專利名稱：用于氣相沉積的含鈦前體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
公開了含鈦前體、其合成方法及使用氣相沉積方法使用所述含鈦前體沉積含鈦層的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體行業(yè)所面對的嚴(yán)重挑戰(zhàn)之一為開發(fā)用于DRAM和電容器的新柵極介電材料。數(shù)十年來，二氧化硅(SiO2)為可靠的電介質(zhì)，但隨著晶體管已持續(xù)縮小且技術(shù)已從“全 Si”晶體管發(fā)展至“金屬柵極/高k”晶體管，基于SiA的柵極電介質(zhì)的可靠性正達(dá)到其物理極限。隨著用于當(dāng)前技術(shù)的大小縮小，對新的高介電常數(shù)材料和方法的需求正日益增加且變得愈來愈關(guān)鍵。與傳統(tǒng)介電材料相比，標(biāo)準(zhǔn)介電材料如TiO2或含有稱作鈦酸鍶如SrTiO3或 Sr2TiO4或鈦酸鍶鋇的堿土金屬的新介電材料提供電容方面的顯著優(yōu)勢。新的介電材料也為用于若干薄膜應(yīng)用的有吸引力的候選者，如用于電子器件、抗反射光學(xué)涂層、生物相容涂層、光催化及太陽能電池的高介電常數(shù)材料。(H. A. Durand等人，Appl. Surf. Sci. 86,122(1995) ；C. -ff. Wang 等人，J. Appl. Phys. 91,9198 (2002) ；M. Keshmiri 等人， J. Non-Cryst. Solids 324,289(2003) ；Τ. houe 等人，Nature (倫敦)277，637 (1979) ；H. Kim 等人，Appl. Phys. Lett. 85，64 (2004))。此外，TiO2也為用于介電和鐵電應(yīng)用的若干重要多金屬氧化物體系如鈦酸鍶 (STO)、鈦酸鍶鋇(BST)和鋯鈦酸鉛(PZT)的組分。(P. Alluri 等人，Integr. Ferroelectr.， 21,305(1998) ;J. F. kott 等人，Science 246,1400(1989))。然而，含鈦層的沉積困難，且需要新的材料和方法。舉例而言，原子層沉積ALD已被識別為用于微電子器件制造的重要薄膜生長技術(shù)，其依賴于由惰性氣體凈化分開的交替施加的前體的依序和飽和表面反應(yīng)。常在該沉積方法中使用氧源如臭氧或水。ALD的表面控制性質(zhì)藉由精確的厚度控制來實現(xiàn)具有高保形性和均勻性的薄膜的生長。在STO ALD沉積中，可用Sr前體顯示出與O3的優(yōu)良反應(yīng)性和與水的可接受的反應(yīng)性。然而，當(dāng)在高溫下沉積STO膜時，將臭氧用作氧化劑可具有對底層如TiN或氧化鍶釕 (SRO)的不當(dāng)結(jié)果。其可氧化TiN層或部分蝕刻來自SRO層的Ru。雖然已公開了 Ti化合物的原子層沉積(ALD)，但這些金屬前體具有尤其與水分的差的反應(yīng)性和低穩(wěn)定性，從而常需要低的基底溫度和強氧化劑以使常受碳或氮污染的膜生長。Air Liquide顯示大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)均配Ti分子具有有限的ALD工藝溫度窗或無沉積(R. Katamreddy, V. 0marjee、B· Feist、C· Dussarrat，ECSconference 2008)。舉例而言，在水 ALD方法中，Ti分子四(異丙醇)鈦(TTIP)、四(二甲氨基)鈦(TDMAT)、四(二乙氨基) 鈦(TDEAT)和四(乙基甲基氨基)鈦(TEMAT)具有低于0. 6埃/循環(huán)的沉積速率和不超過 250°C的工藝窗。需要在較高工藝溫度下具有較高熱穩(wěn)定性的新Ti前體。需要高溫方法產(chǎn)生高質(zhì)量TiO2 (經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜)和具有非常高的介電常數(shù)(優(yōu)選k>50)的STO膜。已報告， 需要具有致密和柱狀多晶微結(jié)構(gòu)和小的平均晶粒大小(30nm)的STO膜以獲得具有高k值的低漏泄電流(C. S. Hwang, S. 0. Park, C. S. Kang, H. Cho，H. Kang, S. Τ. Ahn 和 Μ. Y. Lee，Jpn. J. App 1. Phys.，第 1 部分，34，5178 1995)。Zhang等人公開了 Ti (Cy-NC (NiPr2) N-Cy) 2 (OnBu) 2的意想不到的合成?！吨袊茖W(xué)通報》(Chinese Science Bulletin) (2005), 50 (24), 2817-2820o Chen 等人公開了 Ti (OnBu)2(02CMe)2的合成?！痘瘜W(xué)學(xué)報》(2003)，61 (10)，1592-1596。未公開這些化合物的用途。美國專利申請公布第2005/277223號公開了使用具有式M(Ll)x(L2)y的含金屬前體形成金屬氧化物的ALD方法，其中M為金屬，Ll和L2可為鹵化物、二酮 (diketonate)、醇鹽、氨基、烷氧基胺、脒鹽(amidinate)或多齒配位基。然而，示例性前體僅為 Hf (OtBu)2 (NEtMe) 2、Hf (OtBu) 2 (NEt2) 2、Hf (NEt2) 2 (DMAMP) 2、Hf (NEtMe) 2 (DMAMP) 2、 Ti(OtBu)3Cl, Ti(OtBu) 3Me, Ti (OtBu) 2 (NEt2) 2、Ti (NEt2) 2 (DMAMP) 2、Ti(OtBu)2(DMAMP)2 禾口 TiCl2 (DMAMP) 2。正在搜尋結(jié)合Ti材料的其他來源和方法用于新生代的集成電路器件。需要新前體。
發(fā)明摘要公開了具有下式的分子Ti (R1-N-C (R3) -N-R2) u(OR4) x (NR5R6) y (O2CR7) z 式 I 或Ti (R1-N-(C(R3)2)m-N-R2) v(OR4)x (NR5R6)y (O2CR7) z 式 II其中■ R1^R2, R5、R6和R7獨立地選自H和C1-C6烷基；■ R3 = H, C1-C6 烷基或；_R4*C1-C6 烷基；■ m = 2-4 ；■ u = 0-2 ；■ ν = 0-1 ；■ χ = 1-3 ；■ y = 0-2 ；■ ζ = 0-1 ；■在式 I 中，u+x+y+z = 4 ；■在式 II 中，2v+x+y+z = 4 ；且■^ I0
所公開的分子可進(jìn)一步包括以下方面中一個或多個·該分子具有式I，其中u = 1，χ = 3，y = 0且ζ 二 0 ；·該分子選自Ti(IPr-N-C(Me)-N-IPr)1(OiPr)P Ti (IPr-N-C(Me)-N-IPr)1(OMe) 3> Ti (iPr-N-C(Me)-N-IPr)!(OEt) 3> Ti(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OnPr)3>Ti(iPr-N-C(Me)-N-iPr)1(OsBu)3> Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)!(OiBu) 3> Ti (iPr-N-C(Me)_N_iPr)!(OtBu) Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) !(OEt)3^ Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) ! (OMe) Ti (Et-N-C(Me) -N-Et) !(OnPr)3^ Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) !