專(zhuān)利名稱(chēng)：保護(hù)層形成用薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種將支撐基材、粘合劑層和熱固性樹(shù)脂層依次層疊而成的保護(hù)層形成用薄膜。
背景技術(shù)：
以往，隨著形成于半導(dǎo)體芯片中的電路圖案的精細(xì)化，電路之間的距離變近，因此相鄰的電路間的電容增大。此外，還與之成比例地產(chǎn)生經(jīng)電路傳播的信號(hào)變慢的現(xiàn)象(信號(hào)延遲)。所以，提出了使用介電常數(shù)低的所謂low-k材料(低介電常數(shù)材料)在電路上形成低介電常數(shù)材料層來(lái)降低電路間電容的方案。作為上述低介電常數(shù)材料層，例如可以舉出SiO2膜(介電常數(shù)k = 4. 2)、SiOF膜(k = 3. 5 3. 7)、SiOC膜(k = 2. 5 2. 8)等。此種低介電常數(shù)材料層例如可以在半導(dǎo)體晶片上利用等離子體CVD法形成。但是，如上所述的低介電常數(shù)材料層非常脆，在半導(dǎo)體加工過(guò)程的切片工序中會(huì)產(chǎn)生裂紋，有可能引起半導(dǎo)體元件的動(dòng)作異常。所以，近年來(lái)，采取使用激光先去掉低介電常數(shù)材料層后(激光劃線)用刀片等進(jìn)行切片的方法(例如參照專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)2010-093273號(hào)公報(bào)但是，此種方法中，在進(jìn)行切片時(shí)，首先進(jìn)行激光劃線，其后用刀片等進(jìn)行切片，因此存在工序數(shù)增加的問(wèn)題。另外，即使使用了激光劃線，由于低介電常數(shù)材料層脆，因此無(wú)法充分地減少裂紋的產(chǎn)生，在這一點(diǎn)上有改善的余地。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于所述問(wèn)題而完成的，其目的在于，提供一種可以在抑制半導(dǎo)體裝置制造時(shí)的工序數(shù)增加的同時(shí)、防止低介電常數(shù)材料層的裂紋的保護(hù)層形成用薄膜。本申請(qǐng)發(fā)明人等為了解決上述以往的問(wèn)題進(jìn)行了研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，如果使用如下的保護(hù)層形成用薄膜，即，將支撐基材、粘合劑層和熱固性樹(shù)脂層依次層疊，所述熱固性樹(shù)脂層的熔融粘度為特定的范圍內(nèi)、并且所述粘合劑層的剪切彈性模量為特定的范圍內(nèi)的溫度存在于50 120°C的溫度范圍內(nèi)，則可以在抑制半導(dǎo)體裝置制造時(shí)的工序數(shù)增加的同時(shí)、防止低介電常數(shù)材料層的裂紋，從而完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明的保護(hù)層形成用薄膜的特征在于，其是用于在形成有低介電常數(shù)材料層的帶有凸點(diǎn)的晶片上形成保護(hù)層的保護(hù)層形成用薄膜，將支撐基材、粘合劑層和熱固性樹(shù)脂層依次層疊，所述熱固性樹(shù)脂層的熔融粘度為IXio2Pa *S以上且小于2X104Pa*S、并且所述粘合劑層的剪切彈性模量為IX IO3Pa以上2X IO6Pa以下的溫度存在于50 120°C的溫度范圍內(nèi)。所述保護(hù)層形成用薄膜例如被用于下述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中。該半導(dǎo)體、裝置的制造方法具備在形成有低介電常數(shù)材料層的帶有凸點(diǎn)的晶片上，將所述保護(hù)層形成用薄膜以所述熱固性樹(shù)脂層作為貼合面貼合的工序；將所述支撐基材和所述粘合劑層從所述熱固性樹(shù)脂層上剝離的工序；加熱所述熱固性樹(shù)脂層而使之固化，形成保護(hù)層的工序；以及；將所述帶有凸點(diǎn)的晶片與保護(hù)層一起切片的工序。所以，根據(jù)本發(fā)明的保護(hù)層形成薄膜，由于可以在帶有凸點(diǎn)的晶片的低介電常數(shù)材料層上形成有保護(hù)層，因此可以利用保護(hù)層加強(qiáng)低介電常數(shù)材料層。另外，如果其后將帶有凸點(diǎn)的晶片與保護(hù)層一起切片，則由于低介電常數(shù)材料層在由保護(hù)層加強(qiáng)的狀態(tài)下被切片，因此可以抑制在低介電常數(shù)材料層中產(chǎn)生裂紋的情況。另外，由于低介電常數(shù)材料層在由保護(hù)層加強(qiáng)的狀態(tài)下被切片，因此也可以不用預(yù)先利用激光劃線等除去低介電常數(shù)材料層。其結(jié)果是，可以抑制工序數(shù)的增加。另外，由于所述熱固性樹(shù)脂層的熔融粘度為IXlO2Pa^S以上且小于2X IO4Pa .S、并且所述粘合劑層的剪切彈性模量為IXlO3Pa以上2X IO6Pa以下的溫度存在于50 120°C的溫度范圍內(nèi)，因此如果在該溫度范圍內(nèi)在帶有凸點(diǎn)的晶片上貼合保護(hù)層形成用薄膜，則可以使凸點(diǎn)從熱固性樹(shù)脂層中突出。其結(jié)果是，可以抑制連接可靠性的降低。另外，如果在所述溫度范圍內(nèi)，在帶有凸點(diǎn)的晶片上貼合保護(hù)層形成用薄膜，則由于在該溫度范圍內(nèi)，熱固性樹(shù)脂層的溶融粘度為IXlO2Pa S以上，因此在帶有凸點(diǎn)的晶片上貼合保護(hù)層形成用薄膜時(shí)，可以防止熱固性樹(shù)脂層被沖走，可以可靠地形成保護(hù)層。另夕卜，如果在所述溫度范圍內(nèi)，在帶有凸點(diǎn)的晶片上貼合保護(hù)層形成用薄膜，則由于在所述溫度范圍內(nèi)，熱固性樹(shù)脂層的溶融粘度小于2X IO4Pa S，因此可以更為可靠地使凸點(diǎn)從熱固性樹(shù)脂層中突出。在所述構(gòu)成中，所述熱固性樹(shù)脂層的厚度優(yōu)選為5 以上200 以下。作為帶有凸點(diǎn)的晶片的凸點(diǎn)的高度，通常來(lái)說(shuō)使用5 200 的高度。所以，通過(guò)將所述熱固性樹(shù)脂層的厚度設(shè)為200i!m以下，在向帶有凸點(diǎn)的晶片上貼合保護(hù)層形成用薄膜時(shí)，可以使凸點(diǎn)從熱固性樹(shù)脂層中更為可靠地突出。另外，通過(guò)將所述熱固性樹(shù)脂層的厚度設(shè)為5以上，可以可靠地防止切片時(shí)的低介電常數(shù)材料層的裂紋。在所述構(gòu)成中，優(yōu)選所述熱固性樹(shù)脂層包含環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂，所述粘合劑層包含丙烯酸系聚合物。通過(guò)將熱固性樹(shù)脂層設(shè)為以環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂作為基質(zhì)的層，將粘合劑層設(shè)為以丙烯酸系聚合物作為基質(zhì)的層，就可以提高熱固性樹(shù)脂層與粘合劑層的剝尚性。根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種能夠在抑制半導(dǎo)體裝置制造時(shí)的工序數(shù)增加的同時(shí)、防止低介電常數(shù)材料層的裂紋的保護(hù)層形成用薄膜。


圖I是示意性地表示本實(shí)施方式的保護(hù)層形成用薄膜的一例的剖面圖。圖2是示意性地表示帶有凸點(diǎn)的晶片的一例的剖面圖。圖3是示意性地表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的一例的剖面圖。圖4是示意性地表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的一例的剖面圖。 圖5是示意性地表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的一例的剖面圖。圖6是示意性地表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的一例的剖面圖。
符號(hào)說(shuō)明2半導(dǎo)體晶片，3帶有凸點(diǎn)的晶片，5半導(dǎo)體芯片，6被粘附體，10保護(hù)層形成用薄膜，12支撐基材，14粘合劑層，16熱固性樹(shù)脂層，17保護(hù)層，22切片刀片，41低介電常數(shù)材料層，51凸點(diǎn)。
