專利名稱：Mom電容器及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種MOM電容器及其制作方法。
背景技術(shù)：
隨著各種功能電路集成度的迅速提高以及對(duì)功能模塊和元器件小型化的需要，集成無(wú)源技術(shù)成為一種取代分立無(wú)源器件以達(dá)到器件小型化的解決方案。在各種典型電路中，80 %的組件為無(wú)源器件，它們占去了印刷電路板上的近50 %的面積，而電容器作為基板上最常見(jiàn)也是分布最多的元器件，使電容器的集成技術(shù)成為集成無(wú)源技術(shù)的關(guān)鍵技術(shù)。目前集成電路設(shè)計(jì)時(shí)經(jīng)常用到的兩種電容器為MIM(metal insulator metal)電容器和M0M(metal oxide metal)電容器。MM電容器即為平行板電容器，其優(yōu)點(diǎn)是可以通過(guò)改變兩個(gè)平行板之間的介質(zhì)層(一般為氮化硅層)的厚度來(lái)改變電容器的電容值，當(dāng)前MIM電容器的電容密度(單位面積的電容值)最大可以做到ZfF/ym2，但是，相對(duì)于MOM電容器來(lái)說(shuō)，制作MM電容器的過(guò)程中，不可避免的要增加一塊掩膜版(如電容器上極板光刻時(shí)所用的mask)，同時(shí)增加一次光刻和腐蝕過(guò)程，這必然導(dǎo)致了工藝成本的增加。MOM電容器是通過(guò)對(duì)同一金屬層上的金屬進(jìn)行光刻和刻蝕，得到多個(gè)相互平行的導(dǎo)電電極線，即同一層上的金屬呈梳狀(即COMB結(jié)構(gòu))排列，多個(gè)導(dǎo)電電極線即為梳齒部分，同一層的多個(gè)導(dǎo)電電極線之間設(shè)置有電介質(zhì)，這里將由位于同一層上且呈梳狀排列的導(dǎo)電電極線與其之間的電介質(zhì)組成的組合層稱為金屬化層。在同一金屬化層上，相鄰的兩個(gè)導(dǎo)電電極線及其中間的電介質(zhì)形成了電容結(jié)構(gòu)，以產(chǎn)生電容，MOM電容器總的電容值是由多層金屬化層上的電容并聯(lián)后 的產(chǎn)生的，即將多層金屬化層上的電容值相加得到MOM電容器的電容值。相對(duì)于MM電容器來(lái)說(shuō)，MOM電容器在制作工藝上少一次光刻和腐蝕過(guò)程，但是，由于MOM電容實(shí)際上是一種寄生電容，其電容密度是有不同的工藝特性決定的，在工藝一定的情況下，其電容密度是不可變的。并且，相對(duì)于MIM電容器，現(xiàn)有技術(shù)中的MOM電容器的電容密度較小，以6層金屬層的MOM電容器為例，一般電容密度可達(dá)到1.25fF/y m2，遠(yuǎn)小于MM電容器的電容密度，由于一般芯片中電容器所占面積較大，這必然導(dǎo)致采用MOM電容器的芯片面積較大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種MOM電容器及其制作方法，提高了 MOM電容器的電容密度，較現(xiàn)有技術(shù)中的采用MOM電容器的芯片，減小了芯片上MOM電容器的面積，進(jìn)而減小了芯片的面積。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案:一種MOM電容器，包括:基底，所述基底包括本體層；
位于所述本體層表面上的多層金屬化層和多層介質(zhì)層，每?jī)蓪咏饘倩瘜又g均具有一介質(zhì)層，每一金屬化層具有多個(gè)相互平行的導(dǎo)電電極線，且每?jī)蓚€(gè)導(dǎo)電電極線之間填充有隔離電介質(zhì)，以將同一金屬化層上相互平行的導(dǎo)電電極線進(jìn)行電隔離，各金屬化層上的導(dǎo)電電極線的分布區(qū)域和隔離電介質(zhì)的分布區(qū)域均相同；位于所述導(dǎo)電電極線下方的介質(zhì)層表面內(nèi)的導(dǎo)電通道，以電連接被介質(zhì)層間隔開(kāi)的上下兩層金屬化層上的導(dǎo)電電極線，各層介質(zhì)層表面內(nèi)的導(dǎo)電通道的分布區(qū)域均相同；其中，在該MOM電容器的俯視圖上，所述導(dǎo)電通道貫穿與其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電電極線的兩端。