(OsBu) Ti(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OiBu)3^ Ti(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OtBu)3 禾口 Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 3 ；·該分子具有式II，其中v = l，x = 2，y = 0且z = 0;·該分子選自Ti(IPr-N-(CH2)2-N-IPr)1(OiPr)U Ti (iPr-N- (CH2) 2-N-iPr)丄(OMe) 2、 Ti (iPr-N- (CH2) 2-N-iPr)丄(OEt) 2、 Ti (iPr-N- (CH2) 2-N-iPr) ！ (OnPr) 2、Ti (i Pr-N- (CH2) 2_N_iPr) ！ (OsBu) 2、 Ti (iPr-N- (CH2) 2-N-iPr) ！ (OiBu) 2、Ti (i Pr-N- (CH2) 2_N_iPr) ！ (OtBu) 2、 Ti(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OiPr)2^Ti(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OMe)2, Ti(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OEt)2^Ti(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OnPr)2, Ti(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OsBu)2^Ti(Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OiBu)2, Ti (Et-N- (CH2) 2-N-Et) ！ (OtBu) Ti (iPr-N- (CH2) 3_N— iPr) 1 (OiPr) 2、 Ti (iPr-N- (CH2) 3-N-iPr)丄(OMe) 2、 Ti (iPr-N- (CH2) 3-N_iPr)丄(OEt) 2、 Ti (iPr-N- (CH2) 3-N-iPr) ！ (OnPr) 2、 Ti (iPr-N- (CH2) 3_N_iPr)丄(OsBu) 2、 Ti(iPr-N-(CH2) 3-N-iPr)!(OiBu) 2、 Ti(iPr-N-(CH2) 3"N-iPr)！(OtBu) 2、 Ti(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OiPr)2^Ti(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OMe)2, Ti(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OEt)2^Ti(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OnPr)2, Ti (Et-N-(CH2) 3-N-Et) ！ (OsBu)2^ Ti (Et-N-(CH2) 3_N t)丄(0 i B u) 2 禾 Π Ti (Et-N- (CH2) 3-N-Et) ！ (OtBu) 2 ；·該分子具有式I，其中U = 2，χ = 2，y = 0且z = 0;·該分子選自=Ti (iPr-N-C(H) -N-iPr)2 (OiPr)Ti (iPr-N-C(H) _N_iPr)2 (OMe)2、 Ti (iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OEt) 2、Ti (iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OnPr) 2、 Ti(iPr-N-C(H)_N-iPr)2(OsBu)2、Ti(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OiBu)2、 Ti (iPr-N-C (H) -N-iPr)2(OtBu)2、Ti (Et-N-C (H) -N-Et)2(OiPr)2、 Ti (Et-N-C (H) -N-Et) 2 (OMe)2, Ti (Et-N-C (H) -N-Et) 2 (OEt)2, Ti (Et-N-C (H) _N_Et) 2 (OnPr)2, Ti (Et-N-C (H) -N-Et) 2 (OsBu) 2、Ti (Et-N-C (H) -N-Et) 2 (OiBu) Ti (Et-N-C (H)-N-Et)2(OtBu)2^ Ti (iPr-N-C (Me)-N-iPr)2(OiPr)2, Ti (iPr-N-C (Me)-N-iPr)2(OMe) 2> Ti (iPr-N-C (Me)-N-iPr)2(OEt) Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OnPr) 2、 Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(0sBu) 2、 Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OiBu) 2> Ti (iPr-N-C(Me)_N_iPr)2(OtBu) Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) 2(OiPr) 2> Ti (Et-N-C(Me) -N-Et)2(OMe) Ti(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OEt)2^Ti(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OnPr)2.Ti (Et-N-C(Me)-N-Et)2(OsBu) 2、 Ti (Et-N-C(Me)-N-Et)2(OiBu)2 禾口 Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) 2 (OtBu) 2 ；·該分子具有式I，其中u = l，x = 2，y = l且z = 0;·該分子選自Ti (iPr-N-C (Me) -N-iPr) (OiPr) 2 (We2)、Ti (iPr-N-C (Me) -N-iPr) (OiPr) 2 (NEt2) 、 Ti (iPr-N-C (Me) -N-iPr) (OiPr) 2 (NEtMe) 、 Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) (OiPr) 2(NMe2) 、 Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) (OiPr) 2 (NEt2) 、 Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) (OiPr) 2 (NEtMe) 、 Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 2 (NMe2) 、 Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 2 (NEt2) 、 Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 2 (NEtMe) 、 Ti (iPr-N-C (Me) -N-iPr) (OiPr)2(NMeiPr) 、 Ti (iPr-N-C (Me)-N-iPr) (OiPr) 2 (NiPr2) 、 Ti (iPr-N-C (Me)-N-iPr) (OiPr)2(NMetBu) 、 Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr) (OiPr)2(NneοPeηty12), Ti(Et-N-C(Me)-N-Et) (OiPr)2(NMeiPr) 、 Ti(Et-N-C(Me)-N-Et) (OiPr)2(NiPr2)、 Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) (OiPr) 2 (NneoPentyl2) , Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 