具體實(shí)施例方式在參照附圖的同時(shí)，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明，然而本發(fā)明并不限定于這些例子。而且，在圖中，省略說(shuō)明中不需要的部分，另外，還有為了使說(shuō)明容易而加以放大或縮小等后圖示的部分。以下首先對(duì)本實(shí)施方式的保護(hù)層形成用薄膜進(jìn)行說(shuō)明。圖I是示意性地表示本實(shí)施方式的保護(hù)層形成用薄膜的一例的剖面圖。(保護(hù)層形成用薄膜)如圖I所示，保護(hù)層形成用薄膜10具有支撐基材12、粘合劑層14和熱固性樹(shù)脂層16依次層疊而成的構(gòu)成。而且，熱固性樹(shù)脂層16的表面在貼附于晶片上之前的期間，也可以由隔膜等保護(hù)。 這里，對(duì)保護(hù)層形成用薄膜10所被貼附的帶有凸點(diǎn)的晶片進(jìn)行說(shuō)明。圖2是示意性地表示帶有凸點(diǎn)的晶片的一例的剖面圖。如圖2所示，帶有凸點(diǎn)的晶片3具有半導(dǎo)體晶片2和形成于半導(dǎo)體晶片2的電路面?zhèn)鹊耐裹c(diǎn)51。另外，帶有凸點(diǎn)的晶片3在半導(dǎo)體晶片2的電路面?zhèn)染哂械徒殡姵?shù)材料層41。作為半導(dǎo)體晶片2，只要是公知以及慣用的半導(dǎo)體晶片，就沒(méi)有特別限制，可以從各種原材料的半導(dǎo)體晶片中適當(dāng)?shù)剡x擇使用。本發(fā)明中，作為合適的半導(dǎo)體晶片，可以使用硅晶片。作為半導(dǎo)體晶片2的厚度，例如可以使用10 800 μ m的厚度，尤其可以使用20 200 μ m的厚度。作為凸點(diǎn)51的高度，例如使用5 200 μ m的高度，尤其是通常使用10 100 μ m的高度。作為低介電常數(shù)材料層41，可以使用介電常數(shù)低的所謂low-k材料來(lái)形成，例如可以舉出 SiO2 膜(介電常數(shù) k = 4. 2)、Si0F 膜(k = 3.5 3. 7)、Si0C 膜(k = 2. 5 2. 8)等。低介電常數(shù)材料層41可以在半導(dǎo)體晶片2上利用等離子體CVD法等形成。在保護(hù)層形成用薄膜10(參照?qǐng)DI)中，熱固性樹(shù)脂層16的溶融粘度為IXlO2Pa · S以上且小于2 X IO4Pa · S、并且粘合劑層14的剪切彈性模量為IXlO3Pa以上2X IO6Pa以下的溫度存在于50 120°C的溫度范圍內(nèi)。在保護(hù)層形成用薄膜10 (參照?qǐng)DI)中，更優(yōu)選熱固性樹(shù)脂層16的溶融粘度為I X IO3Pa · S以上且小于I X IO4Pa · S、并且粘合劑層14的剪切彈性模量為I X IO4Pa以上2 X IO6Pa以下的溫度存在于50 120°C的溫度范圍內(nèi)。由于熱固性樹(shù)脂層16的溶融粘度為I XlO2Pa^S以上且小于2X IO4Pa S、并且粘合劑層15的剪切彈性模量為IXlO3Pa以上2 X IO6Pa以下的溫度存在于50 120°C的溫度范圍內(nèi)，因此如果在該溫度范圍內(nèi)，向帶有凸點(diǎn)的晶片3上貼合保護(hù)層形成用薄膜10，則可以使凸點(diǎn)從熱固性樹(shù)脂層16中突出。其結(jié)果是，可以抑制連接可靠性的降低。熱固性樹(shù)脂層16的溶融粘度可以利用熱固性樹(shù)脂的配合比等來(lái)控制。作為熱固性樹(shù)脂層16的溶融粘度為I X IO2Pa · S以上且小于2 X IO4Pa · S、并且粘合劑層15的剪切彈性模量為IXlO3Pa以上2 X IO6Pa以下的溫度范圍，更優(yōu)選為50 100°C，進(jìn)一步優(yōu)選為60 90°C。
另外，如果在所述溫度范圍內(nèi)，向帶有凸點(diǎn)的晶片3上貼合保護(hù)層形成用薄膜10，則由于在該溫度范圍內(nèi)，熱固性樹(shù)脂層16的溶融粘度為IXlO2Pa · S以上，因此在向帶有凸點(diǎn)的晶片3上貼合保護(hù)層形成用薄膜10時(shí)，可以防止熱固性樹(shù)脂層16被沖走，可以可靠地形成保護(hù)層17。另外，如果在所述溫度范圍內(nèi)，向帶有凸點(diǎn)的晶片3上貼合保護(hù)層形成用薄膜10，則由于在該溫度范圍內(nèi)，熱固性樹(shù)脂層16的溶融粘度小于2 X IO4Pa · S，因此可以使凸點(diǎn)從熱固性樹(shù)脂層16中更為可靠地突出。熱固性樹(shù)脂層的溶融粘度是使用流變儀(HAAKE公司制、RS_1)利用平行板法測(cè)定出的值。更具體來(lái)說(shuō)，是在間隙100 μ m、旋轉(zhuǎn)錐直徑20mm、轉(zhuǎn)速10s—1的條件下，在室溫到250°C的范圍中進(jìn)行測(cè)定時(shí)的值。(熱固性樹(shù)脂層)熱固性樹(shù)脂層16被貼附在帶有凸點(diǎn)的晶片3的形成有凸點(diǎn)51的一面，用于在研削帶有凸點(diǎn)的晶片3的背面時(shí)保持、固定帶有凸點(diǎn)的晶片3。另外，熱固性樹(shù)脂層16在貼合在帶有凸點(diǎn)的晶片3上后被熱固化，形成保護(hù)層17。在對(duì)帶有凸點(diǎn)的晶片3進(jìn)行切片時(shí)，保護(hù)層17具有保護(hù)低介電常數(shù)材料層41的功能。熱固性樹(shù)脂層16具有薄膜狀的形態(tài)。熱固性樹(shù)脂層16通常來(lái)說(shuō)在作為產(chǎn)品的保護(hù)層形成用薄膜10的形態(tài)下，是未固化狀態(tài)(包括半固化狀態(tài))，在貼附在帶有凸點(diǎn)的晶片3 (參照?qǐng)D2)上后被熱固化(詳情后述)。熱固性樹(shù)脂層16可以利用至少含有熱固性樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物來(lái)構(gòu)成。所述樹(shù)脂組合物也可以含有熱塑性樹(shù)脂。作為所述熱固性樹(shù)脂，除了環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂以外，還可以舉出氨基樹(shù)脂、不飽和聚酯樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂、熱固性聚酰亞胺樹(shù)脂等。熱固性樹(shù)脂既可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。作為熱固性樹(shù)脂，特別合適的是腐蝕半導(dǎo)體元件的離子性雜質(zhì)等含量少的環(huán)氧樹(shù)脂。另外，作為合適的環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑，可以使用酚醛樹(shù)脂。在包含環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂地構(gòu)成熱固性樹(shù)脂層16的情況下，優(yōu)選在粘合劑層14中含有丙烯酸系聚合物。這是因?yàn)椋梢蕴岣邿峁绦詷?shù)脂層16與粘合劑層14的剝離性。作為環(huán)氧樹(shù)脂，沒(méi)有特別限定，例如可以使用雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚F型環(huán)氧樹(shù)月旨、雙酚S型環(huán)氧樹(shù)脂、溴化雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、氫化雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚AF型環(huán)氧樹(shù)月旨、聯(lián)苯型環(huán)氧樹(shù)脂、萘型環(huán)氧樹(shù)脂、芴型環(huán)氧樹(shù)脂、苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、鄰甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、三羥基苯基甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂、四羥苯基乙烷型環(huán)氧樹(shù)脂等二官能環(huán)氧樹(shù)脂或多官能環(huán)氧樹(shù)脂、或者乙內(nèi)酰脲型環(huán)氧樹(shù)脂、三縮水甘油基異氰尿酸酯型環(huán)氧樹(shù)脂或者縮水甘油基胺型環(huán)氧樹(shù)脂等環(huán)氧樹(shù)脂。
作為環(huán)氧樹(shù)脂，在所述例示當(dāng)中，特別優(yōu)選萘型環(huán)氧樹(shù)脂、三羥基苯基甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂。從回流時(shí)的耐熱性的觀點(diǎn)考慮，適合使用這些環(huán)氧樹(shù)脂。所述環(huán)氧樹(shù)脂優(yōu)選環(huán)氧當(dāng)量為150 1000g/eq的，更優(yōu)選150 400g/eq的。通過(guò)將所述環(huán)氧樹(shù)脂的環(huán)氧當(dāng)量設(shè)為150 400g/eq，可以進(jìn)一步提高耐熱性。此外，所述酚醛樹(shù)脂是作為所述環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑發(fā)揮作用的物質(zhì)，例如可以舉出苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、苯酚芳烷基樹(shù)脂、甲酚酚醛清漆樹(shù)脂、叔丁酚酚醛清漆樹(shù)脂、壬基酚酚醛清漆樹(shù)脂等酚醛清漆型酚醛樹(shù)脂、甲酚型酚醛樹(shù)脂、聚對(duì)氧基苯乙烯等聚氧基苯乙烯等。酚醛樹(shù)脂既可以 單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。在這些酚醛樹(shù)脂當(dāng)中，從耐熱性的觀點(diǎn)考慮，適合使用苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、甲酚酚醛清漆樹(shù)脂、苯酚芳烷基樹(shù)脂。從耐熱性、高溫時(shí)的應(yīng)力松弛性考慮，所述酚醛樹(shù)脂優(yōu)選苯酚當(dāng)量為90 300g/eq的，更優(yōu)選100 270g/eq的,進(jìn)一步優(yōu)選150 250g/eq的。對(duì)于環(huán)氧樹(shù)脂與酚醛樹(shù)脂的配合比例，例如適合以在所述環(huán)氧樹(shù)脂成分中的每I當(dāng)量環(huán)氧基中酚醛樹(shù)脂中的羥基為O. 