專利名稱：鈣鈦礦粉末及其制備方法和多層陶瓷電子元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有高結(jié)晶度的微粒的鈣鈦礦粉末及其制備方法，以及使用該鈣鈦礦粉末制備的多層陶瓷電子元件。
背景技術(shù)：
鈣鈦礦粉末是鐵電體陶瓷材料，用作電子元件例如多層陶瓷電容器(MLCC)、陶瓷過濾器、壓電兀件(piezoelectric elements)、鐵電存儲器(ferroelectric memories)、熱敏電阻和壓敏電阻的原材料。鈦酸鋇(BaTiO3)是具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的高電介質(zhì)材料，用作多層陶瓷電容器的電介質(zhì)材料。根據(jù)在電子工業(yè)中具有高容量和高可靠性的電子元件輕重量、薄型和小尺寸的近期趨勢，需要鐵電體顆粒具有減小的尺寸以及優(yōu)異的絕緣特性和可靠性。當(dāng)作為電介質(zhì)層的主要成分的鈦酸鋇粉末的平均粒徑增加時(shí)，所述電介質(zhì)層的表面粗糙度也增加，從而增加短路的可能性并且導(dǎo)致絕緣電阻不足。因此，需要降低作為電介質(zhì)層主要成分的鈦酸鋇粉末的平均粒徑。然而，當(dāng)鈦酸鋇粉末的平均粒徑降低時(shí)，可能是不利的，因?yàn)樗姆骄当壤赡芙档?，所以，需要開發(fā)具有高結(jié)晶度并且含有微粒的鈦酸鋇粉末，以便防止對結(jié)晶度不利。制備鈣鈦礦粉末方法的例子包括固態(tài)法和濕法，并且濕法的例子包括草酸沉淀法和水熱合成法。很難采用固態(tài)工藝制備出含有微粒的鈣鈦礦粉末，因?yàn)橥ǔｂ}鈦礦粉末的最小顆粒尺寸是相當(dāng)大的，大約為I微米，固態(tài)工藝可能很難控制顆粒尺寸，在燒結(jié)過程中顆?？赡芙Y(jié)塊并且可能出現(xiàn)污染。在各種工藝中，隨著鈣鈦礦粉末的平均粒徑降低，四方性通常會降低，并且當(dāng)電解質(zhì)顆粒的平均粒徑降低到IOOnm以下時(shí)，可能很難保證預(yù)定的晶軸(c/a)比例。進(jìn)一步地，當(dāng)粉末的顆粒尺寸降低時(shí)很難保證分散。因此，在微粒粉末中需要高的可分散性。在已知固態(tài)法或共沉淀法中，在高溫下使用煅燒形成晶相，因此，需要高溫煅燒和磨碎過程。因此，缺點(diǎn)在于合成的鈣鈦礦粉末顆粒的形狀不令人滿意，平均粒徑的分布寬，以及由于熱處理可能出現(xiàn)結(jié)塊，從而妨礙分散
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一方面提供具有高結(jié)晶度微粒的鈣鈦礦粉末及其制備方法，以及使用該鈣鈦礦粉末制備的多層陶瓷電子元件。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了鈣鈦礦粉末，所述鈣鈦礦粉末含有形成在所述鈣鈦礦粉末顆粒(grain)的表面的涂層，并且所述涂層選自由硫化物和含有硫磺的鹽(saltincluding sulfur)組成的組中的一種或多種。所述硫化物可以包括硫酸銨，以及所述含有硫磺的鹽可以包括選自由磷酸鹽(phosphate)和醋酸鹽(acetate)組成的組中的一種或多種。所述涂層可以具有0.1-1Onm的厚度。所述鈣鈦礦粉末可以包括選自由BaTi03、BaTixZivxO^ BaxY1-JiO3' BaxDy1-JiO3 和BaxHcvxTiO3(0 < x < I)組成的組中的一種或多種。所述鈣鈦礦粉末可以具有10_150nm的平均粒徑和1. 001-1. 010的晶軸(c/a)比例。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制備鈣鈦礦粉末的方法，該方法包括混合金屬鹽和金屬氧化物以形成鈣鈦礦顆粒核；混合所述鈣鈦礦顆粒核和溶于純凈水中的選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種，以形成混合物；以及利用水熱處理從所述混合物中生長顆粒以得到包括形成在所述鈣鈦礦粉末顆粒的表面的涂層的所述鈣鈦礦粉末，并且所述涂層選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種。所述硫化物可以包括硫酸銨，以及所述含有硫磺的鹽可以包括選自由磷酸鹽和醋酸鹽組成的組中的一種或多種。所述金屬鹽包括氫氧化鋇、或氫氧化鋇和稀土鹽的混合物，以及所述金屬氧化物可以包括氧化鈦或氧化錯(cuò)。 