優(yōu)選的，所述導(dǎo)電通道的寬度小于或等于所述導(dǎo)電電極線的寬度。優(yōu)選的，所述導(dǎo)電通道的寬度在0.18 μ m-0.24 μ m以內(nèi)。優(yōu)選的，所述導(dǎo)電通道內(nèi)填充有金屬鎢。優(yōu)選的，所述隔離電介質(zhì)與所述介質(zhì)層的材質(zhì)相同。本發(fā)明實(shí)施例還公開(kāi)了一種MOM電容器制作方法，包括:a)提供基底，所述基底包括本體層；b)在所述本體層表面上形成一金屬化層，該金屬化層具有多個(gè)相互平行的導(dǎo)電電極線，且每?jī)蓚€(gè)導(dǎo)電電極線之間填充有隔離電介質(zhì)，以將該金屬化層上相互平行的導(dǎo)電電極線進(jìn)行電隔離；c)在所述金屬化層表面上形成一介質(zhì)層；d)在位于所述導(dǎo)電電極線下方的介質(zhì)層表面內(nèi)形成導(dǎo)電通道，在俯視圖上，該導(dǎo)電通道貫穿與其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電電極線的兩端；e)多次重復(fù)步驟b)-步驟d)，并在最后一層具有導(dǎo)電通道的介質(zhì)層上形成最后一金屬化層，以在所述本體層上形成多層金屬化層和多層介質(zhì)層，每?jī)蓪咏饘倩瘜又g均具有一介質(zhì)層，各金屬化層上的導(dǎo)電電極線的分布區(qū)域和隔離電介質(zhì)的分布區(qū)域均相同，位于所述多個(gè)介質(zhì)層表面內(nèi)的多個(gè)導(dǎo)電通道用于電連接被介質(zhì)層間隔開(kāi)的上下兩層金屬化層上的導(dǎo)電電極線，且各介質(zhì)層表面內(nèi)的導(dǎo)電通道的分布區(qū)域均相同。優(yōu)選的，步驟b)中，形成金屬化層的過(guò)程具體為:在所述本體層表面上形成一金屬層；采用光刻工藝，在所述金屬層表面上形成具有隔離電介質(zhì)區(qū)圖形的光刻膠層；以具有隔離電介質(zhì)區(qū)圖形的光刻膠層為掩膜，采用干法刻蝕或濕法腐蝕工藝，去除未被光刻膠層覆蓋的金屬層材料，在所述金屬層表面內(nèi)形成隔離電介質(zhì)區(qū)；采用間隙填充工藝在所述隔離電介質(zhì)區(qū)填充所述隔離電介質(zhì)。優(yōu)選的，所述間隙填充工藝具體為，采用高濃度等離子工藝交替淀積和刻蝕待填充的隔離電介質(zhì)，所述隔離電介質(zhì)區(qū)內(nèi)填充的隔離電介質(zhì)致密且空洞極少。優(yōu)選的，步驟c)中，形成介質(zhì)層的過(guò)程具體為:采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積HDP工藝，在所述金屬化層表面上淀積形成介質(zhì)層；采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝研磨所述介質(zhì)層表面，使所述介質(zhì)層表面平坦。優(yōu)選的，步驟d)中，形成導(dǎo)電通道的過(guò)程具體為:采用光 刻工藝，在所述介質(zhì)層表面上形成具有所述導(dǎo)電通道圖形的光刻膠層，該光刻工藝中采用的掩膜版上的導(dǎo)電通道圖形的寬度小于所述導(dǎo)電通道的寬度；以具有所述導(dǎo)電通道圖形的光刻膠層為掩膜，采用干法刻蝕或濕法腐蝕工藝去除未被光刻膠層覆蓋的介質(zhì)層材料，在所述介質(zhì)層表面內(nèi)形成導(dǎo)電通道圖形；在所述介質(zhì)層表面內(nèi)的導(dǎo)電通道圖形內(nèi)填充金屬鎢，形成所述導(dǎo)電通道。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明實(shí)施例提供的MOM電容器及其制作方法，通過(guò)增加同一介質(zhì)層表面內(nèi)相鄰導(dǎo)電通道間的相對(duì)面積，從而較現(xiàn)有技術(shù)的MOM電容器，大大增加了導(dǎo)電通道電容值，進(jìn)而提高了 MOM電容器的電容密度，較現(xiàn)有技術(shù)中的采用MOM電容器的芯片，同樣電容值的情況下，減小了芯片上MOM電容器的面積，進(jìn)而減小了芯片的面積。


