二絕緣層上而為一第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)及一第二環(huán)狀結(jié)構(gòu)；所述第三圖案化導(dǎo)電層更包含至少一第三接墊及至少一第四接墊，所述第三接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上，且其經(jīng)由位于所述第二絕緣層與第一環(huán)狀結(jié)構(gòu)中的一第一開口連接所述第一接墊，所述第四接墊設(shè)置于所述接觸墊區(qū)上，且其經(jīng)由位于所述第二絕緣層與第二環(huán)狀結(jié)構(gòu)中的一第二開口連接所述第二接墊；以及所述圖案化導(dǎo)電膜更包含至少一第三部份與至少一第四部份，且所述第三部份設(shè)置且覆蓋于所述第三接墊之上，所述第四部份設(shè)置且覆蓋于所述第四接墊之上，其中，所述象素電極、第三部份與第四部份相互分離。
18.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，形成所述保護(hù)層以覆蓋位于所述象素區(qū)的第三圖案化導(dǎo)電層與第二絕緣層之上；以及形成所述象素電極于位在所述象素區(qū)的保護(hù)層之上，且所述圖案化導(dǎo)電膜包含所述象素電極連接所述晶體管與儲存電容的方法包含覆蓋一鈍化層于所述第三圖案化導(dǎo)電層之上；覆蓋一感旋光性有機(jī)層于所述鈍化層之上，其中，所述鈍化層與所述感旋光性有機(jī)層的堆棧結(jié)構(gòu)形成所述保護(hù)層；對所述感旋光性有機(jī)層施行一光刻制程，以分別暴露出位于所述晶體管及儲存電容上的部份鈍化層；施行一蝕刻制程，移除未被所述感旋光性有機(jī)層所覆蓋的鈍化層，以形成一接觸窗暴露出部份儲存電容；以及形成所述圖案化導(dǎo)電膜，于位在所述象素區(qū)的保護(hù)層之上，且所述圖案化導(dǎo)電膜包含所述象素電極其經(jīng)由一接觸窗連接所述儲存電容。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種面板及其制法，其中，于絕緣層上形成一圖案化半導(dǎo)體層。圖案化半導(dǎo)體層包含一部份對應(yīng)于一電極以及另一部份對應(yīng)于走線。對應(yīng)于一電極的部份可做為例如通道，而對應(yīng)于走線的部份可在制程及結(jié)構(gòu)中保護(hù)走線，使走線減少刮傷及腐蝕的風(fēng)險。
文檔編號H01L21/77GK102593126SQ201210065309
公開日2012年7月18日 申請日期2012年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月30日
發(fā)明者黃國有, 黃德群 申請人:友達(dá)光電股份有限公司