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在跡線上凸塊結(jié)構(gòu)中延伸的金屬跡線的制作方法

文檔序號(hào):7049288閱讀:202來源:國知局
專利名稱:在跡線上凸塊結(jié)構(gòu)中延伸的金屬跡線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,更具體地,涉及一種在跡線上凸塊結(jié)構(gòu)中延伸的金屬跡線。
背景技術(shù)
將跡線上凸塊(BOT)用在倒裝芯片封裝中,其中,將金屬凸塊直接接合在位于封裝基板中的較窄金屬跡線上,而不是接合在具有比各個(gè)連接金屬跡線更大的寬度的金屬焊盤上。BOT結(jié)構(gòu)需要更小的芯片面積,并且該BOT結(jié)構(gòu)的制作成本較低。傳統(tǒng)BOT結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)與基于金屬焊盤的傳統(tǒng)接合結(jié)構(gòu)相同的可靠性。 BOT結(jié)構(gòu)經(jīng)常包括在金屬跡線上形成的焊接掩模層。該焊接掩模層覆蓋部分金屬跡線,并且保留某些開口,通過這些開口暴露金屬跡線。在接合工藝期間,焊料凸塊延伸入開口,并且接合至在金屬跡線的露出部分。焊接掩模層提供了用于BOT結(jié)構(gòu)的機(jī)械支撐,并且金屬跡線不可能從下層結(jié)構(gòu)剝離。隨著凸塊結(jié)構(gòu)的發(fā)展,可以省略焊接掩模層。由于可以將封裝基板接合至器件管芯,該器件管芯包括在其中的超低介電常數(shù)(low-k)介電層,所以沒有形成焊接掩模層有利于降低在超低k介電層中發(fā)生剝離的風(fēng)險(xiǎn)。然而,在沒有覆蓋金屬跡線的焊接掩模層的情況下,位于封裝基板中的金屬線和下層結(jié)構(gòu)之間剝離的風(fēng)險(xiǎn)上升。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述技術(shù)所存在的問題,根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種器件,包括第一工件;第一金屬跡線,位于所述工件的表面上;以及第一跡線上凸塊(BOT)結(jié)構(gòu),包括第一金屬凸塊;以及第一焊料凸塊,將所述第一金屬凸塊與所述第一金屬跡線的部分接合,并且其中,所述第一金屬跡線包括沒有由所述第一焊料凸塊覆蓋的金屬跡線延伸部。在該器件中,所述金屬跡線延伸部被配置為在所述器件通電的狀態(tài)下不傳導(dǎo)電流;或者所述金屬跡線延伸部在朝向所述第一工件的中心的方向上延伸;或者所述金屬跡線延伸部的長度與所述第一金屬凸塊的長度的比率大于約0. 05或大于約0. 2。該器件進(jìn)一步包括第二 BOT結(jié)構(gòu),所述第二 BOT結(jié)構(gòu)包括第二金屬跡線,位于所述第一工件的所述表面上;第二金屬凸塊;以及第二焊料凸塊,將所述第二金屬凸塊與所述第二金屬跡線接合,其中,所述第二焊料凸塊與所述第二金屬跡線的部分接合,并且其中,所述第二金屬跡線不包括連接所述第二金屬跡線的所述部分的金屬跡線延伸部。在該器件中,所述金屬跡線延伸部具有與接合至所述第一焊料凸塊的所述第一金屬跡線的所述部分基本上相同的寬度;或者對(duì)于位于所述第一工件中的基本上全部金屬跡線,基本上沒有形成在遠(yuǎn)離所述第一工件的中心的方向上延伸的金屬跡線延伸部;或者所述器件進(jìn)一步包括第二工件,通過所述第一金屬凸塊和所述第一焊料凸塊與所述第一工件接合,其中,所述第一工件為封裝基板,并且所述第二工件為器件管芯。