專利名稱：預(yù)防干燥期間高縱橫比結(jié)構(gòu)崩塌的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及清潔/干燥高縱橫比結(jié)構(gòu)的方法，其中實(shí)質(zhì)上地防止該結(jié)構(gòu)在干燥期間的崩塌。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置設(shè)計(jì)中有使用具狹窄特征的高縱橫比結(jié)構(gòu)的致密陣列的持續(xù)發(fā)展趨勢(shì)。當(dāng)對(duì)此等類型的結(jié)構(gòu)采用濕式過(guò)程時(shí)，在干燥期間出現(xiàn)的毛細(xì)力通常會(huì)導(dǎo)致特征的扭曲及甚至崩塌。此等扭曲會(huì)干擾裝置操作。更具體而言，此在濕式蝕刻DRAM或閃存儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)中是一項(xiàng)嚴(yán)重的問(wèn)題，且會(huì)限制諸如25納米及以下的更具侵略性幾何形體的縮放。亦預(yù)期清潔STI (淺溝渠隔離)特征、閘極晶體管、接點(diǎn)、第一金屬層、MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))結(jié)構(gòu)及一些光伏打結(jié)構(gòu)(諸如銀太陽(yáng)能電池)是一項(xiàng)問(wèn)題。高縱橫比結(jié)構(gòu)內(nèi)的毛細(xì)力是由楊-拉普拉斯(Young-Laplace)方程式描述,其中該力與結(jié)構(gòu)內(nèi)的液體的空氣/液體表面張力及液體與特征表面間的接觸角的余弦成比例。其它界面現(xiàn)象包括長(zhǎng)程電雙層力及震蕩溶劑合力。避免毛細(xì)損傷的大多數(shù)當(dāng)前方法使用低表面張力液體，其可顯著降低相對(duì)于水的毛細(xì)力。在使用現(xiàn)有技術(shù)的組合物及方法干燥期間仍會(huì)發(fā)生該扭曲及崩塌。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明總體上涉及預(yù)防高縱橫比結(jié)構(gòu)在干燥期間損傷的方法。更更具體而言，本發(fā)明涉及修飾表面特征以使組合物在該經(jīng)修飾表面處的接觸角為約90度的方法。在一方面中，一種修飾高縱橫比特征的表面的方法，該方法包括:使高縱橫比特征的表面與添加劑組合物接觸以產(chǎn)生經(jīng)修飾表面，
其中當(dāng)使沖洗溶液與經(jīng)修飾表面接觸時(shí)作用于高縱橫比特征上的力被充分地減至最小，以至少在移除沖洗溶液或至少在干燥高縱橫比特征期間防止高縱橫比特征彎曲或崩塌。在另一方面中，描述一種制品，該制品包括添加劑組合物及經(jīng)修飾表面，其中該添加劑組合物包含至少一種表面活性劑、至少一種有機(jī)溶劑、任選的至少一種共表面活性劑、任選的至少一種消泡劑、任選的至少一種緩沖劑、及至少一種穩(wěn)定劑。 在又一方面中，描述一種制品，該制品包括經(jīng)修飾的高縱橫比表面，該經(jīng)修飾表面包含被吸附的表面活性劑化合物及沖洗溶液，其中與該經(jīng)修飾表面接觸的該組合物具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角，及其中該經(jīng)修飾的高縱橫比表面包含經(jīng)摻雜的單晶硅、經(jīng)摻雜的多晶硅、未經(jīng)摻雜的單晶硅、未經(jīng)摻雜的多晶硅、氧化硅、氮化硅、非晶形碳、氮化鎵、氮化鈦、氮化鉭、氮化鎢、硅化鈷、硅化鎳、釕、氧化釕、其它含釕化合物、或其組合。在又一方面中，描述一種制品，該制品包括經(jīng)修飾的高縱橫比表面，該經(jīng)修飾表面包含被吸附的表面活性劑化合物及沖洗溶液，其中與該經(jīng)修飾表面接觸的該組合物具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角，及其中該經(jīng)修飾的高縱橫比表面包含氮化鈦、釕、氧化釕、其它含釕化合物、或其組合。本發(fā)明的其它方面、特征、及優(yōu)點(diǎn)將可由隨后公開(kāi)的內(nèi)容及權(quán)利要求書(shū)而更完整明了。


圖1是預(yù)防高縱橫比結(jié)構(gòu)在干燥期間損傷的方法的示意圖。圖2a及圖2b說(shuō)明DI水在經(jīng)不同調(diào)配物處理的毯覆式TiNx(ALD)上的接觸角。圖3說(shuō)明評(píng)估經(jīng)修飾Ru表面的接觸角的一般方法流程。圖4說(shuō)明DI水在經(jīng)不同調(diào)配物處理的毯覆式Ru(ALD)上的接觸角。圖5說(shuō)明評(píng)估經(jīng)修飾多晶硅表面的接觸角的一般方法流程。圖6a及圖6b說(shuō)明DI水在經(jīng)不同調(diào)配物處理的毯覆式多晶硅上的接觸角。實(shí)施方式本發(fā)明總體上涉及降低易碎高縱橫比結(jié)構(gòu)在干燥期間所經(jīng)受的毛細(xì)力，因此實(shí)質(zhì)上地預(yù)防該高縱橫比結(jié)構(gòu)在干燥期間損傷的方法。更更具體而言，本發(fā)明涉及修飾表面特征以使組合物在該經(jīng)修飾表面處的接觸角為約90度的方法。根據(jù)楊-拉普拉斯方程式，Ap=2( Y) (cos 0 )/r,當(dāng)表面的接觸角(0 )接近90o且與表面接觸的組合物的表面張力(Y)經(jīng)最小化(例如，通過(guò)于其中包含表面活性劑)時(shí)，在具有曲率半徑(r)的高縱橫比特征各側(cè)上的壓力差(Ap)將接近零，因此最小化或防止特征崩塌。為此，本發(fā)明涉及一種修飾高縱橫比特征的表面，以致與其接觸的沖洗溶液將具有約90度的接觸角的方法。在此等條件下，預(yù)期毛細(xì)力接近零。為容易參考起見(jiàn)，“微電子器件”相當(dāng)于經(jīng)制造用于微電子、集成電路、能量收集、或計(jì)算機(jī)芯片應(yīng)用中的半導(dǎo)體基板、平板顯示器、相變記憶裝置、太陽(yáng)能面板及包括太陽(yáng)能電池裝置、光伏打組件、及微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的其它產(chǎn)品。應(yīng)明了術(shù)語(yǔ)“微電子器件”、“微電子基板”及“微電子器件結(jié)構(gòu)”并不具任何限制意味，且包括任何最終將成為微電子器件或微電子組件的基板或結(jié)構(gòu)。微電子器件可為圖案化、毯覆式、控制和/或測(cè)試器件。
如本文所使用的“約”意指相當(dāng)于所述值的±5%?！氨怀浞肿钚』牧Α痹诒疚谋欢x為相當(dāng)于高縱橫比特征彎曲或崩塌的最小化。更具體而言，基于該結(jié)構(gòu)上的特征總面積計(jì)，少于10%的高縱橫比特征將于其上具有該特征的結(jié)構(gòu)的干燥期間彎曲或崩塌，更優(yōu)選少于5%的高縱橫比特征將于干燥期間彎曲或崩塌，甚至更優(yōu)選少于2%的高縱橫比特征將于干燥期間彎曲或崩塌，及最優(yōu)選少于1%的高縱橫比特征將于其上具有該特征的結(jié)構(gòu)的干燥期間彎曲或崩塌?！皬澢毕喈?dāng)于在沖洗前任何特征相對(duì)于其空間定位的偏離，且包括特征的觸碰或黏著，盡管應(yīng)明了特征可彎曲而不彼此觸碰或黏著至另一特征?！氨浪毕喈?dāng)于在沖洗之前特征相對(duì)于空間定位的更實(shí)質(zhì)的偏離，其中該特征已經(jīng)歷骨牌效應(yīng)(即一特征崩塌于第二者上導(dǎo)致第二特征的崩塌等等)。崩塌可包括該特征自結(jié)構(gòu)完全移除或該特征僅部分崩塌于彼此之上。如文中所定義，“高縱橫比特征”相當(dāng)于在微電子器件上的特征，其中的縱橫比(特征高度相對(duì)于其寬度之比)大于2:1，更優(yōu)選大于5:1及甚至更優(yōu)選大于10:1。具高縱橫比的特征包括，但不限于，前段過(guò)程(FE0L ;front end of the line)特征諸如淺溝渠隔離(STI)特征、閘極晶體管、接點(diǎn)、閃存、及DRAM電容器、后段過(guò)程(BE0L;back end of line)特征以及其它見(jiàn)于相關(guān)領(lǐng)域諸如MEMS及光伏打電池應(yīng)用(諸如銀太陽(yáng)能電池)中的特征。如文中所定義，“沖洗溶液”相當(dāng)于具有等于或低于水(72.8達(dá)因/厘米(dyne/cm))的表面張力，優(yōu)選在約72.8達(dá)因/厘米至約65達(dá)因/厘米范圍內(nèi)，更優(yōu)選約72.8達(dá)因/厘米至約70達(dá)因/厘米的組合物。如文中所定義，“自高縱橫比特征的表面移除諸如氧化物的犧牲材料”相當(dāng)于自微電子器件移除諸如氧化物的犧牲材料以暴露高縱橫比特征的表面，而不管諸如氧化物的犧牲材料的厚度為何。如文中所定義，“低干燥力”(其對(duì)應(yīng)于前述楊-拉普拉斯方程式中的Ap)對(duì)應(yīng)于低Ap，其中接觸角0優(yōu)選接近90度和/或液體的表面張力Y優(yōu)選被降低。由于許多變化，低毛細(xì)力對(duì)應(yīng)于足夠低，以致如本領(lǐng)域技術(shù)人員所可輕易判定，高縱橫比特征不會(huì)于干燥期間彎曲或崩塌的毛細(xì)力。如文中所使用，“殘余物”相當(dāng)于在微電子器件的包括(但不限于)等離子體蝕刻、灰化、濕式蝕刻、及其組合的制造期間產(chǎn)生的顆粒。如文中所使用，“污染物”相當(dāng)于在等離子體蝕刻、灰化、或濕式蝕刻后存在于微電子器件表面上的除殘余物外的化學(xué)物質(zhì)、反應(yīng)及化學(xué)副產(chǎn)物、及任何其它作為該過(guò)程的副產(chǎn)物的材料。污染物通常為有機(jī)性質(zhì)。如文中所定義，“蝕刻后殘余物”相當(dāng)于在氣相等離子體蝕刻過(guò)程(例如，BEOL雙重鑲嵌加工)后殘留的材料。蝕刻后殘余物的性質(zhì)可為有機(jī)、有機(jī)金屬、寡聚/聚合、或無(wú)機(jī)，例如，含硅材料、碳基有機(jī)材料、及蝕刻氣體殘余物諸如氧及氟。如文中所定義，如本文所使用的“灰化后殘余物”相當(dāng)于在移除硬化光阻劑和/或底部抗反射涂層(BARC)材料的氧化或還原等離子體灰化后殘余的材料。灰化后殘余物的性質(zhì)可為有機(jī)、有機(jī)金屬、寡聚/聚合、或無(wú)機(jī)。如本文所使用的“致密流體”相當(dāng)于超臨界流體或次臨界流體。術(shù)語(yǔ)“超臨界流體”在本文用來(lái)指示在指定化合物的壓力-溫度圖中處于不低于臨界溫度T。