5當(dāng)量 2. O當(dāng)量的方式配合。更適合的比例是O. 8當(dāng)量 I. 2當(dāng)量。即因?yàn)?，如果兩者的配合比例脫離所述范圍，則不會(huì)進(jìn)行充分的固化反應(yīng)，環(huán)氧樹(shù)脂固化物的特性容易劣化。本發(fā)明中，也可以使用環(huán)氧樹(shù)脂與酚醛樹(shù)脂的熱固化促進(jìn)催化劑。作為熱固化促進(jìn)催化劑，沒(méi)有特別限制，可以從公知的熱固化促進(jìn)催化劑中適當(dāng)?shù)剡x擇使用。熱固化促進(jìn)催化劑既可以單獨(dú)使用，也可以組合使用2種以上。作為熱固化促進(jìn)催化劑，例如可以使用胺系固化促進(jìn)劑、磷系固化促進(jìn)劑、咪唑系固化促進(jìn)劑、硼系固化促進(jìn)劑、磷-硼系固化促進(jìn)劑等。作為所述胺系固化促進(jìn)劑，沒(méi)有特別限定，例如可以舉出單乙醇胺三氟硼酸酯(Stella-Chemifa(株)制)、雙氰胺(Nacalai Tesque (株)制)等。作為所述磷系固化促進(jìn)劑，沒(méi)有特別限定，例如可以舉出三苯基膦、三丁基膦、三(對(duì)甲基苯基)勝、二(壬基苯基)勝、_■苯基甲苯基勝等二有機(jī)勝、四苯基漠化鱗(商品名；TPP-PB)、甲基三苯基鱗(商品名；TPP-MB)、甲基三苯基氯化鱗(商品名；TPP-MC)、甲氧基甲基三苯基鱗(商品名；TPP-M0C)、芐基三苯基氯化鱗(商品名；TPP-ZC)等(都是北興化學(xué)(株)制)。另外，作為所述三苯基膦系化合物，優(yōu)選相對(duì)于環(huán)氧樹(shù)脂實(shí)質(zhì)上顯示出非溶解性的化合物。如果相對(duì)于環(huán)氧樹(shù)脂為非溶解性，則可以抑制熱固化過(guò)度地進(jìn)行。作為具有三苯基膦結(jié)構(gòu)、并且相對(duì)于環(huán)氧樹(shù)脂實(shí)質(zhì)上顯示出非溶解性的熱固化催化劑，例如可以例示出甲基三苯基鱗(商品名；TPP-MB)等。而且，所述的所謂“非溶解性”是指，包含三苯基膦系化合物的熱固化催化劑相對(duì)于包含環(huán)氧樹(shù)脂的溶劑是不溶性的，更具體來(lái)說(shuō)，是指在溫度10 40°C的范圍中不會(huì)溶解10重量％以上。作為所述咪唑系固化促進(jìn)劑，可以舉出2-甲基咪唑(商品名；2MZ)、2_i^ —烷基咪唑(商品名；C11-Z)、2-十七烷基咪唑(商品名；C17Z)、1，2-二甲基咪唑(商品名；I. 2DMZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名;2E4MZ)、2-苯基咪唑(商品名；2PZ)、2_苯基-4-甲基咪唑(商品名；2P4MZ)、1-芐基-2-甲基咪唑(商品名；1B2MZ)、1-芐基-2-苯基咪唑(商品名；1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名；2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-i烷基咪唑(商品名；C11Z-CN)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎗偏苯三酸鹽(商品名；2PZCNS-PW)、2，4_ 二氨基-6-[2’ -甲基咪唑基-(Γ )]-乙基-S-三嗪(商品名；2MZ-A)、2，4-二氨基-6-[2’ -十一烷基咪唑基_(Γ )]-乙基-S-三嗪(商品名；C11Z-A)、2，4-二氨基-6-[2’ -乙基-4’ -甲基咪唑基-(Γ )]-乙基-S-三嗪(商品名；2E4MZ-A)、2，4-二氨基-6-[2’ -甲基咪唑基-(Γ )]-乙基-S-三嗪異氰脲酸加成物(商品名；2MA-0K)、2-苯基-4，5-二羥基甲基咪唑(商品名；2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑(商品名；2P4MHZ-PW)等(都是四國(guó)化成工業(yè)(株)制)。作為所述硼系固化促進(jìn)劑，沒(méi)有特別限定，例如可以舉出三氯硼烷等。作為所述磷-硼系固化促進(jìn)劑，沒(méi)有特別限定，例如可以舉出四苯基鱗四苯基硼酸鹽(商品名；TPP-K)、四苯基鱗四對(duì)甲苯基硼酸鹽(商品名；ΤΡΡ-ΜΚ)、芐基三苯基鱗四苯基硼酸鹽(商品名；ΤΡΡ-ΖΚ)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名；TPP-s)等(都是北興化學(xué)(株)制)。所述熱固化促進(jìn)催化劑的比例相對(duì)于熱固性樹(shù)脂總量?jī)?yōu)選為O. 01重量％以上10重量％以下。通過(guò)將熱固化促進(jìn)催化劑的比例設(shè)為O. 01重量％以上，可以使固化充分。另夕卜，通過(guò)將熱固化促進(jìn)催化劑的比例設(shè)為10重量％以下，可以降低制造成本。熱固化促進(jìn)催化劑的所述比例相對(duì)于熱固性樹(shù)脂總量更優(yōu)選為O. I重量％以上5重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為O. 3重量％以上3重量％以下。為了提高熱固性樹(shù)脂層16相對(duì)于帶有凸點(diǎn)的晶片3在高溫下的粘接特性、實(shí)現(xiàn)耐熱性的改善，也可以將熱固性樹(shù)脂層16預(yù)先在一定程度上交聯(lián)。在制作時(shí)，可以通過(guò)作為交聯(lián)劑添加與聚合物的分子鏈末端的官能團(tuán)等反應(yīng)的多官能性化合物來(lái)交聯(lián)。作為所述交聯(lián)劑，沒(méi)有特別限制，可以使用公知的交聯(lián)劑。具體來(lái)說(shuō)，例如可以舉出異氰酸酯系交聯(lián)劑、環(huán)氧系交聯(lián)劑、密胺系交聯(lián)劑、過(guò)氧化物系交聯(lián)劑，此外還可以舉出尿素系交聯(lián)劑、金屬醇鹽系交聯(lián)劑、金屬螯合物系交聯(lián)劑、金屬鹽系交聯(lián)劑、碳二亞胺系交聯(lián)劑、噁唑啉系交聯(lián)劑、氮丙啶系交聯(lián)劑、胺系交聯(lián)劑等。作為交聯(lián)劑，優(yōu)選異氰酸酯系交聯(lián)劑或環(huán)氧系交聯(lián)劑。另外，所述交聯(lián)劑既可以單獨(dú)使用，也可以組合使用2種以上。作為所述異氰酸酯系交聯(lián)劑，例如可以舉出1，2_亞乙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯、1，6_六亞甲基二異氰酸酯等低級(jí)脂肪族聚異氰酸酯類(lèi)；環(huán)亞戊基二異氰酸酯、環(huán)亞己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯、氫化二甲苯二異氰酸酯等脂環(huán)族聚異氰酸酯類(lèi)；2，4_甲苯二異氰酸酯、2，6_甲苯二異氰酸酯、4，4’ - 二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等芳香族聚異氰酸酯類(lèi)等，此外，還可以使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚體加成物[日本聚氨酯工業(yè)(株)制、商品名“COTonateL”]、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加成物[日本聚氨酯工業(yè)(株)制、商品名“COTonate HL”]等。另外，作為所述環(huán)氧系交聯(lián)劑，例如可以舉出N，N，N’，N’ -四縮水甘油基-間二甲苯二胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油基氨基甲基)環(huán)己烷、1,6-己二醇二縮水甘油基醚、新戊二醇二縮水甘油基醚、乙二醇二縮水甘油基醚、丙二醇二縮水甘油基醚、聚乙二醇二縮水甘油基醚、聚丙二醇二縮水甘油基醚、山梨醇多縮水甘油基醚、丙三醇多縮水甘油基醚、季戊四醇多縮水甘油基醚、聚丙三醇多縮水甘油基醚、脫水山梨醇多縮水甘油基醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油基醚、己二酸二縮水甘油基酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油基酯、三縮水甘油基-三(2-羥基乙基)異氰尿酸酯、間苯二酚二縮水甘油基醚、雙酚-S-二縮水甘油基醚，此外還可以舉出在分子內(nèi)具有2個(gè)以上環(huán)氧基的環(huán)氧系樹(shù)脂
坐寸ο、