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種器件,包括器件管芯,包括位于表面處的第一金屬凸塊和第二金屬凸塊;封裝基板,包括位于表面處的第一金屬跡線和第二金屬跡線;第一焊料凸塊,將所述第一金屬凸塊與所述第一金屬跡線的部分接合,其中,所述第一焊料凸塊與面對(duì)所述器件管芯的所述第一金屬跡線的表面接觸,并且與所述第一金屬跡線的側(cè)壁接觸;金屬跡線延伸部,作為所述第一金屬跡線的部分,其中,將所述金屬跡線延伸部配置為在所述器件管芯通電的狀態(tài)下沒有電流流過,并且其中,所述金屬跡線延伸部連接與所述第一焊料凸塊接合的所述第一金屬跡線的所述部分;以及第二焊料凸塊,將所述第二金屬凸塊與所述第二金屬跡線的部分接合,其中,所述第二焊料凸塊與面對(duì)所述器件管芯的所述第二金屬跡線的表面接觸,并且與所述第二金屬跡線的側(cè)壁接觸,并且其中,沒有金屬跡線延伸部形成為所述第二金屬跡線的部分并且將所述金屬跡線延伸部配置為沒有電流流過。
在該器件中,所述金屬跡線延伸部在朝向所述封裝基板的中心的方向上延伸,并且其中,與所述第二焊料凸塊接合的所述第二金屬跡線的所述部分的端部位于遠(yuǎn)離所述中心的方向上;或者所述金屬跡線延伸部的長度與所述第一金屬凸塊的長度的比率大于約
0.05 ;或者在位于所述封裝基板中的金屬跡線的端部處基本上沒有形成金屬跡線延伸部并且沒有金屬跡線延伸部在遠(yuǎn)離所述封裝基板的中心的方向上延伸。該器件進(jìn)一步包括位于所述器件管芯和所述封裝基板之間的空間中的模底部填充物,其中,所述模底部填充物延伸入位于所述封裝基板中的鄰近金屬跡線之間的空間中。根據(jù)本發(fā)明的又一方面,還提供了一種器件,包括第一工件;第二工件;含銅凸塊,位于所述第一工件的表面處;含銅跡線,具有基本上均勻的寬度,位于所述第二工件的表面上;以及焊料凸塊,將所述含銅凸塊與所述含銅跡線接合,其中,將所述焊料凸塊與所述含銅跡線的第一部分接合并且與所述含銅跡線的所述第一部分接觸,并且其中,所述含銅跡線包括第二部分,包括第一端部,與所述第一部分接觸;和第二端部,連接至位于與所述含銅跡線的水平面不同的水平面處的金屬部件;以及第三部分,其中,所述第二部分和所述第三部分位于所述第一部分的相對(duì)側(cè)面上,并且其中,所述第三部分包括第一端部,與所述第一部分接觸;和第二端部,不與任何額外的金屬部件接觸。在該器件中,所述第三部分的所述第二端部與模底部填充物接觸;或者所述第三部分具有大于約10 y m的長度。在該器件中,所述第一部分的長度與所述含銅凸塊的長度之比大于約0. 05 ;或者所述第二部分被配置為在所述第一工件和所述第二工件通電的狀態(tài)下不傳導(dǎo)電流。


為了更好地理解實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn),現(xiàn)在將結(jié)合附圖所進(jìn)行的以下描述作為參考,其中圖I和圖2為包括跡線上凸塊(BOT)結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)的截面圖,其中,在BOT結(jié)構(gòu)的端部處形成金屬跡線延伸部;圖3示出了如圖I和圖2中的BOT結(jié)構(gòu)的立體圖;圖4和圖5示出了金屬跡線延伸部的延伸方向的確定;圖6示出了多條金屬跡線,其中,某些金屬跡線包括金屬跡線延伸部,并且某些其他金屬跡線不包括金屬跡線延伸部;以及圖7示出了對(duì)于封裝結(jié)構(gòu)中的金屬軌跡和低k介電層產(chǎn)生的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)力。
具體實(shí)施例方式下面,詳細(xì)討論本發(fā)明的實(shí)施例的制造和使用。然而,應(yīng)該理解,本發(fā)明提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實(shí)現(xiàn)的可應(yīng)用的發(fā)明概念。所討論的具體實(shí)施例僅僅示出制造和使用本發(fā)明的具體方式,而不用于限制本公開的范圍。根據(jù)實(shí)施例提供了包括跡線上凸塊(BOT)結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)。