且不低于臨界壓力P。的條件下的材料。所使用的優(yōu)選的超臨界流體是CO2，其可單獨(dú)使用或與諸如Ar、NH3、N2、CH4, C2H4, CHF3, C2H6, I1-C3H8, H2O, N2O及其類似物的另一添加物混合。術(shù)語(yǔ)“次臨界流體”描述處于次臨界狀態(tài)下的溶劑，即低于與該特定溶劑相關(guān)的臨界溫度和/或臨界壓力。該次臨界流體優(yōu)選是不同密度的高壓液體。DRAM單元系經(jīng)設(shè)計(jì)成使用諸如4F2、6F2、8F2等的不同單元設(shè)計(jì)。本領(lǐng)域技術(shù)人員明了對(duì)于在50納米過(guò)程節(jié)點(diǎn)(F=50)下的4F2(2FX2F)的單元設(shè)計(jì)，電容器間的間距或中心足巨離為 100 納米(#JAL,例女口，http: //www.eetimes.com/e I ectronics~news/4081855/The-50-nm-DRAM-battle-rages-on-An-overview-of-Micron-s-technology ;美國(guó)專利第7349232 號(hào))。一般而言，本文敘述的發(fā)明涉及修飾高縱橫比特征的表面，該方法包括使該表面與添加劑組合物接觸以產(chǎn)生經(jīng)修飾表面；及使該經(jīng)修飾表面與沖洗溶液接觸，其中當(dāng)使該沖洗溶液與該經(jīng)修飾表面接觸時(shí)作用于高縱橫比特征上的力被充分地減至最小，以至少在移除沖洗溶液或在干燥高縱橫比特征期間防止高縱橫比特征彎曲或崩塌。作用于高縱橫比特征上的力包括，但不限于，在高縱橫比特征的各側(cè)上的壓力差(Ap)。高縱橫比特征的表面可包括硅(例如，經(jīng)摻雜的單晶硅、經(jīng)摻雜的多晶硅、未經(jīng)摻雜的單晶硅、未經(jīng)摻雜的多晶硅、氧化硅、氮化硅、多晶硅)、非晶形碳、氮化鎵、氮化鈦、氮化鉭、氮化鎢、硅化鈷、硅化鎳、和/或釕(例如，釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物)、或其任何組合中至少之一。第一方面在第一方面中，描述一種維持在高縱橫比特征表面上的接觸角的方法，該方法包括使表面與添加劑組合物接觸以產(chǎn)生經(jīng)修飾表面，其中與該經(jīng)修飾表面接觸的沖洗溶液具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角。該接觸角優(yōu)選在約70度至約110度的范圍內(nèi)，更優(yōu)選約85度至約105度，及最優(yōu)選在約85度及約95度之間。高縱橫比特征的表面包括氮化鎵、氮化鈦、非晶形碳、氮化鉭、氮化鎢、硅化鈷、硅化鎳、多晶硅、氮化硅、和/或釕(例如，釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物)、或其任何組合。在一實(shí)施方案中，該經(jīng)修飾表面經(jīng)沖洗溶液沖洗，其中該經(jīng)修飾表面在沖洗時(shí)間t=x時(shí)的接觸角與該經(jīng)修飾表面在沖洗時(shí)間t=0時(shí)的接觸角相差不大于約+/-10度，其中X在約60秒至約600秒或更大的范圍內(nèi)。該添加劑組合物優(yōu)選在濕式過(guò)程工具中在原位摻混。高縱橫比特征的表面優(yōu)選包括氮化鈦、和/或釕(例如，釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物)、或其任何組合。在第一方面的一實(shí)施方案中，描述一種維持在高縱橫比特征表面上的接觸角的方法，該方法包括使氮化鎵、氮化鈦、非晶形碳、氮化鉭、氮化鎢、硅化鈷、硅化鎳、多晶硅、氮化硅、和/或含釕表面與添加劑組合物接觸以產(chǎn)生經(jīng)修飾表面，及用沖洗溶液沖洗該經(jīng)修飾表面，其中與該經(jīng)修飾表面接觸的沖洗溶液具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角，更優(yōu)選約85度至約105度，及最優(yōu)選約85度及約95度。該含釕表面優(yōu)選包括釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物、或其任何組合。該添加劑組合物優(yōu)選在濕式過(guò)程工具中在原位摻混。高縱橫比特征的表面優(yōu)選包括氮化鈦、和/或釕(例如，釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物)、或其任何組合。在第一方面的另一實(shí)施方案中，描述一種修飾高縱橫比特征的表面的方法，該方法包括使該表面與添加劑組合物接觸以產(chǎn)生經(jīng)修飾表面，其中與該經(jīng)修飾表面接觸的沖洗溶液具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角，更優(yōu)選約85度至約105度，及最優(yōu)選約85度及約95度。該高縱橫比特征的表面優(yōu)選包括氮化鎵、氮化鈦、非晶形碳、氮化鉭、氮化鎢、硅化鈷、硅化鎳、多晶硅、氮化硅、和/或選自由釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物、或其任何組合組成的組的含釕化合物。該添加劑組合物優(yōu)選在濕式過(guò)程工具中在原位摻混。高縱橫比特征的表面優(yōu)選包括氮化鈦、和/或釕(例如，釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物)、或其任何組合。在第一方面的又一實(shí)施方案中，描述一種修飾高縱橫比特征的表面的方法，該方法包括使該表面與添加劑組合物接觸以產(chǎn)生經(jīng)修飾表面，及用沖洗溶液沖洗該經(jīng)修飾表面，其中與該經(jīng)修飾表面接觸的沖洗溶液具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角，更優(yōu)選約85度至約105度，及最優(yōu)選約85度及約95度。該高縱橫比特征的表面優(yōu)選包括氮化鎵、氮化鈦、非晶形碳、氮化鉭、氮化鎢、硅化鈷、硅化鎳、多晶硅、氮化硅、和/或選自由釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物組成的組的含釕化合物、或其任何組合。該添加劑組合物優(yōu)選在濕式過(guò)程工具中在原位摻混。高縱橫比特征的表面優(yōu)選包括氮化鈦、和/或釕(例如，釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物)、或其任何組合。應(yīng)明了優(yōu)選進(jìn)行“在沖洗期間維持在高縱橫比特征表面上的接觸角”及“修飾高縱橫比特征的表面”以實(shí)質(zhì)上地防止高縱橫比特征崩塌。對(duì)于本公開(kāi)內(nèi)容的目的，不將水視為“有機(jī)溶劑”。高縱橫比表面可包括氮化鎵、氮化鈦、非晶形碳、氮化鉭、氮化鎢、硅化鈷、硅化鎳、多晶硅、氮化硅、和/或選自由釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物組成的組的含釕化合物、或其任何組合。在一實(shí)施方案中，該高縱橫比表面包括氮化硅。在另一實(shí)施方案中，該高縱橫比表面包括釕，例如，元素釕、氧化釕、氮化釕、及其它含釕化合物中的至少之一。在又一實(shí)施方案中，該高縱橫比包括氮化鈦。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)明了該高縱橫比表面可在暴露至添加劑組合物之前視待干燥的表面經(jīng)預(yù)處里，以移除污染、殘余物、犧牲材料、或其組合。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)該高縱橫比表面包括氮化鈦時(shí)，可移除犧牲層以產(chǎn)生起始表面。必要時(shí)，可使用包含經(jīng)緩沖氧化物蝕刻(BOE)(例如，經(jīng)緩沖的HF溶液或稀HF溶液)的組合物完成犧牲氧化物層。經(jīng)緩沖的HF溶液優(yōu)選在經(jīng)由將HF與氟化銨組合于水中而調(diào)配得(例如，5.5重量％HF(49重量％于水中)+16.4重量％NH4F(40重量％)于水中)+79.1重量％水)。應(yīng)明了 BOE并不限于經(jīng)緩沖的HF溶液，且此特定的經(jīng)緩沖的HF溶液作為實(shí)例被提出，而不意欲以任何方式限制經(jīng)緩沖的HF溶液。在一實(shí)施方案中，用于移除犧牲氧化物層的組合物可進(jìn)一步包含表面活性劑，以改良BOE在高縱橫比結(jié)構(gòu)中的潤(rùn)濕。所得的表面優(yōu)選為親水性。移除犧牲氧化物層的條件包括在約20°C至約80°C范圍內(nèi)，優(yōu)選約20°C至約30°C的溫度，其中時(shí)間取決于犧牲氧化物層的厚度、溫度、BOE或稀HF溶液的濃度、及所發(fā)生的攪拌或擾動(dòng)量，其可由本領(lǐng)域技術(shù)人員輕易地決定。包含BOE或稀HF溶液的組合物實(shí)質(zhì)上不含過(guò)氧化氫、硫酸、及氨。表面優(yōu)選包含氮化鈦、釕和/或氮化硅，甚至更優(yōu)選氮化鈦或釕，且使其與添加劑組合物接觸以修飾高縱橫比側(cè)壁的表面能及因此設(shè)計(jì)當(dāng)組合物與該側(cè)壁接觸時(shí)的接觸角。該添加劑組合物包含下列組分，由其所組成，或基本上由其所組成:至少一種表面活性劑、至少一種溶劑、任選的至少一種共表面活性劑、任選的至少一種消泡劑、任選的至少一種緩沖溶液、及至少一種穩(wěn)定劑。涵蓋的表面活性劑包括，但不限于，酸及堿、非離子性表面活性齊U、陰離子性表面活性劑、陽(yáng)離子性表面活性劑、兩性離子表面活性劑、及其組合。優(yōu)選的酸性或堿性表面活性劑包括，但不限于，具有酸或堿官能性(“頭”)及直鏈或支鏈烴疏水基團(tuán)(“尾”)的表面活性劑和/或具有酸性官能性(“頭”)及全氟化烴基團(tuán)(“尾”)的表面活性劑。優(yōu)選的酸或堿官能性包括磷酸、膦酸、膦酸單酯、磷酸單酯及磷酸二酯、羧酸、二羧酸單酯、三羧酸單酯及三羧酸二酯、硫酸單酯、磺酸、胺、及其鹽。該烴基優(yōu)選具有至少2個(gè)(例如，2-30個(gè))碳原子(例如，乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、i^一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基等等)，僅除了當(dāng)分子包含兩個(gè)烷基鏈(諸如于磷酸二酯及磷酸單酯中)時(shí)，2-20個(gè)碳的稍短的烴基(例如，乙基、丙基、丁基、戊基、己基、2-乙基己基、十二烷基)為優(yōu)選。