而且，交聯(lián)劑的使用量沒(méi)有特別限制，可以根據(jù)使之交聯(lián)的程度適當(dāng)?shù)剡x擇。具體來(lái)說(shuō)，作為交聯(lián)劑的使用量，例如相對(duì)于聚合物成分(特別是具有分子鏈末端的官能團(tuán)的聚合物)100重量份，通常來(lái)說(shuō)優(yōu)選設(shè)為7重量份以下(例如O. 05重量份 7重量份)。通過(guò)將交聯(lián)劑的使用量相對(duì)于聚合物成分100重量份設(shè)為7重量份以下，就可以抑制粘接力的降低。而且，從提高凝集力的觀點(diǎn)考慮，交聯(lián)劑的使用量?jī)?yōu)選相對(duì)于聚合物成分100重量份為O. 05重量份以上。而且，本發(fā)明中，也可以代替交聯(lián)劑，或者在使用交聯(lián)劑的同時(shí)，利用電子束或紫外線等的照射實(shí)施交聯(lián)處理。作為所述熱塑性樹(shù)脂，例如可以舉出天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹(shù)月旨、聚碳酸酯樹(shù)脂、熱塑性聚酰亞胺樹(shù)脂、6-尼龍或6，6-尼龍等聚酰胺樹(shù)脂、苯氧基樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)或PBT(聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯)等飽和聚酯樹(shù)脂、聚酰胺酰亞胺樹(shù)脂、或者氟樹(shù)脂等。熱塑性樹(shù)脂既可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。在這些熱塑性樹(shù)脂當(dāng)中，特別優(yōu)選離子性雜質(zhì)少、耐熱性高、可以確保半導(dǎo)體元件的可靠性的丙烯酸樹(shù)脂。作為所述丙烯酸樹(shù)脂，沒(méi)有特別限定，可以舉出以具有碳數(shù)30以下(優(yōu)選碳數(shù)4 18、更優(yōu)選碳數(shù)6 10、特別優(yōu)選碳數(shù)8或9)的直鏈或者支鏈的烷基的丙烯酸或者甲基丙烯酸的酯的I種或2種以上作為成分的聚合物等。即，本發(fā)明中，所謂丙烯酸樹(shù)脂也包括甲基丙烯酸樹(shù)脂的廣義的意味。作為所述烷基，例如可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戍基、異戍基、己基、庚基、乙基己基、羊基、異羊基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基等。另外，作為用于形成所述丙烯酸樹(shù)脂的其他的單體(烷基的碳數(shù)為30以下的丙烯酸或者甲基丙烯酸的烷基酯以外的單體)，沒(méi)有特別限定，例如可以舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸或巴豆酸等各種含有羧基的單體、馬來(lái)酸酐或衣康酸酐等各種酸酐單體、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或(4-羥基甲基環(huán)己基)-甲基丙烯酸酯等各種含有羥基的單體、苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、磺丙基(甲基)丙烯酸酯或(甲基)丙烯酰基氧基萘磺酸等各種含有磺酸基的單體、或者2-羥基乙基丙烯酰基磷酸酯等各種含有磷酸基的單體等。而且，所謂(甲基)丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，本發(fā)明的所謂(甲基)全是相同的意味。在熱固性樹(shù)脂層16中，根據(jù)需要可以適當(dāng)?shù)嘏浜掀渌奶砑觿?。作為其他的添加齊U，例如可以舉出填充劑(filler)、阻燃齊 、硅烷偶聯(lián)劑、離子捕獲劑，此外還可以舉出增容劑、防老化劑、防氧化劑、表面活性劑等。
作為所述填充劑，無(wú)論是無(wú)機(jī)填充劑、有機(jī)填充劑的哪種都可以，然而優(yōu)選無(wú)機(jī)填充劑。利用無(wú)機(jī)填充劑等填充劑的配合，可以實(shí)現(xiàn)熱應(yīng)力的耐受性提高。作為所述無(wú)機(jī)填充劑，例如可以舉出二氧化硅、粘土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化硅、氮化硅等陶瓷類(lèi)、鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊錫等金屬、或者合金類(lèi)、以及包含碳等的各種無(wú)機(jī)粉末等。填充劑既可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。作為填充劑，尤其優(yōu)選二氧化硅，特別優(yōu)選熔融二氧化硅。而且，無(wú)機(jī)填充劑的平均粒徑優(yōu)選為O. Iym 80 μπι的范圍內(nèi)。無(wú)機(jī)填充劑的平均粒徑例如可以利用激光衍射型粒度分布測(cè)定裝置來(lái)測(cè)定。所述填充劑(特別是無(wú)機(jī)填充劑)的配合量相對(duì)于有機(jī)樹(shù)脂成分100重量份優(yōu)選為80重量份以下(O重量份 80重量份),特別優(yōu)選為O重量份 70重量份。另外，作為所述阻燃劑，例如可以舉出三氧化銻、五氧化銻、溴化環(huán)氧樹(shù)脂等。阻燃劑既可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。作為所述硅烷偶聯(lián)劑，例如可以舉出β-(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。硅烷偶聯(lián)劑既可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。作為所述離子捕獲劑，例如可以舉出水滑石類(lèi)、氫氧化鉍等。離子捕獲劑既可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。熱固性樹(shù)脂層16例如可以利用如下的慣用的方法來(lái)形成，即，將環(huán)氧樹(shù)脂等熱固性樹(shù)脂、根據(jù)需要使用的丙烯酸樹(shù)脂等熱塑性樹(shù)脂、根據(jù)需要使用的溶劑和其他添加劑等混合而制備樹(shù)脂組合物，制成薄膜狀的層。具體來(lái)說(shuō)，例如可以利用將所述樹(shù)脂組合物涂布于粘合劑層14上的方法、在恰當(dāng)?shù)母裟?剝離紙等)上涂布所述樹(shù)脂組合物而形成樹(shù)脂層并將其轉(zhuǎn)印(轉(zhuǎn)移)到粘合劑層14上的方法等來(lái)形成薄膜狀的熱固性樹(shù)脂層16。而且，所述樹(shù)脂組合物既可以是溶液，也可以是分散液。本發(fā)明中，由于熱固性樹(shù)脂層是利用含有熱固性樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成的薄膜狀物，因此可以有效地發(fā)揮針對(duì)帶有凸點(diǎn)的晶片3的密合性。對(duì)于熱固性樹(shù)脂層16的厚度(層疊薄膜的情況下是總厚度)，只要在貼合到帶有凸點(diǎn)的晶片3上時(shí)，可以將凸點(diǎn)51突出即可，優(yōu)選為2μπι 200μπι，更優(yōu)選為2μπι 100 μ m,進(jìn)一步優(yōu)選為5 μ m 50 μ m。另外，熱固性樹(shù)脂層16優(yōu)選具有凸點(diǎn)51的高度的O. 05 O. 9倍的厚度，更優(yōu)選具有O. 05 O. 7倍的厚度。如果熱固性樹(shù)脂層16具有凸點(diǎn)51的高度的O. 05 O. 9倍的厚度，則在帶有凸點(diǎn)的晶片3上貼合保護(hù)層形成用薄膜10時(shí)，可以使凸點(diǎn)51從熱固性樹(shù)脂層16中可靠地突出。優(yōu)選將熱固性樹(shù)脂層16的表面利用隔膜(剝離襯里)保護(hù)(未圖示)。隔膜具有作為在用于實(shí)用之前保護(hù)熱固性樹(shù)脂層16的保護(hù)材料的功能。另外，隔膜可以作為向粘合劑層14上轉(zhuǎn)印熱固性樹(shù)脂層16時(shí)的支撐基材使用。隔膜在向保護(hù)層形成用薄膜10上貼附帶有凸點(diǎn)的晶片3時(shí)被剝離。作為隔膜，也可以使用聚乙烯、聚丙烯、或利用氟系剝離齊U、長(zhǎng)鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進(jìn)行了表面涂覆的塑料薄膜(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯等)或紙等。而且，隔膜可以利用以往公知的方法形成。另外，隔膜的厚度等也沒(méi)有特另IJ限制。 (粘合劑層)作為粘合劑層14的形成中所用的粘合劑沒(méi)有特別限制，例如可以使用丙烯酸系粘合劑、橡膠系粘合劑等普通的壓敏性粘合劑。作為所述壓敏性粘合劑，從半導(dǎo)體晶片或玻璃等忌避污染的電子部件的借助超純水或醇等有機(jī)溶劑的潔凈清洗性等方面考慮，優(yōu)選以丙烯酸系聚合物作為基質(zhì)聚合物的丙烯酸系粘合劑。作為所述丙烯酸系聚合物，例如可以舉出將(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳數(shù)I 30、特別優(yōu)選碳數(shù)4 18的直鏈狀或者支鏈狀的烷基酯等)以及(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯(例如環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)的I種或者2種以上作為單體成分使用的丙烯酸系聚合物等。而且，所謂(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發(fā)明的所謂(甲基)全是相同的意味。出于對(duì)凝聚力、耐熱性等的改性的目的，所述丙烯酸系聚合物根據(jù)需要也可以含有與能夠同所述(甲基)丙烯酸烷基酯或者環(huán)烷基酯共重的其他單體成分對(duì)應(yīng)的單元。