2 (NMeiPr)、Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 2 (NiPr2)、Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr)2(NneoPentyl2)和 Ti (iPr-N-C (匪_N_iPr) (OiPr)2(NMeiPr)；·該分子具有式I，其中11 = 1，1 = 2，7 = 0且2 = 1; 該分子選自 Ti (iPr-N-C (Me) -N-iPr) (OiPr) 2 (O2CMe)和 Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) (OiPr) 2 (O2CMe)； 該分子具有式II，其中ν = l，x=l，y = 0且z = l;·該分子選自Ti (iPr-N- (CH2) 2_N_iPr) (OiPr) (O2CMe)、Ti (iPr-N- (CH2) 2_N_iPr) (OMe) (O2CMe) 、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OEt) (O2CMe) 、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OnPr) (O2CMe) 、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OsBu) (O2CMe) 、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OiBu) (O2CMe) 、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OtBu) (O2CMe) 、 Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OiPr) (O2CMe) 、 Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OMe) (O2CMe) 、 Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OEt) (O2CMe)、Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OnPr) (O2CMe)、Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OsBu) (O2CMe)、 Ti(Et-N-(CH2)2-N-Et) (OiBu) (O2CMe)和 Ti(Et-N-(CH2)2-N-Et) (OtBu) (O2CMe)； 該分子具有式I或式II，其中u、ν、y = 0，x = 2且ζ = 2 ；·該分子為 Ti (OiPr) 2 (O2CMe) 2 ； 該分子具有式I或式II，其中u、ν、y = 0，x = 3且ζ = 1 ；且·該分子為 Ti (OiPr) 3 (O2CMe)。也公開了在基底上形成含Ti層的方法。提供反應(yīng)室，該反應(yīng)室具有放置于其內(nèi)的至少一個基底。將以上公開的分子中的至少一個的蒸氣引入至該反應(yīng)室內(nèi)。使該蒸氣與該基底接觸以使用氣相沉積方法在該基底的至少一個表面上形成含Ti層。所公開的方法可進(jìn)一步包括以下方面中的一個或多個 將包括至少一種含金屬前體的第二蒸氣引入至該反應(yīng)室內(nèi)且使該第二蒸氣與該基底接觸以使用氣相沉積方法在該基底的至少一個表面上形成含金屬層，其中該含金屬前體選自M(L)2和M(L)2. A，其中-M 為 Sr 或 Ba ；-L選自經(jīng)取代的環(huán)戊二烯基配體體系R1R2R3R4R5Cp或β - 二酮配體體系-O-CIi6-CH-CR7-O-；
-R1至&中的每一個獨立地選自H或C1-C6直鏈或支化烷基鏈；-R6和R7中的每一個獨立地選自C1-C6直鏈或支化烷基鏈；且-A為選自四氫呋喃、二甲氧基乙烷、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚和四甘醇二甲醚的含中性氧的分子；且·該含金屬前體選自=Sr (iPr3Cp)2, Sr(iPr3Cp)2. thf, Sr(iPr3Cp)2. dme, Sr(tBu3Cp)2、Sr(tBu3Cp)2. thf、Sr(tBu3Cp)2. dme、Sr(thmd)2、Sr(thmd)2.三甘醇二甲醚、Sr (thmd) 2.四甘醇二甲醚、Sr (Me5Cp)2, Sr (Me4Cp)2, Sr (Me4EtCp)2, Sr (Me4nBuCp) 2、 Ba (iPr3Cp) 2> Ba (iPr3Cp) 2. thf > Ba (iPr3Cp) 2. dme、Ba(tBu3Cp)2、Ba (tBu3Cp) 2. thf > Ba (tBu3Cp) 2. dme、Ba (thmd) 2、Ba (thmd) 2.三甘醇二甲醚、Ba (thmd) 2.四甘醇二甲醚、 Ba (Me5Cp) 2、Ba (Me4Cp) 2、Ba (Me4EtCp) 2 禾口 Ba (Me4nBuCp) 2。也公開了沉積STO或BST膜的方法。提供ALD反應(yīng)室，該ALD反應(yīng)室具有放置于其內(nèi)的至少一個基底。將以上公開的化合物中的至少一種用脈沖輸送至該反應(yīng)室中。將氧源用脈沖輸送至該反應(yīng)室中。將含金屬前體用脈沖輸送至該反應(yīng)室中。該含金屬前體選自 M(L)2 和 M(L)2. A，其中-M 為 Sr 或 Ba ；-L選自經(jīng)取代的環(huán)戊二烯基配體體系R1R2R3R4R5Cp或β - 二酮配體體系-O-CIi6-CH-CR7-O-；-R1至&中的每一個獨立地選自H或C1-C6直鏈或支化烷基鏈；-R6和R7中的每一個獨立地選自C1-C6直鏈或支化烷基鏈；且-A為選自四氫呋喃、二甲氧基乙烷、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚和四甘醇二甲醚的含中性氧的分子。將第二氧源用脈沖輸送至該反應(yīng)室中。通過改變用于該前體和該含金屬前體的脈沖輸送步驟的數(shù)目來控制在該STO或BST膜中的M Ti化學(xué)計量比。所公開的方法可進(jìn)一步包括以下方面中的一個或多個·該含金屬前體選自=Sr(iPr3Cp)2, Sr(iPr3Cp)2. thf, Sr(iPr3Cp)2. dme, Sr(tBu3Cp)2> Sr(tBu3Cp)2. thf> Sr(tBu3Cp)2. dme> Sr (thmd) 2> Sr (thmd) 2.三甘醇二甲醚、Sr (thmd) 2.四甘醇二甲醚、Sr (Me5Cp)2, Sr (Me4Cp)2, Sr (Me4EtCp)2, Sr (Me4nBuCp) 2、 Ba (iPr3Cp) 2> Ba (iPr3Cp) 2. thf > Ba (iPr3Cp) 2. dme、Ba(tBu3Cp)2、Ba (tBu3Cp) 2. thf > Ba (tBu3Cp) 2. dme、Ba (thmd) 2、Ba (thmd) 2.三甘醇二甲醚、Ba (thmd) 2.四甘醇二甲醚、 Ba (Me5Cp) 2、Ba (Me4Cp) 2、Ba (Me4EtCp) 2 禾口 Ba (Me4nBuCp) 2 ；且·該氧源和該第二氧源為水。記號和命名法貫穿以下說明書和權(quán)利要求書中使用某些縮寫、符號和術(shù)語，包括縮寫“ST0”指代鈦酸鍶；縮寫“BST”指代鈦酸鍶鋇；縮寫“PZT”指代鋯鈦酸鉛；縮寫"Ii1-NC(R3)N-IV'指代以下化學(xué)結(jié)構(gòu)
權(quán)利要求
1.具有下式的分子Ti (R1-N-C (R3) -N-R2) u (OR4) x (NR5R6) y (O2CR7) z 式 I 或 Ti (R1-N-(C(R3)2)m-N-R2) v(OR4)x (NR5R6)y (O2CR7) z 式 II 其中R1^ R2> R5> R6和R7獨立地選自H和C1-C6烷基； R3 = H、C1-C6 烷基或 NMe2 ； R4為C1-C6烷基； m = 2-4 ； u = 0-2 ； v = 0-l； χ = 1-3 ； y = 0-2 ； z = 0-l；在式 I 中，u+x+y+z = 4 ； 在式 II 中，2v+x+y+z = 4 ；且 U、ν或ζ彡10