全氟化烴基優(yōu)選具有7-14個(gè)碳原子(例如，庚基、辛基、壬基、癸基、i^一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基)。在另一實(shí)施方案中，表面活性劑包含式(R1) (R2)P(=0) (R3)的化合物，其中R1、R2及R3彼此獨(dú)立且選自由氫、輕基、C1-C30烷基、C2-C3tl烯、環(huán)烷基、C2-C30烷氧基、或其任何組合所組成的組。在又一實(shí)施方案中，表面活性劑包含式(R1R2R3R4)NX的化合物，其中R1、R2、R3及R4彼此獨(dú)立且選自由氫、C1-C3tl烷基、C2-C3tl烯、環(huán)烷基、C1-C30烷氧基、C1-C3tl羧酸酯、或其任何組合所組成的組，且其中X是任何具有-1電荷的陰離子。在又一實(shí)施方案中，表面活性劑包含式[(R1) (R2)N]C(=0) (CR3R4)nC(=0) [N(R5) (R6)]的化合物，其中 R1、! 2、R3> R4> R5、及R6彼此獨(dú)立且選自由氫、C2-C3tl烷基、C2-C3tl烯、環(huán)烷基、C2-C30烷氧基、C2-C3tl羧酸酯、或其任何組合所組成的組，且其中n=l-12的任何整數(shù)。在另一實(shí)施方案中，表面活性劑包含式 #(:(=0) (OH)或 R1(^=O) (OH) (CH2)n(0=) (HO)CR2 的羧酸，其中 R1 或 R2 選自 C1-C30烷基或C2-C3tl亞烷基鏈，優(yōu)選為C1-C2tl烷基或C2-C2tl亞烷基鏈，n是介于0與20之間的整數(shù)。優(yōu)選的表面活性劑包括下列中的至少之一:癸基膦酸、十二烷基膦酸(DDPA)、十四烷基膦酸、十六烷基膦酸、雙(2-乙基己基)磷酸酯、十八烷基膦酸、全氟庚酸、全氟癸酸、三氟甲磺酸、磷酰基乙酸、十二烷基苯磺酸、十二烯基琥珀酸、二 -十八烷基磷酸氫酯、十八烷基磷酸二氫酯、十二烷基胺、十二烯基琥珀酸單二乙醇酰胺、月桂酸、棕櫚酸、油酸、杜松酸、12羥基硬脂酸、十八烷基膦酸(ODPA)，最優(yōu)選十二烷基膦酸、十八烷基膦酸、或其組合。涵蓋的非離子性表面活性劑包括，但不限于，聚氧亞乙基月桂基醚(EmalminNL-100 (Sanyo)、Bri j30、Bri j98)、十二烯基琥拍酸單二乙醇酰胺(DSDA, Sanyo)、乙二胺四(乙氧化物-嵌段- 丙氧化物)四醇(Tetronic90R4)、聚氧亞乙基聚氧亞丙基二醇(Newpole PE-68 (Sanyo)、Pluronic L31、Pluronic31Rl)、聚氧亞丙基鹿糖醚(SN008S,Sanyo)、叔辛基苯氧基聚乙氧乙醇(Triton X100)、聚氧亞乙基(9)壬基苯基醚-支鏈(IGEPAL C0-250)、聚氧亞乙基山梨糖醇六油酸酯、聚氧亞乙基山梨糖醇四油酸酯、聚乙二醇脫水山梨糖醇單油酸酯(TweenSO)、脫水山梨糖醇單油酸酯(SpanSO)、烷基-多葡萄糖苷、全氟丁酸乙酯、1，1，3，3，5，5-六甲基-1，5-雙[2- (5-降冰片烯-2-基)乙基]二娃氧烷、單體十八烷基硅烷衍生物諸如SIS6952.0(Siliclad，Gelest)、經(jīng)硅氧烷改性的聚硅氮烷諸如 PPl-SG10Siliclad GlidelO (Gelest)、有機(jī)硅-聚醚共聚物諸如 SilwetL-77 (SetreChemical Company)、及 Silwet ECO Spreader(Momentive)0涵蓋的陽(yáng)離子性表面活性劑包括，但不限于，十七烷氟辛烷磺酸四乙銨、氯化硬脂基三甲銨(Econol TMS-28，Sanyo)、溴化4-(4-二乙氨基苯基偶氮)-1-(4-硝基芐基)批錠、氯化鯨臘基批錠單水合物、苯扎氯銨、節(jié)索氯銨(benzethonium chloride) >
氯化芐基二甲基十二烷基銨、氯化芐基二甲基十六烷基銨、溴化十六烷基三甲基銨、氯化二甲基二-十八烷基銨、氯化十二烷基三甲基銨、對(duì)甲苯磺酸十六烷基三甲基銨、溴化二-十二烷基二甲基銨、氯化二(氫化牛脂)二甲基銨、溴化四庚基銨、溴化四(癸基)銨、AIiquat 336及奧芬溴銨(oxyphenonium bromide)、鹽酸胍(C(NH2)3Cl)或三氟甲磺酸鹽諸如三氟甲磺酸四丁基銨。烴基優(yōu)選具有至少10個(gè)(例如，10-20個(gè))碳原子(例如，癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基)，僅除了當(dāng)分子包含兩個(gè)官能化烷基鏈(諸如在氯化二甲基二 -十八烷基銨、溴化二甲基二-十六烷基銨及氯化二(氫化牛脂)二甲基銨(例如，Arquad2HT_75，AkzoNobel)中)時(shí),6-20個(gè)碳的稍短的烴基(例如，己基、2-乙基己基、十二燒基)為優(yōu)選。優(yōu)選使用氯化二甲基二 -十八烷基銨、氯化二(氫化牛脂)二甲基銨、或其組合。涵蓋的陰離子性表面活性劑包括，但不限于，聚氧亞乙基月桂基醚鈉、二己基磺基琥珀酸鈉、二環(huán)己基磺基琥珀酸鈉鹽、7-乙基-2-甲基-4-1^一烷基硫酸鈉(Tergitol4)、SODOSIL RM02、及磷酸酯含氟表面活性劑諸如Zonyl FSJ0兩性離子表面活性劑包括，但不限于，環(huán)氧乙烷烷基胺(A0A-8，Sanyo)、N，N- 二甲基十二燒基胺N-氧化物、椰子氨基丙酸鈉(sodiumcocaminpropinate)(LebonApl-D，Sanyo)、3-(N，N-二甲基肉豆蘧基銨基)丙磺酸鹽、及(3-(4-庚基)苯基-3-羥丙基)二甲銨基丙磺酸鹽。雖然不希望受限于理論，但據(jù)認(rèn)為官能頭基與高縱橫比表面相互作用，同時(shí)疏水尾部將接觸角設(shè)計(jì)在約70至約110度的范圍內(nèi)，即表面活性劑在高縱橫比結(jié)構(gòu)的表面上形成涂層。添加劑組合物與表面接觸的條件包括在約20°C至約120°C范圍內(nèi)，優(yōu)選約20°C至約80°C，及更優(yōu)選約20°C至約30°C的溫度，累積時(shí)間在約I分鐘至約100分鐘的范圍內(nèi)，優(yōu)選約I分鐘至約10分鐘，及更優(yōu)選約3分鐘至約8分鐘，其中可使添加劑組合物與表面在一次施用中或至多五次施用中接觸。添加劑組合物中表面活性劑的濃度優(yōu)選在約0.1重量％至約10重量％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在約I重量％至約5重量％的范圍內(nèi)。應(yīng)明了暴露可為靜態(tài)或動(dòng)態(tài)或兩者的混合，此可由本領(lǐng)域技術(shù)人員輕易地決定。雖然不希望受限于理論，但據(jù)認(rèn)為添加劑組合物中的表面活性劑可物理或化學(xué)吸附于表面，藉此修飾該表面。使用于第一方面方法中的添加劑組合物包含至少一種溶劑，其中該溶劑經(jīng)選擇以確保該至少一種表面活性劑在其中的高溶解度，以及幫助潤(rùn)濕該表面。優(yōu)選地，該溶劑中的至少之一由式R1R2R3C(OH)表 示，其中R1、R2及R3彼此獨(dú)立且選自由氫、C2-C3tl烷基、C2-C3tl烯、環(huán)烷基、C2-C3tl烷氧基、及其組合所組成的組。涵蓋的溶劑包括，但不限于，水、醇、烯烴、鹵化硅烷、碳酸酯(例如，碳酸烷基酯、碳酸亞烷基酯等等)、二醇、二醇醚、烴、氫氟碳化物、及其組合，諸如直鏈或支鏈甲醇、乙醇、異丙醇(IPA)、丁醇、戊醇、己醇、2-乙基-1-己醇、庚醇、辛醇、及高級(jí)醇(包括二醇、三醇等等)、4_甲基-2-戊醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、碳酸丁二酯、碳酸乙二酯、碳酸丙二酯、二丙二醇、二甘醇單甲基醚、三甘醇單甲基醚、二甘醇單乙基醚、三甘醇單乙基醚、乙二醇單丙基醚、乙二醇單丁基醚、二甘醇單丁基醚(即丁基卡必醇)、三甘醇單丁基醚、乙二醇單己基醚、二甘醇單己基醚、乙二醇苯基醚、丙二醇甲基醚(PGME)、二丙二醇甲基醚(DPGME)、三丙二醇甲基醚(TPGME)、二丙二醇二甲基醚、二丙二醇乙基醚、丙二醇正丙基醚、二丙二醇正丙基醚(DPGPE)、三丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇正丁基醚、丙二醇苯基醚、2，3- 二氫十氟戊烷、乙基全氟丁基醚、甲基全氟丁基醚、及其組合。該至少一種溶劑優(yōu)選包含4-甲基-2-戊醇、TPGME、辛醇、2-乙基-1-己醇、異丙醇、及其任何組合(包括4-甲基-2-戊醇及TPGME或IPA及TPGME)。添加劑組合物中溶劑的濃度優(yōu)選在約10重量％至約99.9重量％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在約50重量％至約99.9重量％的范圍內(nèi)，及最優(yōu)選在約90重量％至約99.9重量％的范圍內(nèi)。在一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含至少兩種溶劑。在另一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含至少兩種有機(jī)溶劑。在另一實(shí)施方案中，該至少一種溶劑包含致密流體諸如超臨界二氧化碳。在另一實(shí)施方案中，該添加劑組合物除該至少一種溶劑外，進(jìn)一步包含至少一種共表面活性齊U、至少一種消泡劑和/或至少一種緩沖劑。涵蓋的共表面活性劑包括乙氧基化壬基酚諸如 EMULMIN240 (Sanyo Chemical Industries, Ltd.)、燒基乙氧基化物諸如 Bri j30、中等長(zhǎng)度正醇類諸如丁醇及高級(jí)醇(二醇、三醇等等)、非離子性表面活性劑諸如聚乙二醇/聚丙二醇共聚物、聚乙二醇脫水山梨糖醇單油酸酯(Tween80)、及脫水山梨糖醇單油酸酯(Span80)、及乙氧基化脂肪酸諸如 IONET 系列(Sanyo Chemical Industries, Ltd.)諸如IONET MS-400 (聚乙二醇單硬脂酸酯)、IONET MS-1000 (聚乙二醇單硬脂酸酯)、10NETM0-200(聚乙二醇單油酸酯)、IONET M0-400 (聚乙二醇單油酸酯)、IONET M0_600(聚乙二醇單油酸酯)、IONET DL-200(聚乙二醇二硬脂酸酯)、IONET DS_300(聚乙二醇二硬脂酸酯)、IONET DS-400 (聚乙二 醇二硬脂酸酯)、IONET DS-4000 (聚乙二醇二硬脂酸酯)、10NETD0-400(聚乙二醇二油酸酯)、IONET D0-600 (聚乙二醇二油酸酯)、及IONETD0-1000 (聚乙二醇二油酸酯)。