作為此種單體成分，例如可以舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基) 丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸、巴豆酸等含有羧基的單體；馬來(lái)酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(4-羥基甲基環(huán)己基)甲基(甲基)丙烯酸酯等含有羥基的單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、磺丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯?；趸粱撬岬群谢撬峄膯误w；2_羥基乙基丙烯?；姿狨サ群辛姿峄膯误w；丙烯酰胺、丙烯腈等。這些可以共聚的單體成分可以使用I種或者2種以上。這些可以共聚的單體的使用量?jī)?yōu)選為全部單體成分的40重量％以下。此外，為了使所述丙烯酸系聚合物交聯(lián)，也可以將多官能性單體等根據(jù)需要作為共聚用單體成分含有。作為此種多官能性單體，例如可以舉出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧基(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能性單體也可以使用I種或者2種以上。對(duì)于多官能性單體的使用量，從粘附特性等方面考慮，優(yōu)選為全部單體成分的30重量％以下。所述丙烯酸系聚合物可以通過(guò)將單一單體或者2種以上的單體混合物加以聚合而得到。聚合可以用溶液聚合、乳化聚合、本體聚合、懸濁聚合等任意一種方式來(lái)進(jìn)行。從防止對(duì)潔凈的被粘附體的污染等方面考慮，優(yōu)選低分子量物質(zhì)的含量小。從這一點(diǎn)考慮，丙烯酸系聚合物的數(shù)均分子量?jī)?yōu)選為30萬(wàn)以上，更優(yōu)選為40萬(wàn) 150萬(wàn)左右。另外，在所述粘合劑中，為了提高作為基質(zhì)聚合物的丙烯酸系聚合物等的數(shù)均分子量，也可以適當(dāng)?shù)夭捎猛獠拷宦?lián)劑。作為外部交聯(lián)方法的具體的途徑，可以舉出添加聚異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、密胺系交聯(lián)劑等所謂交聯(lián)劑并使之反應(yīng)的方法。在使用外部交聯(lián)劑的情況下，其使用量由與應(yīng)該交聯(lián)的基質(zhì)聚合物的平衡、以及作為粘合劑的使用用途來(lái)恰當(dāng)?shù)貨Q定。一般來(lái)說(shuō)，相對(duì)于所述基質(zhì)聚合物100重量份，優(yōu)選配合5重量份左右以下，更優(yōu)選配合O. I 5重量份。此外，在粘合劑中，根據(jù)需要，除了所述成分以外，還可以使用以往公知的各種增粘劑、防老化劑等添加劑。另外，粘合劑層14也可以利用紫外線固化型粘合劑來(lái)形成。紫外線固化型粘合劑可以利用紫外線的照射使交聯(lián)度增大而很容易地降低其粘合力。所以，在利用紫外線固化型粘合劑形成粘合劑層14的情況下，可以通過(guò)在帶有凸點(diǎn)的晶片3上貼合保護(hù)層形成用薄膜10后，利用紫外線的照射使粘合力降低，而將支撐基材12和粘合劑層15從熱固性樹(shù)脂層16上剝離。所述紫外線的照射例如優(yōu)選以10 lOOOmJ/cm2的紫外線照射累計(jì)光量來(lái)進(jìn)行，更優(yōu)選設(shè)為100 500mJ/cm2。通過(guò)將紫外線照射累計(jì)光量設(shè)為lOmJ/cm2以上，就可以使粘合劑層14沒(méi)有不足地固化，可以防止與熱固性樹(shù)脂層16的過(guò)度 的密合。其結(jié)果是，可以在粘合劑層14與熱固性樹(shù)脂層16的界面中良好地剝離。另外，可以防止在熱固性樹(shù)脂層16上附著粘合劑層14的粘合劑(所謂的膠痕)。另一方面，通過(guò)將紫外線照射累計(jì)光量設(shè)為1000mJ/cm2以下,可以防止由放熱造成的薄膜劣化。所述紫外線固化型粘合劑可以沒(méi)有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等紫外線固化性的官能團(tuán)并且顯示出粘合性的材料。作為紫外線固化型粘合劑，例如可以例示出向所述丙烯酸系粘合劑、橡膠系粘合劑等普通的壓敏性粘合劑中配合了紫外線固化性的單體成分或低聚物成分而得的添加型的紫外線固化型粘合劑。作為所配合的所述紫外線固化性的單體成分，例如可以舉出氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4_ 丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外線固化性的低聚物成分可以舉出氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，其分子量為100 30000左右的范圍的物質(zhì)是恰當(dāng)?shù)摹Ｓ绕涫?，為了提高凸點(diǎn)的前端突出性，優(yōu)選含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。紫外線固化性的單體成分或低聚物成分的配合量可以根據(jù)所述粘合劑層的種類(lèi)，恰當(dāng)?shù)貨Q定為能夠降低粘合劑層的粘合力的量。一般來(lái)說(shuō)，相對(duì)于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸系聚合物等基質(zhì)聚合物100重量份，例如為5 500重量份，優(yōu)選為40 150重量份左右。另外，作為紫外線固化型粘合劑，除了所述說(shuō)明的添加型的紫外線固化型粘合劑以外，作為基質(zhì)聚合物，還可以舉出使用了在聚合物側(cè)鏈或者主鏈中或者在主鏈末端具有碳-碳雙鍵的內(nèi)在型的紫外線固化型粘合劑。內(nèi)在型的紫外線固化型粘合劑不需要含有屬于低分子量成分的低聚物成分等，或者大多數(shù)不含有，因此不會(huì)有隨時(shí)間推移低聚物成分等在粘合劑中移動(dòng)的情況，可以形成穩(wěn)定的層結(jié)構(gòu)的粘合劑層，因而優(yōu)選。所述具有碳-碳雙鍵的基質(zhì)聚合物可以沒(méi)有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵并且具有粘合性的聚合物。作為此種基質(zhì)聚合物，優(yōu)選以丙烯酸系聚合物作為基本骨架的聚合物。作為丙烯酸系聚合物的基本骨架，可以舉出所述例示出的丙烯酸系聚合物。向所述丙烯酸系聚合物中的碳-碳雙鍵的導(dǎo)入法沒(méi)有特別限制，可以采用各種方法，而將碳-碳雙鍵向聚合物側(cè)鏈中導(dǎo)入的做法的分子設(shè)計(jì)十分容易。例如可以舉出如下的方法，即，在預(yù)先向丙烯酸系聚合物上共聚具有官能團(tuán)的單體后，使具有能夠與該官能團(tuán)反應(yīng)的官能團(tuán)及碳-碳雙鍵的化合物在維持碳-碳雙鍵的紫外線固化性的同時(shí)進(jìn)行縮聚或加成反應(yīng)。作為這些官能團(tuán)的搭配的例子，可以舉出羧酸基與環(huán)氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。在這些官能團(tuán)的搭配當(dāng)中，從追隨反應(yīng)的容易性方面考慮，優(yōu)選羥基與異氰酸酯基的搭配。另外，如果是利用這些官能團(tuán)的搭配能夠生成所述具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系聚合物的搭配，則官能團(tuán)無(wú)論處于丙烯酸系聚合物與所述化合物的任意一側(cè)都可以，在所述的優(yōu)選的搭配中，優(yōu)選丙烯酸系聚合物具有羥基、所述化合物具有異氰酸酯基的情況。該情況下，作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，例如可以舉出甲基丙烯?；惽杷狨?、2-甲基丙烯?；趸一惽杷狨?、間異丙烯基_α，α-二甲基芐基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸系聚合物，使用將所述例示的含有羥基的單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二甘醇單乙烯基醚的醚系化合物等共聚而得的聚合物。所述內(nèi)在型的紫外線固化型粘合劑可以單獨(dú)使用所述具有碳-碳雙鍵的基質(zhì)聚合物(特別是丙烯酸系聚合物)，然而也可以以不會(huì)使特性變差的程度配合所述紫外線固化性的單體成分或低聚物成分。紫外線固化性的低聚物成分等通常來(lái)說(shuō)相對(duì)于基質(zhì)聚合物100重量份為30重量份的范圍內(nèi)，優(yōu)選為O 10重量份的范圍。在所述紫外線固化型粘合劑中，在利用紫外線等固化的情況下含有光聚合引發(fā)齊U。作為光聚合引發(fā)劑，例如可以舉出4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-輕基-α，α 二甲基苯乙酮、2_甲基_2_羥基苯丙酮、I-羥基環(huán)己基苯基酮等α-酮系化合物；甲氧基苯乙酮、2，2_ 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2_ 二乙氧基苯乙酮、2-甲基_1-[4-(甲基硫代)-苯基]-2-嗎啉代丙燒-I等苯乙酮系化合物；苯偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚、茴香偶姻甲基醚等苯偶姻醚系化合物；芐基二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；I-苯酮-1，1-丙二酮-2-(ο-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯酮、苯甲酰基苯甲酸、3，3’_二甲基-4-甲氧基二苯酮等二苯酮系化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4_ 二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4_ 二氯噻噸酮、2，4-二乙基噻噸酮、2，4_ 二異丙基噻噸酮等噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵化酮；酰基氧化膦；?