通過(guò)附圖所示，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢(shì)將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按實(shí)際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中MOM電容器的俯視圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的MOM電容器的俯視圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的MOM電容器的剖面圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施·例公開(kāi)的MOM電容器剖面的電子顯微照片；圖5為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的MOM電容器制作方法的流程圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的MOM電容器制作方法得到的不同尺寸導(dǎo)電通道的電子顯微照片。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。正如背景技術(shù)所述，現(xiàn)有技術(shù)中的MOM電容器的電容密度過(guò)小，導(dǎo)致芯片的面積較大，現(xiàn)有技術(shù)中的MOM電容器的俯視圖如圖1所示，從圖中可以看出，在同一金屬化層上的多個(gè)相互平行的導(dǎo)電電極線11呈梳狀排列，同一層的相鄰導(dǎo)電電極線11之間均設(shè)置有電介質(zhì)13，使相鄰的兩個(gè)導(dǎo)電電極線與其中間的電介質(zhì)13共同形成了電容結(jié)構(gòu)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，多層金屬化層之間由多層介質(zhì)層間隔開(kāi)(圖中未示出)，并且，為了連接上下兩層金屬化層上的導(dǎo)電電極線，在位于導(dǎo)電電極線下方的介質(zhì)層上還設(shè)置有多個(gè)通孔，通孔中填充有金屬鎢，從而形成可電連接上下兩層金屬化層上的導(dǎo)電電極線的鎢塞12。發(fā)明人通過(guò)研究上述MOM電容器的結(jié)構(gòu)發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中的MOM電容器的總的電容值由2部分組成，一是各層金屬化層上產(chǎn)生的電容之和，二是各層介質(zhì)層中的鎢塞之間產(chǎn)生的電容之和，但是現(xiàn)有技術(shù)中的MOM電容器的結(jié)構(gòu)中的鎢塞之間產(chǎn)生的電容(簡(jiǎn)稱鎢塞電容)卻很小，即鎢塞電容對(duì)MOM電容器總的電容貢獻(xiàn)很小，其原因在于，由于現(xiàn)有技術(shù)中的鎢塞的主要作用僅是連通不同的金屬化層，而對(duì)鎢塞的排布方式卻沒(méi)有特殊要求，即鎢塞的分布非常分散，從而導(dǎo)致鎢塞電容很小?；谏鲜鲈?，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種MOM電容器，其俯視圖如圖2所示，其剖面圖如圖3所示，圖3中剖面的電子顯微照片如圖4所示，圖3和圖4中的切面方向垂直于金屬化層表面和導(dǎo)電通道的延伸方向。參見(jiàn)圖2-圖4,該MOM電容器包括以下結(jié)構(gòu): 基底，所述基底包括本體層20 ；需要說(shuō)明的是，由于本實(shí)施例中的MOM電容器是與其它半導(dǎo)體元件共同集成在同一芯片上的，因此，本實(shí)施例中的基底上可以包括半導(dǎo)體元素，例如單晶、多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺(SiGe)，也可以包括混合的半導(dǎo)體材料，例如碳化硅、銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、砷化鎵或銻化鎵、合金半導(dǎo)體或其組合；也可以是絕緣體上硅(SOI)。此外，半導(dǎo)體基底還可以包括其它半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，例如外延層或埋氧層的多層結(jié)構(gòu)。