當(dāng)存在時(shí)，共表面活性劑的量由添加劑HLB (親水性親油性比)值決定，且優(yōu)選在約0.1重量％至約5重量％的范圍內(nèi)，優(yōu)選約0.5重量％至約3重量％。涵蓋的消泡劑包括選自由氧化乙烯/氧化丙烯嵌段共聚物、醇烷氧化物、脂肪醇燒氧化物、非有機(jī)娃水溶性消泡劑諸如Defoamer A(RDChemical Company, MountainView, CA)、磷酸酯與非離子性乳化劑的摻混物、及其組合所組成的組的物質(zhì)。當(dāng)存在時(shí)，消泡劑的量?jī)?yōu)選在約0.001重量％至約2重量％的范圍內(nèi)，優(yōu)選約0.01重量％至約I重量％。消泡劑優(yōu)選包含Defoamer A?？蓪⒎€(wěn)定劑添加至添加劑組合物，以提高至少一種表面活性劑的溶解度，改良組合物的穩(wěn)定性，改良添加劑組合物的可沖洗性和/或提供更堅(jiān)固耐用的疏水性涂層。穩(wěn)定劑包括式R1(^=O)OH的羧酸，其中R1選自C12-C24烷基或C12-C24亞烷基鏈，優(yōu)選為C16-C2tl烷基或C16-C2tl亞烷基鏈，包括月桂酸、棕櫚酸、油酸、杜松酸及12羥基硬脂酸。替代地或除此之外，穩(wěn)定劑可包括鹽酸胍、三氟甲磺酸鹽諸如三氟甲磺酸四丁基銨、異丙醇、和/或水。應(yīng)明了添加劑組合物可進(jìn)一步包含至少一種自由基物質(zhì)、至少一種離子交換樹(shù)月旨、至少一種干燥劑、或三者的任何組合。自由基物質(zhì)可選自由氫醌、丁基化羥基甲苯(BHT)、丁基化羥基茴香醚(BHA)、二苯胺、及其組合所組成的組。該至少一種離子交換樹(shù)脂可包括MSC-1 (Dow Chemical)。該至少一種干燥劑可包括磷酸酐。在第一方面的一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含表面活性劑及至少一種溶劑，由其所組成，或基本上由其所組成。在第一方面的另一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含表面活性劑、至少一種溶劑、及至少一種共表面活性劑，由其所組成，或基本上由其所組成。在第一方面的又一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含表面活性劑、至少兩種溶劑、及至少一種消泡齊U，由其所組成，或基本上由其所組成。在第一方面的另一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含表面活性劑及至少兩種溶劑，由其所組成，或基本上由其所組成。在第一方面的又一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含表面活性劑、至少一種溶劑、及至少一種消泡劑，由其所組成，或基本上由其所組成。在第一方面的另一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含表面活性劑、至少兩種有機(jī)溶劑、及至少一種消泡劑，由其所組成，或基本上由其所組成。在第一方面的另一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含表面活性劑及至少兩種有機(jī)溶劑，由其所組成，或基本上由其所組成。第一方面的添加劑組合物優(yōu)選具有以下性質(zhì):在與表面相互作用及于其上形成涂層后，該表面對(duì)沖洗溶液具有約85至約95度，優(yōu)選約90度的接觸角；該添加劑組合物潤(rùn)濕高縱橫比結(jié)構(gòu)表面；在經(jīng)沖洗溶液沖洗后，該接觸角優(yōu)選被維持(例如，該經(jīng)修飾表面在沖洗時(shí)間t=x時(shí)的接觸角與該經(jīng)修飾表面在沖洗時(shí)間t=0時(shí)的接觸角相差不大于約+/-10度，其中X在約60秒至約300秒或更大的范圍內(nèi))；該添加劑涂層優(yōu)選產(chǎn)生最小污染(例如，于沖洗后僅殘留單層的表面活性劑)；及達(dá)成期望表面電動(dòng)力條件的平衡PH值基于不同表面的PZC或IEP性質(zhì)。此外，該添加劑組合物實(shí)質(zhì)上不含硬脂酸、肉豆蘧酸、及硅烷偶合劑諸如六甲基二硅氮烷及四甲基甲硅烷基二乙胺，且不需要硅烷偶合劑于表面處的酯化反應(yīng)來(lái)達(dá)成文中所述的第一方面的方法?！皩?shí)質(zhì)上不含”在本文被定義為基于組合物的總重量小于2重量％,優(yōu)選小于I重量％,更優(yōu)選小于0.5重量％,最優(yōu)選小于0.1重量％,及最優(yōu)選0重量％。關(guān)于本公開(kāi)內(nèi)容的目的，“接觸”包括，但不限于，將添加劑組合物噴涂于表面上，經(jīng)由浸泡(于一定量的添加劑組合物中)，經(jīng)由使表面與被添加劑組合物飽和的另一材料(例如，墊、或纖維吸收性涂布器組件)接觸，經(jīng)由使表面與添加劑循環(huán)組合物接觸，或藉由任何其它藉以使添加劑組合物與高縱橫比特征的表面接觸的適當(dāng)手段、方式或技術(shù)。在一實(shí)施方案中，將添加劑溶液預(yù)混合并遞送至濕式過(guò)程工具。在另一實(shí)施方案中，將添加劑溶液在濕式過(guò)程工具中在原位摻混。應(yīng)明了可在使表面與添加劑組合物接觸之前沖洗裝置。預(yù)沖洗的條件包括在約20°C至約80°C范圍內(nèi)，優(yōu)選約200C至約30°C的溫度，歷時(shí)約2分鐘至約15分鐘范圍內(nèi)的時(shí)間，此可有本領(lǐng)域技術(shù)人員輕易地決定。在使表面與添加劑組合物接觸以產(chǎn)生經(jīng)修飾表面后，用沖洗溶液沖洗經(jīng)修飾表面以移除任何未與表面相互作用或涂布表面的添加劑。沖洗溶液可包含前述溶劑中的至少一種或組合。或者，沖洗溶液可包含下列組分，由其所組成，或基本上由其所組成:至少一種溶劑、任選的至少一種自由基物質(zhì)、任選的至少一種離子交換樹(shù)脂、及任選的至少一種干燥劑。該至少一種自由基物質(zhì)可選自由氫醌、丁基化羥基甲苯(BHT)、丁基化羥基茴香醚(BHA)、二苯胺、及其組合所組成的組。該至少一種離子交換樹(shù)脂可包括MSC-1 (DowChemical) 0該至少一種干燥劑可包括磷酸酐。沖洗條件包括在約20°C至約80°C范圍內(nèi)，優(yōu)選約20°C至約30°C的溫度，歷時(shí)約I分鐘至約20分鐘或更長(zhǎng)范圍內(nèi)，優(yōu)選約5分鐘至約15分鐘的時(shí)間。建議的沖洗溶液包括水、IPA,TPGME、DPGME、前述共表面活性劑、水、及其組合。作為替代或除此之外，在使表面與添加劑組合物接觸后，可輻照或加熱表面以處理該表面。在又一實(shí)施方案中，第一方面的方法可進(jìn)一步包括在沖洗后干燥該經(jīng)修飾表面。干燥可以如下方式達(dá)成:使用旋轉(zhuǎn)干燥；使用異丙醇(IPA)、Novec7100流體(3M)、或本領(lǐng)域中已知的其它不可燃性溶劑混合物的蒸氣干燥；或使用氮?dú)鈽尩母稍?。其后可移?例如，藉由熱)與表面相互作用或涂布表面的添加劑。在移除添加劑層(例如，表面活性劑層)后，表面優(yōu)選為完整、干凈、且準(zhǔn)備好供沉積層(例如，介電層)用。因此,在第一方面的另一實(shí)施方案中，描述一種修飾高縱橫比特征表面的方法,該方法包括使該表面與添加劑組合物接觸以產(chǎn)生經(jīng)修飾表面，用沖洗溶液沖洗該經(jīng)修飾表面，及干燥該經(jīng)修飾表面，其中與該經(jīng)修飾表面接觸的沖洗溶液具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角，更優(yōu)選約85度至約105度，及最優(yōu)選約85度及約95度。該高縱橫比特征的表面優(yōu)選包含氮化鎵、氮化鈦、非晶形碳、氮化鉭、氮化鎢、硅化鈷、硅化鎳、多晶硅、氮化硅、和/或選自由釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物所組成的組的含釕化合物、或其任何組合。該添加劑組合物優(yōu)選在濕式過(guò)程工具中在原位摻混。高縱橫比特征的表面優(yōu)選包括氮化鈦、和/或釕(例如，釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物)、或其任何組合。在第一方面的又一實(shí)施方案中，描述一種修飾高縱橫比特征的表面的方法，該方法包括沖洗該表面，使該表面與添加劑組合物接觸以產(chǎn)生經(jīng)修飾表面，用沖洗溶液沖洗該經(jīng)修飾表面，視需要干燥該經(jīng)修飾表面，及視需要自該經(jīng)修飾表面移除添加劑，其中與該經(jīng)修飾表面接觸的沖洗溶液具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角，更優(yōu)選約85度至約95度。該高縱橫比特征的表面優(yōu)選包括氮化鎵、氮化鈦、非晶形碳、氮化鉭、氮化鎢、硅化鈷、硅化鎳、多晶硅、氮化硅、和/或選自由釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物所組成的組的含釕化合物、或其任何組合。該添加劑組合物優(yōu)選在濕式過(guò)程工具中在原位摻混。高縱橫比特征的表面優(yōu)選包括氮化鈦、和/或釕(例如，釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物)、或其任何組合。第一方面的另一實(shí)施方案涉及一種包括添加劑組合物及經(jīng)修飾表面的制品，其中該添加劑組合物包含至少一種表面活性劑、至少一種有機(jī)溶劑、任選的至少一種共表面活性劑、任選的至少一種消泡劑、任選的緩沖劑、及至少一種穩(wěn)定劑。又一方面涉及一種包括經(jīng)修飾的高縱橫比表面的制品，該經(jīng)修飾表面包含被吸附的表面活性劑化合物及沖洗溶液，其中與該經(jīng)修飾表面接觸的該組合物具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角，及其中該經(jīng)修飾的高縱橫比表面包含氮化鎵、氮化鈦、非晶形碳、氮化鉭、氮化鎢、硅化鈷、硅化鎳、多晶硅、氮化硅和/或選自由釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物所組成的組的含釕化合物、或其任何組合。該高縱橫比特征的表面優(yōu)選包括氮化鈦、和/或釕(例如，釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物)、或其任何組合。