；姿狨サ?。光聚合引發(fā)劑的配合量相對(duì)于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸系聚合物等基質(zhì)聚合物100重量份例如為O. 05 20重量份左右。在利用紫外線固化型粘合劑形成粘合劑層14的情況下，出于調(diào)整剪切彈性模量、溶融粘度的目的，也可以預(yù)先進(jìn)行紫外線照射。作為此時(shí)的紫外線照射量，例如可以舉出10 IOOOmJ/cm2。而且，在紫外線照射時(shí)會(huì)引起由氧造成的阻礙固化的情況下，最好從粘合劑層14的表面利用某些方法來(lái)阻斷氧(空氣)。例如可以舉出在氮?dú)鈿夥罩羞M(jìn)行紫外線的照射的方法等。粘合劑層14的厚度沒(méi)有特別限定，然而為了更為可靠地使凸點(diǎn)露出，優(yōu)選為凸點(diǎn)高度的O. I倍以上且小于I. 2倍，更優(yōu)選為凸點(diǎn)高度的O. 5倍以上且小于I. 2倍。粘合劑層14的厚度具體來(lái)說(shuō)例如優(yōu)選為5 300 μ m,更優(yōu)選為5 200 μ m。另外，從剝離性的觀點(diǎn)考慮，支撐基材12的厚度與粘合劑層14的厚度的總計(jì)優(yōu)選為20 500 μ m,更優(yōu)選為40 200 μ m。(支撐基材12)作為支撐基材12，沒(méi)有特別限制，然而例如可以優(yōu)選使用塑料的薄膜或薄片等塑料系基材。作為此種塑料材料的原材料，例如可以舉出聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙 烯共聚物等烯烴系樹(shù)脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離聚物樹(shù)脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無(wú)規(guī)、交替)共聚物等以乙烯作為單體成分的共聚物；聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；丙烯酸系樹(shù)脂；聚氯乙烯(PVC);聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS);聚酰胺(尼龍)、全芳香族聚酰胺(芳族聚酰胺)等酰胺系樹(shù)脂；聚醚醚酮(PEEK);聚酰亞胺；聚醚酰亞胺；聚偏氯乙烯；ABS (丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素系樹(shù)脂；硅酮樹(shù)脂；氟樹(shù)月旨等。另外，作為支撐基材12的材料，可以舉出所述樹(shù)脂的交聯(lián)體等聚合物。所述塑料薄膜既可以不拉伸地使用，也可以根據(jù)需要使用實(shí)施了單軸或雙軸的拉伸處理的材料。根據(jù)利用拉伸處理等賦予了熱收縮性的樹(shù)脂薄片，通過(guò)在將保護(hù)層形成用薄膜10貼合在帶 有凸點(diǎn)的晶片3上后，使支撐基材12熱收縮，就可以降低粘合劑層14與熱固性樹(shù)脂層16的粘接面積，可以將支撐基材12和粘合劑層14從熱固性樹(shù)脂層16上輕易地剝離。為了提高與相鄰的層的密合性、保持性等，可以對(duì)支撐基材12的表面實(shí)施慣用的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等化學(xué)的或者物理的處理、借助底涂劑(例如后述的粘合物質(zhì))的涂覆處理。支撐基材12可以適當(dāng)?shù)剡x擇使用同種或者異種的材料，根據(jù)需要可以使用將數(shù)種混合而成的材料。另外，為了對(duì)支撐基材12賦予防靜電干擾能力，可以在支撐基材12上設(shè)置包含金屬、合金、它們的氧化物等的厚度為30 500A左右的導(dǎo)電性物質(zhì)的蒸鍍層。支撐基材12可以是單層或者2種以上的多層。支撐基材12的厚度(層疊體的情況下是總厚度)沒(méi)有特別限制，可以根據(jù)強(qiáng)度或柔軟性、使用目的等適當(dāng)?shù)剡x擇，優(yōu)選為10 500 μ m,更優(yōu)選為20 200 μ m。而且，在支撐基材12中，在不損害本發(fā)明的效果等的范圍中，也可以含有各種添加劑(著色劑、填充材料、增塑劑、防老化劑、防氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等)。(保護(hù)層形成用薄膜10的制造方法)對(duì)本實(shí)施方式的保護(hù)層形成用薄膜10的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，支撐基材12可以利用以往公知的制膜方法來(lái)制膜。作為該制膜方法，例如可以例示出壓延制膜法、有機(jī)溶劑中的澆注法、密閉體系中的吹塑擠出法、T模頭擠出法、共擠出法、干式層壓法等。然后，向支撐基材12上涂布粘合劑組合物，使之干燥(根據(jù)需要將其加熱交聯(lián))而形成粘合劑層14。作為涂布方式，可以舉出輥涂、絲網(wǎng)涂布、凹版涂布等。而且，既可以將粘合劑層組合物直接涂布于支撐基材12上，在支撐基材12上形成粘合劑層14，另外也可以在將粘合劑組合物涂布于在表面進(jìn)行了剝離處理的剝離紙等上而形成粘合劑層14后，將該粘合劑層14向支撐基材12上轉(zhuǎn)印。這里，根據(jù)需要，出于調(diào)整粘合劑層14的斷裂彈性模量或溶融粘度的目的，對(duì)粘合劑層14進(jìn)行紫外線的照射。另一方面，將用于形成熱固性樹(shù)脂層16的形成材料以使干燥后的厚度達(dá)到規(guī)定厚度的方式涂布于剝離紙上，再在規(guī)定條件下干燥(在需要熱固化等情況下，根據(jù)需要實(shí)施加熱處理而干燥)，形成涂布層。通過(guò)將該涂布層向粘合劑層14上轉(zhuǎn)印，而在粘合劑層14上形成熱固性樹(shù)脂層16。而且，通過(guò)在粘合劑層14上直接涂布用于形成熱固性樹(shù)脂層16的形成材料后，在規(guī)定條件下干燥(在需要熱固化等情況下，根據(jù)需要實(shí)施加熱處理而干燥)，也可以在粘合劑層14上形成熱固性樹(shù)脂層16。利用以上操作，可以獲得保護(hù)層形成用薄膜10。(半導(dǎo)體裝置的制造方法)在參照?qǐng)D3 圖6的同時(shí)，對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法說(shuō)明如下。圖3 圖6是示意性地表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的一例的剖面圖。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法至少具備在帶有凸點(diǎn)的晶片3上以熱固性樹(shù)脂層16作為貼合面貼合保護(hù)層形成用薄膜10的工序；將支撐基材12和粘合劑層14從熱固性樹(shù)脂層16上剝離的工序；加熱熱固性樹(shù)脂層16而使之固化，形成保護(hù)層17的工序；以及；將帶有凸點(diǎn)的晶片3與保護(hù)層17 —起進(jìn)行切片的工序。首先，如圖3所示，在帶有凸點(diǎn)的晶片3上以熱固性樹(shù)脂層16作為貼合面貼合保護(hù)層形成用薄膜10。貼附方法沒(méi)有特別限定，然而優(yōu)選借助壓接的方法。壓接通常來(lái)說(shuō)是在利用壓接輥等按壓機(jī)構(gòu)按壓的同時(shí)進(jìn)行的。作為壓接的條件，壓接溫度優(yōu)選為25 150°C，更優(yōu)選為30 100°C。線壓力優(yōu)選為O. 05 I. OMPa,更優(yōu)選為O. 2 I. OMPa0壓接速度優(yōu)選為I lOOmm/sec，更優(yōu)選為10 80mm/sec。這樣，帶有凸點(diǎn)的晶片3所具有的凸點(diǎn)51就會(huì)從熱固性樹(shù)脂層16中突出。然后，根據(jù)需要，進(jìn)行帶有凸點(diǎn)的晶片3的背面研削。由于在帶有凸點(diǎn)的晶片3的形成有凸點(diǎn)51的一面，貼附有保護(hù)層形成用薄膜10，因此可以利用保護(hù)層形成用薄膜10來(lái)保持、固定帶有凸點(diǎn)的晶片3。而且，帶有凸點(diǎn)的晶片3的背面是指帶有凸點(diǎn)的晶片3的沒(méi)有形成凸點(diǎn)51的一側(cè)的面。然后，在帶有凸點(diǎn)的晶片3的背面貼附切片膠帶(未圖示)。作為切片膠帶，可以使用以往公知的材料，對(duì)于貼附裝置也可以使用以往公知的裝置。然后，將支撐基材12和粘合劑層14從熱固性樹(shù)脂層16上剝離。在粘合劑層14是紫外線固化性樹(shù)脂的情況下，根據(jù)需要，從支撐基材12側(cè)照射紫外線。這樣，粘合劑層14就會(huì)固化，粘合劑層14與熱固性樹(shù)脂層16的界面的剝離力降低。在剝離中，例如可以使用Backgrind Tape剝離裝置MA-3000II (日東精機(jī)(株)制)。