專利名稱：一種制備銅銦鎵硒太陽能電池光吸收層的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及新能源領域中薄膜太陽能電池的制備方法，特別涉及太陽能電池中銅銦鎵硒光吸收層的制備方法。
背景技術：
能源短缺與環(huán)境污染問題是21世紀面臨的重大問題。發(fā)展清潔環(huán)保新能源取代傳統(tǒng)化石能源成為解決這些問題的有效科學途徑之一。其中太陽能作為一種取之不盡、用之不竭且環(huán)保無污染的可再生能源無處不在，從而使太陽能光伏發(fā)電成為發(fā)展新能源的重要組成部分。目前市場技術發(fā)展最為成熟的硅太陽能電池，由于其制備過程中高污染、高能耗、高成本、材料利用率低等特點，從而限制其發(fā)展成為最理想的太陽能材料。因此，發(fā)展低成本和高效率的新型薄膜太陽能電池成為勢在必行的趨勢。在薄膜太陽能電池中，銅銦鎵硒(Cuhfe^e2,簡寫CIGS)薄膜太陽能電池由于具有可調節(jié)寬帶隙、吸收系數高(>104 cm—1)、轉換效率高、材料成本低及性能穩(wěn)定等優(yōu)點，成為當前光伏發(fā)電研究中最佳的太陽能材料之一。CIGS太陽能電池光吸收層的制備方法包括真空制備方法和非真空制備方法。其中真空沉積方法技術發(fā)展較為成熟，其轉換效率已超過20%。但是，采用常用的真空沉積方法，如真空蒸發(fā)或濺射/硒化方法，都有生產工藝復雜，真空設備價格高昂，且在制備過程中材料組成成分難于精確掌控等缺點，使得大規(guī)模、大面積生產高性能的CIGS薄膜太陽能電池成為難題。相比之下，非真空制備方法具有設備結構簡單、操作簡易、生產效率高，可大面積均勻成膜和規(guī)?；a等技術優(yōu)勢，成為CIGS電池研究的新方向。IBM公司采用溶液法以胼(NH2Ml2)作為溶劑制備CIGS溶液后旋涂成膜并熱處理法制備CIGS太陽電池(《Thin Solid Films》2009， No. 517，2158 - 2162)轉換效率超過10%，但NH2NH2是一種揮發(fā)性極強的劇毒溶劑，從而限制了該種方法的大規(guī)模推廣。Kvapur等(《Thin Solid Films)) 2003, No. 431 - 432，53 - 57)采用金屬氧化物為前驅體，經氫氣還原后在硫化氫(Hje)中硒化制備CIGS太陽能的電池轉換效率達到13. 6%，但Hje是一種價格昂貴劇毒的揮發(fā)氣體，有極其嚴格的保存和使用的操作流程要求，嚴重影響了 CIGS的規(guī)模化生產。另外還可以采用有機液相溶劑熱法制備CIGS納米粒子然后成膜并硒化的方法制備CIGS太陽能電池器件，該種方法中CIGS納米粒子制備需要高壓反應釜(《ThinSolid Films)) 2005, No. 480 - 481, 46 - 49)或者 khlenk 的復雜反應裝置(《Journalof the American Chemical Society)) 2008, Vol. 130，No. 49，16770 - 16777)，設備復雜、高溫高壓難于控制，從而限制了該種方法用于大規(guī)模生產。

發(fā)明內容
針對上述現有技術存在的不足，本發(fā)明的目的是提供一種制備CIGS薄膜太陽能電池光吸收層的非真空制備方法。本方法不僅設備結構簡單、操作簡易、生產效率高，而且有利于環(huán)保及大面積生產。