在又一實(shí)施方案中，該經(jīng)修飾表面使用熱加工、反應(yīng)性離子蝕刻、或等離子體輔助蝕刻過(guò)程重置。第二方面本發(fā)明的第二方面涉及一種維持在高縱橫比特征表面上的接觸角的方法，該方法包括使表面與添加劑組合物接觸以產(chǎn)生經(jīng)修飾表面，其中與該經(jīng)修飾表面接觸的沖洗溶液具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角。該接觸角優(yōu)選在約70度至約110度的范圍內(nèi)，更優(yōu)選約85度至約105度，及最優(yōu)選約85度及約95度。該高縱橫比特征的表面優(yōu)選包括經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的單晶硅、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的多晶硅、多晶硅、二氧化硅、氮化硅、或其組合。在一實(shí)施方案中，該經(jīng)修飾表面經(jīng)沖洗溶液沖洗，其中該經(jīng)修飾表面在沖洗時(shí)間t=x時(shí)的接觸角與該經(jīng)修飾表面在沖洗時(shí)間t=0時(shí)的接觸角相差不大于約+/-10度,其中X在約60秒至約600秒或更大的范圍內(nèi)。在第二方面的一實(shí)施方案中，描述一種維持在高縱橫比特征表面上的接觸角的方法，該方法包括使含硅表面與添加劑組合物接觸以產(chǎn)生經(jīng)修飾表面，及用沖洗溶液沖洗該經(jīng)修飾表面，其中與該經(jīng)修飾表面接觸的沖洗溶液具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角，更優(yōu)選約85度至約105度，及最優(yōu)選約85度及約95度。該含硅表面優(yōu)選包括經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的單晶硅、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的多晶硅、多晶硅、二氧化硅、氮化硅、或其組合。在第二方面的另一實(shí)施方案中，描述一種修飾高縱橫比特征的表面的方法，該方法包括使該表面與添加劑組合物接觸以產(chǎn)生經(jīng)修飾表面，其中與該經(jīng)修飾表面接觸的沖洗溶液具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角，更優(yōu)選約85度至約105度，及最優(yōu)選約85度及約95度。該高縱橫比特征的表面優(yōu)選包括含硅材料，優(yōu)選為經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的單晶硅、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的多晶硅、多晶硅、二氧化硅、氮化硅、或其組合。在第二方面的又一實(shí)施方案中，描述一種修飾高縱橫比特征的表面的方法，該方法包括使該表面與添加劑組合物接觸以產(chǎn)生經(jīng)修飾表面，及用沖洗溶液沖洗該經(jīng)修飾表面，其中與該經(jīng)修飾表面接觸的沖洗溶液具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角，更優(yōu)選約85度至約105度，及最優(yōu)選約85度及約95度。該高縱橫比特征的表面優(yōu)選包括含硅材料，優(yōu)選為經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的單晶硅、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的多晶硅、多晶硅、二氧化硅、氮化硅、或其組合。在第二方面的又一實(shí)施方案中，描述一種修飾高縱橫比特征的表面的方法，該方法包括預(yù)處理高縱橫比特征的表面以自該表面移除殘余物和/或污染物材料，使該表面與添加劑組合物接觸以產(chǎn)生經(jīng)修飾表面，及用沖洗溶液沖洗該經(jīng)修飾表面，其中與該經(jīng)修飾表面接觸的沖洗溶液具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角，更優(yōu)選約85度至約105度，及最優(yōu)選約85度及約95度。該高縱橫比特征的表面優(yōu)選包括含硅材料，優(yōu)選為經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的單晶硅、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的多晶硅、多晶硅、二氧化硅、氮化硅、或其組合。預(yù)處理可使用本領(lǐng)域中已知的任何殘余物移除方式(例如，濕式處理)完成。雖然不希望受限于理論，但預(yù)處理被進(jìn)行以修改表面的疏水性/親水性、調(diào)整表面的電動(dòng)力性質(zhì)、和/或氧化或還原表面。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)使用濕式蝕刻組合物或干式蝕刻方式(例如，反應(yīng)性離子蝕刻(RIE))預(yù)先蝕刻包括含硅材料的高縱橫比表面(例如，以產(chǎn)生溝渠、線路、通道等)時(shí)，可用本領(lǐng)域中已知的蝕刻后殘余物移除組合物處理表面，以實(shí)質(zhì)上地移除蝕刻后殘余物。當(dāng)預(yù)先灰化高縱橫比表面(例如，以移除光阻劑)時(shí)，可用本領(lǐng)域中已知的灰化后殘余物移除組合物處理表面，以實(shí)質(zhì)上地移除灰化后殘余物。當(dāng)進(jìn)行表面的濕式蝕刻以蝕刻含硅材料時(shí)，涵蓋反應(yīng)性離子蝕刻以改變暴露的含硅材料。應(yīng)明了當(dāng)該方法包括預(yù)處理步驟時(shí)，可在自高縱橫比特征的表面移除殘余物和/或污染物后沖洗裝置，以產(chǎn)生待與添加劑組合物接觸的表面。預(yù)處理后沖洗的條件包括在約20°C至約80°C范圍內(nèi)，優(yōu)選約20°C至約30°C的溫度，歷時(shí)約2分鐘至約15分鐘或更長(zhǎng)范圍內(nèi)的時(shí)間，此可由本領(lǐng)域技術(shù)人員輕易地決定。沖洗溶液優(yōu)選包含水。作為替代或除此之外，在使該表面與添加劑組合物接觸之前，可輻照或加熱表面以處理該表面。用于第二方面方法的添加劑組合物包含下列組分，由其所組成，或基本上由其所組成:至少一種表面活性劑、至少一種溶劑、任選的至少一種共表面活性劑、及任選的至少一種消泡劑。經(jīng)涵蓋用于各組分的物質(zhì)被列舉于前文的本發(fā)明的第一方面中。在第二方面的一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含表面活性劑及至少一種溶劑，由其所組成，或基本上由其所組成。在第二方面的另一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含表面活性劑、至少一種溶劑、及至少一種共表面活性劑，由其所組成，或基本上由其所組成。在第二方面的又一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含表面活性劑、至少一種溶劑、及本領(lǐng)域中已知用于移除殘余物的組分(例如，蝕刻后殘余物移除組合物)，由其所組成，或基本上由其所組成。在第二方面的又一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含表面活性劑、至少一種溶劑、至少一種共表面活性劑及本領(lǐng)域中已知用于移除殘余物的組分(例如，蝕刻后殘余物移除組合物)，由其所組成，或基本上由其所組成。換言之，可將表面的預(yù)處理及表面的添加劑處理結(jié)合于一步驟中。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)明了此處涵蓋化學(xué)本領(lǐng)域中已知用于移除特定類型殘余物的所有殘余物移除組合物。應(yīng)進(jìn)一步明了當(dāng)添加劑組合物包括本領(lǐng)域中已知用于移除殘余物的組分時(shí)，仍可能需要本文中所述的預(yù)處理步驟或其可為任選的步驟。添加劑組合物優(yōu)選具有下列性質(zhì):在與表面相互作用及于其上形成涂層后，該表面對(duì)沖洗溶液具有約85至約95度，優(yōu)選約90度的接觸角；該添加劑組合物潤(rùn)濕高縱橫比結(jié)構(gòu)表面；該接觸角在經(jīng)沖洗溶液沖洗后優(yōu)選被維持(例如，該經(jīng)修飾表面在沖洗時(shí)間t=x時(shí)的接觸角與該經(jīng)修飾表面在沖洗時(shí)間t=0時(shí)的接觸角相差不大于約+/-10度,其中X在約60秒至約300秒或更大的范圍內(nèi))；該添加劑涂層優(yōu)選產(chǎn)生最小污染(例如，于沖洗后僅殘留單層表面活性劑)；及基于不同表面的PZC或IEP性質(zhì)達(dá)成期望表面電動(dòng)力條件的均衡PH值。此外，添加劑組合物實(shí)質(zhì)上不含硬脂酸、肉豆蘧酸、硅烷偶合劑諸如六甲基二硅氮烷及四甲基甲硅烷基二乙胺。關(guān)于本公開(kāi)的內(nèi)容的目的，“接觸”包括，但不限于，將添加劑組合物噴涂于表面上，經(jīng)由浸泡(于一定量的添加劑組合物中)，經(jīng)由使表面與被添加劑組合物飽和的另一材料(例如，墊、或纖維吸收性涂布器組件)接觸，經(jīng)由使表面與添加劑循環(huán)組合物接觸，或藉由任何其它藉以使添加劑組合物與高縱橫比特征的表面接觸的適當(dāng)手段、方式或技術(shù)。在一實(shí)施方案中，將添加劑溶液預(yù)混合并遞送至濕式過(guò)程工具。在另一實(shí)施方案中，將添加劑溶液在濕式過(guò)程工具中在原位摻混。在使表面與添加劑組合物接觸以產(chǎn)生經(jīng)修飾表面后，用沖洗溶液沖洗該經(jīng)修飾表面，以移除任何未與表面相互作用或涂布表面的添加劑。沖洗溶液可包含前述溶劑中的至少一種或組合?；蛘?，沖洗溶液可包含下列組分，由其所組成，或基本上由其所組成:至少一種溶劑、任選的至少一種自由基物質(zhì)、任選的至少一種離子交換樹(shù)脂、及任選的至少一種干燥劑。該至少一種自由基物質(zhì)可選自由氫醌、丁基化羥基甲苯(BHT)、丁基化羥基茴香醚(BHA)、二苯胺、及其組合所組成的組。該至少一種離子交換樹(shù)脂可包括MSC-1 (DowChemical) 0該至少一種干燥劑可包括磷酸酐。