2.根據(jù)權(quán)利要求1的分子，所述分子具有式I，其中u= l，x = 3，y = 0且ζ = 0。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的分子，其中所述分子選自=Ti(iPr-N-C (Me) -N-iPr) ！ (OiPr) 3> Ti (IPr-N-C(Me)-N-IPr)1(OMe) 3> Ti (iPr-N-C(Me)-N-IPr)!(OEt) 3> Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)！(OnPr) 3> Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)丄(OsBu) 3、 Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)丄(OiBu) 3、 Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)!(OtBu) Ti (Et-N-C(Me)-N-Et)1(OEt)3, Ti (Et-N-C(Me)-N-Et)1(OMe)3, Ti (Et-N-C(Me) -N-Et) !(OnPr) Ti (Et-N-C(Me) -N-Et) !(OsBu) Ti(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OiBu)3, Ti(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OtBu)3 禾口 Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 3。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的分子，所述分子具有式II，其中ν= l，x = 2，y = 0且ζ = 0。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的分子，其中所述分子選自=Ti(iPr-N- (CH2) 2-N-iPr) ！ (OiPr) Ti (iPr-N-(CH2) ^N-iPr)^OMe)2, Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr)! (OEt) Ti (iPr-N- (CH2) 2_N_iPr) ! (OnPr) 2、Ti (i Pr-N- (CH2) 2_N_iPr) ! (OsBu) 2、 Ti (iPr-N- (CH2) 2-N-iPr) ! (OiBu) 2、Ti (i Pr-N- (CH2) 2_N_iPr) ! (OtBu) 2、 Ti (Et-N -(CH2) 2-N-Et)! (OiPr)2, Ti (Et_N_ (CH2) 2_N_Et)i (OMe) 2、 Ti (Et-N-(CH2)2-N-Eth(OEt)2、Ti (Et-N-(CH2)2-N-Eth(OnPr)2、 Ti (Et-N -(CH2) 2-N-Et)! (OsBu)2, Ti (Et_N_ (CH2) ^N-Et)! (OiBu) 2、 Ti (Et-N -(CH2) 2-N-Et)! (OtBu)2, Ti (iPr-N-(CH2) 3-N-iPr)! (OiPr)2, Ti (iPr-N-(CH2) 3-N-iPr) OMe)2, Ti (iPr-N-(CH2) 3-N-iPr) ! (OEt)Ti (iPr-N- (CH2) 3_N_iPr) ! (OnPr) 2、Ti (i Pr-N- (CH2) 3_N_iPr) ! (OsBu) 2、 Ti (iPr-N- (CH2) 3-N-iPr)丄(OiBu) 2、 Ti (iPr-N- (CH2) 3-N-iPr) ! (OtBu) Ti (Et-N -(CH2) 3-N-Et)! (OiPr)2, Ti (Et_N_ (CH2) 3_N_Et)1 (OMe) 2、 Ti (Et-N -(CHN-Et)1 (OEt) 2、Ti (Et_N_ (CH2)「N-Et)! (OnPr) 2、Ti(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OsBu)2, Ti(Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OiBu)2 禾口 Ti (Et-N- (CH2) 3-N-Et)丄(OtBu) 2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的分子，所述分子具有式I，其中u= 2，χ = 2，y = 0且ζ = 0。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的分子，其中所述分子選自Ti(iPr-N-C (H) -N-iPr) 2 (OiPr) 2、 Ti (iPr-N-C (H) -N-iPr)2(OMe) Ti (iPr-N-C (H) -N-iPr)2(0Et)2, Ti (iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OnPr) 2、Ti (iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OsBu) 2、 Ti (iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OiBu) 2、Ti (iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OtBu) 2、 Ti (Et-N-C (H) -N-Et) 2 (OiPr) 2、Ti (Et_N_C (H) -N-Et) 2 (OMe)2, Ti (Et_N_C (H) -N-Et) 2 (OEt)2, Ti (Et-N-C(H)-N-Et)2(OnPr)2、Ti (Et-N-C(H)-N-Et)2(OsBu)2、 Ti (Et-N-C (H) -N-Et) 2 (OiBu) 2、Ti (Et-N-C(H)-N-Et)2(OtBu) 2、 Ti (iPr-N-C (Me)-N-iPr)2(OiPr)2, Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OMe)2, Ti (iPr-N-C (Me)-N-iPr)2(OEt) Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OnPr) Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OsBu) Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OiBu) Ti(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OtBu)2, Ti(Et-N-C(Me)-N-Et)2(OiPr)2, Ti (Et-N-C(Me)-N-Et)2(OMe)2, Ti (Et-N-C(Me)-N-Et)2(OEt)2, Ti (Et-N-C(Me)-N-Et)2(OnPr)2, Ti (Et-N-C(Me)-N-Et)2(OsBu)2, Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) 2 (OiBu) 2 和 Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) 2 (OtBu) 2。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的分子，所述分子具有式I，其中u= 1，χ = 2，y = 1且ζ = 0。