討論了實(shí)施例的變型例。在整個(gè)附圖和所描述的實(shí)施例中,相同的參考標(biāo)號(hào)用于指定相同的元件。圖I示出了根據(jù)實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的截面圖。封裝結(jié)構(gòu)包括與工件200接合的工件100。工件100可以為器件管芯,該器件管芯包括諸如在其中的晶體管(未示出)的有源器件,但是工件100還可以為中介層,該中介層沒有在其中的有源器件。在工件100為器件管芯的實(shí)施例中,基板102可以為諸如硅基板的半導(dǎo)體基板,但是該基板還可以包括其他半導(dǎo)體材料。在基板102上形成互連結(jié)構(gòu)104,該互連結(jié)構(gòu)包括形成在其中的并且連接至半導(dǎo)體器件的金屬線和通孔106。金屬線和通孔106可以由銅或銅合金形成,并且可以使用鑲嵌工藝來形成該金屬線和通孔?;ミB結(jié)構(gòu)104可以包括公知的層間電介質(zhì)(ILD,沒有示出)和金屬間電介質(zhì)(MD) 180。MD 108可以包括低k電介質(zhì)材料,并且可以具有低于約3. 0的介電常數(shù)(k值)。低k電介質(zhì)材料還可以為具有低于約2. 5的k值的超低k電介質(zhì)材料。工件100可以進(jìn)一步包括凸塊底部金屬(UBM) 110和位于該UBMllO上的銅柱112。在通篇描述中,還將銅柱112稱作含銅凸塊或者金屬凸塊。工件200可以為封裝基板,但是例如,該工件可以為諸如中介層的其他封裝組件。工件200可以包括連接位于工件200的相對(duì)側(cè)面上的金屬部件的金屬線和通孔202。在實(shí)施例中,通過金屬線和通孔202將位于工件200的頂部上的金屬跡線210電連接至位于工件200的底部上的球柵陣列(BGA)球212??梢栽诮殡妼?14中形成金屬線和通孔202,但是還可以在半導(dǎo)體層(諸如,硅層,未示出)和在該半導(dǎo)體層上形成的介電層中形成該金屬線和通孔。在介電層214中的頂部介電層的上方形成金屬跡線210。金屬跡線210可以由基本上純的銅、鋁銅合金、或者諸如鎢、鎳、鈀、金等的其他金屬材料和/或其合金形成。通過焊料凸塊220將工件100和200彼此接合,該焊料凸塊可以由無鉛焊料、共晶軟焊料等形成。焊料凸塊220與金屬跡線210的頂面接合和接觸,其中,該頂面面對(duì)工件100。圖2示出了在圖I中所述的封裝結(jié)構(gòu)的截面圖,其中,通過圖I的平面交線2-2獲得該截面圖。如圖2所示,焊料凸塊220還可以與金屬跡線210的側(cè)壁接觸。在接合工件100和200以后,可以將模底部填充物(MUF) 232填充在工件100和200之間的空間中。因此,還將MUF 232填充在鄰近金屬跡線210之間的空間中,并且可以與金屬跡線210的端部和側(cè)壁接觸??蛇x地,沒有填充MUF,而空氣填充在工件100和200之間的空間,并且填充在鄰近金屬跡線210之間的空間。再次參照?qǐng)D1,可以將金屬跡線210用于與金屬凸塊112A和112B互連。因此,當(dāng)如圖I所述的封裝構(gòu)件生效并且通電時(shí),電流11可以通過金屬跡線210的部分210A流動(dòng),并且在金屬凸塊112A和112B之間流動(dòng)。在通篇描述中,部分210A表示金屬跡線210的部分,將金屬跡線的該部分配置為具有流過的電流??蛇x地,金屬跡線210可以將金屬凸塊112連接至金屬線和通孔202。因此,電流(諸如電流12)還可以通過金屬跡線210的部分210A流動(dòng)。部分210A可以包括由焊料凸塊210覆蓋并且與該焊料凸塊接觸的部分210C。此外,部分210A可以包括與部分210C互連的部分210B。金屬跡線210可以包括部分210D,該部分沒有與除部分210C以外的任何其他銅凸塊或金屬部件連接,并且當(dāng)該封裝構(gòu)件通電時(shí),沒有通過部分210D流動(dòng)的電流。每個(gè)金屬跡線延伸部210D可以具有與相應(yīng)部分210C接觸的第一端部,和沒有連接至任何金屬部件的第二端部。第二端部可以與MUF 232接觸。在通篇描述中,將金屬跡線210的部分(諸如210D)稱作金屬跡線延伸部,將該部分配置為在該封裝結(jié)構(gòu)運(yùn)行期間沒有流過的電流。