本發(fā)明的目的通過以下方式實現。本發(fā)明的制備銅銦鎵硒太陽能電池光吸收層的方法，包括先制備CIGS納米粒子，然后形成漿料并涂敷于襯底上，再經后續(xù)處理制備CIGS薄膜，其特征在于，其制備過程是
(1)制備銅銦鎵硒納米粒子先將金屬銅、銦、鎵的硒化物或金屬銅、銦、鎵和硒單質按照化學計量比混合攪拌均勻，然后球磨，得到粒徑為IOnm-IOOOOnm的銅銦鎵硒納米粒子；所述化學計量比是Cu:In:feije原子的摩爾比為0.9-1 0-1 0-1:2 (即CuxIn(1_y)G￡iySi52(0. 9 彡 χ 彡 1，0 ^ y ^ 1))；
(2)制備銅銦鎵硒前驅體漿料將上述銅銦鎵硒納米粒子分散于由分散劑與成膜劑組成的混合溶液中，通過攪拌或研磨或超聲或磁力攪拌分散，得到均勻穩(wěn)定的CIGS前驅體漿料；所述分散劑為乙醇、乙二醇、甲醇、聚乙二醇、2-甲氧基乙醇、丙三醇、縮乙二醇、甲基戊醇或水中的一種或幾種的組合；所述成膜劑為聚氨酯、丁二烯樹脂、松油醇、甲基纖維素、乙基纖維素、乙酸纖維素、乙烯基纖維素、羥丙基纖維素、聚乙烯醇、聚丙烯酰胺、聚氧乙烯醚、聚氧丙烯醚、EDTA、聚乙烯、聚氨酯改性丁二烯纖維、聚氨酯改性硝酸纖維中的一種或幾種的組合；在所述混合溶液中，其分散劑與銅銦鎵硒混合物(CUJn(1_y)Gayk2)的摩爾比為1 一1000 1 ；所述分散劑與成膜劑的摩爾比為10-1000 1 ；
(3)制備銅銦鎵硒前驅體薄膜將上述的前驅體漿料涂敷于襯底上，在空氣氣氛中烘干除去分散劑和成膜劑，得到銅銦鎵硒前驅體薄膜；所述烘干時間為3秒-30分鐘，溫度為50 0C -400 0C ；
(4)制備銅銦鎵硒薄膜將銅銦鎵硒前驅體薄膜在惰性氣氛下快速升溫熱處理，得到銅銦鎵硒太陽能電池光吸收層薄膜成品；所述快速升溫熱處理是以1°C/S-120°C/S升溫速率快速升溫到200°C -IOOO0C，然后保溫3分鐘-300分鐘；所述的惰性氣氛為氮氣或氬氣的惰
性氣氛。在上述制備方法中，所述“將上述的前驅體漿料涂敷于襯底上”，其襯底材料為鈉鈣玻璃、硼硅玻璃、硅片，不銹鋼鐵片、薄鋁片、聚酰亞胺薄膜、鈦片、鉬片、陶瓷片、銅片；其漿料涂敷于襯底上的方法為現有技術中常用的絲網印刷法、刮涂法、旋涂法、噴印法、提拉法、滴涂法等。本發(fā)明采用非真空低溫機械化學球磨法制備CIGS納米粒子，然后分散形成漿料，涂敷形成CIGS前驅體薄膜后，再通過快速升溫熱處理的工藝制備得到太陽能電池所需的CIGS光吸收層。在制備過程中，不需要復雜的高溫高壓下的化學反應裝置制備納米粒子，也不需要通入有毒的Hje氣體或者硒蒸汽進行硒化后處理，而是采用惰性氣氛下的快速升溫熱處理進一步制備得到CIGS光吸收層，并且可以精確調整CIGS光吸收層中各元素的配比，因此能方便地制備出可協(xié)調的CIGS太陽能電池光吸收層。對實施例產品的檢測表明，用本發(fā)明方法制備得到的薄膜經熱探針測試結果為P型半導體，其光吸收系數大于104，符合太陽能電池的使用要求。相比現有技術，本發(fā)明不但設備結構簡單，操作簡易，生產效率高，而且有利于環(huán)保及大面積生產，為CIGS基薄膜太陽能電池的大規(guī)模產業(yè)化拓寬了新的思路。
具體實施例方式
下面結合具體實施例對本發(fā)明作進一步說明。實施例1(1)按照分子式Cdr^e2中Cu、In和k的摩爾比稱取2.060g的硒化亞銅(Cu2Se)和4. 663g的硒化銦(Inje3)混合后置于球磨罐中球磨8小時，制備得到粒徑為10nm-5000nm的黃銅礦型的Cdr^e2納米粒子；