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的分子，其中所述分子選自Ti(ift-N_C(Me)-N-iPr) (OiPr) 2 (NMe2) 、 Ti (iPr-N-C (Me) -N-iPr) (OiPr) 2 (NEt2) 、 Ti (iPr-N-C (Me) -N-iPr) (OiPr) 2 (NEtMe) 、 Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) (OiPr) 2 (NMe2) 、 Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) (OiPr) 2 (NEt2) 、 Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) (OiPr) 2 (NEtMe) 、 Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 2 (NMe2) 、 Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 2 (NEt2) 、 Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 2 (NEtMe) 、 Ti (iPr-N-C (Me) -N-iPr) (OiPr) 2 (NMeiPr) 、 Ti (iPr-N-C (Me) -N-iPr) (OiPr) 2 (NiPr2) 、 Ti (iPr-N-C (Me) -N-iPr) (OiPr) 2 (NMetBu) 、 Ti (iPr-N-C (Me) -N-iPr) (OiPr) 2 (NneoPentyl2) 、 Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) (OiPr) 2 (NMeiPr) 、 Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) (OiPr) 2 (NiPr2)、Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) (OiPr) 2 (NneoPentyl2)、Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 2 (NMeiPr)、Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 2 (NiPr2)、Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr)2(NneoPentyl2)和 Ti (iPr-N-C (匪_N_iPr) (OiPr)2(WeiPr)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的分子，所述分子具有式I，其中u= 1，X = 2，y = O且Z = 1。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的分子，其中所述分子選自Ti(iPr-N-C (Me)-N-iPr) (OiPr) 2 (O2CMe)和 Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) (OiPr) 2 (O2CMe)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的分子，所述分子具有式II，其中ν= 1，χ = 1，y = O且ζ = 1。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的分子，其中所述分子選自Ti(iPr-N-(CH2)2-N-IPr) (OiPr) (O2CMe) 、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OMe) (O2CMe) 、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OEt) (O2CMe) 、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OnPr) (O2CMe) 、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OsBu) (O2CMe) 、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OiBu) (O2CMe) 、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OtBu) (O2CMe) 、 Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OiPr) (O2CMe) 、 Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OMe) (O2CMe)、Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OEt) (O2CMe)、Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OnPr) (O2CMe)、Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OsBu) (O2CMe)、Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OiBu) (O2CMe)禾口 Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OtBu) (O2CMe)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的分子，所述分子具有式I或式II，其中u、v、y= 0，x = 2且ζ =20
15.根據(jù)權(quán)利要求14的分子，所述分子為TU0iPr)2(02CMe)2。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的分子，所述分子具有式I或式II，其中u、v、y= 0，x = 3且ζ =Io
17.根據(jù)權(quán)利要求16的分子，所述分子為Ti(OiPr)3(O2CMe)。
18.—種在基底上形成含Ti層的方法，所述方法包括提供反應(yīng)室，所述反應(yīng)室具有放置于其中的至少一個基底；將包含至少一種前體的蒸氣引入所述反應(yīng)室中，所述至少一種前體具有下式Ti (R1-N-C (R3) -N-R2) u (OR4) x (NR5R6) y (O2CR7) z 式 I 或Ti (R1-N-(C(R3)2)m-N-R2) v(OR4)x (NR5R6)y (O2CR7) z 式 II其中R1^ R2> R5> R6和R7獨立地選自H和C1-C6烷基； R3 = H、C1-C6 烷基或 NMe2 ； R4為C1-C6烷基； m = 2-4 ； u = 0-2 ； v = 0-l； χ = 1-3 ； y = 0-2 ； z = 0-l；在式 I 中，u+x+y+z = 4 ； 在式 II 中，2v+x+y+z = 4 ；且 U、ν或ζ彡1 ；使所述蒸氣與所述基底接觸以使用氣相沉積方法在所述基底的至少一個表面上形成含Ti層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中所述至少一種前體選自 Ti (iPr-N-C (Me)-N-IPr)! (OiPr) 3> Ti (iPr-N-C (Me)-N-iPr)^OMe)3> Ti (iPr-N-C (Me)-N-IPr)!(OEt) 3> Ti (iPr-N-C(Me)-N-IPr)!(OnPr) 3> Ti (iPr-N-C (Me)-N-iPr)!(OsBu) Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)!