沖洗條件包括在約20°C至約80°C范圍內(nèi)，優(yōu)選約20°C至約30°C的溫度，歷時(shí)約I分鐘至約20分鐘或更長(zhǎng)范圍內(nèi)，優(yōu)選約5分鐘至約15分鐘的時(shí)間。建議的沖洗溶液包括水、IPA、TPGME、前述共表面活性劑、水、及其組合。作為替代或除此之外，在使表面與添加劑組合物接觸后，可輻照或加熱表面以處理該表面。在又一實(shí)施方案中，第二方面的方法可進(jìn)一步包括在沖洗后干燥該經(jīng)修飾表面。干燥可以如下方式達(dá)成:使用旋轉(zhuǎn)干燥；使用異丙醇(IPA)、Novec7100流體(3M)、或本領(lǐng)域中已知的其它不可燃性溶劑混合物的蒸氣干燥；或使用氮?dú)鈽尩母稍铩Ｆ浜罂梢瞥?例如，藉由熱)與表面相互作用或涂布表面的添加劑。在移除添加劑層(例如，表面活性劑層)后，表面優(yōu)選為完整、干凈、且準(zhǔn)備好供沉積層(例如，介電層)用。因此，在第二方面的另一實(shí)施方案中，描述一種修飾高縱橫比特征表面的方法，該方法包括預(yù)處理高縱橫比特征的表面以自該表面移除殘余物和/或污染物材料，使該表面與添加劑組合物接觸以產(chǎn)生經(jīng)修飾表面，用沖洗溶液沖洗該經(jīng)修飾表面，及干燥該經(jīng)修飾表面，其中與該經(jīng)修飾表面接觸的沖洗溶液具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角，更優(yōu)選約85度至約105度。該高縱橫比特征的表面優(yōu)選包含經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的單晶硅、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的多晶硅、多晶硅、二氮化硅、氮化硅、或其組合。預(yù)處理可使用本領(lǐng)域中已知的任何殘余物移除方式(例如，濕式處理)完成。因此，在又一實(shí)施方案中，描述一種修飾高縱橫比特征的表面的方法，該方法包括預(yù)處理高縱橫比特征的表面以自該表面移除殘余物和/或污染物材料，在預(yù)處理后沖洗該表面，使該表面與添加劑組合物接觸以產(chǎn)生經(jīng)修飾表面，用沖洗溶液沖洗該經(jīng)修飾表面，干燥該經(jīng)修飾表面，其中與該經(jīng)修飾表面接觸的沖洗溶液具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角，更優(yōu)選約85度至約105度，及最優(yōu)選約85度及約95度。該高縱橫比特征的表面優(yōu)選包括經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的單晶硅、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的多晶硅、多晶硅、二氮化硅、氮化硅、或其組合。預(yù)處理可使用本領(lǐng)域中已知的任何殘余物移除方式(例如，濕式處理)完成。又一方面涉及一種包括經(jīng)修飾的高縱橫比表面的制品，該經(jīng)修飾表面包含被吸附的表面活性劑化合物及沖洗溶液，其中與該經(jīng)修飾表面接觸的該組合物具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角，及其中該經(jīng)修飾的高縱橫比表面包含經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的單晶硅、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的多晶硅、多晶硅、二氮化硅、氮化硅、或其組合。在又一實(shí)施方案中，該經(jīng)修飾表面使用熱加工、反應(yīng)性離子蝕刻、或等離子體輔助蝕刻過(guò)程重置。第三方面在第三方面中，描述添加劑組合物，該組合物包含下列組分，由其所組成，或基本上由其所組成:至少一種表面活性劑、至少一種溶劑、任選的至少一種共表面活性劑、任選的至少一種消泡劑、任選的至少一種緩沖劑、及至少一種穩(wěn)定劑，其中該添加劑組合物修飾高縱橫比特征的表面，以致與該經(jīng)修飾表面接觸的沖洗溶液具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角。本發(fā)明的組合物可使用文中所述的組分以相當(dāng)多樣的特定調(diào)配物具體實(shí)施。本發(fā)明的組合物可以如后文更完整描述的相當(dāng)多樣的特定調(diào)配物具體實(shí)施。在所有這些組合物中，當(dāng)參照包括零下限的重量百分比范圍論述組合物的特定組分時(shí)，當(dāng)明了在組合物的各種特定實(shí)施方案中可存在或不存在這些組分，且在存在這些組分的情況中，其可以基于其中使用這些組分的組合物的總重量計(jì)低至0.001重量百分比的濃度存在。文中所述的組合物經(jīng)由簡(jiǎn)單地添加各別成分及混合至均勻狀態(tài)而容易地調(diào)配得至IJ。此外，可輕易地將組合物調(diào)配為在使用點(diǎn)處混合的單一包裝調(diào)配物或多份調(diào)配物，優(yōu)選為多份調(diào)配物。可將多份調(diào)配物的個(gè)別份在工具處或在工具上游的儲(chǔ)槽中混合。各別成分的濃度可在組合物的特定倍數(shù)內(nèi)寬廣地改變，即更稀或更濃，且當(dāng)明了文中所述的組合物可變化及替代地包含與本文公開(kāi)內(nèi)容一致的成分的任何組合，由其所組成，或基本上由其所組成。在一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含十二烷基膦酸。在另一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含十四烷基膦酸。在又一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含十六烷基膦酸。在另一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含至少一種二醇醚溶劑及選自由十二烷基膦酸、十四烷基膦酸、及十六烷基膦酸所組成的組的表面活性劑。在又一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含至少一種二醇醚溶劑、至少一種消泡劑、及選自由十二烷基膦酸、十四烷基膦酸、及十六烷基膦酸所組成的組的表面活性劑。在另一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含醇及選自由十二烷基膦酸、十四烷基膦酸、及十六烷基膦酸所組成的組的表面活性劑。在另一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含醇、至少一種消泡劑、及選自由十二烷基膦酸、十四烷基膦酸、及十六烷基膦酸所組成的組的表面活性劑。在又一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含三丙二醇甲基醚及選自由十二烷基膦酸、十四烷基膦酸、及十六烷基膦酸所組成的組的表面活性劑。在又一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含三丙二醇甲基醚、至少一種消泡劑、及選自由十二烷基膦酸、十四烷基膦酸、及十六烷基膦酸所組成的組的表面活性劑。在另一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含三丙二醇甲基醚、聚乙二醇/聚丙二醇共聚物、及選自由十二烷基膦酸、十四烷基膦酸、及十六烷基膦酸所組成的組的表面活性劑。在又一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含4-甲基-2-戊醇、三丙二醇甲基醚、至少一種消泡齊U、及選自由十二烷基膦酸、十四烷基膦酸、及十六烷基膦酸所組成的組的表面活性劑。在另一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含異丙醇、三丙二醇甲基醚、至少一種消泡劑、及選自由十二烷基膦酸、十四烷基膦酸、及十六烷基膦酸所組成的組的表面活性劑。在又一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含辛醇、至少一種消泡劑、及選自由十二烷基膦酸、十四烷基膦酸、及十六烷基膦酸所組成的組的表面活性劑。在另一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含氯化二甲基二 -十八烷基銨。在另一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含氯化二甲基二-十八烷基銨及至少一種二醇醚溶劑。在又一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含氯化二甲基二-十八烷基銨及二丙二醇甲基醚。在又一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含氯化二甲基二-十八烷基銨、二丙二醇甲基醚及至少一種消泡齊U。在另一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含氯化二甲基二-十八烷基銨、二丙二醇甲基醚、及聚乙二醇/聚丙二醇共聚物。或者，添加劑組合物包含氯化二(氫化牛脂)二甲基銨。在另一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含氯化二(氫化牛脂)二甲基銨及至少一種二醇醚。在又一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含氯化二(氫化牛脂)二甲基銨及三丙二醇甲基醚。在另一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含氯化二(氫化牛脂)二甲基銨、三丙二醇甲基醚、及至少一種消泡劑。在又一實(shí)施方案中，添加劑組合物包含氯化二(氫化牛脂)二甲基銨、三丙二醇甲基醚及聚乙二醇/聚丙二醇共聚物。 實(shí)施例1在毯覆式TiNx (ALD)基板上評(píng)估調(diào)配物的一般方法流程:1.表面處理:a.丙酮沖洗60秒b.1PA 沖洗 5 秒c.DI沖洗、浸泡I秒；流動(dòng)DI，60秒d.SCl 沖洗(I 份 NH4OH: I 份 H2O2:5 份 DI) 60 秒e.DI沖洗、浸泡I秒；流動(dòng)DI，60秒f 稀釋 BOE 沖洗(6 份 D1:1 份 B0E) 60 秒g.DI沖洗、浸泡I秒；流動(dòng)DI，60秒I1.表面修飾