所述涂層可以具有0.1-1Onm的厚度。所述鈣鈦礦粉末可以具有10_150nm的平均粒徑，包括選自由BaTi03、BaTixZri_x03、BaxYhTiO3' BaxDy1-JiO3和BaxHo1-JiO3(0 < x < I)組成的組中的一種或多種，以及具有1.001-1. 010 的晶軸(c/a)比例。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種多層陶瓷電子元件，所述多層陶瓷電子元件包括陶瓷主體，所述陶瓷主體具有電介質(zhì)層以及內(nèi)電極層；所述電介質(zhì)層包括鈣鈦礦粉末，所述鈣鈦礦粉末具有形成在所述鈣鈦礦粉末顆粒的表面的涂層，并且所述涂層選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種；當(dāng)在所述陶瓷主體內(nèi)部具有所述電介質(zhì)層插入到內(nèi)電極層之間時(shí)，所述內(nèi)電極層彼此相對。所述涂層可以具有0.1-1Onm的厚度。所述鈣鈦礦粉末可以包括選自由BaTi03、BaTixZivxO^ BaxY1-JiO3' BaxDy1-JiO3 和BaxHcvxTiO3(0 < x < I)組成的組中的一種或多種，并且具有1. 001-1. 010的晶軸(c/a)比例。


從以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述將更清晰地理解本發(fā)明的上述方面和其他方面、特征和其他優(yōu)點(diǎn)，其中圖1是示意地顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的多層陶瓷電容器的透視圖2是圖1沿著A-A'線的剖視圖；圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式制備鈣鈦礦粉末的方法的流程圖；圖4A到圖4C是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的鈦酸鋇粉末顆粒和根據(jù)相關(guān)技術(shù)的鈦酸鋇粉末顆粒的掃描電子顯微鏡(SEM)圖；以及圖5A到圖5C是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式依靠溫度變化的鈦酸鋇粉末的掃描透射電子顯微鏡(STEM)圖。
具體實(shí)施例方式以下將結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方式。然而，本發(fā)明可以以多種不同形式表現(xiàn)并且不應(yīng)該解釋為限于在此設(shè)置的實(shí)施方式。更確切地說，提供這些實(shí)施方式以便將本發(fā)明公開得徹底和完全，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚，組件的形狀和尺寸可能擴(kuò)大，并且相同的參考數(shù)字貫穿全文使用以標(biāo)示相同或相近的組件。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的鈣鈦礦粉末具有形成在所述鈣鈦礦粉末顆粒的表面的涂層，并且所述涂層選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種。所述鈣鈦礦粉末沒有特別限制，但是，例如，包括選自由BaTi03、BaTixZr1_x03>BaxY1-JiOyBaxDy1-JiOjP BaxHcvxTiO3 (0 < x < I)組成的組中的一種或多種。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的所述鈣鈦礦粉末，特別地，采用鈦酸鋇(BaTiO3)粉末，但是本發(fā)明沒有限于此。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，使用水熱合成法制備的所述鈦酸鋇(BaTiO3)粉末含有形成在所述鈦酸鋇粉末顆粒的表面的涂層，并且所述涂層選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種，從而提供了高結(jié)晶度和微粒。所述硫化物和所述含有硫磺的鹽沒有特別限制，但是，例如，硫酸銨和選自由磷酸鹽和醋酸鹽組成的組中的一種或多種。在已知的水熱合成過程中，需要降低反應(yīng)溫度以便降低鈦酸鋇(BaTiO3)粉末的顆粒尺寸，但是粉末的結(jié)晶度會降低。