(OiBu) Ti(IPr-N-C(Me)-N-IPr)1(OtBu)3^Ti(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OEt)3, Ti (Et-N-C (Me) - N-Et) !(OMe) Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) !(OnPr) Ti (Et-N-C(Me) -N-Et) !(OsBu) Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) !(OiBu) Ti(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OtBu)3, Ti (iPr-N-C (NMe2)-N-iPr) (OiPr)3、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr)!(OiPr) Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr)!(OMe) Ti (iPr-N- (CH2) 2_N_ i Pr) ! (OE t) 2、T i ( i P r-N- (CH2) 2_N_ i P r) ! (OnP r) 2、 Ti (iPr-N- (CH2) 2_N_iPr) ! (OsBu) 2、Ti (i Pr-N- (CH2) 2_N_iPr) ! (OiBu) 2、Ti (iPr-N -(CH2) 2-N-iPr)! (OtBu)2^ Ti (Et-N-(CH2) 2-N-Et)! (OiPr)2, Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OMe)2, Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OEt)2, Ti (Et-N-(CH2) 2-N-Et)! (OnPr) 2、Ti (Et_N_ (CH2) ^N-Et)! (OsBu) 2、 Ti (Et-N -(CH2) 2-N-Et)! (OiBu)2, Ti (Et_N_ (CH2) 2_N_Et)1 (OtBu) 2、 Ti (iPr-N-(CH2) 3-N-iPr)!(OiPr) Ti (iPr-N-(CH2) 3-N-iPr)!(OMe) Ti (iPr-N- (CH2) 3-N-iPr) ! (OEt) Ti (iPr-N- (CH2) 3-N-iPr) ! (OnPr) Ti (iPr-N- (CH2) 3_N_iPr) ! (OsBu) 2、Ti (i Pr-N- (CH2) 3_N_iPr) ！ (OiBu) Ti (iPr-N-(CH2) 3-N-iPr) !(OtBu)2^ Ti (Et-N-(CH2) 3-N-Et)! (OiPr)2, Ti (Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OMe)2, Ti (Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OEt)2, Ti (Et-N-(CHN-Et)1 (OnPr) 2、Ti (Et_N_ (CH2)「N-Et)! (OsBu) 2、 Ti (Et-N-(CHN-Et)1 (OiBu) 2、Ti (Et_N_ (CH2)「N-Et)! (OtBu) 2、 Ti(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OiPr)2,Ti(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OMe)2, Ti(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OEt)2, Ti(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OnPr)2, Ti (iPr-N-C (H)-N-iPr)2(OsBu)2, Ti (iPr-N-C (H)-N-iPr)2(OiBu)2, Ti (iPr-N-C (H) -N-iPr)2(OtBu)2、Ti (Et-N-C (H) -N-Et) 2(OiPr)2、 Ti (Et-N-C (H) -N-Et) 2 (OMe) 2、Ti (Et-N-C (H) -N-Et) 2 (OEt)2, Ti (Et-N-C (H) -N-Et) 2 (OnPr) 2、 Ti (Et-N-C(H)-N-Et)2(OsBu)2, Ti (Et-N-C(H)-N-Et)2(OiBu)2、 Ti (Et-N-C (H)-N-Et)2(0tBu)2. Ti (iPr-N-C (Me)-N-iPr)2(0iPr)2. Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OMe) Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OEt) Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OnPr) Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OsBu) Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OiBu) Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OtBu) Ti (Et-N-C(Me)-N-Et)2(OiPr)2, Ti (Et-N-C(Me)-N-Et)2(OMe)2, Ti (Et-N-C(Me)-N-Et)2(OEt)2, Ti (Et-N-C(Me)-N-Et)2(OnPr)2, Ti (Et-N-C (Me) -N-Et)2(0sBu)2, Ti (Et-N-C (Me) -N-Et)2(0iBu)2, Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) 2 (OtBu) Ti (iPr-N-C (Me) -N-iPr) (OiPr)2(NMe2)、 Ti (iPr-N-C (Me) -N-iPr) (OiPr) 2 (NEt2) 、 Ti (iPr-N-C (Me) -N-iPr) (OiPr) 2 (NEtMe)、 Ti (Et-N-C(Me)-N-Et) (OiPr)2(NMe2) 、 Ti (Et-N-C(Me)-N-Et) (OiPr)2(NEt2)、 Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) (OiPr) 2 (NEtMe) 、 Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 2 (NMe2)、 Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 2 (NEt2) 、 Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 2 (NEtMe)、 Ti (iPr-N-C (Me)-N-iPr) (OiPr) 2 (O2CMe)、 Ti (Et-N-C (Me)-N-Et) (OiPr)2 (O2CMe)、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OiPr) (O2CMe) 、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OMe) (O2CMe)、 Ti (iPr-N- (CH2) 2-N-iPr) (OEt) (O2CMe) 、 Ti (iPr-N- (CH2) 2-N-iPr) (OnPr) (O2CMe)、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OsBu) (O2CMe) 、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OiBu) (O2CMe)、 