a.將2X2cm TiNx試片(ALD)在室溫下在包含以下調(diào)配物的燒杯或F20盤中完全浸泡300秒b.DI沖洗、浸泡I秒；流動(dòng)DI,60秒II1.干燥及測(cè)量接觸角a.在Laurel工具上旋轉(zhuǎn)及干燥或在N2中干燥b.測(cè)量DI水在經(jīng)修飾表面上的接觸角制備以下調(diào)配物。調(diào)配物A:0.5重量％DDPA、0.05重量％消泡劑A、99.45重量％TPGME調(diào)配物B:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在DPGME中的0.1重量％消泡劑A、99.45重量％DPGME調(diào)配物C:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在PGME中的0.1重量％消泡劑A、99.45重量％PGME調(diào)配物D:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在4_甲基_2_戊醇中的0.1重量％消泡劑A、99.45重量%4-甲基-2-戊醇調(diào)配物E:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在IPA中的0.1重量％消泡劑A、99.45重量％IPA調(diào)配物F:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、10重量 ％DPGME、89.45 重量 ％TPGME調(diào)配物G:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、30重量 ％DPGME、69.45 重量 ％TPGME調(diào)配物H:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、50重量 ％DPGME、49.45 重量 ％TPGME調(diào)配物1:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、70重量 ％DPGME、29.45 重量 ％TPGME調(diào)配物J:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、10重量 ％PGME、89.45 重量 ％TPGME調(diào)配物K:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、30重量 ％PGME、69.45 重量 ％TPGME調(diào)配物L(fēng):0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、50重量 ％PGME、49.45 重量 ％TPGME調(diào)配物M:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、70重量 ％PGME、29.45 重量 ％TPGME調(diào)配物N:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、10
重量％4_甲基-2-戊醇、89.45重量％TPGME調(diào)配物0:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、30
重量％4_甲基-2-戊醇、69.45重量％TPGME調(diào)配物P:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、50
重量％4_甲基-2-戊醇、49.45重量％TPGME調(diào)配物Q:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、70重量％4-甲基-2-戊醇、29.45重量％TPGME調(diào)配物R:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、10
重量 ％IPA、89.45 重量 ％TPGME調(diào)配物S:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、30
重量 ％IPA、69.45 重量 ％TPGME調(diào)配物T:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、50重量 ％IPA、49.45 重量 ％TPGME調(diào)配物U:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、70
重量 ％IPA、29.45 重量 ％TPGME調(diào)配物V:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、10
重量％水、89.45重量％TPGME調(diào)配物W:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、30
重量％水、69.45重量％TPGME調(diào)配物X:0.5重量％DDPA、0.05重量％的在TPGME中的0.25重量％消泡劑A、50
重量％水、49.45重量％TPGMEDI水在經(jīng)修飾TiNx表面上的接觸角以標(biāo)準(zhǔn)偏差棒顯示于圖2a及圖2b。目標(biāo)接觸角介于80o與IOOo之間。實(shí)施例2在毯覆式Ru(ALD)基板上評(píng)估調(diào)配物的一般方法流程示于圖3。制備額外的調(diào)配物。調(diào)配物AA:0.5 重量 ％0DPA、0.05 重量 ％ 消泡劑 A RD28、99.45 重量 ％TPGME。調(diào)配物BB:1.0重量％氯化二甲基二 -十八烷基銨、0.1重量％消泡劑A RD28、98.9重量 ％DPGME。調(diào)配物CC:1.0重量％雙(氫化牛脂烷基)二甲基氯化物、0.1重量％消泡劑ARD28、98.9 重量 ％TPGME。于四個(gè)不同時(shí)間測(cè)量各Ru晶圓的接觸角:(a)剛收到時(shí)，(b)于預(yù)處理步驟1、II及III后，(c)于預(yù)處理1、II及II1、浸泡于各別調(diào)配物中及10分鐘DI沖洗后，及(d)于預(yù)處理1、11及II1、浸泡于各別調(diào)配物中、10分鐘DI沖洗、及再次在室溫下36小時(shí)后。結(jié)果示于圖4。實(shí)施例3使用F20實(shí)驗(yàn)在毯覆式多晶硅基板上評(píng)估調(diào)配物的一般方法流程示于圖5。
權(quán)利要求
1.修飾高縱橫比特征的表面的方法，該方法包括: 使該高縱橫比特征的表面與添加劑組合物接觸以產(chǎn)生經(jīng)修飾表面， 其中，當(dāng)沖洗溶液與經(jīng)修飾表面接觸時(shí)，作用于該高縱橫比特征上的力被充分地最小化，以至少在移除該沖洗溶液或至少在干燥該高縱橫比特征期間防止高縱橫比特征彎曲或崩塌。
2.權(quán)利要求1的方法，其中，與該經(jīng)修飾表面接觸的該沖洗溶液具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角。
3.權(quán)利要求1或2的方法，其中，該表面包括氮化鎵、氮化鈦、非晶形碳、氮化鉭、氮化鎢、硅化鈷、硅化鎳、多晶硅、氮化硅和/或選自由釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物所組成的組的含釕化合物、或其任何組合。
4.權(quán)利要求1或2的方法，其中，該表面包括氮化鈦、非晶形碳、氮化鉭、氮化鎢、硅化鈷、硅化鎳、和/或選自由釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物所組成的組的含釕化合物、或其任何組合。
5.權(quán)利要求1或2的方法，其中，該表面包括經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的單晶硅、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的多晶硅、多晶硅、二氧化硅、氮化硅、或其組合。
6.權(quán)利要求1或2的方法，其中，該高縱橫比特征包括氮化鈦、釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物、或其任何組合。
7.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中，該添加劑組合物包含表面活性劑、至少一種溶齊U、任選的至少一種共表面活性劑、任選的至少一種緩沖劑、任選的至少一種消泡劑、及至少一種穩(wěn)定劑。
8.權(quán)利要求7的方法，其中，該表面活性劑選自由酸、堿、非離子性表面活性劑、陰離子性表面活性劑、陽(yáng)離子性表面活性劑、兩性離子表面活性劑、及其組合所組成的組。
9.權(quán)利要求7的方法，其中，該表面活性劑包含磷酸、膦酸、膦酸單酯、磷酸單酯及磷酸二酯、羧酸、二羧酸單酯、三羧酸單酯及三羧酸二酯、硫酸單酯、磺酸、胺、及其鹽。
10.權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)的方法，其中，該表面活性劑包含選自下組中的物質(zhì):(i)具有2-30個(gè)碳原子的直鏈烴基，(ii)具有2-20個(gè)碳原子的支鏈烴基，(iii)兩個(gè)具有2-30個(gè)碳原子的直鏈烴基，(iv)兩個(gè)具有6-30個(gè)碳原子的支鏈烴基，(v)式(R1) (R2)P(=0) (R3)的物質(zhì)，其中R1、R2及R3彼此獨(dú)立且選自由氫、羥基、C2-C30烷基、C2-C3tl烯、環(huán)烷基、C2-C30烷氧基、及其組合所組成的組，(vi)式(R1R2R3R4) NX的物質(zhì)，其中R1、R2、R3及R4彼此獨(dú)立且選自由氫、C1-C3tl烷基、C2-C3tl烯、環(huán)烷基、C1-C3tl烷氧基、C1-C3tl羧酸酯、及其任何組合所組成的組，且其中X是任何具有-1電荷的陰離子，(vii)式[(R1) (R2)N]C(=0) (CR3R4)nC(=0) [N(R5)(R6)]的物質(zhì)，其中R1、R2、R3、R4、R5、及R6彼此獨(dú)立且選自由氫、C2-C3tl烷基、C2-C3tl烯、環(huán)烷基、C2-C30烷氧基X2-C3tl羧酸酯、及其任何組合所組成的組，且其中n=l-12的任何整數(shù)，(viii)式 R1C (=0) (OH)的物質(zhì)，其中 R1 選自 C1-C30 烷基或 C2-C30 亞烷基鏈，(ix) R1C (=0) (OH) (CH2) (0=) (HO) CR2，其中R1或R2彼此獨(dú)立且選自C1-C3tl烷基及C2-C3tl亞烷基鏈，及n是介于0與20之間的整數(shù)，(x)具有7-14個(gè)碳原子的全氟化烴基，及(xi)其任何組合。