雖然在此描述了可以形成基底的材料和結(jié)構(gòu)的幾個(gè)示例，但是可以作為半導(dǎo)體基底的任何材料和結(jié)構(gòu)均落入本發(fā)明的精神和范圍。本實(shí)施例中的本體層優(yōu)選為硅襯底。位于所述本體層表面上的多層金屬化層21和多層介質(zhì)層22，每?jī)蓪咏饘倩瘜?1之間均具有一介質(zhì)層22，每一金屬化層具有多個(gè)相互平行的導(dǎo)電電極線21a，且每?jī)蓚€(gè)導(dǎo)電電極線21a之間填充有隔離電介質(zhì)21b，以將同一金屬化層21上相互平行的導(dǎo)電電極線21a進(jìn)行電隔離，各金屬化層上的導(dǎo)電電極線21a的分布區(qū)域和隔離電介質(zhì)21b的分布區(qū)域均相同； 本實(shí)施例中的以上結(jié)構(gòu)可與現(xiàn)有技術(shù)中的MOM電容器結(jié)構(gòu)相同，具體的，所述隔離電介質(zhì)21b的材質(zhì)可與所述介質(zhì)層22的材質(zhì)相同，本實(shí)施例中優(yōu)選為氧化硅。位于所述導(dǎo)電電極線21a下方的介質(zhì)層表面內(nèi)的導(dǎo)電通道23，以電連接被介質(zhì)層間隔開(kāi)的上下兩層金屬化層上的導(dǎo)電電極線21a，各層介質(zhì)層22表面內(nèi)的導(dǎo)電通道23的分布區(qū)域均相同；其中，在該MOM電容器的俯視圖上，所述導(dǎo)電通道23貫穿與其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電電極線21a的兩端，所述導(dǎo)電電極線21a的兩端是指在導(dǎo)電電極線延伸方向的兩端，如圖2中標(biāo)號(hào)c和標(biāo)號(hào)d所示。本實(shí)施例中并不限定導(dǎo)電通道23的兩端必須與導(dǎo)電電極線的兩端對(duì)齊，只要導(dǎo)電通道的兩端延伸到導(dǎo)電電極線的端口附近即可。現(xiàn)有技術(shù)中連通上下兩金屬化層的鎢塞也可以理解為導(dǎo)電通道，而本發(fā)明實(shí)施例中的導(dǎo)電通道與現(xiàn)有技術(shù)中不同的是，沿導(dǎo)電電極線的延伸方向做垂直于金屬化層的切面，從該切面上看，現(xiàn)有技術(shù)中的鎢塞為一個(gè)個(gè)相互獨(dú)立的連接線，而本發(fā)明中的導(dǎo)電通道相當(dāng)于將無(wú)數(shù)個(gè)連接線組合在一起形成的連接面，本實(shí)施例中的導(dǎo)電通道也可以稱為導(dǎo)電墻，或 via wall ο需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中對(duì)導(dǎo)電通道的寬度不做具體限定，優(yōu)選的所述導(dǎo)電通電的寬度可以小于或等于所述導(dǎo)電電極線的寬度，這里導(dǎo)電通道的寬度是指在介質(zhì)層表面上，所述導(dǎo)電通道在垂直于自身延伸方向的尺寸，如圖3中的標(biāo)號(hào)LI所示的尺寸，同理，所述導(dǎo)電電極線的寬度如圖3中的標(biāo)號(hào)L2所示的尺寸。本實(shí)施例中所述導(dǎo)電通道的寬度在
0.18 μ m-0.24 μ m 以內(nèi)，舉例來(lái)說(shuō)，如 0.18 μ m、0.2 μ m、0.22 μ m 和 0.24 μ m。并且，本實(shí)施例中所述導(dǎo)電通道內(nèi)的導(dǎo)電物質(zhì)也可以與現(xiàn)有技術(shù)中相同，即填充有金屬鎢，當(dāng)然也可以為其它導(dǎo)電材料。從圖3和圖4中可以看出，該MOM電容器通電后，位于同一金屬化層上的導(dǎo)電電極線21a之間可形成電容A,即金屬電容,位于同一介質(zhì)層22表面內(nèi)的導(dǎo)電通道23之間可形成電容B，即導(dǎo)電通道電容，該MOM電容器的電容值為各個(gè)金屬化層上總的金屬電容與各個(gè)介質(zhì)層上總的導(dǎo)電通道電容之和。