反應(yīng)需要在高溫下進(jìn)行以確保高結(jié)晶度，但是顆粒尺寸會增大。然而，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，由于在所述鈦酸鋇粉末顆粒的表面上形成有選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種的涂層，從而即使反應(yīng)在高溫下進(jìn)行，也能抑制粉末的顆粒生長，因此提供了高結(jié)晶度和微粒。所述涂層的厚度沒有特別限制，但是，例如，0. l-10nm。即使鈦酸鋇粉末的顆粒生長在高溫下進(jìn)行，也可以在所述鈦酸鋇(BaTiO3)粉末顆粒的表面上形成具有0.1-1Onm厚度的涂層以抑制粉末的顆粒生長，因此降低了顆粒尺寸。當(dāng)所述涂層的厚度小于0.1nm時(shí)，在顆粒在高溫下生長的過程中，不足以抑制鈦酸鋇(BaTiO3)粉末的顆粒生長以防止微粒粉末的形成。進(jìn)一步地，當(dāng)所述涂層的厚度大于IOnm時(shí)，降低了鈦酸鋇(BaTiO3)粉末的介電常數(shù)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，制備了具有高結(jié)晶度并含有微粒的所述鈦酸鋇(BaTiO3)粉末，并且特別地，所述鈦酸鋇(BaTiO3)粉末具有10-150nm的平均粒徑和1. 001-1. 010的晶軸(c/a)比例。圖1是示意地顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的多層陶瓷電容器的透視圖。圖2是圖1沿著A-A,線的剖視圖。參見圖1和圖2，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的多層陶瓷電子元件包括陶瓷主體10，所述陶瓷主體10包括電介質(zhì)層I以及內(nèi)電極層21和22 ;所述電介質(zhì)層I包括鈣鈦礦粉末，所述鈣鈦礦粉末具有形成在所述鈣鈦礦粉末顆粒表面的涂層，并且所述涂層選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種；當(dāng)在所述陶瓷主體10內(nèi)部具有所述電介質(zhì)層I插入到內(nèi)電極層21和22之間時(shí)，所述內(nèi)電極層21和22彼此相對。對根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的所述多層陶瓷電子元件的描述參照多層陶瓷電容器來進(jìn)行，但是本發(fā)明沒有限于此。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的多層陶瓷電容器中，圖1的L方向稱為長度方向，W方向稱為寬度方向，以及T方向稱為厚度方向。所述厚度方向與層壓電介質(zhì)層的方向具有相同的意義，即，層壓方向。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，用于電介質(zhì)層I的材料沒有特別限制，只要它可以確保足夠的電容即可。例如，可以使用鈦酸鋇(BaTiO3)粉末。所述鈦酸鋇(BaTiO3)粉末可以具有形成在所述鈦酸鋇(BaTiO3)粉末顆粒的表面的涂層，并且所述涂層選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種。所述涂層可以具有0.1-1Onm的厚度。所述鈦酸鋇 (BaTiO3)粉末可以具有10_150nm的平均粒徑和1. 001-1. 010的晶軸(c/a)比例。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，所述電解質(zhì)層I由鈦酸鋇(BaTiO3)粉末形成，所述鈦酸鋇(BaTiO3)粉末包括形成在所述鈦酸鋇(BaTiO3)粉末顆粒的表面的涂層，并且所述涂層選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種，從而提供了高結(jié)晶度和微粒。因此，所述鈦酸鋇(BaTiO3)粉末形成的所述多層陶瓷電容器可以具有很少裂紋以提聞可罪性。可以添加各種陶瓷添加劑、有機(jī)溶劑、增塑劑、粘合劑和分散劑到形成所述電介質(zhì)層I的粉末(例如根據(jù)本發(fā)明的目的的鈦酸鋇(BaTiO3)粉末)中。