部分210D和相應(yīng)的金屬凸塊120分別具有寬度LI和L2,其中,沿著相應(yīng)金屬跡線210的縱向來測量長度LI和L2。在實(shí)施例中,比率L1/L2大于約0.05,大于約0. 10,或者大于約0.25。長度LI還可以大于約10 ii m,大于約20 ii m,或者大于約30 ii m。另一方面,在實(shí)施例中,在金屬跡線210的某些端部處可能沒有形成金屬跡線延伸部。例如,在圖I中,在使用標(biāo)示為210D'的虛線所示的位置處沒有形成金屬跡線延伸部。在其他實(shí)施例中,如通過虛線所示的,形成金屬跡線延伸部210D'。然而,金屬跡線延伸部210D'的長度L3可以小于金屬跡線延伸部210D的長度LI。在示例性實(shí)施例中,如果形成金屬跡線延伸部210D',則比率L3/L1可以小于0.5,小于0.2,或者小于0. I。圖3示出了金屬跡線210、上層金屬凸塊112、以及焊料凸塊220的示例性立體圖。在實(shí)施例中,金屬跡線部分210A、210B、210C、以及210D具有基本上均勻的寬度,作為圖3的寬度Wl和圖2的寬度W3示出了該均勻?qū)挾龋渲?,寬度Wl為部分2IOD和部分2IOB的寬度,而寬度W3為部分210C的寬度。在可選實(shí)施例中,部分210C的寬度W3(圖2)稍微大于部分210D的寬度Wl (圖3),例如,比率W3/W1大于1.0。另一方面,比率W3/W2可以小于
I.O。因此,由于直接在金屬跡線210的頂面和側(cè)壁上形成焊料凸塊220,并且沒有在具有明顯大于金屬跡線210的寬度Wl的寬度的金屬焊盤上形成該焊料凸塊,所以將如圖3所示的結(jié)構(gòu)稱作為BOT結(jié)構(gòu)。在某些實(shí)施例中,在朝向工件200的相應(yīng)中心230(在圖I中未示出,請(qǐng)參照?qǐng)D4和圖5)的方向上,形成金屬跡線延伸部210D。然而,在遠(yuǎn)離中心230的方向上,沒有形成金屬跡線延伸部。參照?qǐng)D1,左方向朝向中心230,而右方向遠(yuǎn)離中心230。因此,在金屬跡線210的左側(cè)形成金屬跡線延伸部210D,而在金屬跡線210的右側(cè)和標(biāo)示為210D'的位置處沒有形成金屬跡線延伸部。圖4和圖5示出了實(shí)例,用于說明確定金屬跡線210的端部朝向還是遠(yuǎn)離相應(yīng)工件200的中心230。圖4和圖5為工件200的示意性頂視圖,其中,標(biāo)示了工件200的中心230。將金屬凸塊112的中心標(biāo)示為點(diǎn)300。點(diǎn)302為可能的金屬跡線延伸部210D(或者金屬跡線延伸部210D',如果形成該金屬跡線延伸部的話)的端點(diǎn),其中,點(diǎn)302可能位于相應(yīng)金屬跡線210的中線306上。點(diǎn)300和相應(yīng)中心230之間的距離標(biāo)示為D1,而點(diǎn)302和相應(yīng)中心230的距離標(biāo)示為D2。在圖4中,距離D2小于距離Dl??蛇x地,如果物體從金屬凸塊112的中點(diǎn)300移動(dòng)至金屬跡線延伸部210D的端點(diǎn)302,則物體和中心之間的距離減小,并且物體實(shí)際上朝向中心230移動(dòng)。因此,將從點(diǎn)300至點(diǎn)302的方向稱作“朝向”中心230,并且將相應(yīng)金屬跡線延伸部210D稱作朝向中心230延伸。在實(shí)施例中,如果金屬跡線在朝向中心230的方向上延伸,則形成金屬跡線延伸部210D。應(yīng)該注意到,如果沒有形成圖4的金屬跡線延伸部210D,則金屬跡線210仍具有端部308。