(2)將所制備的Cdr^e2納米粒子分散于由70毫升分散劑乙二醇及成膜劑0.Ig的乙烯基纖維素，2毫升的松油醇，0. Olg的聚氧丙烯醚，0. Olg的聚氨酯改性丁二烯樹脂混合組成的溶劑中，經過機械攪拌分散形成適宜粘稠度且均勻穩(wěn)定的Cdr^e2前驅體漿料；
(3)將所制備的具有Cdr^e2前驅體漿料噴涂到已作過清潔處理的硅片上，然后置于預先加熱的電爐上，烘干除去分散劑和成膜劑，烘干時間為5 min，溫度為275°C，制備了厚度為6微米的Cdr^e2前驅體薄膜；
(4)將所制備的Cdr^e2前驅體薄膜置于快速升溫爐中，在氮氣氣氛下，以10°C/s的升溫速度快速升溫到425°C，并保溫15 min,自然冷卻后得到3微米厚、致密的黃銅礦型的CuInSe2 薄膜。經熱探針測試，所制備的CuIr^e2薄膜為P型半導體，光吸收系數大于104，符合太陽能電池的使用要求。實施例2
(1)按照分子式CuIn0.5Ga0.5Se2 中 Cu.In.Ga和 Se 的摩爾比稱取 2. 060 g 的 Cu2Se, 2. 332g的I Se3，1. 882 g的硒化鎵(Giije3)混合后置于球磨罐中球磨12小時，制備得到粒徑為10 nm-5000nm 的 CuIn0.5Ga0.5Se2 納米粒子；
(2)將所制備的CuIna5Giia5Se52納米粉體分散于由90毫升分散劑甲醇及成膜劑0.02g丁二烯樹脂，0. 2g甲基纖維素，0. Ig聚乙烯醇，0. Olg的EDTA，0. Olg的聚乙烯混合組成的混合溶劑中，經過磁力攪拌形成適宜粘稠度且均勻穩(wěn)定的CuIna5Giia5Si52前驅體漿料；
(3)將所制備的CuIna5Giia5Si52前驅體漿料刮涂到已作過清潔處理的硼硅玻璃片上，然后置于預先加熱的電爐上，烘干除去分散劑和成膜劑，烘干時間為2 min，溫度為250°C，制備7微米厚Cuha5GEia5Si52前驅體薄膜；
(4)將所制備的CuIna5Giia5Si52前驅體薄膜置于快速升溫爐中，在氬氣氣氛下，以20°C/s的升溫速度，升溫到450°C，并保溫20min，自然冷卻后得到3. 5微米厚，致密的黃銅礦型CuIna5Gaa5Se2 薄膜。經熱探針測試，所制備的CuIna5Giia5Si52薄膜為P型半導體，光吸收系數大于104，符合太陽能電池的使用要求。實施例3
(1)按照分子式CuIn0.7Ga0.3Se2 中 Cu.In.Ga和 Se 的摩爾比稱取 2. 060g 的 Cu2Se, 3. 264g的In2Se3,1. 129g的Ga2Se3混合后置于球磨罐中球磨6小時，制備得到粒徑為50 nm-5000nm 的 CuIn0.7Ga0 3Se2 納米粒子；
(2)將所制備的CuIna7Giia3Se52納米粉體分散于由100毫升分散劑無水乙醇及成膜劑0. 3g松油醇，0. Olg乙基纖維素，0. 02gEDTA，0. Olg聚氧丙烯醚，0. Olg聚氨酯改性丁二烯纖維混合組成的混合溶劑中，經過研磨形成適宜粘稠度且均勻穩(wěn)定的CuIna7Giia3Si52前驅體漿料；
(3)將所制備的CuIna7Giia3Si52前驅體漿料旋涂到已作過清潔處理的鈉鈣玻璃片上，然后置于預先加熱的電爐上，熱處理除去分散劑和成膜劑，烘干時間為3min，溫度為300°C，制備4微米厚的Cuha7Giia3Si52前驅體薄膜；