因?yàn)樗鲡佀徜^(BaTiO3)粉末具有與根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施方式的那些鈣鈦礦粉末一樣的特性，因此將省略它的描述。用于第一和第二內(nèi)電極21和22的材料沒有特別限制。例如，所述內(nèi)電極可以由包括銀(Ag)、鉛(Pb)、鉬(Pt)、鎳(Ni)和銅(Cu)中至少一種的導(dǎo)電膠形成。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的所述多層陶瓷電容器可以進(jìn)一步包括電連接到第一內(nèi)電極21上的第一外電極31、以及電連接到所述第二內(nèi)電極22上的第二外電極32。所述第一和第二外電極31和32分別電連接到所述第一和第二內(nèi)電極21和22上，以允許在其間形成電容。所述第一和第二外電極31和32具有不同的極性。用于所述第一和第二外電極31和32的材料沒有特別限制，只要它可以允許所述第一和第二外電極31和32電連接到所述第一和第二內(nèi)電極21和22以形成電容即可。例如，所述第一和第二外電極31和32可以包括選自由銅(Cu)、鎳(Ni)、銀(Ag)和銀-鈀(Ag-Pd)組成的組中的一種或多種。
圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式制備鈣鈦礦粉末的方法的流程圖。參見圖3，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式制備鈣鈦礦粉末的方法可以包括混合金屬鹽和金屬氧化物以形成鈣鈦礦顆粒核；混合所述鈣鈦礦顆粒核和溶于純凈水中的選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中一種或多種，以形成混合物；以及利用水熱處理從所述混合物中生長顆粒以得到包括形成在所述鈣鈦礦粉末顆粒的表面的涂層的所述鈣鈦礦粉末，并且所述涂層選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種。 以下將根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式詳細(xì)描述制備所述鈣鈦礦粉末的每個(gè)步驟。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述鈣鈦礦粉末具有ABO3結(jié)構(gòu)，并且所述金屬氧化物為對應(yīng)于B位置的元素的來源，而所述金屬鹽為對應(yīng)于A位置的元素的來源。首先，所述金屬鹽和所述金屬氧化物可以互相混合以形成鈣鈦礦顆粒核。所述金屬氧化物中的金屬可以包括選自鈦(Ti)和鋯(Zr)組成的組中的一種或多種。鈦和鋯非常容易水解，并且可以在沒有單獨(dú)的添加劑的情況下與純凈水混合以形成以膠體形式沉淀的含水鈦和含水鋯?？梢韵礈旌饘傺趸镆匀コs質(zhì)。更具體地，可以在預(yù)定的壓力下過濾所述含水金屬氧化物以去除剩余的溶液，并且可以將純凈水倒到其表面進(jìn)行再過濾以去除顆粒表面的雜質(zhì)。然后可以將純凈水以及酸或堿添加到含水金屬氧化物中?？梢蕴砑蛹儍羲竭^濾后得到的含水金屬氧化物粉末中，并且使用高粘性攪拌器在0-60°C下攪拌0.1-72小時(shí)以制備含水金屬氧化物漿體?；谒龊饘傺趸锏暮浚梢詫?.0001-0.2摩爾的所述酸或堿作為膠溶劑添加到制備的漿體中。所述酸沒有特別限制，只要所述酸是本領(lǐng)域通常使用的酸即可，并且所述酸的例子包括鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸、甲酸、乙酸、多元羧酸(polycarboxylic acid)等等,并且所述酸可以單獨(dú)使用或它們中的兩種或多種以混合物使用。所述堿沒有特別限制，只要所述堿是本領(lǐng)域通常使用的堿即可，并且所述堿的例子包括四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨等等，并且所述堿可以單獨(dú)使用或以混合物使用。所述金屬鹽可以包括氫氧化鋇、或氫氧化鋇和稀土鹽(rare earth salt)的混合物。所述稀土鹽沒有特別限制，并且所述稀土鹽中的金屬的例子包括釔⑴、鏑(Dy)、欽(Ho)等等。所述鈣鈦礦顆粒核可以在60_150°C下形成。然后，可以將所述鈣鈦礦顆粒核置于水熱反應(yīng)器中，并與溶于純凈水中的選自由所述硫化物和所述含有硫磺的鹽組成的組中的至少一種混合。