將該端部還稱作相應(yīng)焊料凸塊220的邊緣。將端部308稱作朝向中心230。此外,在某些實(shí)施例中,在整個(gè)工件200中,基本上具有朝向中心230的端部308的所有金屬跡線210都形成有相應(yīng)金屬跡線延伸部210D。相反地,如圖5所示,距離D2大于距離Dl??蛇x地,如果將物體從中心點(diǎn)300移動(dòng)至金屬跡線延伸部210D'的端點(diǎn)302 (如果形成有金屬跡線延伸部的話),則在物體和中心230之間的距離增大,并且物體實(shí)際上遠(yuǎn)離中心230移動(dòng)。因此,將從點(diǎn)300至點(diǎn)302的方向稱作“遠(yuǎn)離”中心230,并且將相應(yīng)金屬跡線延伸部210D'(如果形成該金屬跡線延伸部)稱作遠(yuǎn)離中心230延伸。還將金屬跡線210的端部308稱作背離中心230。在實(shí)施例中,在 使用虛線所標(biāo)示的位置處沒有形成金屬跡線延伸部。在某些實(shí)施例中,在整個(gè)工件200中,在跡線210的端部處基本上沒有形成金屬跡線延伸部210D',該端部在遠(yuǎn)離中心230的方向上延伸。圖6示出了某些示例性金屬跡線210、相應(yīng)金屬凸塊112、以及焊料凸塊220。標(biāo)示為210D的實(shí)線為要形成的金屬跡線延伸部210D,而標(biāo)示為210D'的虛線為沒有形成金屬跡線延伸部,或者即使形成,相應(yīng)長度L3也比金屬跡線210D的長度LI小的多。仿真結(jié)果揭示了朝向相應(yīng)工件200的中心230的金屬跡線延伸部有利于減小在金屬跡線210和相應(yīng)的下層介電層214(圖I)之間發(fā)生的剝離的可能性。圖7示出了仿真結(jié)果,其中,將標(biāo)準(zhǔn)化應(yīng)力(左側(cè)Y軸)示出為比率L1/L2的函數(shù),其中,標(biāo)準(zhǔn)化應(yīng)力為與工件200的表面200A (圖I)垂直的方向。圖7示出了隨著金屬跡線延伸部210D的長度LI的增大,應(yīng)力減小(如作為線240所示的),導(dǎo)致要發(fā)生的剝離的更小可能性。當(dāng)比率L1/L2大于約0. 05時(shí),標(biāo)準(zhǔn)化應(yīng)力的減小可能大于約10%。此外,如圖7所示,點(diǎn)242對(duì)應(yīng)于右側(cè)Y軸,該點(diǎn)示出了在工件100的低k介電層108 (圖I)中產(chǎn)生的標(biāo)準(zhǔn)化應(yīng)力。點(diǎn)242表示,隨著比率L1/L2增大,相對(duì)于金屬跡線210產(chǎn)生的應(yīng)力減小,而在低k介電層中的應(yīng)力基本上保持不變??蛇x地,金屬跡線210的應(yīng)力減小不是以在低k介電層中的應(yīng)力增大為代價(jià)。根據(jù)實(shí)施例,器件包括工件,和位于該工件的表面上的金屬跡線。在工件的表面處形成跡線上凸塊(BOT) JOT結(jié)構(gòu)包括金屬凸塊;和焊料凸塊,將金屬凸塊與金屬跡線的一部分接合。金屬跡線包括沒有通過焊料凸塊覆蓋的金屬跡線延伸部。根據(jù)其他實(shí)施例,器件管芯包括位于表面處的第一金屬凸塊和第二金屬凸塊。封裝基板包括位于表面處的第一金屬跡線和第二金屬跡線。第一焊料凸塊將第一金屬凸塊與第一金屬跡線的一部分接合,其中,第一焊料凸塊與面對(duì)器件管芯的第一金屬跡線的表面接觸,并且與第一金屬跡線的側(cè)壁接觸。金屬跡線延伸部為第一金屬跡線的一部分。將金屬跡線延伸部配置為在器件管芯通電的狀態(tài)下沒有流過電流,并且其中,金屬跡線延伸部與接合至第一焊料凸塊的第一金屬跡線的一部分連接。第二焊料凸塊將第二金屬凸塊與第二金屬跡線的一部分接合。第二焊料凸塊與面對(duì)器件管芯的第二金屬跡線的表面接觸,并且與第二金屬跡線的側(cè)壁接觸。沒有形成金屬跡線延伸部作為第二金屬跡線的一部分并且被配置為沒有流過電流。