Ti (iPr-N- (CH2) 2-N-iPr) (OtBu) (O2CMe) 、 Ti (Et-N- (CH2) 2-N-Et) (OiPr) (O2CMe)、 Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OMe) (O2CMe) 、 Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OEt) (O2CMe)、 Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OnPr) (O2CMe) 、 Ti (Et-N- (CH2) 2-N-Et) (OsBu) (O2CMe)、 Ti (Et-N- (CH2) 2-N-Et) (OiBu) (O2CMe) 、 Ti (Et-N- (CH2) 2-N-Et) (OtBu) (O2CMe)、 Ti (OiPr) 2 (O2CMe) 2 和 Ti (OiPr) 3 (O2CMe)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其進(jìn)一步包括將包含至少一種選自M(L) 2和M(L) 2. A的含金屬前體的第二蒸氣引入反應(yīng)室中，其中 M為Sr或Ba ；L選自經(jīng)取代的環(huán)戊二烯基配體體系R1R2R3R4R5Cp或β - 二酮配體體系-O-CIi6-CH-CR7-O-；R1至&中的每一個獨立地選自H或C1-C6直鏈或支化烷基鏈； R6和R7中的每一個獨立地選自C1-C6直鏈或支化烷基鏈；且A為選自四氫呋喃、二甲氧基乙烷、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚和四甘醇二甲醚的含中性氧的分子；和使第二蒸氣與基底接觸以使用氣相沉積方法在所述基底的至少一個表面上形成含金屬層。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中所述含金屬前體選自=Sr(iPr3Cp)2,Sr(iPr3Cp)2. thf > Sr (iPr3Cp) 2. dme、Sr(tBu3Cp)2、Sr (tBu3Cp) 2. thf > Sr (tBu3Cp) 2. dme、Sr (thmd) 2> Sr(thmd)2.三甘醇二甲醚、Sr (thmd) 2.四甘醇二甲醚、Sr (Me5Cp) 2、Sr (Me4Cp) 2、 Sr (Me4EtCp) 2、Sr (Me4nBuCp) 2、Ba (iPr3Cp) 2> Ba (iPr3Cp) 2. thf > Ba (iPr3Cp) 2. dme、 Ba(tBu3Cp)2、Ba(tBu3Cp)2. thf、Ba (tBu3Cp) 2. dme、Ba (thmd) 2、Ba (thmd) 2.三甘醇二甲醚、 Ba (thmd) 2·四甘醇二甲醚、Ba (Me5Cp) 2、Ba (Me4Cp) 2、Ba (Me4EtCp) 2 和 Ba (Me4nBuCp) 2
22.一種沉積STO或BST膜的方法，所述方法包括提供ALD反應(yīng)室，所述ALD反應(yīng)室具有放置于其中的至少一個基底； 將具有下式的前體用脈沖輸送至所述反應(yīng)室中 Ti (R1-N-C (R3) -N-R2) u (OR4) x (NR5R6) y (O2CR7) z 式 I 或 Ti (R1-N-(C(R3)2)m-N-R2) v(OR4)x (NR5R6)y (O2CR7) z 式 II 其中 R1^ R2> R5> R6和R7獨立地選自H和C1-C6烷基； R3 = H、C1-C6 烷基或 NMe2 ； R4為C1-C6烷基； m = 2-4 ； u = 0-2 ； v = 0-l； χ = 1-3 ； y = 0-2 ； z = 0-l；在式 I 中，u+x+y+z = 4 ； 在式 II 中，2v+x+y+z = 4 ；且 U、ν或ζ彡1 ；禾口將氧源用脈沖輸送至所述反應(yīng)室中；將選自M(L)2和M(L)2. A的含金屬前體用脈沖輸送至所述反應(yīng)室中，其中 M為Sr或Ba ；L選自經(jīng)取代的環(huán)戊二烯基配體體系R1R2R3R4R5Cp或β - 二酮配體體系-O-CIi6-CH-CR7-O-；R1至&中的每一個獨立地選自H或C1-C6直鏈或支化烷基鏈；R6和R7中的每一個獨立地選自Cl-C6直鏈或支化烷基鏈；且A為選自四氫呋喃、二甲氧基乙烷、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚和四甘醇二甲醚的含中性氧的分子；將第二氧源用脈沖輸送至所述反應(yīng)室中；和通過變化用于所述前體和所述含金屬前體的所述脈沖輸送步驟的數(shù)目來控制在所述 STO或BST膜中的M Ti化學(xué)計量比。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中所述前體選自=Ti (iPr-N-C (Me) -N-iPr) ！ (OiPr) 3> Ti (IPr-N-C(Me)-N-IPr)1(OMe) 3> Ti (iPr-N-C(Me)-N-IPr)!(OEt) 3> Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)！(OnPr) 3> Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)!(OsBu) 3> Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)丄(OiBu) 3、 Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)!(OtBu) 3> Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) !(OEt)3, Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) ! (OMe) 3> Ti(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OnPr)3, Ti(Et-N-C(Me)-N-Et)1(OsBu)3^ Ti (Et-N-C (Me) 一N-Et)! (OiBu) 3、Ti (Et-N-C (Me) -N-Et)! (OtBu) 3、Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 3、 Ti (iPr-N-(CH2)2-N-iPr) !(OiPr)2, Ti (iPr-N- (CH2) 2-N-iPr)! (OMe) 2> Ti (iPr-N- (CH2) 2-N-i Pr) ! (OEt) Ti (iPr-N- (CH2) 2-N-iPr) ! (OnPr) 2> Ti (iPr-N- (CH2) 2-N-iPr) ! (OsBu) 2、Ti (i Pr-N- (CH2) 2_N_iPr) ! (OiBu) 2、 Ti (iPr-N-(CH2) ^N-iPr)! (OtBu)2, Ti (Et-N-(CH2) 2-N-Et) !(OiPr)2^ Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et)1(OMe)2, Ti (Et-N- (CH2) 2-N-Et) ! (OEt) 2> Ti (Et-N -(CH2) ^N-Et)! (OnPr)2, Ti (Et-N -(CH2) ^N-Et)! (OsBu) 2> Ti (Et-N -(CH2) ^N-Et)! (OiBu)2, Ti (Et_N_ (CH2) [N-EiO1 (OtBu) 2、 Ti (iPr-N-(CH2) 3-N-iPr)!(OiPr) Ti (iPr-N-(CH2) 3-N-iPr)!(OMe) 2> Ti (iPr-N- (CH2) 3-N-iPr) ! (OEt) Ti (iPr-N- (CH2) 3-N-iPr) ! (OnPr) 2> Ti (iPr-N- (CH2) 3-N-iPr) ! (OsBu) 2、Ti (i Pr-N- (CH2) 3_N_iPr) ! (OiBu) 2、 Ti (iPr-N-(CH2) 3-N-iPr) !