(4)將所制備的CuIna7Giia3Si52前驅體薄膜置于快速升溫爐中，在氮氣氣氛下，以15°C /s的升溫速度快速升溫到500°C，并保溫30min，自然冷卻后得到2微米厚，致密的黃銅礦型CuIna7Gaa3Se2 薄膜。經熱探針測試，所制備的CuIna7Giia3Si52薄膜為P型半導體，光吸收系數大于104，符合太陽能電池的使用要求。實施例4
(1)按照分子式CuGaSe2中Cu、Ga和Se的摩爾比稱取2.060g的Cu2Se和3. 763g的Ga2Se3混合后置于球磨罐中，球磨15小時，制備得到50nm-5000nm的Cufe^e2納米粒子；
(2)將所制備的Cufe^e2納米粉體分散于由110毫升分散劑2-甲氧基乙醇及成膜劑0. 3g乙酸纖維素，0. Olg聚丙烯酰胺，0. IgEDTA混合組成的混合溶劑中，經過超聲分散形成適宜粘稠度且均勻穩(wěn)定的Cufe^e2前驅體漿料；
(3)將所制備的Cufe^e2前驅體漿料絲網印刷到已作過清潔處理的鈦片上，然后置于預先加熱的電爐上，烘干除去分散劑和成膜劑，烘干時間為6min，溫度為350°C，制備5微米厚的Cufek2前驅體薄膜；
(4)將所制備的Cufe^e2前驅體薄膜置于快速升溫爐中，在氬氣氣氛下，以20°C/s的升溫速度快速升溫到525°C，并保溫40min，自然冷卻后制備得到2. 5微米厚，致密的黃銅礦型CuGaSii2薄膜。經熱探針測試，所制備的CuG^e2薄膜為P型半導體，光吸收系數大于104，符合太陽能電池的使用要求。實施例5
(1)以金屬銅(Cu)、銦(In)和硒(Se)為原料，按照分子式CuaJr^e2中CuUn和％的摩爾比稱取5. 719g的Cu，11. 482g的In，15. 792g的Se混合后置于球磨罐中，球磨30小時，制備得到10 nm-8000nm的Cu0 9InSe2納米粒子；
(2)將所制備的CuaJr^e2納米粒子分散于由800毫升分散劑丙三醇及成膜劑3g羥丙基纖維素，0. 3g聚乙烯醇，0. 3g聚丙烯酰胺，0. 3g聚氧乙烯醚，Ig聚氨酯改性丁二烯纖維混合所組成的混合溶劑中，經過研磨形成適宜粘稠度且均勻穩(wěn)定的CuaJr^e2前驅體漿料；
(3)將所制備的CuaJr^e2前驅體漿料噴印到已作過清潔處理的薄鋁片上，然后置于預先加熱的電爐上，烘干除去分散劑和成膜劑，烘干時間為5min，溫度為325°C，制備得到6微米厚的CuaJr^e2前驅體薄膜；
(4)將所制備的CuaJr^e2前驅體薄膜置于快速升溫爐中，在氬氣氣氛下，以20°C/s的升溫速度快速升溫到475°C，并保溫30 min,自然冷卻后得到3微米厚，致密的黃銅礦型Cua9InSe2 薄膜。經熱探針測試，所制備的CuaJr^e2薄膜為P型半導體，光吸收系數大于104，符合太陽能電池的使用要求。實施例6
(1)以金屬銅(Cu)、銦an)、鎵(Ga)和硒(Se)為原料，按照分子式CuaJna7GEia3Si52中CuUruGa 禾口 Se 的摩爾比稱取 11. 438g 的 Cu, 16. 074g 的 In, 4. 183g 的 Ga 和 31. 584g 的 Se混合后置于球磨罐中，球磨35小時，制備得到10nm-8000nm的Cua9Ina7Giia3Si52納米粒子；(2)將所制備的Cua9Ina7Giia3Se52納米粒子分散于由1200毫升分散劑無水乙醇及成膜劑0. 5g乙基纖維素，4g松油醇，0. 4g聚丙烯酰胺，0. 3g聚乙烯，0. 2g聚氨酯改性丁二烯纖維混合所組成的混合溶劑中，經過機械攪拌形成適宜粘稠度且均勻穩(wěn)定的Cutl. Jntl.