仍根據(jù)其他實(shí)施例,器件包括第一工件;第二工件;含銅凸塊,位于第一工件的表面處;含銅跡線,具有基本均勻的寬帶,位于第二工件的表面上;以及焊料凸塊,將含銅凸塊與含銅金屬跡線接合。將焊料凸塊與含銅跡線的第一部分接合并且該焊料凸塊與含銅跡線的第一部分接觸。含銅跡線進(jìn)一步包括第二部分,該第二部分包括與第一部分接觸的第一端部,和連接至位于與金屬跡線的水平面不同的水平面處的金屬部件的第二端部。此外,含銅跡線包括第三部分,其中,第二部分和第三部分位于第一部分的相對(duì)側(cè),并且其中,第三部分具有與第一部分接觸的第一端部,和沒有與任何額外的金屬部件接觸的第二端部。盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了實(shí)施例及其優(yōu)勢(shì),但應(yīng)該理解,可以在不背離所附權(quán)利要求限定的實(shí)施例的主旨和范圍的情況下,做各種不同的改變,替換和更改。而且,本申請(qǐng)的范圍并不僅限于本說明書中描述的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解,通過本發(fā)明,現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與本文 所述相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造,材料組分、裝置、方法或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此,所附權(quán)利要求應(yīng)該包括在這樣的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。此外,每條權(quán)利要求構(gòu)成單獨(dú)的實(shí)施例,并且多個(gè)權(quán)利要求和實(shí)施例的組合在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種器件,包括 第一エ件; 第一金屬跡線,位于所述エ件的表面上;以及 第一跡線上凸塊(BOT)結(jié)構(gòu),包括 第一金屬凸塊;以及 第一焊料凸塊,將所述第一金 屬凸塊與所述第一金屬跡線的部分接合,并且其中,所述第一金屬跡線包括沒有由所述第一焊料凸塊覆蓋的金屬跡線延伸部。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的器件,其中,所述金屬跡線延伸部被配置為在所述器件通電的狀態(tài)下不傳導(dǎo)電流;或者 所述金屬跡線延伸部在朝向所述第一エ件的中心的方向上延伸;或者 所述金屬跡線延伸部的長度與所述第一金屬凸塊的長度的比率大于約0. 05或大于約0. 2。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的器件,進(jìn)ー步包括第二BOT結(jié)構(gòu),所述第二 BOT結(jié)構(gòu)包括 第二金屬跡線,位于所述第一エ件的所述表面上; 第二金屬凸塊;以及 第二焊料凸塊,將所述第二金屬凸塊與所述第二金屬跡線接合,其中,所述第二焊料凸塊與所述第二金屬跡線的部分接合,并且其中,所述第二金屬跡線不包括連接所述第二金屬跡線的所述部分的金屬跡線延伸部。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的器件,其中,所述金屬跡線延伸部具有與接合至所述第一焊料凸塊的所述第一金屬跡線的所述部分基本上相同的寬度;或者 對(duì)于位于所述第一エ件中的基本上全部金屬跡線,基本上沒有形成在遠(yuǎn)離所述第一エ件的中心的方向上延伸的金屬跡線延伸部;或者 所述器件進(jìn)ー步包括第二エ件,通過所述第一金屬凸塊和所述第一焊料凸塊與所述第一エ件接合,其中,所述第一エ件為封裝基板,并且所述第二エ件為器件管芯。