(OtBu)2, Ti (Et-N-(CH2) 3-N-Et) !(OiPr)2^ Ti (Et-N-(CH2)3-N-Et)1(OMe)2, Ti (Et_N_ (CH2) 3_N_Et)1 (OEt) 2、 Ti (Et-N -(CH2) 3-N-Et)! (OnPr)2, Ti (Et_N_ (CH2)「N-Eth (OsBu) 2、 Ti (Et-N -(CH2) 3-N-Et)! (OiBu)2, Ti (Et_N_ (CH2)「N-Eth (OtBu) 2、 Ti (iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OiPr)2, Ti (iPr-N-C (H)-N-iPr)2(OMe) 2> Ti(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OEt)2> Ti(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OnPr)2> Ti(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OsBu)2、Ti(iPr-N-C(H)-N-iPr)2(OiBu)2、 Ti (iPr-N-C (H) -N-iPr)2(OtBu)2、Ti (Et-N-C (H) -N-Et) 2(OiPr)2、 Ti (Et-N-C (H) -N-Et) 2 (OMe) 2、Ti (Et-N-C (H) -N-Et) 2 (OEt)2, Ti (Et-N-C (H) -N-Et) 2 (OnPr) 2> Ti (Et-N-C (H) -N-Et) 2 (OsBu) 2、Ti (Et-N-C(H)-N-Et)2(OiBu) 2、 Ti (Et-N-C (H)-N-Et)2(OtBu)2^ Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OiPr) 2> Ti (iPr-N-C (Me)-N-iPr)2(OMe) Ti (iPr-N-C (Me)-N-iPr)2(OEt) 2> Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OnPr) 2,Ti(iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OsBu)2> Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OiBu) Ti (iPr-N-C(Me)-N-iPr)2(OtBu) 2> Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) 2 (OiPr)2, Ti (Et-N-C(Me) -N-Et)2(OMe) 2> Ti(Et-N-C(Me)-N-Et)2(0Et)2. Ti(Et-N-C(Me)-N-Et)2(0nPr)2.Ti (Et-N-C (Me) -N-Et),(OsBu)2, Ti (Et-N-C (Me) -N-Et)2(0iBu)2> Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) 2 (OtBu) Ti (iPr-N-C (Me) -N-iPr) (OiPr)2(NMe2)、 Ti (iPr-N-C (Me) -N-iPr) (OiPr) 2 (NEt2) 、 Ti (iPr-N-C (Me) -N-iPr) (OiPr) 2 (NEtMe)、 Ti (Et-N-C(Me)-N-Et) (OiPr)2(NMe2) 、 Ti (Et-N-C(Me)-N-Et) (OiPr)2(NEt2)、 Ti (Et-N-C (Me) -N-Et) (OiPr) 2 (NEtMe) 、 Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 2 (NMe2)、 Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 2 (NEt2)、Ti (iPr-N-C (NMe2) -N-iPr) (OiPr) 2 (NEtMe)、 Ti (iPr-N-C (Me)-N-iPr) (OiPr) 2 (O2CMe)、 Ti (Et-N-C (Me)-N-Et) (OiPr)2 (O2CMe)、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OiPr) (O2CMe) 、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OMe) (O2CMe)、 Ti (iPr-N- (CH2) 2-N-iPr) (OEt) (O2CMe) 、Ti (iPr-N- (CH2) 2-N-iPr) (OnPr) (O2CMe)、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OsBu) (O2CMe) 、 Ti (iPr-N-(CH2) 2-N-iPr) (OiBu) (O2CMe)、 Ti (iPr-N- (CH2) 2_N_iPr) (OtBu) (O2CMe) 、 Ti (Et-N- (CH2) 2-N-Et) (OiPr) (O2CMe)、 Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OMe) (O2CMe) 、 Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OEt) (O2CMe)、 Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OnPr) (O2CMe) 、 Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OsBu) (O2CMe)、 Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OiBu) (O2CMe) 、 Ti (Et-N-(CH2)2-N-Et) (OtBu) (O2CMe)、 Ti (OiPr) 2 (O2CMe) 2 和 Ti (OiPr) 3 (O2CMe)。
24.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中所述含金屬前體選自Sr(Wr3Cp)2、Sr(Wr3Cp)2. thf > Sr (iPr3Cp) 2. dme、Sr(tBu3Cp)2、Sr (tBu3Cp) 2. thf > Sr (tBu3Cp) 2. dme、Sr (thmd) 2> Sr(thmd)2.三甘醇二甲醚、Sr (thmd) 2.四甘醇二甲醚、Sr (Me5Cp) 2、Sr (Me4Cp) 2、 Sr (Me4EtCp) 2、 Sr (Me4nBuCp) 2> Ba(iPr3Cp)2> Ba(iPr3Cp)2. thf、 Ba(iPr3Cp)2. dme、 Ba(tBu3Cp)2、Ba(tBu3Cp)2. thf、Ba (tBu3Cp) 2. dme、Ba (thmd) 2、Ba (thmd) 2.三甘醇二甲醚、 Ba (thmd) 2.四甘醇二甲醚、Ba (Me5Cp) 2、Ba (Me4Cp)2, Ba (Me4EtCp) 2 和 Ba (Me4nBuCp)20
25.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中所述氧源和所述第二氧源為水。
全文摘要
公開了含鈦前體及其合成方法。該化合物可用于使用氣相沉積方法如化學(xué)氣相沉積或原子層沉積來沉積含鈦、氧化鈦、氧化鍶鈦和鈦酸鍶鋇的層。
文檔編號H01L21/205GK102482771SQ201180003704
公開日2012年5月30日 申請日期2011年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月7日
發(fā)明者C·迪薩拉, V·R·帕里姆 申請人:喬治洛德方法研究和開發(fā)液化空氣有限公司