當(dāng)所述鈣鈦礦顆粒核的溫度從150°C增加到400°C的時(shí)候，可以得到鈣鈦礦粉末。使用水熱處理可以使混合物中的顆粒生長以得到包括形成在所述鈣鈦礦粉末顆粒的表面的涂層的所述鈣鈦礦粉末，并且所述涂層選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，因?yàn)閷⑦x自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種的涂層形成在所述鈣鈦礦粉末顆粒的表面上，所以，即使顆粒的生長在高溫下進(jìn)行，也可以制備得到具有優(yōu)異的結(jié)晶度并包括微粒的粉末。具體地，在水熱反應(yīng)器中在150°C到400°C下加熱所述鈣鈦礦顆粒核并且然后維持0. 1-240小時(shí)以進(jìn)行顆粒的生長。通過上述步驟得到具有高結(jié)晶度的所述鈣鈦礦粉末顆粒。所述鈣鈦礦粉末可以包括選自由BaTi03、BaTixZivxO^ BaxY1-JiO3' BaxDy1-JiO3 和BaxHo1^xTiO3(0 < x < I)組成的組中的任意一種。使用上述用于制備鈣鈦礦粉末的方法制備的具有高結(jié)晶度的所述鈣鈦礦粉末具有10-150nm的平均粒徑和1. 001-1. 010的晶軸(c/a)比例。在具有晶軸a、b和c的四方晶體顆粒的情況下,所述晶軸(c/a)比例是指晶軸c與晶軸a的晶格長度的比例，其中，晶軸a和b的長度相同并且通過晶軸a代表二者。根據(jù)下面設(shè)置用以說明的實(shí)施例使本發(fā)明得到更好的理解，但并不能解釋為對本發(fā)明的限制。水解四異丙醇鈦以形成含水鈦，然后過濾。隨后，添加純凈水到含水鈦中，并以H+/Ti為0. 05的比例添加硝酸到其中，并且在使用高粘性攪拌器進(jìn)行攪拌的同時(shí)加熱至約60°C以進(jìn)行膠溶作用(peptization) 3小時(shí)，從而制備氧化鈦(TiO2)溶膠。通過膠溶作用制備的溶膠是半透明的，具有淡藍(lán)色，并且在單分散狀態(tài)下是非常穩(wěn)定的。使用近紅外液體穩(wěn)定性分析儀(turbiscan)測量所述溶膠的透明度為75%。純凈水的透明度為90%。TiO2顆粒具有大約3nm的尺寸和作為銳鈦礦(anatase)的單晶。將八水氫氧化鋇(Ba(OH)2SH2O)置于反應(yīng)器中以致鋇與鈦的比例等于或大于1，然后使用氮?dú)膺M(jìn)行換氣以防止八水氫氧化鋇轉(zhuǎn)化為碳酸鋇(BaCO3)。然后，將純凈水添加到其中并加熱到95°C以將八水氫氧化鋇(Ba(OH)2SH2O)完全溶解,并且將加熱的TiO2溶膠連同氮?dú)庖黄鸺尤氩⒏咚贁嚢?。反?yīng)在95°C進(jìn)行以產(chǎn)生鈦酸鋇(BaTiO3)顆粒核。將所述鈦酸鋇(BaTiO3)顆粒核轉(zhuǎn)移到30L水熱反應(yīng)器中之后，將硫酸銨溶解在純凈水中然后投入所述水熱反應(yīng)器中。將所述30L水熱反應(yīng)器加熱到260°C，并且在攪拌下進(jìn)行反應(yīng)3-10小時(shí)。使用純凈水洗滌反應(yīng)之后得到的所述鈦酸鋇(BaTiO3)漿體，并在150°C的烘箱中干燥以制備鈦酸 鋇(BaTiO3)粉末。在下面表I中，當(dāng)使用水熱合成法制備所述鈦酸鋇(BaTiO3)粉末時(shí)，比較不同顆粒生長溫度和硫酸銨添加的情況下所述鈦酸鋇(BaTiO3)粉末的物理性質(zhì)。[表 I]
權(quán)利要求
1.一種鈣鈦礦粉末，所述鈣鈦礦粉末包括形成在所述鈣鈦礦粉末的顆粒的表面的涂層，并且所述涂層選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦粉末，其中，所述硫化物包括硫酸銨。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦粉末，其中，所述含有硫磺的鹽包括選自由磷酸鹽和醋酸鹽組成的組中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦粉末，其中，所述涂層具有0.1-1Onm的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦粉末，其中，所述鈣鈦礦粉末包括選自由BaTi03、BaTixZivxO3' BaxY1-JiO3' BaxDy1-JiO3 和 BaxHo1-JiO3 組成的組中的一種或多種，其中 0 < x<I。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦粉末，其中，所述鈣鈦礦粉末具有10-150nm的平均粒徑。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦粉末，其中，所述鈣鈦礦粉末具有1.001-1. 010的晶軸c/a比例。