此時(shí)，熱固性樹(shù)脂層16(熱固化前)與粘合劑層14的剝離力優(yōu)選為5N/20mm寬度以下(例如為O. 01N/20mm寬度 5N/20mm寬度)，更優(yōu)選為O. 01N/20mm寬度 lN/20mm寬度。通過(guò)將熱固性樹(shù)脂層16(熱固化前)與粘合劑層14的剝離力設(shè)為上述數(shù)值范圍內(nèi)，就可以將熱固性樹(shù)脂層16(熱固化前)與粘合劑層14恰當(dāng)?shù)貏冸x。所述剝離力的值是在溫度23±2°C、剝離角度180°、剝離速度300mm/min、卡盤(pán)間距離IOOmm的條件下進(jìn)行T型剝離試驗(yàn)(JIS K6854-3)中的測(cè)定值。另外，作為拉伸試驗(yàn)機(jī)，使用了商品名“AutographAGS-Η”((株)島津制作所制)。然后，加熱熱固性樹(shù)脂層16而使之固化，形成保護(hù)層17 (參照?qǐng)D4)。作為加熱條件，優(yōu)選加熱溫度為120 200°C，更優(yōu)選為140 180°C。另外，加熱時(shí)間優(yōu)選為30分鐘 3小時(shí)，更優(yōu)選為I小時(shí) 2小時(shí)。然后，利用切片刀片22將帶有凸點(diǎn)的晶片3與保護(hù)層17 —起切片(參照?qǐng)D5)。在切片中，例如可以使用具備切片刀片的以往公知的切片裝置。帶有凸點(diǎn)的晶片3所具備的低介電常數(shù)材料層41由于在由保護(hù)層17加強(qiáng)的狀態(tài)下被切片，因此可以抑制在低介電常數(shù)材料層41中產(chǎn)生裂紋的情況。另外，由于低介電常數(shù)材料層41在由保護(hù)層17加強(qiáng)了的狀態(tài)下被切片，因此也可以不用預(yù)先利用激光劃線等除去低介電常數(shù)材料層41。其結(jié)果是，可以抑制工序數(shù)的增加。但是，在本發(fā)明中，也可以在切片前(例如在將帶有凸點(diǎn)的晶片與保護(hù)層形成用薄膜貼合之前)利用激光劃線等將切片跡道上的低介電常數(shù)材料層預(yù)先除去。該情況下，可以更為可靠地抑制低介電常數(shù)材料層的裂紋，從這一點(diǎn)考慮是理想、的。其后，如圖6所示，拾取利用切片加以單片化了的半導(dǎo)體芯片5，粘接固定在被粘附體6上。由于半導(dǎo)體芯片5上的凸點(diǎn)51是從保護(hù)層17中突出的，因此可以與被粘附體6上的凸點(diǎn)51電連接。具體來(lái)說(shuō)，將半導(dǎo)體芯片5以使半導(dǎo)體芯片5的凸點(diǎn)形成面與被粘附體6相面對(duì)的形態(tài)依照常法固定于被粘附體6上。例如通過(guò)在使半導(dǎo)體芯片5的凸點(diǎn)形成面接觸粘合在被粘附體6的連接墊上的接合用的導(dǎo)電材料(焊錫等)61而按壓的同時(shí)使導(dǎo)電材料溶融，就可以確保半導(dǎo)體芯片5與被粘附體6的電導(dǎo)通，將半導(dǎo)體芯片5固定于被粘附體6上。此時(shí)，在半 導(dǎo)體芯片5與被粘附體6之間形成有空隙，該空隙間距離一般來(lái)說(shuō)為30 μ m 300 μ m左右。在將半導(dǎo)體芯片5粘接在被粘附體6上后，清洗半導(dǎo)體芯片5與被粘附體6的對(duì)置面、間隙，向該間隙中填充密封材料(密封樹(shù)脂等)而密封。作為被粘附體6，可以使用引線框或電路基板(配線電路基板等)等各種基板。作為此種基板的材質(zhì)，沒(méi)有特別限定，然而可以舉出陶瓷基板、塑料基板。作為塑料基板，例如可以舉出環(huán)氧基板、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪基板、聚酰亞胺基板等。作為凸點(diǎn)或?qū)щ姴牧系牟馁|(zhì)，沒(méi)有特別限定，例如可以舉出錫-鉛系金屬材料、錫-銀系金屬材料、錫-銀-銅系金屬材料、錫-鋅系金屬材料、錫-鋅-鉍系金屬材料等焊錫類(lèi)(合金)、金系金屬材料、銅系金屬材料等。本工序中，優(yōu)選進(jìn)行半導(dǎo)體芯片5與被粘附體6的對(duì)置面(電極形成面)、間隙的清洗。作為該清洗中所用的清洗液，沒(méi)有特別限制，例如可以舉出有機(jī)系的清洗液、水系的清洗液。然后，進(jìn)行用于將半導(dǎo)體芯片5與被粘附體6之間的間隙密封的密封工序。密封工序是使用密封樹(shù)脂進(jìn)行的。作為此時(shí)的密封條件沒(méi)有特別限定，然而通常來(lái)說(shuō)，通過(guò)在175°C進(jìn)行60秒 90秒的加熱來(lái)進(jìn)行密封樹(shù)脂的熱固化，然而本發(fā)明并不限定于此，例如可以在165 °C 185 °C進(jìn)行數(shù)分鐘的熟化。作為所述密封樹(shù)脂，只要是具有絕緣性的樹(shù)脂(絕緣樹(shù)脂)就沒(méi)有特別限制，可以從公知的密封樹(shù)脂等密封材料中適當(dāng)?shù)剡x擇使用，然而更優(yōu)選具有彈性的絕緣樹(shù)脂。作為密封樹(shù)脂，例如可以舉出包含環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物等。作為環(huán)氧樹(shù)脂，可以舉出前面所例示的環(huán)氧樹(shù)脂等。另外，作為基于含有環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物的密封樹(shù)脂，作為樹(shù)脂成分，在環(huán)氧樹(shù)脂之外，也可以還含有環(huán)氧樹(shù)脂以外的熱固性樹(shù)脂(酚醛樹(shù)脂等)、熱塑性樹(shù)脂等。而且，作為酚醛樹(shù)脂，也可以作為環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑利用，作為此種酚醛樹(shù)脂，可以舉出前面所例示的酚醛樹(shù)脂等。[實(shí)施例]下面，使用實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，然而本發(fā)明只要不超出其主旨，就不受以下的實(shí)施例限定。另外，在各例中，份只要沒(méi)有特別指出就是重量基準(zhǔn)?！粗位牡臏?zhǔn)備〉準(zhǔn)備了厚度為50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜(PET薄膜)、和厚度為120 μ m的乙烯醋酸乙烯酯共聚物薄膜(EVA薄膜)。〈粘合劑層的制作〉在實(shí)施例I 9以及比較例1、2中，在準(zhǔn)備好的上述支撐基材上，涂布下述的粘合劑組合物溶液A，干燥而得到粘合劑層。制作出的粘合劑層的厚度如表I、表2所示。
(粘合劑組合物溶液A)向配備有冷卻管、氮?dú)鈱?dǎo)入管、溫度計(jì)、以及攪拌裝置的反應(yīng)容器中，加入丙烯酸-2-乙基己酯(以下、也稱(chēng)作“2EHA”。)86. 4份、丙烯酸-2-羥基乙酯(以下、也稱(chēng)作“HEA”。) 13. 6份、過(guò)氧化苯甲酰O. 2份、以及甲苯65份，在氮?dú)鈿饬髦幸?1°C進(jìn)行6小時(shí)聚合處理，得到丙烯酸系聚合物A。向丙烯酸系聚合物A中加入2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯(以下、也稱(chēng)作“MOI”。)14. 6份，在空氣氣流中以50°C進(jìn)行48小時(shí)加成反應(yīng)處理，得到丙烯酸系聚合物A，。
然后，相對(duì)于丙烯酸系聚合物A’ 100份，加入聚異氰酸酯化合物(商品名“Coronate L”、日本聚氨酯(株)制)8份、以及光聚合引發(fā)劑(商品名“Irgacure651”、CibaSpecialty Chemicals公司制)5份,得到粘合劑組合物溶液A。<熱固性樹(shù)脂層的制作>(熱固性樹(shù)脂層a)將環(huán)氧當(dāng)量142g/eq的萘型環(huán)氧樹(shù)脂(DIC公司制、產(chǎn)品名HP4032D)31. 6份、環(huán)氧當(dāng)量169g/eq的三苯酚甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂(日本化藥(株)制、產(chǎn)品名EPPN501HY) 7. 9份、苯酚當(dāng)量175g/eq的芳烷基(7 9 4 9 )型酚醛樹(shù)脂(明和化成(株)公司制、產(chǎn)品名MEHC7800S)47. 3份、丙烯酸丁酯-丙烯腈-甲基丙烯酸縮水甘油酯共聚物(NagaseChemtex(株)公司制、產(chǎn)品名SG_28GM) 12份、以及作為固化催化劑的三苯基膦I. 2份溶解于甲乙酮中，制備出固體成分濃度為38. 6重量％的粘接劑組合物的溶液。在將該粘接劑組合物的溶液涂布于作為剝離襯里(隔膜)的由進(jìn)行了硅酮脫模處理的厚度為50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜制成的脫模處理薄膜上后，通過(guò)在130°C下干燥2分鐘，制作出具有表I、表2中記載的厚度的熱固性樹(shù)脂層a。(熱固性樹(shù)脂層b)將環(huán)氧當(dāng)量169g/eq的三苯酚甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂(日本化藥(株)制、產(chǎn)品名EPPN501HY)38. I份、苯酚當(dāng)量175g/eq的芳烷基(7 ^^ )型酚醛樹(shù)脂(明和化成(株)公司制、產(chǎn)品名MEHC7800S)40. 8份、丙烯酸丁酯-丙烯腈-甲基丙烯酸乙酯共聚物(Nagase Chemtex (株)公司制、產(chǎn)品名SG_P3) 20份、以及作為固化催化劑的三苯基膦I. 