同樣的金屬層次下，本實(shí)施例中的金屬電容與現(xiàn)有技術(shù)中的金屬電容大小類似，但是，由于相鄰的導(dǎo)電通道間的相對(duì)面積增大了，因此本實(shí)施例中的導(dǎo)電通道電容遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于現(xiàn)有技術(shù)中的鎢塞電容，即本實(shí)施例中的MOM電容器的電容密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于現(xiàn)有技術(shù)中MOM電容器的電容密度，進(jìn)而提高了 MOM 電容器的電容密度，較現(xiàn)有技術(shù)中的采用MOM電容器的芯片，同樣電容值的情況下，減小了芯片上MOM電容器的面積，進(jìn)而減小了芯片的面積，使得在同一硅片上，可以制作更多的芯片，從而降低了芯片的生產(chǎn)成本。一般情況下，介質(zhì)層22的厚度是導(dǎo)電電極線21a厚度的2倍左右，在導(dǎo)電通道寬度與導(dǎo)電電極線寬度相同的情況下，理論上，在介質(zhì)層和金屬化層表面面積相同的情況下，導(dǎo)電通道電容的大小基本上是金屬電容的2倍。參見(jiàn)表一,為本發(fā)明實(shí)施例中的MOM電容器與現(xiàn)有技術(shù)中的MOM電容器的電容密度的對(duì)比表格，選擇5組同樣容值的本發(fā)明實(shí)施例中的MOM電容器以及現(xiàn)有技術(shù)中的MOM電容器，通過(guò)測(cè)量計(jì)算得到下表。表一本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)電容密度對(duì)比表
權(quán)利要求
1.一種MOM電容器，其特征在于，包括: 基底，所述基底包括本體層； 位于所述本體層表面上的多層金屬化層和多層介質(zhì)層，每?jī)蓪咏饘倩瘜又g均具有一介質(zhì)層，每一金屬化層具有多個(gè)相互平行的導(dǎo)電電極線，且每?jī)蓚€(gè)導(dǎo)電電極線之間填充有隔離電介質(zhì)，以將同一金屬化層上相互平行的導(dǎo)電電極線進(jìn)行電隔離，各金屬化層上的導(dǎo)電電極線的分布區(qū)域和隔離電介質(zhì)的分布區(qū)域均相同； 位于所述導(dǎo)電電極線下方的介質(zhì)層表面內(nèi)的導(dǎo)電通道，以電連接被介質(zhì)層間隔開(kāi)的上下兩層金屬化層上的導(dǎo)電電極線，各層介質(zhì)層表面內(nèi)的導(dǎo)電通道的分布區(qū)域均相同； 其中，在該MOM電容器的俯視圖上，所述導(dǎo)電通道貫穿與其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電電極線的兩端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOM電容器，其特征在于，所述導(dǎo)電通道的寬度小于或等于所述導(dǎo)電電極線的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MOM電容器，其特征在于，所述導(dǎo)電通道的寬度在0.18 μ m-0.24 μ m 以內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MOM電容器，其特征在于，所述導(dǎo)電通道內(nèi)填充有金屬鎢。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MOM電容器，其特征在于，所述隔離電介質(zhì)與所述介質(zhì)層的材質(zhì)相同。
6.一種MOM電容器制作方法，其特征在于，包括: a)提供基底，所述基底包括本體 層； b)在所述本體層表面上形成一金屬化層，該金屬化層具有多個(gè)相互平行的導(dǎo)電電極線，且每?jī)蓚€(gè)導(dǎo)電電極線之間填充有隔離電介質(zhì)，以將該金屬化層上相互平行的導(dǎo)電電極線進(jìn)行電隔離； c)在所述金屬化層表面上形成一介質(zhì)層； d)在位于所述導(dǎo)電電極線下方的介質(zhì)層表面內(nèi)形成導(dǎo)電通道，在俯視圖上，該導(dǎo)電通道貫穿與其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電電極線的兩端； e)多次重復(fù)步驟b)-步驟d)，并在最后一層具有導(dǎo)電通道的介質(zhì)層上形成最后一金屬化層，以在所述本體層上形成多層金屬化層和多層介質(zhì)層，每?jī)蓪咏饘倩瘜又g均具有一介質(zhì)層，各金屬化層上的導(dǎo)電電極線的分布區(qū)域和隔離電介質(zhì)的分布區(qū)域均相同，位于所述多個(gè)介質(zhì)層表面內(nèi)的多個(gè)導(dǎo)電通道用于電連接被介質(zhì)層間隔開(kāi)的上下兩層金屬化層上的導(dǎo)電電極線，且各介質(zhì)層表面內(nèi)的導(dǎo)電通道的分布區(qū)域均相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MOM電容器制作方法，其特征在于，步驟b)中，形成金屬化層的過(guò)程具體為: 