8.一種制備韓鈦礦粉末的方法，該方法包括 混合金屬鹽和金屬氧化物以形成鈣鈦礦顆粒核； 混合所述鈣鈦礦顆粒核和溶于純凈水中的選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種，以形成混合物；以及 利用水熱處理從所述混合物中生長顆粒以得到包括形成在所述鈣鈦礦粉末顆粒的表面的涂層的所述鈣鈦礦粉末，并且涂層選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述硫化物包括硫酸銨。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述含有硫磺的鹽包括選自由磷酸鹽和醋酸鹽組成的組中的一種或多種。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述金屬鹽包括氫氧化鋇、或者氫氧化鋇和稀土鹽的混合物。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述金屬氧化物包括氧化鈦或氧化鋯。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述涂層具有0.1-1Onm的厚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述鈣鈦礦粉末具有10-150nm的平均粒徑。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述鈣鈦礦粉末包括選自由BaTi03、BaTixZivxO3' BaxY1-JiO3' BaxDy1-JiO3 和 BaxHo1-JiO3 組成的組中的一種或多種，其中 0 < x<I。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述鈣鈦礦粉末具有1.001-1. 010的晶軸c/a比例。
17.一種多層陶瓷電子元件，所述多層陶瓷電子元件包括 陶瓷主體，所述陶瓷主體包括電介質(zhì)層以及內(nèi)電極層；所述電介質(zhì)層包括鈣鈦礦粉末，所述鈣鈦礦粉末具有形成在所述鈣鈦礦粉末顆粒表面的涂層，并且所述涂層選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種；當(dāng)在所述陶瓷主體內(nèi)部具有所述電介質(zhì)層插入到內(nèi)電極層之間時(shí)，所述內(nèi)電極層彼此相對。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述涂層具有0.1-1Onm的厚度。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述鈣鈦礦粉末包括選自由BaTiO3、BaTixZr1^xO3、BaxY1-JiO3、BaxDy1-JiO3 和 BaxHcvJiO3 組成的組中的一種或多種，其中0 < X < I。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述鈣鈦礦粉末具有1. 001-1. 010的晶軸c/a比例。
全文摘要
本發(fā)明提供一種鈣鈦礦粉末、制備鈣鈦礦粉末的方法以及使用鈣鈦礦粉末制備的多層陶瓷電子元件。所述鈣鈦礦粉末含有形成在所述鈣鈦礦粉末顆粒的表面的涂層，并且所述涂層選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種。當(dāng)使用水熱合成法合成所述鈣鈦礦粉末時(shí)，所述鈣鈦礦粉末可以含有通過形成選自由硫化物和含有硫磺的鹽組成的組中的一種或多種的涂層而具有高結(jié)晶度的微粒以抑制顆粒的生長。
文檔編號H01G4/30GK103030403SQ20121000175
公開日2013年4月10日 申請日期2012年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月10日
發(fā)明者全炯俊, 崔暢學(xué), 劉正勛, 金昶勛, 樸今珍, 白惠英 申請人:三星電機(jī)株式會社