2份溶解于甲乙酮中，制備出固體成分濃度為48. O重量 ％的粘接劑組合物的溶液。在將該粘接劑組合物的溶液涂布于作為剝離襯里(隔膜)的由進(jìn)行了硅酮脫模處理的厚度為50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜制成的脫模處理薄膜上后，通過(guò)在130°C下干燥2分鐘，制作出具有表I、表2中記載的厚度的熱固性樹(shù)脂層b。(熱固性樹(shù)脂層c)將環(huán)氧當(dāng)量185g/eq的雙酹A型環(huán)氧樹(shù)脂(Japan Epoxy Resins (株)公司制、產(chǎn)品名YL-980)34.4份、環(huán)氧當(dāng)量169g/eq的三苯酚甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂(日本化藥(株)制、產(chǎn)品名EPPN501HY) 14. 8份、苯酚當(dāng)量175g/eq的芳烷基(7 9々9 > )型酚醛樹(shù)脂(明和化成(株)公司制、產(chǎn)品名MEHC7800S)22. 6份、苯酚當(dāng)量105g/eq的苯酚酚醛清漆樹(shù)脂(群榮化學(xué)(株)公司制、產(chǎn)品名GS-180) 15. I份、丙烯酸丁酯-丙烯腈-甲基丙烯酸乙酯共聚物(Nagase Chemtex (株)公司制、產(chǎn)品名SG_P3) 12份、以及作為固化催化劑的三苯基膦I. 2份溶解于甲乙酮中，制備出固體成分濃度為54. 4重量％的粘接劑組合物的溶液。
在將該粘接劑組合物的溶液涂布于作為剝離襯里(隔膜)的由進(jìn)行了硅酮脫模處理的厚度為50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜制成的脫模處理薄膜上后，通過(guò)在130°C下干燥2分鐘，制作出具有表I、表2中記載的厚度的熱固性樹(shù)脂層C。<保護(hù)層形成用薄膜的制作>
在實(shí)施例I 9以及比較例1、2中，在利用上述操作制作出的粘合劑層上，分別貼合利用上述操作制作出的熱固性樹(shù)脂層，制作出保護(hù)層形成用薄膜。另外，在比較例3、4中，在準(zhǔn)備好的上述支撐基材上，分別貼合利用上述操作制作出的熱固性樹(shù)脂層，制作出保護(hù)層形成用薄膜。表I、表2中，表示出實(shí)施例以及比較例的保護(hù)層形成用薄膜的支撐基材、粘合劑層、及熱固性樹(shù)脂層的搭配。而且，層壓條件如下所示?！磳訅簵l件〉層壓裝置滾筒層壓機(jī)(rollIaminator)層壓速度lmm/min層壓壓力0.5MPa層壓溫度室溫(23 °C )(粘合劑層的剪切彈性模量的測(cè)定)測(cè)定出粘合劑層(對(duì)于實(shí)施例3 9、比較例1、2，是照射表I、表2所示的紫外線后的粘合劑層)的剪切彈性模量。剪切彈性模量的測(cè)定是使用制備出的粘合劑組合物溶液A形成粘合劑層(厚度O. 2mm)，使用剪切彈性模量測(cè)定裝置(Rheometric公司制、ARES)測(cè)定的。具體來(lái)說(shuō)，將溫度設(shè)為表I、表2所示的“貼合溫度”，在頻率1Hz、板直徑7. 9_Φ、以及應(yīng)變1%的條件下測(cè)定出該樣品的剪切彈性模量。將結(jié)果表示于表I、表2中。(溶融粘度的測(cè)定)測(cè)定出熱固性樹(shù)脂層(熱固化前)的溶融粘度。溶融粘度的測(cè)定是使用流變儀(ΗΑΑΚΕ公司制、RS-1)，利用平行板法測(cè)定出的值。更具體來(lái)說(shuō)，是在間隙100 μ m、旋轉(zhuǎn)錐直徑20mm、轉(zhuǎn)速10s—1的條件下，在從室溫到250°C的范圍中進(jìn)行測(cè)定時(shí)的值，將表I、表2所示的“貼合溫度”下的值作為測(cè)定值。將結(jié)果表示于表I、表2中。(粘合劑層與熱固性樹(shù)脂層的剝離力、以及粘合劑層與熱固性樹(shù)脂層的界面中的剝離性)在帶有凸點(diǎn)的硅晶片的形成有凸點(diǎn)的一側(cè)的面中，以熱固性樹(shù)脂層作為貼合面貼合實(shí)施例及比較例的保護(hù)層形成用薄膜。作為帶有凸點(diǎn)的硅晶片，使用了以下晶片。另外，貼合條件如下所示?！磶в型裹c(diǎn)的硅晶片〉硅晶片的厚度200μπι低介電常數(shù)材料層的材質(zhì)SiN膜低介電常數(shù)材料層的厚度0. 3μπι凸點(diǎn)的高度65 μ m凸點(diǎn)的間距150 μ m凸點(diǎn)的材質(zhì)焊錫〈貼合條件〉
貼合裝置DR-3000II(日東精機(jī)(株)公司制)層壓速度0.lmm/min層壓壓力0.5MPa層壓溫度如表I、表2的“貼合溫度”所示設(shè)定然后，測(cè)定出粘合劑層與熱固性樹(shù)脂層的剝離力。具體來(lái)說(shuō)，作為拉伸試驗(yàn)，使用商品名“AutographAGS-H” ((株)島津制作所制)，在溫度23±2°C、剝離角度180。、剝離速度300mm/min、卡盤(pán)間距離IOOmm的條件下,進(jìn)行模具剝離試驗(yàn)(JIS K6854-3)。將結(jié)果表不于表I、表2中。另外,在實(shí)施例I 2中，從支撐基材側(cè)照射紫外線,使粘合劑層固化。在紫外線照射中，使用紫外線照射裝置(產(chǎn)品名UM810、制造商日東精機(jī)(株)制)，紫外線輻射量設(shè)為400mJ/cm2。其后，測(cè)定出粘合劑層與熱固性樹(shù)脂層的剝離力。將結(jié)果作為“剝離前紫外線照射后的粘合劑層與熱固性樹(shù)脂層的剝離力”表示于表I、表2中。另外，嘗試了是否可以將帶有支撐基材的粘合劑層從保護(hù)層(熱固性樹(shù)脂層)上剝離。將能夠在粘合劑層與熱固性樹(shù)脂層的界面中剝離的評(píng)價(jià)為〇，將無(wú)法剝離的評(píng)價(jià)為X。將結(jié)果表不于表I、表2中。(凸點(diǎn)前端有無(wú)露出)對(duì)在上述的剝離性試驗(yàn)中所用的樣品，觀察了半導(dǎo)體晶片側(cè)的面，將凸點(diǎn)的前端露出的評(píng)價(jià)為〇，將沒(méi)有露出的評(píng)價(jià)為X。將結(jié)果表不于表I、表2中。(切片性)觀察凸點(diǎn)前端的露出后，在175°C加熱2小時(shí)，使熱固性樹(shù)脂層固化而形成保護(hù)層。其后，進(jìn)行了帶有凸點(diǎn)的硅晶片的切片。在切片中，作為切片膠帶使用了 DU-300(日東電工(株)制)，作為切片裝置使用了產(chǎn)品名DFD6361、制造商DISC0(株)制，將帶有凸點(diǎn)的硅晶片與保護(hù)層一起切片。而且，切片的條件如下所示。將可以不產(chǎn)生低介電常數(shù)材料層的剝離、碎片地切片的情況評(píng)價(jià)為〇，將雖然很少然而也產(chǎn)生了低介電常數(shù)材料層的剝離、碎片的情況評(píng)價(jià)為X。將結(jié)果表示于表I、表2中。但是，在比較例1、3中，由于無(wú)法使凸點(diǎn)的前端露出，因此沒(méi)有進(jìn)行切片性評(píng)價(jià)。另外，在比較例4中，由于無(wú)法將支撐基材從保護(hù)層(熱固性樹(shù)脂)上剝離，因此沒(méi)有進(jìn)行切片性評(píng)價(jià)?！辞衅瑮l件〉切片尺寸10mmX 10mm
切片速度30mm/sec主軸轉(zhuǎn)速40000rpm
權(quán)利要求
1.一種保護(hù)層形成用薄膜，其特征在于， 所述保護(hù)層形成用薄膜用于在形成有低介電常數(shù)材料層的帶有凸點(diǎn)的晶片形成保護(hù)層， 依次層疊有支撐基材、粘合劑層和熱固性樹(shù)脂層， 所述熱固性樹(shù)脂層的熔融粘度為I X IO2Pa S以上且小于2 X IO4Pa S，且所述粘合劑層的剪切彈性模量為IX IO3Pa以上且2X IO6Pa以下的溫度存在于50 120°C的溫度范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的保護(hù)層形成用薄膜，其特征在于， 所述熱固性樹(shù)脂層的厚度為5 u m以上且200 y m以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的保護(hù)層形成用薄膜，其特征在于， 所述熱固性樹(shù)脂層包含環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂， 所述粘合劑層包含丙烯酸系聚合物。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可以在抑制半導(dǎo)體裝置制造時(shí)的工序數(shù)增加的同時(shí)、防止半導(dǎo)體晶片所具有的低介電常數(shù)材料層的裂紋的保護(hù)層形成用薄膜。本發(fā)明的保護(hù)層形成用薄膜是用于在形成有低介電常數(shù)材料層的帶有凸點(diǎn)的晶片上形成保護(hù)層的保護(hù)層形成用薄膜，將支撐基材、粘合劑層和熱固性樹(shù)脂層依次層疊，熱固性樹(shù)脂層的熔融粘度為1×102Pa·S以上且小于2×104Pa·S、并且粘合劑層的剪切彈性模量為1×103Pa以上2×106Pa以下的溫度存在于50～120℃的溫度范圍內(nèi)。
文檔編號(hào)H01L23/29GK102637651SQ201210031499
公開(kāi)日2012年8月15日 申請(qǐng)日期2012年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月15日
發(fā)明者小田高司, 松村健, 高本尚英 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社