前驅體漿料；
(3)將所制備的Cua9^ia7Giia3Si52前驅體漿料刮涂到已作過清潔處理的聚酰亞胺薄膜上，然后置于預先加熱的電爐上，烘干除去分散劑和成膜劑，烘干時間為3min，溫度為 250°C，制備5微米厚的CuaJna7GEia3Si52前驅體薄膜；
(4)將所制備的Cua9^ia7Giia3Si52前驅體薄膜置于快速升溫爐中，在氮氣氣氛下，以 200C /s的升溫速度快速升溫到450°C，并保溫25min，自然冷卻后制備得到2. 5微米厚，致密的黃銅礦型Cua9Ina7Giia3Si52薄膜。經熱探針測試，所制備的Cua9^ia7Giia3Si52薄膜為P型半導體，光吸收系數大于 104，符合太陽能電池的使用要求。實施例7
(1)以金屬銅(Cu)、銦an)、鎵(Ga)和硒(Se)為原料，按照分子式CuaJna5GEia5Si52中 Cu、In、Ga 和 Se 的摩爾比稱取 11. 438 g 的 Cu，11. 482 8的化，6. 972 g 的 Ga 和 31.584g 的％混合后置于球磨罐中，球磨40小時，得到50nm-5000nm的Cua9Ina5Giia5Si52納米粒子；
(2)將所制備的Cua9Ina5Giia5Si52納米粒子分散于由1400毫升分散劑無水乙二醇及成膜劑0. 6g甲基纖維素，4g聚乙烯醇，0. 3g聚氧乙烯醚，0. 4g聚乙烯，0. 2g聚氨酯改性丁二烯纖維混合所組成的混合溶劑中，經過研磨形成適宜粘稠度且均勻穩(wěn)定的CuaJna5Giia5Si52 前驅體漿料；
(3)將所制備的Cua9^ia5Giia5Si52前驅體漿料絲網印刷到已作過清潔處理的不銹鋼片上，然后置于預先加熱的電爐上，烘干除去分散劑和成膜劑，烘干時間為細in，溫度為 325°C，制備5微米厚的CIGS前驅體薄膜；
(4)將所制備的Cua9Ina5Giia5Si52前驅體薄膜置于快速升溫爐中，在氬氣氣氛下，以 200C /s的升溫速度快速升溫到550°C，并保溫15min，自然冷卻后制備得到2. 5微米厚，致密的黃銅礦型Cua9Ina5Giia5Si52薄膜。經熱探針測試，所制備的Cua9^ia5Giia5Si52薄膜為P型半導體，光吸收系數大于 104，符合太陽能電池的使用要求。實施例8
(1)以金屬銅(Cu)、銦an)、鎵(Ga)和硒(Se)為原料，按照分子式CuaJna3GEia7Si52中 Cu、In、Ga 和 Se 的摩爾比稱取 11. 438g 的 Cu, 6. 889g 的 In，9. 76Ig 的 Ga 和 31. 584g 的 Se 混合后置于球磨罐中，球磨40小時，得到50nm-5000nm的Cua9Ina3Giia7Si52納米粒子；
(2)將所制備的Cua9^iaP^l7Se52納米粒子分散于由分散劑1500毫升甲醇及成膜劑0. 5g乙酸纖維素，4. 5g聚乙二醇，0.4g聚氧丙烯醚，0. 2g EDTA，0. Ig聚乙烯，0. 1聚氨酯改性硝酸纖維混合組成的混合溶劑中，經過超聲分散形成適宜粘稠度均勻穩(wěn)定的 Cu0.9In0.3Ga0.7Se2 前驅體漿料；
(3)將所制備的Cua9Ina3Giia7Si52前驅體漿料滴涂到已作過清潔處理的鉬片上，然后置于預先加熱的電爐上，烘干除去分散劑和成膜劑，烘干時間為anin，溫度為275°C，制備8微米厚的Cua9Ina3GEia7Si52前驅體薄膜；(4)將所制備的Cua9^ia3Giia7Si52前驅體薄膜置于快速升溫爐中，在氮氣氣氛下，以 300C /s的升溫速度快速升溫到500°C，并保溫40min，自然冷卻后制備得到4微米厚，致密的黃銅礦型Cuci9Ina3GEia7Si52薄膜。經熱探針測試，所制備的Cua9^ia3Giia7Si52薄膜為P型半導體，光吸收系數大于 104，符合太陽能電池的使用要求。實施例9
(1)以金屬銅(Cu)、鎵(Ga)和硒(Se)為原料，按照分子式CuQ.9fe^e2中Cu、fei和k的摩爾比稱取5. 719g的Cu，6. 972g的( 和15. 792g的k混合后置于球磨罐中，球磨15小時，得到10 nm-5000 nm的Cu0 9GaSe2納米粒子；