在所述本體層表面上形成一金屬層； 采用光刻工藝，在所述金屬層表面上形成具有隔離電介質(zhì)區(qū)圖形的光刻膠層； 以具有隔離電介質(zhì)區(qū)圖形的光刻膠層為掩膜，采用干法刻蝕或濕法腐蝕工藝，去除未被光刻膠層覆蓋的金屬層材料，在所述金屬層表面內(nèi)形成隔離電介質(zhì)區(qū)； 采用間隙填充工藝在所述隔離電介質(zhì)區(qū)填充所述隔離電介質(zhì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MOM電容器制作方法，其特征在于，所述間隙填充工藝具體為，采用高濃度等離子工藝交替淀積和刻蝕待填充的隔離電介質(zhì)，所述隔離電介質(zhì)區(qū)內(nèi)填充的隔離電介質(zhì)致密且空洞極少。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MOM電容器制作方法，其特征在于，步驟c)中，形成介質(zhì)層的過(guò)程具體為: 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積HDP工藝，在所述金屬化層表面上淀積形成介質(zhì)層； 采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝研磨所述介質(zhì)層表面，使所述介質(zhì)層表面平坦。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MOM電容器制作方法，其特征在于，步驟d)中，形成導(dǎo)電通道的過(guò)程具體為: 采用光刻工藝，在所述介質(zhì)層表面上形成具有所述導(dǎo)電通道圖形的光刻膠層，該光刻工藝中采用的掩膜版上的導(dǎo)電通道圖形的寬度小于所述導(dǎo)電通道的寬度； 以具有所述導(dǎo)電通道圖形的光刻膠層為掩膜，采用干法刻蝕或濕法腐蝕工藝去除未被光刻膠層覆蓋的介質(zhì)層材料，在所述介質(zhì)層表面內(nèi)形成導(dǎo)電通道圖形； 在所述介質(zhì)層表面 內(nèi)的導(dǎo)電通道圖形內(nèi)填充金屬鎢，形成所述導(dǎo)電通道。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種MOM電容器及其制作方法，該電容器包括本體層、位于所述本體層表面上的多層金屬化層和多層介質(zhì)層，每?jī)蓪咏饘倩瘜又g均具有一介質(zhì)層，每一金屬化層具有多個(gè)相互平行的導(dǎo)電電極線，且每?jī)蓚€(gè)導(dǎo)電電極線之間填充有隔離電介質(zhì)；位于導(dǎo)電電極線下方的介質(zhì)層表面內(nèi)的導(dǎo)電通道，且在該MOM電容器的俯視圖上，所述導(dǎo)電通道貫穿與其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電電極線的兩端。本發(fā)明通過(guò)增加同一介質(zhì)層表面內(nèi)相鄰導(dǎo)電通道間的相對(duì)面積增大，增加了導(dǎo)電通道電容值，進(jìn)而提高了MOM電容器的電容密度，較現(xiàn)有技術(shù)中的芯片，同樣電容值的情況下，減小了芯片上MOM電容器的面積，進(jìn)而減小了芯片的面積。
文檔編號(hào)H01L23/522GK103247592SQ201210032779
公開(kāi)日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2012年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月14日
發(fā)明者孫曉峰, 丁海濱, 韓領(lǐng) 申請(qǐng)人:無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司