11.權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)的方法，其中，該表面活性劑包含選自下組中的至少一種物質(zhì):癸基膦酸、十二烷基膦酸、十四烷基膦酸、十六烷基膦酸、雙(2-乙基己基)磷酸酯、十八烷基膦酸、全氟庚酸、全氟癸酸、三氟甲磺酸、磷?；宜帷⑹榛交撬?、二-十八烷基磷酸氫酯、十八烷基磷酸二氫酯、十八烷基膦酸、十二烯基琥珀酸單二乙醇酰胺、十八烷基膦酸、月桂酸、棕櫚酸、油酸、杜松酸、12羥基硬脂酸及十二烷基胺。
12.權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)的方法，其中，該表面活性劑包含選自下組中的至少一種物質(zhì):聚氧亞乙基月桂基醚、十二烯基琥珀酸單二乙醇酰胺、乙二胺四(乙氧化物-嵌段-丙氧化物)四醇、聚氧亞乙基聚氧亞丙基二醇、聚氧亞丙基蔗糖醚、叔辛基苯氧基聚乙氧乙醇、聚氧亞乙基(9)壬基苯基醚(支鏈)、聚氧亞乙基山梨糖醇六油酸酯、聚氧亞乙基山梨糖醇四油酸酯、聚乙二醇脫水山梨糖醇單油酸酯、脫水山梨糖醇單油酸酯、烷基-多葡萄糖苷、全氟丁酸乙酯、1，1，3，3，5，5-六甲基-1，5-雙[2- (5-降冰片烯-2-基)乙基]二娃氧烷、單體十八烷基硅烷衍生物、經(jīng)硅氧烷改性的聚硅氮烷、有機(jī)硅-聚醚共聚物、十七烷氟辛烷磺酸四乙銨、氯化硬脂基三甲銨、溴化4- (4- 二乙氨基苯基偶氮)-1-(4-硝基芐基)吡錠、氯化鯨蠟基吡錠單水合物、苯扎氯銨、芐索氯銨、氯化芐基二甲基十二烷基銨、氯化芐基二甲基十六烷基銨、溴化十六烷基三甲基銨、氯化二甲基二-十八烷基銨、氯化十二烷基三甲基銨、對(duì)甲苯磺酸十六烷基三甲基銨、溴化二-十二烷基二甲基銨、氯化二(氫化牛脂)二甲基銨、溴化四庚基銨、溴化四癸基銨、Aliquaf336及奧芬溴銨、氯化二甲基二-十八烷基銨、溴化二甲基二 -十六烷基銨、聚氧亞乙基月桂基醚鈉、二己基磺基琥珀酸鈉、二環(huán)己基磺基琥珀酸鈉鹽、7-乙基-2-甲基-4-1^一烷基硫酸鈉、SODOSIL RM02、磷酸酯含氟表面活性劑、環(huán)氧乙烷烷基胺、N，N- 二甲基十二烷基胺N-氧化物、椰子氨基丙酸鈉、3-(N，N- 二甲基肉豆蘧基銨基)丙磺酸鹽、(3-(4-庚基)苯基-3-羥丙基)二甲銨基丙磺酸鹽、鹽酸胍、三氟甲磺酸四丁基銨、及其組合。
13.權(quán)利要求7-12任一項(xiàng)的方法，其中，至少一種溶劑是式R1R2R3C(OH)的化合物，其中R1、R2及R3彼此獨(dú)立且選自由氫、C2-C3tl烷基、C2-C3tl烯、環(huán)烷基、C2-C30烷氧基、及其組合所組成的組。
14.權(quán)利要求7-12任一項(xiàng)的方法，其中，該至少一種溶劑包括選自下組中的物質(zhì):水、甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、戊醇、己醇、2-乙基-1-己醇、庚醇、辛醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、碳酸丁二酯、碳酸乙二酯 、碳酸丙二酯、二丙二醇、二甘醇單甲基醚、三甘醇單甲基醚、二甘醇單乙基醚、三甘醇單乙基醚、乙二醇單丙基醚、乙二醇單丁基醚、二甘醇單丁基醚、三甘醇單丁基醚、乙二醇單己基醚、二甘醇單己基醚、乙二醇苯基醚、丙二醇甲基醚、二丙二醇甲基醚(DPGME)、三丙二醇甲基醚(TPGME)、二丙二醇二甲基醚、二丙二醇乙基醚、丙二醇正丙基醚、二丙二醇正丙基醚(DPGPE)、三丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇正丁基醚、丙二醇苯基醚、2，3- 二氫十氟戊烷、乙基全氟丁基醚、甲基全氟丁基醚、碳酸烷基酯、碳酸亞烷基酯、4-甲基-2-戊醇、致密流體、及其組合。
15.權(quán)利要求7-14任一項(xiàng)的方法，其包含該共表面活性劑聚乙二醇/丙二醇或緩沖劑。
16.權(quán)利要求7-14任一項(xiàng)的方法，其包括介于約20°C與約120°C之間的添加劑組合物處理溫度。
17.權(quán)利要求7-14任一項(xiàng)的方法，其包括介于約60秒至約6000秒之間的添加劑組合物處理時(shí)間。
18.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中，該沖洗溶液包含至少一種選自下組中的溶劑:水、甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、碳酸丁二酯、碳酸乙二酯、碳酸丙二酯、二丙二醇、二甘醇單甲基醚、三甘醇單甲基醚、二甘醇單乙基醚、三甘醇單乙基醚、乙二醇單丙基醚、乙二醇單丁基醚、二甘醇單丁基醚、三甘醇單丁基醚、乙二醇單己基醚、二甘醇單己基醚、乙二醇苯基醚、丙二醇甲基醚、二丙二醇甲基醚(DPGME)、三丙二醇甲基醚(TPGME)、二丙二醇二甲基醚、二丙二醇乙基醚、丙二醇正丙基醚、三丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇正丁基醚、丙二醇苯基醚、2，3- 二氫十氟戊烷、乙基全氟丁基醚、甲基全氟丁基醚、碳酸烷基酯、碳酸亞烷基酯、4-甲基-2-戊醇、及其組合。
19.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其進(jìn)一步包括在使該表面與該添加劑組合物接觸之前沖洗該表面。
20.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其進(jìn)一步包括用沖洗溶液沖洗該經(jīng)修飾表面。
21.權(quán)利要求20的方法，其中，該沖洗溶液包含至少一種選自下組中的溶劑:甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、辛醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、碳酸丁二酯、碳酸乙二酯、碳酸丙二酯、二丙二醇、二甘醇單甲基醚、三甘醇單甲基醚、二甘醇單乙基醚、三甘醇單乙基醚、乙二醇單丙基醚、乙二醇單丁基醚、二甘醇單丁基醚、三甘醇單丁基醚、乙二醇單己基醚、二甘醇單己基醚、乙二醇苯基醚、丙二醇甲基醚、二丙二醇甲基醚(DPGME)、三丙二醇甲基醚(TPGME)、二丙二醇二甲基醚、二丙二醇乙基醚、丙二醇正丙基醚、二丙二醇正丙基醚(DPGPE)、三丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇正丁基醚、丙二醇苯基醚、2，3- 二氫十氟戊烷、乙基全氟丁基醚、甲基全氟丁基醚、碳酸烷基酯、碳酸亞烷基酯、4-甲基-2-戊醇、及其組合。
22.權(quán)利要求20的方法，其中，該沖洗溶液包含至少一種選自下組中的自由基:氫醌、丁基化羥基甲苯(BHT)、丁基化羥基茴香醚(BHA)及二苯胺。
23.權(quán)利要求20的方法，其中，該沖洗溶液包含至少一種離子交換樹(shù)脂。
24.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其進(jìn)一步包括在該沖洗之后干燥該經(jīng)修飾表面。
25.權(quán)利要求24的方法，其中，該干燥包括選自由旋轉(zhuǎn)干燥、蒸氣干燥、及氮?dú)飧稍锼M成的組的方法。
26.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法,其中，該經(jīng)修飾表面在沖洗時(shí)間t=x時(shí)的接觸角與該經(jīng)修飾表面在沖洗時(shí)間t=0時(shí)的接觸角相差不大于約+/-10度，其中X在約60秒至約6000秒的范圍內(nèi)。
27.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中，該添加劑組合物在原位摻混。
28.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其進(jìn)一步包括經(jīng)由熱加工、反應(yīng)性離子蝕刻、或等離子體輔助蝕刻過(guò)程重置該經(jīng)修飾表面。
29.制品，其包括添加劑組合物及經(jīng)修飾表面，其中，該添加劑組合物包含至少一種表面活性劑、至少一種有機(jī)溶劑、任選的至少一種共表面活性劑、任選的至少一種消泡劑、任選的至少一種緩沖劑、及至少一種穩(wěn)定劑。
30.包括經(jīng)修飾的高縱橫比表面的制品，該經(jīng)修飾表面包含被吸附的表面活性劑化合物及沖洗溶液，其中，與該經(jīng)修飾表面接觸的該組合物具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角，及其中該經(jīng)修飾的高縱橫比表面包含氮化鈦、非晶形碳、氮化鉭、氮化鎢、硅化鈷、硅化鎳、多晶硅、氮化硅和/或選自由釕、氧化釕、氮化釕、其它含釕化合物所組成的組的含釕化合物、或其任何組合。
31.包括經(jīng)修飾的高縱 橫比表面的制品，該經(jīng)修飾表面包含被吸附的表面活性劑化合物及沖洗溶液，其中，與該經(jīng)修飾表面接觸的該組合物具有在約70度至約110度范圍內(nèi)的接觸角，及其中該經(jīng)修飾的高縱橫比表面包含經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的單晶硅、經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的多晶硅、多 晶硅、二氧化硅、氮化硅、或其組合。
全文摘要
本發(fā)明涉及降低易碎高縱橫比結(jié)構(gòu)在干燥期間所經(jīng)受的毛細(xì)力，以實(shí)質(zhì)上地預(yù)防該高縱橫比結(jié)構(gòu)在干燥期間損傷的方法。該方法包括修飾高縱橫比結(jié)構(gòu)的表面，以使該力充分地減至最小，且因此少于10%的高縱橫比特征會(huì)在其上具有該特征的結(jié)構(gòu)的干燥期間彎曲或崩塌。
文檔編號(hào)H01L21/302GK103081072SQ201180041631
公開(kāi)日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2011年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月27日
發(fā)明者陳天牛, 斯蒂芬·比洛德奧, 許志民, 中西睦, 松岡正弘, 中山文雄, 張鵬, 邁克爾·B·克爾贊斯基, 埃馬紐爾·I·庫(kù)珀, 凱特·維卡萊里, 馬康南·佩恩 申請(qǐng)人:高級(jí)技術(shù)材料公司