(2)將所制備的CU(l.9fe^e2納米粒子分散于由500毫升分散劑2-甲氧基乙醇及成膜劑 0. 3g羥丙基纖維素，0. 3g乙烯基纖維素，4g聚乙烯醇，0. 2g聚丙烯酰胺，0. 3g聚氧丙烯醚， 0. Ig聚氨酯改性丁二烯纖維，0. Ig聚氨酯改性硝酸纖維混合組成的混合溶劑中，經過磁力攪拌形成適宜粘稠度且均勻穩(wěn)定的Cua9GaSe52前驅體漿料；
(3)將所制備的CU(l.9(iaSe2前驅體漿料旋涂到已作過清潔處理的鈉鈣玻璃片上，然后置于預先加熱的電爐上，烘干除去分散劑和成膜劑，烘干時間為6 min，溫度為300°C，制備得到6微米厚的CU(1.9fe^e2前驅體薄膜；
(4)將所制備的CUa9fe^e2前驅體薄膜置于快速升溫爐中，在氬氣氣氛下，以35°C/s的升溫速度快速升溫到475°C，并保溫15 min,自然冷卻后制備得到3微米厚，致密的黃銅礦型Cua9fe^e2薄膜。經熱探針測試，所制備的CU(l.9fe^e2薄膜為P型半導體，光吸收系數大于104，符合太陽能電池的使用要求。
權利要求
1. 一種制備銅銦鎵硒太陽能電池光吸收層的方法，包括先制備CIGS納米粒子，然后形成漿料并涂敷于襯底上，經后續(xù)處理制備CIGS薄膜，其特征在于，其制備過程是(1)制備銅銦鎵硒納米粒子先將金屬銅、銦、鎵的硒化物或金屬銅、銦、鎵和硒單質按照化學計量比混合攪拌均勻，然后球磨，得到粒徑為IOnm-IOOOOnm的銅銦鎵硒納米粒子；所述化學計量比是CuHn = Gaje原子的摩爾比為0. 9-1 :0_1 :0_1 2 ；(2)制備銅銦鎵硒前驅體漿料將上述銅銦鎵硒納米粒子分散于由分散劑與成膜劑組成的混合溶液中，通過攪拌或研磨或超聲或磁力攪拌分散，得到均勻穩(wěn)定的CIGS前驅體漿料；所述分散劑為乙醇、乙二醇、甲醇、聚乙二醇、2-甲氧基乙醇、丙三醇、縮乙二醇、甲基戊醇或水中的一種或幾種的組合；所述成膜劑為聚氨酯、丁二烯樹脂、松油醇、甲基纖維素、乙基纖維素、乙酸纖維素、乙烯基纖維素、羥丙基纖維素、聚乙烯醇、聚丙烯酰胺、聚氧乙烯醚、聚氧丙烯醚、EDTA、聚乙烯、聚氨酯改性丁二烯纖維、聚氨酯改性硝酸纖維中的一種或幾種的組合；在所述混合溶液中，其分散劑與銅銦鎵硒混合物的摩爾比為1 一 1000 1 ；所述的分散劑與成膜劑的摩爾比為10-1000:1;(3)制備銅銦鎵硒前驅體薄膜將上述的前驅體漿料涂敷于襯底上，在空氣氣氛中烘干除去分散劑和成膜劑，得到銅銦鎵硒前驅體薄膜；所述烘干時間為3秒-30分鐘，溫度為50 0C -400 0C ；(4)制備銅銦鎵硒薄膜將銅銦鎵硒前驅體薄膜在惰性氣氛下快速升溫熱處理，得到銅銦鎵硒太陽能電池光吸收層薄膜成品；所述快速升溫熱處理是以1°C /s-120°C /s升溫速率快速升溫到200°C -IOOO0C，然后保溫3分鐘-300分鐘；所述的惰性氣氛為氮氣或氬氣的惰性氣氛。
全文摘要
本發(fā)明涉及薄膜太陽能電池制備技術，特別涉及銅銦鎵硒光吸收層的制備方法。其制備過程是(1)將金屬銅、銦、鎵的硒化物或金屬銅、銦、鎵和硒單質按照化學計量比混合攪拌均勻后球磨，得到粒徑為10-10000nm的銅銦鎵硒納米粒子；其中Cu:In:Ga:Se原子摩爾比為0.9-10-10-12；(2)將銅銦鎵硒納米粒子分散于由分散劑與成膜劑組成的混合溶液中，攪拌或研磨或超聲或磁力攪拌分散，得到CIGS前驅體漿料；(3)將前驅體漿料涂敷于襯底上，在空氣氣氛中烘干除去分散劑和成膜劑，得到前驅體薄膜；(4)將前驅體薄膜在惰性氣氛下快速升溫熱處理，得到銅銦鎵硒太陽能電池光吸收層薄膜成品。本方法簡化了工藝流程，生產效率高，有利于環(huán)保，為CIGS基薄膜太陽能電池的大規(guī)模產業(yè)化拓寬了思路。
文檔編號H01L31/18GK102569514SQ20121000091
公開日2012年7月11日 申請日期2012年1月4日 優(yōu)先權日2012年1月4日
發(fā)明者劉 英, 孔德義, 尤暉, 李加偉, 林新華, 王煥欽, 趙聰, 陳池來, 高理升 申請人:中國科學院合肥物質科學研究院