5.ー種器件,包括 器件管芯,包括位于表面處的第一金屬凸塊和第二金屬凸塊; 封裝基板,包括位于表面處的第一金屬跡線和第二金屬跡線; 第一焊料凸塊,將所述第一金屬凸塊與所述第一金屬跡線的部分接合,其中,所述第一焊料凸塊與面對(duì)所述器件管芯的所述第一金屬跡線的表面接觸,并且與所述第一金屬跡線的側(cè)壁接觸; 金屬跡線延伸部,作為所述第一金屬跡線的部分,其中,將所述金屬跡線延伸部配置為在所述器件管芯通電的狀態(tài)下沒有電流流過,并且其中,所述金屬跡線延伸部連接與所述第一焊料凸塊接合的所述第一金屬跡線的所述部分;以及 第二焊料凸塊,將所述第二金屬凸塊與所述第二金屬跡線的部分接合,其中,所述第二焊料凸塊與面對(duì)所述器件管芯的所述第二金屬跡線的表面接觸,并且與所述第二金屬跡線的側(cè)壁接觸,并且其中,沒有金屬跡線延伸部形成為所述第二金屬跡線的部分并且將所述金屬跡線延伸部配置為沒有電流流過。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件,其中,所述金屬跡線延伸部在朝向所述封裝基板的中心的方向上延伸,并且其中,與所述第二焊料凸塊接合的所述第二金屬跡線的所述部分的端部位于遠(yuǎn)離所述中心的方向上;或者 所述金屬跡線延伸部的長度與所述第一金屬凸塊的長度的比率大于約0. 05 ;或者 在位于所述封裝基板中的金屬跡線的端部處基本上沒有形成金屬跡線延伸部并且沒有金屬跡線延伸部在遠(yuǎn)離所述封裝基板的中心的方向上延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件,進(jìn)ー步包括位于所述器件管芯和所述封裝基板之間的空間中的模底部填充物,其中,所述模底部填充物延伸入位于所述封裝基板中的鄰近金屬跡線之間的空間中。
8.ー種器件,包括 第一エ件; 第二エ件; 含銅凸塊,位于所述第一エ件的表面處; 含銅跡線,具有基本上均勻的寬度,位于所述第二エ件的表面上;以及 焊料凸塊,將所述含銅凸塊與所述含銅跡線接合,其中,將所述焊料凸塊與所述含銅跡線的第一部分接合并且與所述含銅跡線的所述第一部分接觸,并且其中,所述含銅跡線包括 第二部分,包括第一端部,與所述第一部分接觸;和第二端部,連接至位干與所述含銅跡線的水平面不同的水平面處的金屬部件;以及 第三部分,其中,所述第二部分和所述第三部分位于所述第一部分的相對(duì)側(cè)面上,并且其中,所述第三部分包括第一端部,與所述第一部分接觸;和第二端部,不與任何額外的金屬部件接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件,其中,所述第三部分的所述第二端部與模底部填充物接觸;或者 所述第三部分具有大于約10 y m的長度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件,其中,所述第一部分的長度與所述含銅凸塊的長度之比大于約0. 05 ;或者 所述第二部分被配置為在所述第一エ件和所述第二エ件通電的狀態(tài)下不傳導(dǎo)電流。
全文摘要
一種器件包括工件和位于該工件的表面上的金屬跡線。在工件的表面處形成跡線上凸塊(BOT)。BOT結(jié)構(gòu)包括金屬凸塊,和將所述金屬凸塊接合至該金屬跡線的一部分的焊料凸塊。該金屬跡線包括沒有由該焊料凸塊覆蓋的金屬跡線延伸部。本發(fā)明還提供了一種在跡線上凸塊結(jié)構(gòu)中延伸的金屬跡線。
文檔編號(hào)H01L23/48GK102651356SQ20121002542
公開日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2012年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月25日
發(fā)明者吳俊毅, 普翰屏, 林宗澍, 謝玉宸, 郭庭豪, 陳玉芬 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
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